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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第167页 > LT1336CN
LT1336
半桥式N沟道
功率MOSFET驱动器
与升压型稳压器
特点
s
s
s
描述
在LT
1336是具有成本效益的半桥N沟道
功率MOSFET驱动器。浮动驱动器能驱动所述
操作关闭高顶边N沟道功率MOSFET
电压( HV )轨至60V (绝对最大值) 。在
片上开关稳压器保持PWM操作的
快到即使在充电的自举电容
和工作在100%占空比。
内部逻辑防止输入从接通
功率MOSFET半桥同时。其
独特的自适应保护,防止直通电流
租金消除了两个所有匹配的要求
的MOSFET。这极大地简化了高英法fi效率的设计
电机控制和开关调节器系统。
在低电源或启动条件下,欠压
停摆积极拉动驱动器输出低电平,以防止
从功率MOSFET被部分打开。在0.5V
滞后甚至可以用缓慢vary-可靠运行
荷兰国际集团物资。
, LTC和LT是凌特公司的注册商标。
s
s
s
s
s
s
s
浮顶驱切换高达60V
内部升压型稳压器,用于直流操作
驱动器的前N沟道MOSFET栅极
上述供应
180ns转换时间驾驶10,000pF
自适应非重叠栅极驱动预防
SHOOT - THROUGH
顶驱维持在高占空比
TTL / CMOS输入电平
滞后欠压闭锁
工作在电源电压为10V至15V
独立的顶部和底部驱动引脚
应用
s
s
s
s
s
s
高电流电感负载的PWM
半桥和全桥电机控制
同步降压型开关稳压器
3相无刷电机驱动器
高电流驱动传感器
D类功率放大器
典型用途
12V
1N4148
200H*
R
SENSE
2
1/4W
1
I
SENSE
2
SV
+
PV
+
开关
BOOST
16
14
13
1N4148
HV = 40V MAX **
+
10
10F
25V
5
3
4
PWM
为0Hz至100kHz
+
IRFZ44
TGATEDR
LT1336
12
TGATEFB
11
Tsource和
UVOUT
9
BGATEDR
INTOP
8
BGATEFB
INBOTTOM
SGND
6
SWGND
15
保护地
7
1000F
100V
+
C
BOOST
1F
INTOP INBOTTOM TGATEDR
IRFZ44
L
L
H
H
*美达RCR- 664D - 221KC
**的高压> 40V请参阅“导出浮动
供应带反激式拓扑“IN
应用信息部分
U
U
U
BGATEDR
L
H
L
L
L
H
L
H
L
L
H
L
1336 TA01
1
LT1336
绝对
最大
评级
电源电压(引脚2,10 ) .................................... 20V
升压................................................ ......... 75V
峰值输出电流( <为10μs ) .............................. 1.5A
输入引脚电压.......................... - 0.3V至V
+
+ 0.3V
顶源电压..................................... - 5V至60V
升压至源极电压
(V
BOOST
– V
Tsource和
) ............................ - 0.3V至20V
开关管的电压(引脚16 ) ............................ - 0.3V至60V
工作温度范围
商业............................................ 0 ° C至70 ℃,
工业........................................... - 40 ° C至85 ℃,
结温(注1 ) ............................ 125°C
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度(焊接, 10秒) ................. 300℃
封装/订购信息
顶视图
I
SENSE
SV
+
INTOP
INBOTTOM
UVOUT
SGND
保护地
BGATEFB
1
2
3
4
5
6
7
8
16开关
15 SWGND
14 BOOST
13 TGATEDR
12 TGATEFB
11 Tsource和
10 PV
+
9
BGATEDR
订购部件
LT1336CN
LT1336CS
LT1336IN
LT1336IS
N包装
16引脚PDIP
的一揽子
16引脚塑封过于狭窄
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 70 ℃/ W( N)
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 110 ℃/ W( S)
咨询工厂的军工级配件。
电气特性
测试电路,T
A
= 25 ° C,V
+
= V
BOOST
= 12V, V
Tsource和
= 0V和引脚1 , 16
开。门反馈引脚连接到栅极驱动引脚,除非另有规定。
符号参数
直流电源电流(注2 )
I
S
条件
V
+
= 15V, V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 2V
V
+
= 15V, V
INTOP
= 2V, V
INBOTTOM
= 0.8V
V
+
= 15V, V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 0.8V
V
+
= 15V, V
Tsource和
= 40V, V
INTOP
= V
INBOTTOM
=
0.8V (注3 )
V
+
= 15V, V
Tsource和
= 60V, V
BOOST
= 75V,
V
INTOP
= V
INBOTTOM
= 0.8V
q
q
12
12
12
典型值
15
14
15
30
5
1.4
最大
20
20
20
40
7
0.8
25
9.4
8.8
9.8
9.2
5
0.4
12
12
0.7
0.7
单位
mA
mA
mA
mA
mA
V
V
A
V
V
V
V
A
V
V
V
V
V
I
BOOST
V
IL
V
IH
I
IN
V
+ UVH
V
+ UVL
V
BUVH
V
BUVL
I
UVOUT
V
UVOUT
V
OH
升压电流(注2 )
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入电流
V
+
低电压起动阈值
V
+
欠压关断阈值
V
BOOST
低电压起动阈值
V
BOOST
欠压关断阈值
欠压输出泄漏
欠压输出饱和
顶栅开启电压
底栅开启电压
3
