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LT1169
双路低噪声,
Picoampere偏置电流,
JFET输入运算放大器
特点
s
s
s
s
s
s
s
s
s
s
DESCRIPTIO
输入偏置电流,热身: 20PA最大
100%测试低电压噪声: 8nV / √Hz的最大
S8和N8包装标准引脚
极低的输入电容:取1.5pF
电压增益: 120万敏
失调电压:最大为2mV
输入电阻: 10
13
增益带宽积: 5.3MHz典型值
保证规格,
±5V
耗材
保证匹配规格
APPLICATI
s
s
s
s
S
s
s
光放大器器
水听器放大器
高灵敏度压电加速度计
低电压和电流噪声仪表
放大器前端
二,三运放仪表放大器器
主动滤池
该LT1169实现了卓越的噪声新标准
表现为双JFET运算放大器。第一次低
电压噪声( 6nV / √Hz的),同时提供与
极低的电流噪声(可达1fA / √Hz的) ,提供低
共青总噪声的高阻抗传感器应用。
与大多数JFET运算放大器,极低输入偏置电流
( 5PA典型值)保持在整个共模
范围这导致非常高的输入阻抗
(10
13
).
当以非常低的输入电容相结合
tance (取1.5pF ),具有极高的输入阻抗的结果,
使得LT1169的首选放大低电平
从高阻抗传感器的信号。低输入
电容也保证了高增益线性度时,缓冲
从高阻抗传感器的交流信号。
的LT1169是为1或更大的收益无条件稳定的,
即使有1000pF的容性负载。其他主要功能是
0.6mV V
OS
和电压增益超过400万。每个indi-
维杜阿尔放大器100 %测试电压噪声,转换速率
(4.2V / μs)内,和增益带宽积( 5.3MHz ) 。
该LT1169是在S8和N8封装。
提供了全套配套规格
精密仪表放大器前端。规范
在系统蒸发散
±5V
供给动作,还提供。对于
更低的电压噪声,请参见LT1113的数据表。
, LTC和LT是凌特公司的注册商标。
典型APPLICATI
低噪声光传感器,直流伺服
C1
2pF
总1kHz的电压噪声密度(NV /
√Hz的)
10k
D2
1N914
C
D
D1
1N914
2N3904
滨松
S1336-5BK
(908) 231-0960
V–
R5
10k
R4
1k
R3
1k
7
1/2 LT1169
5
4
–V
R2C2 > C1R1
C
D
=寄生光电二极管电容
V
OUT
= 100mV的/ μWATT FOR 200nm的波长
330mV / μWATT用于633纳米波长
+
+
3
2
R1
1M
1
C2
0.022F
+V
8
V
OUT
1k
1/2 LT1169
100
6
R2
100k
10
1
100
LT1169 TA01
U
1kHz的输出电压噪声
密度VS源电阻
+
R
来源
V
N
UO
UO
V
N
来源
阻力
1k
T
A
= 25°C
V
S
= ±15V
10K 100K的1M 10M 100M 1G
源电阻(Ω )
V
N
=
(V
运算放大器
)
2
+ 4kTR
S
+ 2qI
B
R
S2
LT1169 TA02
1
LT1169
绝对
AXI ü
RATI GS
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
OUT A 1
-IN A 2
+ IN A 3
V
4
N8包装
8引脚PDIP
A
B
电源电压
- 55 ° C至105℃ .......................................... .....
±20V
105 ° C至125°C ........................................... ....
±16V
差分输入电压......................................
±40V
输入电压(等于电源电压) ...............
±20V
输出短路持续时间不定.........................
