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LT1166

功率输出级

自动偏置系统

特点

描述

在LT

1166是一个偏压生成系统，用于控制

AB类输出电流，高功率的放大器。当

与外部晶体管连接时，电路变为

单位增益电压跟随器。该LT1166非常适合

用于驱动功率MOSFET器件，因为它消除

所有的静态电流调整和关键晶体管

匹配。采用LT1166可多输出级

并联，以获得更高的输出电流。

静态工作点的热失控被淘汰

由于偏置系统检测电流在每个电源

晶体管使用小的外部检流电阻。高

速度调节器回路控制驱动的施用量

每个功率器件。的LT1166可以从一对被偏压

电阻器或电流源和的，因为它运行在

驱动电压施加到输出晶体管，其操作上的任何

电源电压。

， LTC和LT是凌特公司的注册商标。

设AB类偏置电流

消除调整

消除了我热失控

校正设备不匹配

简化散热

可编程电流限制

可以并联在更高电流

小的SO- 8或PDIP封装

应用

偏置功率MOSFET

高电压放大器

振动台放大器

音频功率放大器

典型用途

MPS2907

100

2N2907

1 I

顶部

= 15毫安

5.6k

顶部

SENSE

LIM +

4.3k

LT1166 V

OUT

林=

SENSE

–

底部

4 I

底部

= 15毫安

2N2222

100

MPS2222

SENSE +

0.33

OUT

SENSE

0.33

–

15V

100

IRF530

300pF

单位增益缓冲放大器驱动1Ω负载

220F

输入

产量

100

300pF

–15V

IRF9530

1166 TA01

220F

1166 F01

图1.单位增益缓冲器，具有电流限制

LT1166

绝对

最大

评级

电源电流（引脚1和引脚4 ） ............................ 75毫安

差分电压（引脚2到引脚3 ） .........................

±6V

输出短路持续时间（注1 ）连续.........