2
8.4
7.8
1.7
7
8.9
8.3
9.3
8.7
0.1
0.2
V
INTOP
= V
INBOTTOM
= 4V
q
V
Tsource和
= 60V, V
BOOST
– V
Tsource和
V
Tsource和
= 60V, V
BOOST
– V
Tsource和
V
+
= 15V
V
+
= 7.5V ,我
UVOUT
= 2.5毫安
V
INTOP
= 2V, V
INBOTTOM
= 0.8V,
V
TGATE DR
– V
Tsource和
V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 2V, V
BGATE DR
V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 2V,
V
TGATE DR
– V
Tsource和
V
INTOP
= 2V, V
INBOTTOM
= 0.8V, V
BGATE DR
q
q
q
q
q
q
8.8
8.2
11
11
11.3
11.3
0.4
0.4
V
OL
顶栅关断电压
底栅关断电压
2
U
W
U
U
W W
W
LT1336
电气特性
测试电路,T
A
= 25 ° C,V
+
= V
BOOST
= 12V, V
Tsource和
= 0V ,而引脚1 , 16
开。门反馈引脚连接到栅极驱动引脚,除非另有规定。
符号参数
V
IS
V
ISHYS
V
SAT
V
布特
t
r
I
SENSE
峰值电流阈值
I
SENSE
迟滞
开关饱和电压
V
BOOST
稳压输出
顶栅上升时间
底栅上升时间
t
f
顶栅下降时间
底栅下降时间
t
D1
顶栅导通延迟
底栅开启延迟
t
D2
顶栅关断延迟
底栅关断延迟
t
D3
顶栅锁定延迟
底栅锁定延迟
t
D4
顶栅释放延迟
底栅释放延迟
条件
V
Tsource和
= 60V, V
BOOST
= 68V, V
+
– V
ISENSE
V
Tsource和
= 60V, V
BOOST
= 68V
V
ISENSE
= V
+
, V
BOOST
– V
Tsource和
= 9V,
I
SW
= 100毫安
V
Tsource和
= 40V, V
INTOP
= V
INBOTTOM
= 0.8V,
I
BOOST
= 10毫安,V
BOOST
– V
Tsource和
V
INTOP
( + )过渡,V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
– V
Tsource和
(注4 )
V
INBOTTOM
( + )过渡,V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
(注4 )
V
INTOP
( - )过渡,V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
– V
Tsource和
(注4 )
V
INBOTTOM
( - )过渡,V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
(注4 )
V
INTOP
( + )过渡,V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
– V
Tsource和
(注4 )
V
INBOTTOM
( + )过渡,V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
(注4 )
V
INTOP
( - )过渡,V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
– V
Tsource和
(注4 )
V
INBOTTOM
( - )过渡,V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
(注4 )
V
INBOTTOM
( + )过渡,V
INTOP
= 2V,
测量V
TGATE DR
– V
Tsource和
(注4 )
V
INTOP
( + )过渡,V
INBOTTOM
= 2V,
测量V
BGATE DR
(注4 )
V
INBOTTOM
( - )过渡,V
INTOP
= 2V,
测量V
TGATE DR
– V
Tsource和
(注4 )
V
INTOP
( - )过渡,V
INBOTTOM
= 2V,
测量V
BGATE DR
(注4 )
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
310
25
典型值
480
55
0.85
最大
650
85
1.2
11.2
200
200
140
140
500
400
600
400
600
500
500
400
单位
mV
mV
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
10
10.6
130
90
60
60
250
200
300
200
300
250
250
200
q
表示该指标适合整个工作
温度范围。
注1 :
T
J
从周围温度T计算出的
A
和权力
耗散P
D
根据下式:
LT1336CN / LT1336IN :T已
J
= T
A
+ (P
D
) ( 70 ° C / W)
LT1336CS / LT1336IS :T已
J
= T
A
+ (P
D
) ( 110 ° C / W)
注2 :
动态电源电流较高,由于栅极电荷的存在
在开关频率传递。见典型性能
特性及应用信息部分。
注3 :
引脚1和引脚16连接到电感器的两端。助推器,是
自由运行的。
注4 :
见时序图。门的上升时间是从测量2V至10V
时间和下降时间测量从10V至2V 。延迟时间是衡量
从输入转换到时的栅极电压上升至2V或
下降到10V 。
3
LT1336
典型性能特性
直流电源电流
与电源电压
22
20
V
Tsource和
= 0V
两个输入端
高或低
18
17
电源电流(mA )
电源电流(mA )
16
14
12
10
8
6
4
6
8
10 12 14 16
电源电压( V)
18
20
V
INTOP
=高
V
INBOTTOM
= LOW
V
INTOP
= LOW
V
INBOTTOM
=高
15
14
13
12
11
10
9
–50
–25
两个输入端
高或低
电源电流(mA )
18
DC +动态电源电流
与输入频率
60
50
占空比为50%
C
= 3000pF的
60
50
电源电流(mA )
电源电流(mA )
40
30
V
+
= 15V
20
10
0
40
C
= 10000pF
30
C
= 3000pF的
20
10
0
C
= 1000pF的
电源电压( V)
V
+
= 20V
1
10
100
输入频率(千赫)
欠压锁定(V
BOOST
)
13
12
V
BOOST
– V
Tsource和
