LT1336
半桥式N沟道
功率MOSFET驱动器
与升压型稳压器
特点
s
s
s
描述
在LT
1336是具有成本效益的半桥N沟道
功率MOSFET驱动器。浮动驱动器能驱动所述
操作关闭高顶边N沟道功率MOSFET
电压( HV )轨至60V (绝对最大值) 。在
片上开关稳压器保持PWM操作的
快到即使在充电的自举电容
和工作在100%占空比。
内部逻辑防止输入从接通
功率MOSFET半桥同时。其
独特的自适应保护,防止直通电流
租金消除了两个所有匹配的要求
的MOSFET。这极大地简化了高英法fi效率的设计
电机控制和开关调节器系统。
在低电源或启动条件下,欠压
停摆积极拉动驱动器输出低电平,以防止
从功率MOSFET被部分打开。在0.5V
滞后甚至可以用缓慢vary-可靠运行
荷兰国际集团物资。
, LTC和LT是凌特公司的注册商标。
s
s
s
s
s
s
s
浮顶驱切换高达60V
内部升压型稳压器,用于直流操作
驱动器的前N沟道MOSFET栅极
上述供应
180ns转换时间驾驶10,000pF
自适应非重叠栅极驱动预防
SHOOT - THROUGH
顶驱维持在高占空比
TTL / CMOS输入电平
滞后欠压闭锁
工作在电源电压为10V至15V
独立的顶部和底部驱动引脚
应用
s
s
s
s
s
s
高电流电感负载的PWM
半桥和全桥电机控制
同步降压型开关稳压器
3相无刷电机驱动器
高电流驱动传感器
D类功率放大器
典型用途
12V
1N4148
200H*
R
SENSE
2
1/4W
1
I
SENSE
2
SV
+
PV
+
开关
BOOST
16
14
13
1N4148
HV = 40V MAX **
+
10
10F
25V
5
3
4
PWM
为0Hz至100kHz
+
IRFZ44
TGATEDR
LT1336
12
TGATEFB
11
Tsource和
UVOUT
9
BGATEDR
INTOP
8
BGATEFB
INBOTTOM
SGND
6
SWGND
15
保护地
7
1000F
100V
+
C
BOOST
1F
INTOP INBOTTOM TGATEDR
IRFZ44
L
L
H
H
*美达RCR- 664D - 221KC
**的高压> 40V请参阅“导出浮动
供应带反激式拓扑“IN
应用信息部分
U
U
U
BGATEDR
L
H
L
L
L
H
L
H
L
L
H
L
1336 TA01
1
LT1336
绝对
最大
评级
电源电压(引脚2,10 ) .................................... 20V
升压................................................ ......... 75V
峰值输出电流( <为10μs ) .............................. 1.5A
输入引脚电压.......................... - 0.3V至V
+
+ 0.3V
顶源电压..................................... - 5V至60V
升压至源极电压
(V
BOOST
– V
Tsource和
) ............................ - 0.3V至20V
开关管的电压(引脚16 ) ............................ - 0.3V至60V
工作温度范围
商业............................................ 0 ° C至70 ℃,
工业........................................... - 40 ° C至85 ℃,
结温(注1 ) ............................ 125°C
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度(焊接, 10秒) ................. 300℃
封装/订购信息
顶视图
I
SENSE
SV
+
INTOP
INBOTTOM
UVOUT
SGND
保护地
BGATEFB
1
2
3
4
5
6
7
8
16开关
15 SWGND
14 BOOST
13 TGATEDR
12 TGATEFB
11 Tsource和
10 PV
+
9
BGATEDR
订购部件
数
LT1336CN
LT1336CS
LT1336IN
LT1336IS
N包装
16引脚PDIP
的一揽子
16引脚塑封过于狭窄
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 70 ℃/ W( N)
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 110 ℃/ W( S)
咨询工厂的军工级配件。
电气特性
测试电路,T
A
= 25 ° C,V
+
= V
BOOST
= 12V, V
Tsource和
= 0V和引脚1 , 16
开。门反馈引脚连接到栅极驱动引脚,除非另有规定。
符号参数
直流电源电流(注2 )
I
S
条件
V
+
= 15V, V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 2V
V
+
= 15V, V
INTOP
= 2V, V
INBOTTOM
= 0.8V
V
+
= 15V, V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 0.8V
V
+
= 15V, V
Tsource和
= 40V, V
INTOP
= V
INBOTTOM
=
0.8V (注3 )
V
+
= 15V, V
Tsource和
= 60V, V
BOOST
= 75V,
V
INTOP
= V
INBOTTOM
= 0.8V
q
q
民
12
12
12
典型值
15
14
15
30
5
1.4
最大
20
20
20
40
7
0.8
25
9.4
8.8
9.8
9.2
5
0.4
12
12
0.7
0.7
单位
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
A
V
V
V
V
A
V
V
V
V
V
I
BOOST
V
IL
V
IH
I
IN
V
+ UVH
V