工作温度范围............... - 40 ° C至85°C
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度(焊接, 10秒) ................ 300℃
8
V
+
订购部件
LT1169CN8
LT1169CS8
S8最热
1169
7 OUT B
6 -IN B
5 + IN B
S8包装
8引脚塑料SO
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 80 ℃/ W( N8 )
T
JMAX
= 160°C,
θ
JA
= 190℃ / W (S8)
咨询工厂的工业和军工级配件。
电气特性
V
S
=
±15V,
V
CM
= 0V ,T
A
= 25 ℃,除非另有说明。
符号
V
OS
I
OS
I
B
e
n
参数
输入失调电压
V
S
=
±5V
输入失调电流
输入偏置电流
输入噪声电压
输入噪声电压密度
i
n
R
IN
输入噪声电流密度
输入阻抗
差模
共模
输入电容
V
S
=
±5V
输入电压范围(注4 )
共模抑制比
电源抑制比
大信号电压增益
输出电压摆幅
压摆率
增益带宽积
声道分离
I
S
V
OS
I
B+
ΔCMRR
-PSRR
每个放大器器电源电流
V
S
=
±5V
失调电压匹配
同相偏置电流匹配
共模抑制赛
电源抑制赛
热身(注2 )
(注8)
(注8)
78
80
V
CM
= -10V至13V
V
S
=
±4.5V
to
±
20V
V
O
=
±12V,
R
L
= 10k
V
O
=
±10V,
R
L
= 1k
R
L
= 10k
R
L
= 1k
R
L
2K (注6 )
f
O
= 100kHz的
f
O
= 10Hz的,V
O
=
±10V,
R
L
= 1k
13.0
–10.5
82
83
1000
500
±13.0
±12.0
2.4
3.3
热身(注2 )
T
J
= 25 ° C(注5 )
热身(注2 )
T
J
= 25 ° C(注5 )
为0.1Hz至10Hz
f
O
= 10Hz的
f
O
= 1000Hz的
f
O
= 10Hz的,女
O
= 1kHz时(注3)
条件(注1 )
典型值
0.60
0.65
2.5
0.7
4.0
1.5
2.4
17
6
1
10
14
10
13
1.5
2.0
13.5
–11.0
95
98
4500
3000
±13.8
±13.0
4.2
5.3
126
5.3
5.3
0.8
3
94
95
6.50
6.45
3.5
20
8
最大
2.0
2.2
15
4
20
5
单位
mV
mV
pA
pA
pA
pA
V
P-P
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
pF
pF
V
V
dB
dB
V / MV
V / MV
V
V
V / μs的
兆赫
dB
mA
mA
mV
pA
dB
dB
V
CM
= -10V至13V
C
IN
V
CM
CMRR
PSRR
A
VOL
V
OUT
SR
GBW
2
U
W
U
U
W W
W
LT1169
电气特性
符号
V
OS
V
OS
ΔTemp
I
OS
I
B
V
CM
CMRR
PSRR
A
VOL
V
OUT
SR
GBW
I
S
V
OS
I
B+
ΔCMRR
-PSRR
参数
输入失调电压
平均输入失调电压漂移
输入失调电流
输入偏置电流
输入电压范围
共模抑制比
电源抑制比
大信号电压增益
输出电压摆幅
压摆率
增益带宽积
每个放大器器电源电流
V
S
=
±15V,
V
CM
= 0V , 0℃下
T
A
70℃, (注9) ,除非另有说明。
q
q
q
q
q
q
q
条件(注1 )
V
S
=
±
5V
(注5 )
典型值
0.7
0.8
20
10
180
最大
3.2
3.4
50
50
400
单位
mV
mV
μV/°C
pA
pA
V
V
dB
dB
V / MV
V / MV
V