电压(V)的
V
Tsource和
= 60V
输入门限电压( V)
1.8
1.6
11
10
9
8
7
6
5
4
–50
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
关断阈值
起动阈值
输入电流( μA )
4
ü W
1336 G01
直流电源电流
与温度
V
+
= 12V
V
Tsource和
= 0V
34
31
28
25
22
19
16
13
10
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
直流电源电流
VS顶源电压
V
+
= 12V
V
INTOP
= LOW
V
INBOTTOM
=高
两个输入端
高或低
16
V
INTOP
=高
V
INBOTTOM
= LOW
V
INTOP
= LOW
V
INBOTTOM
=高
V
INTOP
=高
V
INBOTTOM
= LOW
0
5
10 15 20 25 30
TOP源极电压( V)
35
40
1336 G02
1336 G18
DC +动态电源电流
与输入频率
13
欠压锁定(V
+
)
12
11
10
起动阈值
9
8
7
6
5
关断阈值
占空比为50%
V
+
= 12V
V
+
= 10V
1000
1336 G03
1
10
100
输入频率(千赫)
1000
1336 G04
4
–50
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
1336 G05
输入阈值电压
与温度
2.0
V
+
= 12V
V
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
0.8
–50
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
顶部或底部的输入引脚电流
与温度
V
+
= 12V
V
IN
= 4V
V
1.4
1.2
1.0
4
–50
–25
50
25
0
75
温度(℃)
100
125
1336 G06
1336 G07
1336 G08
LT1336
典型性能特性
顶部或底部的输入引脚电流
与输入电压
5.0
4.5
4.0
V
+
= 12V
230
210
V
+
= 12V
底栅上升时间( NS )
底栅下降时间( NS )
输入电流(mA )
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
4
5
6
10
8
7
9
输入电压( V)
11
12
顶栅上升时间
与温度
300
280
260
V
+
= 12V
C
负载
= 10000pF
顶栅下降时间( NS )
顶栅上升时间( NS )
240
220
200
180
160
140
120
100
80
–50
–25
C
负载
= 1000pF的
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
C
负载
= 3000pF的
140
120
100
80
60
40
C
负载
= 1000pF的
20
–50 –25
0
25
50
75
100
125
C
负载
= 3000pF的
导通延迟时间(纳秒)
打开-O FF延迟时间
与温度
400
350
关断延迟时间(纳秒)
V
+
= 12V
C
负载
= 3000pF的
封锁延迟时间(纳秒)
解除延迟时间(纳秒)
300
250
200
150
100
–50
TOP DRIVER
BOTTOM DRIVER
–25
0
25
50
75
温度(℃)
ü W
1336 G09
1336 G12
底栅上升时间
与温度
210
190
170
150
130
110
90
70
50
125
底栅下降时间
与温度
V
+
= 12V
190
170
150
130
110
90
70
50
–50
C
负载
= 10000pF
C
负载
= 10000pF
C
负载
= 3000pF的
C
负载
= 1000pF的
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
C
负载
= 1000pF的
C
负载
= 3000pF的
30
–50
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
1336 G10
1336 G11
顶栅下降时间
与温度
180
160
V
+
= 12V
C
负载
= 10000pF
导通延迟时间
与温度
400
350
300
TOP DRIVER
250
200
BOTTOM DRIVER
150
100
–50
V
+
= 12V
C
负载
= 3000pF的
–25
温度(℃)
1336 G13
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
1336 G14
锁定延迟时间
与温度
400
350
300
250
200
150
100
–50
V
+
= 12V
C
负载
= 3000pF的
解除延迟时间
与温度
400
350
V
+
= 12V
C
负载
= 3000pF的
TOP DRIVER
BOTTOM DRIVER
300
TOP DRIVER
250
200
BOTTOM DRIVER
150
100
–50
100
125
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
–25
0
25
50
75
温度(℃)
100
125
1336 G15
1336 G16
1336 G17
5
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型号
厂家
批号
数量
封装
单价/备注
操作
    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LT1336CN
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1002316308 复制 点击这里给我发消息 QQ:515102657 复制
电话:0755-83777708/83777607/82799993
联系人:朱咸华
地址:美驻深办公室:深圳市福田区华强北上步工业区201栋4楼A18室/ 分公司:深圳华强北深纺大厦C座西7楼/ 市场部:华强北新亚洲电子市场3B047展销柜
LT1336CN
LINEAR
25+23+
25500
DIP-16
绝对原装正品现货/优势渠道商、原盘原包原盒!
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
LT1336CN
LT
21+
9200
DIP16
全新原装正品/质量有保证
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