规定温度范围（注2 ） ........ 0 ° C至70℃

工作温度范围................ - 40 ° C至85°C

存储温度范围................. - 65℃ 150℃

结温（注3 ） ............................ 150℃

引线温度（焊接， 10秒） .................. 300℃

封装/订购信息

顶视图

顶部

OUT

底部

N8包装

8引脚PDIP

SENSE

LIM +

LIM

–

订购部件

数

LT1166CN8

LT1166CS8

S8最热

1166

SENSE

–

S8包装

8引脚塑料SO

JMAX

= 150°C,

= 100 ℃/ W（ N8 ）

JMAX

= 150°C,

= 150℃ / W （S8）

咨询工厂的工业和军工级配件。

电气特性

引脚1 = 2V ，引脚4 = - 2V ，工作电流，15mA和R

= 20k的，除非另有规定。

参数

输出失调电压

输入偏置电流

输入阻抗

（ TOP）

（底部）

电压合格

目前的合规性

跨

CC2

EE2

CC10

EE10

PSRR

目前限制电压

条件

工作电流，15mA至50mA

工作电流，15mA至50mA （注4 ）

工作电流，15mA至50mA （注5 ）

测量引脚8至引脚3 ，空载

测量引脚5到引脚3 ，空载

工作电流= 50毫安（注6,9 ）

工作电压=

±2V

（注7 ）

引脚1 = 2V ，引脚4 = - 2V

引脚1 = 10V ， 4脚= - 10V

（注8）

工作电流，15mA至50mA

7脚电压针脚3

6脚电压针脚3

民

– 14

±2

±4

0.08

0.09

典型值

– 20

最大

250

– 26

±10

±50

0.13

0.16

单位

姆欧

0.100

0.125

1.3

– 1.3

1.0

– 1.0

1.5

– 1.5

该

表示该指标适合整个工作

温度范围。

注1 ：

外部电源设备可能需要散热。

注2 ：

商业级的部件被设计为工作在

温度范围 - 40 ° C至85° C，但没有试验或保证

超出0 ° C至70 ℃。指定的工业级器件和测试过

- 40 ° C和85°C可根据特殊要求，请联系工厂。

注3 ：

从环境温度T计算出的

和功率

耗散P

根据下式：

LT1166CN8 ：T已

= T

+ (P

100 ° C / W ）

LT1166CS8 ：T已

= T

+ (P

150 ° C / W ）

注4 ：

顶部

= I

底部

注5 ：

输入电阻通常为15MΩ当环路是闭合的。

当环路是打开的（电流限制）的输入电阻下降到200Ω

提到引脚3 。

注6 ：

最大的T

可以用超过50mA的工作电流，

同时10V和 - 10V （ 20V总）。

注7 ：

申请

±200mV

到针脚2和针脚1测量电流的变化

和4引脚3接地。

注8 ：

PSRR

=克

CC2

=克

CC10

CC2

PSRR

=克

EE2

=克

EE10

EE2

注9 ：

对于线性运算，引脚1必须不低于2V或以上

从10V端子3.同样地， 4脚不得低于2V或以上

10V的引脚3 。

W W

LT1166

典型性能特性

输入偏置电流与

电流源不匹配

150

输出失调电压（MV ）

100

输入偏置电流（ μA ）

–50

–100

顶部

= I

底部

= 50毫安

400

200

–200

–400

–600

= 20k

输出失调电压（MV ）

顶部

= I

底部

= 4毫安

–150

2.5 5.0 7.5

–10 –7.5 –5.0 –2.5 0

电流源不匹配（％）

输入偏置电流与

温度

3.0

2.9

输入偏置电流（ μA ）

2.8

2.7

2.6

2.5

2.4

2.3

2.2

2.1

2.0

–50 –25

输出电压摆幅（ V）

∞

顶部

= I

底部

= 15毫安

= 4.3k

–2

–4

–6

–8

顶部

= R

底部

= 1k

增益（dB ）

温度（℃）

闭环电压增益VS

频率

电压的压降检测电阻（MV ）

LIM

引脚电压参考V

OUT

(V)

–1

增益（dB ）

∞

=10

–2

–3

–4

–5

–6

–7

±15V

= 4.3k

顶部

= I

底部

= 12毫安

= C

= 500pF的

参见图8

0.01

0.1

频率（MHz）

LT1166 TPC07

–8

0.001

ü W

LT1166 TPC01

输出失调电压VS

电流源不匹配

800

600

顶部

= I

底部

= 50毫安

输出失调电压VS

温度

∞

顶部

= I

底部

= 15毫安

= 4.3k

= 2k

–800

–1.0 –0.75 –0.5 –0.25 0 0.25 0.5 0.75 1.0

顶部

我

底部

不匹配（毫安）

LT1166 TPC02

–50 –25

温度（℃）

100

125

LT1166 TPC03

输出电压与输入电压

= 4.3k

= C

= 500pF的

= 10

参见图8

–5

–10

–15

开环电压增益VS

频率

∞

=10

顶部

= I

底部

= 12毫安

±15V

= 4.3k

顶部

= I

底部

= 12毫安

= C

= 500pF的

参见图8

0.01

0.1

频率（MHz）

LT1166 TPC06

100

125

–10

–10 –8 –6 –4 –2 0 2 4

输入电压（ V）

–20

0.001

LT1166 TPC04

LT1166 TPC05

在整个检测电阻电压

与温度

SENSE

1.25

电流限制引脚电压VS

温度

±1.5V

1.20

引脚7到引脚3

1.15

–16

–18

–20

–22

–24

–50 –25

SENSE

–

温度（℃）

100

125

–1.15

–1.20

6 PIN TO PIN 3

–1.25

–50 –25

温度（℃）

100

125

LT1166 TPC08

LT1166 TPC09

LT1166

典型性能特性

输入跨导VS

电源电压

0.120

输入跨导（姆欧）

25°C

125°C

– 55°C

0.100

0.090

0.080

总谐波失真（％）

0.110

= 10

= 1W

参见图8

SENSE引脚电压参考V

OUT

（毫伏）

–0.080

–0.090

–0.100

–0.110

–0.120

25°C

125°C

– 55°C

±200mV

= 0

3 4 5 6 7 8

电源电压（ V）

引脚功能

顶部

（引脚1 ）：

引脚1确立了顶部驱动电压

为输出晶体管。工作电源电流进入

引脚1和部分偏置内部电路;引脚1的电流

应大于4毫安。 1脚电压为内部

钳位到12V相到V

OUT

和引脚电流

应限于75毫安最大。

（引脚2 ）：

销2是输入到一个单位增益缓冲器而

驱动器V

OUT

（引脚3 ）。在故障状态下（短路）

的输入阻抗降低到200Ω和输入电流

必须限制在5毫安或V

到V

OUT

限制为小于

±6V.