V
V / μs的
兆赫
12.9
–10.0
79
81
800
400
±12.5
±11.5
1.9
3
13.4
–10.8
94
97
3400
2400
±13.5
±12.7
4
4.2
5.3
5.3
1.5
5.5
6.55
6.50
5
50
V
CM
= -10V至12.9V
V
S
=
±4.5V
to
±20V
V
O
=
±12V,
R
L
= 10k
V
O
=
±10V,
R
L
= 1k
R
L
= 10k
R
L
= 1k
R
L
2K (注6 )
f
O
= 100kHz的
V
S
=
±5V
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
mA
mA
mV
pA
dB
dB
失调电压匹配
同相偏置电流匹配
共模抑制赛
电源抑制赛
(注8)
(注8)
q
q
74
77
93
93
V
S
=
±15V,
V
CM
= 0V , - 40°C
T
A
85℃时, (注7) ,除非另有说明。
符号
V
OS
V
OS
ΔTemp
I
OS
I
B
V
CM
CMRR
PSRR
A
VOL
V
OUT
SR
GBW
I
S
参数
输入失调电压
V
S
=
±5V
平均输入失调电压漂移
输入失调电流
输入偏置电流
输入电压范围
共模抑制比
电源抑制比
大信号电压增益
输出电压摆幅
压摆率
增益带宽积
每个放大器器电源电流
V
S
=
±5V
V
CM
= -10V至12.6V
V
S
=
±4.5V
to
±20V
V
O
=
±12V,
R
L
= 10k
V
O
=
±10V,
R
L
= 1k
R
L
= 10k
R
L
= 1k
R
L
2k
f
O
= 100kHz的
条件(注1 )
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
典型值
0.8
0.9
20
30
320
最大
3.8
4.0
50
200
1200
单位
mV
mV
μV/°C
pA
pA
V
V
dB
dB
V / MV
V / MV
V
V
V / μs的
兆赫
12.6
–10.0
78
79
750
300
±12.5
±11.3
1.8
2.7
13.0
–10.5
93
96
3000
2000
±12.5
±12.0
3.8
4
5.30
5.25
6.55
6.50
mA
mA
3
LT1169
电气特性
V
S
=
±15V,
V
CM
= 0V , - 40°C
T
A
85℃时, (注7) ,除非另有说明。
符号
V
OS
I
B+
ΔCMRR
-PSRR
参数
失调电压匹配
同相偏置电流匹配
共模抑制赛
电源抑制赛
(注8)
(注8)
条件(注1 )
q
q
q
q
典型值
1.8
10
最大
6
180
单位
mV
pA
dB
dB
73
75
93
92
q
表示该指标适合整个工作
温度范围。
注1 :
典型的参数德音响定义为屈服参数的60%
单个放大器,也就是说,满分100 LT1169s的分布( 200运
安培)通常为120运算放大器会比指定的规格更好。
注2 :
I
B
OS
读数外推到一个加热升高温度
从25℃的测量和45℃时的特性数据。
注3 :
电流噪声是从下式计算:
i
n
= ( 2qI
B
)
1/2
其中q = 1.6
×
10
–19
库仑。源噪声电阻可达200M
沼泽电流噪声的贡献。
注4 :
输入电压范围的功能是有保证的测试失调
电压的输入电压范围限制到最大2.8mV的。
注5 :
这个参数不是100 %测试。
注6 :
压摆率是衡量一个
V
= -1;输入信号是
±7.5V,
产量
在测
±2.5V.
注7 :
的LT1169的设计,其特征在于,预计能满足这些
扩展级温度范围,但未经测试 - 40 ° C和85°C 。
保证I级部分可用;咨询厂家。
注8 :
ΔCMRR
-PSRR
都德网络定义如下:
( 1 ), CMRR和PSRR的测量
V/V
在个别
放大器器。
(2)的差计算出的匹配侧之间在
V/V.