+ UVL
V
BUVH
V
BUVL
I
UVOUT
V
UVOUT
V
OH
升压电流(注2 )
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入电流
V
+
低电压起动阈值
V
+
欠压关断阈值
V
BOOST
低电压起动阈值
V
BOOST
欠压关断阈值
欠压输出泄漏
欠压输出饱和
顶栅开启电压
底栅开启电压
3
2
8.4
7.8
1.7
7
8.9
8.3
9.3
8.7
0.1
0.2
V
INTOP
= V
INBOTTOM
= 4V
q
V
Tsource和
= 60V, V
BOOST
– V
Tsource和
V
Tsource和
= 60V, V
BOOST
– V
Tsource和
V
+
= 15V
V
+
= 7.5V ,我
UVOUT
= 2.5毫安
V
INTOP
= 2V, V
INBOTTOM
= 0.8V,
V
TGATE DR
– V
Tsource和
V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 2V, V
BGATE DR
V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 2V,
V
TGATE DR
– V
Tsource和
V
INTOP
= 2V, V
INBOTTOM
= 0.8V, V
BGATE DR
q
q
q
q
q
q
8.8
8.2
11
11
11.3
11.3
0.4
0.4
V
OL
顶栅关断电压
底栅关断电压
2
U
W
U
U
W W
W
LT1336
电气特性
测试电路,T
A
= 25 ° C,V
+
= V
BOOST
= 12V, V
Tsource和
= 0V ,而引脚1 , 16
开。门反馈引脚连接到栅极驱动引脚,除非另有规定。
符号参数
V
IS
V
ISHYS
V
SAT
V
布特
t
r
I
SENSE
峰值电流阈值
I
SENSE
迟滞
开关饱和电压
V
BOOST
稳压输出
顶栅上升时间
底栅上升时间
t
f
顶栅下降时间
底栅下降时间
t
D1
顶栅导通延迟
底栅开启延迟
t
D2
顶栅关断延迟
底栅关断延迟
t
D3
顶栅锁定延迟
底栅锁定延迟
t
D4
顶栅释放延迟
底栅释放延迟
条件
V
Tsource和
= 60V, V
BOOST
= 68V, V
+
– V
ISENSE
V
Tsource和
= 60V, V
BOOST
= 68V
V
ISENSE
= V
+
, V
BOOST
– V
Tsource和
= 9V,
I
SW
= 100毫安
V
Tsource和
= 40V, V
INTOP
= V
INBOTTOM
= 0.8V,
I
BOOST
= 10毫安,V
BOOST
– V
Tsource和
V
INTOP
( + )过渡,V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
– V
Tsource和
(注4 )
V
INBOTTOM
( + )过渡,V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
(注4 )
V
INTOP
( - )过渡,V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
– V
Tsource和
(注4 )
V
INBOTTOM
( - )过渡,V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
(注4 )
V
INTOP
( + )过渡,V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
– V
Tsource和
(注4 )
V
INBOTTOM
( + )过渡,V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
(注4 )
V
INTOP
( - )过渡,V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
– V
Tsource和
(注4 )
V
INBOTTOM
( - )过渡,V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
(注4 )
V
INBOTTOM
( + )过渡,V
INTOP
= 2V,
测量V
TGATE DR
– V
Tsource和
(注4 )
V
INTOP
( + )过渡,V
INBOTTOM
= 2V,
测量V
BGATE DR
(注4 )
V
INBOTTOM
( - )过渡,V
INTOP
= 2V,
测量V
TGATE DR
– V
Tsource和
(注4 )
V
INTOP
( - )过渡,V
INBOTTOM
= 2V,
测量V
BGATE DR
(注4 )
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
民
310
25
典型值
480
55
0.85
最大
650
85
1.2
11.2
200
200
140
140
500
400
600
400
600
500
500
400
单位
mV
mV
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10.6
130
90
60
60
250
200
300
200
300
250
250
200
该
q
表示该指标适合整个工作
温度范围。
注1 :
T
J
从周围温度T计算出的
A
和权力
耗散P
D
根据下式:
LT1336CN / LT1336IN :T已
J
= T
A
+ (P
D
) ( 70 ° C / W)
LT1336CS / LT1336IS :T已
J
= T
A
+ (P
D
) ( 110 ° C / W)
注2 :
动态电源电流较高,由于栅极电荷的存在
在开关频率传递。见典型性能
特性及应用信息部分。
注3 :
引脚1和引脚16连接到电感器的两端。助推器,是
自由运行的。
注4 :
见时序图。门的上升时间是从测量2V至10V
时间和下降时间测量从10V至2V 。延迟时间是衡量
从输入转换到时的栅极电压上升至2V或
下降到10V 。
3