OUT

（引脚3 ）：

的LT1166的管脚3上的电压的输出

控制回路来维持输出电压的输入端

电压。

底部

（引脚4 ）：

引脚4确立了底部侧驱动

电压的输出晶体管。工作电源电流

租退出该引脚; 4脚的电流应大于

4毫安。 4脚电压被内部钳位至 - 12V带

对于V

OUT

和销电流应限制在

75毫安最大。

SENSE

–

（引脚5 ）：

该SENSE

–

引脚电压建立

由电流控制环，它控制输出

静态电流，在底侧功率器件。极限

引脚5和引脚3之间的最大差分电压

±6V

在故障条件。

LIM =

（引脚6 ）：

消极的一面电流限制，该限制

电压V

底部

到V

OUT

在负的故障条件

化。最高反向电压引脚6相

到V

OUT

为6V 。

LIM +

（引脚7 ）：

积极的一面是限流，限制了

电压V

顶部

到V

OUT

在正故障状态。

最高反向电压引脚7相对于

OUT

是 - 6V 。

SENSE

（引脚8 ）：

该SENSE

引脚电压是由成立

电流控制环，它控制输出quies-

分中的电流顶侧功率器件。限制

引脚8和引脚3之间的最大差分电压

±6V

在故障条件。

ü W

总谐波失真VS

频率

1000

SENSE引脚电压参考

OUT

与负载电流

底部

顶部

100

0.1

SENSE

= 100

6 4 2

下沉

4 6 8

采购

0.01

0.1

频率（kHz ）

100

LT1166 TPC11

LT1166 TPC10

负载电流（mA ）

LT1166 TPC12

LT1166

应用信息

过压保护

耗材V

顶部

（引脚1）和V

底部

（引脚4 ）有钳

二极管转向时，他们超过对

±12V.

这些二极管

充当ESD保护，有利于保护LT1166

与产生大的功率MOS器件使用时，

高V

电压。目前到引脚1和引脚4应该是

仅限于

±75mA

最大。

乘法器操作

图2示出了电流乘法器电路内部的

LT1166和它的工作原理与权力相结合

输出晶体管。电源电压V

（上图）和V

的LT1166的（底部）是由所要求的“开”设定

电压的电源装置。参考电流I

REF

套

恒定的V

BE7

和V

BE8

。这个电压是发射极

基Q9和Q10的哪个是1/10 Q7的发射极面积

和Q8 。这个电流倍增器的表达式为：

BE7

+ V

BE8

= V

BE9

+ V

BE10

或者在当前的条件：

)(I

C10

) = (I

REF

)

/ 100 =常数

I的产物

我

C10

是恒定的。这些电流

镜像和设置电压上的一对的（+）输入端

顶部

REF

分流

调节器

Q10

–

底部

图2.不断的产品发电机

–

REF

AB +

AB =

内部运算放大器。运的反馈放大器迫使

（ - ）上的相同电压的输入和这些电压则

串联在电源出现在感测电阻器

设备。在电源的两个电流的乘积

设备是恒定的，如1增加了其他降低。

Q9与Q10的优秀记录特性使得该

关于举办了几十年的电流。

Q7和Q8中的总电流是实际的我的总和

REF

和从分路调节一个小的误差电流。中

高输出电流条件下的误差电流

稳压器降低。通过调节电流进行

也减少使V

或V

的量，以增加

需要用来驱动功率器件。

驱动输入级

图3示出的输入跨导级

LT1166 ，它提供了一种驱动V

和V

。当一个

正电压V

被施加至R

一个小的输入电流

流入R2和Q2的发射极。这种效应会使V

跟随V

内的放大器的增益误差。该

输入电流，然后由Q3 / Q4和电流镜像

提供给Q4的集电极由动力装置M1来源。

在Q4的发射信号电流由外部吸收

电阻R

这导致V

用相同量的上升

顶部

EXT1

Q12

Q11

底部

–

1166 F03

EXT2

–

1166 F02

图3.输入级驾驶盖茨