(3)结果转换为分贝。
注9 :
的LT1169测量在自动测试器在小于一
第二次施药后的力量。根据封装使用,功率
功耗,散热和空气流通的条件下,完全暖机芯片
温度可以为10℃至50℃的温度比环境温度高。
典型PERFOR一个CE特征
0.1Hz至10Hz的电压噪声
50
T
A
= 25°C
V
S
=
±15V
510 OP AMPS检测过
电压噪声( 1μV / DIV )
40
30
RMS电压噪声(NV / √Hz的)
单位百分比(%)
0
2
4
6
时间(秒)
4
ü W
8
10
LT1169 TPC01
1kHz的输入噪声电压
分配
100
电压噪声与频率
T
A
= 25°C
V
S
= ±15V
10
典型
1 / f转折
60Hz
20
10
0
4.2 4.6 5.0 5.4 5.8 6.2 6.6 7.0 7.4 7.8 8.2
输入电压噪声(NV / √Hz的)
LT1169 TPC02
1
1
10
100
1k
频率(Hz)
10k
LT1169 TPC03
LT1169
典型PERFOR一个CE特征
电压噪声VS芯片温度
10
30n
10n
3n
1n
300p
100p
30p
10p
3p
1p
0.3p
100 125
0
25
75
100
50
温度(℃)
125
OFFSET
当前
BIAS
当前
输入偏置电流和失调电流(PA )
输入偏置电流和失调电流( A)
电压噪声( 1kHz时) (NV / √Hz的)
V
S
= ±15V
9
8
7
6
5
4
3
2
–75 –50 –25 0
25 50 75
温度(℃)
共模限制
与温度
V
+
0
共模抑制比(分贝)
–0.5
电源抑制比(dB )
共模LIMIT ( V)
所提述供电
–1.0
–1.5
–2.0
V = 5V至20V
+
3.0
2.5
2.0
1.5
V
= - 5V TO - 20V
V
+1.0
–60
–20
60
100
20
温度(℃)
电压增益与频率
180
T
A
= 25°C
V
S
= ±15V
140
电压增益(V / μV )
电压增益(分贝)
电压增益(分贝)
100
60
20
–20
0.01
1
10k
100
频率(Hz)
ü W
LT1169 TPC04
输入偏置和失调电流
VS芯片温度
10
输入偏置和失调电流
在共模范围
8
6
4
2
0
–2
–4
–6
–8
–10
–15
10
–10
0
5
–5
共模范围( V)
15
偏置电流
失调电流
T
A
= 25°C
V
S
=
±15V
V
S
= ±15V
V
CM
= -10 13V
LT1169 TPC05 *
LT1169 TPC06
共模抑制比
与频率
120
100
80
60
40
20
0
T
A
= 25°C
V
S
=
±15V
电源抑制比
与频率
120
T
A
= 25°C
100
+ PSRR
80
-PSRR
60
40
20
0
140
1k
10k
100k
1M
频率(Hz)
10M
LT1169 TPC08
10
100
1k
10k 100k
频率(Hz)
1M
10M
LT1169 TPC07
LT1169 TPC09
电压增益VS芯片温度
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
R
L
= 1k
R
L
=10k
V
S
= ±15V
V
O
= ± 10V ,R
L
= 1k
V
O
= ± 12V ,R
L
= 10k
50
40
30
20
增益和相移
与频率
T
A
= 25°C
V
S
= ±15V
C
L
= 10pF的
60
80
相移(度)
100
120
140
收益
160
180
100
LT1169 TPC12
10
0
–10
1M
100M
0
–75 –50 –25 0
25 50 75
片上温度( ° C)
100 125
LT1169 TPC11
0.1
1
10
频率(MHz)
LT1169 TPC10
5
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    QQ: 点击这里给我发消息 QQ:2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ:2369405325 复制

    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LT1169CN8
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1484215649 复制 点击这里给我发消息 QQ:729272152 复制

电话:021-51872165/51872561
联系人:陈小姐 付先生
地址:上海市黄浦区北京东路668号科技京城西楼
LT1169CN8
LINEAR
20+
26000
全新原装 货期两周
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:1584878981 复制 点击这里给我发消息 QQ:2881290686 复制

电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:何小姐
地址:海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008室
LT1169CN8
LT在深圳
21+
10000
DIP8
全新原装正品/质量有保证
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:153461020 复制

电话:0755-23996734
联系人:李先生
地址:深圳市福田区华航社区中航路4号都会100大厦A座11C
LT1169CN8
LT一级代理
20+
22600
N.A
原装现货假一赔十★品惠特价热卖
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:3004264855 复制

电话:075582788161
联系人:王小姐
地址:深圳市华强北世纪汇都会轩4507
LT1169CN8
LINEAR/凌特
24+
2264
原装正品,可含税供应。品质保障
QQ: 点击这里给我发消息 QQ:229754250 复制

电话:0755-83254070/18680328178
联系人:李小姐
地址:深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛格科技工业园4栋9层9B10房
LT1169CN8
LT
21+
19200
DIP
全新原装现货,质量保证,可开税票,可出样品!
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
LT1169CN8
√ 欧美㊣品
▲10/11+
8874
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