LT1160/LT1162
半/全桥
N沟道
功率MOSFET驱动器
特点
s
s
描述
在LT
1160 / LT1162具有成本效益半/全桥
N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以
驾驶操作关闭上部N沟道功率MOSFET
高电压（ HV）的轨道的高达60V 。
内部逻辑防止输入从接通
功率MOSFET半桥同时。其
独特的自适应保护，防止直通电流
租金消除了两个所有匹配的要求
的MOSFET。这极大地简化了高英法fi效率的设计
电机控制和开关调节器系统。
在低电源或启动条件下，欠压
停摆积极拉动驱动器输出低电平，以防止
从功率MOSFET被部分打开。在0.5V
滞后甚至可以用缓慢vary-可靠运行
荷兰国际集团物资。
该LT1162是LT1160的双通道版本，可
在一个24引脚PDIP或24引脚SO封装宽。
， LTC和LT是凌特公司的注册商标。
s
s
s
s
s
s
s
浮顶驱切换高达60V
驱动器的前N沟道MOSFET栅极
上述负载HV电源
180ns转换时间驾驶10,000pF
自适应非重叠栅极驱动预防
SHOOT - THROUGH
顶驱保护在高占空比
TTL / CMOS输入电平
滞后欠压闭锁
工作在电源电压为10V至15V
独立的顶部和底部驱动引脚
应用
s
s
s
s
s
s
高电流电感负载的PWM
半桥和全桥电机控制
同步降压型开关稳压器
3相无刷电机驱动器
高电流驱动传感器
D类功率放大器
典型用途
1N4148
HV = 60V MAX
+
12V
1
SV
+
BOOST
牛逼GATE DR
牛逼GATE FB
14
13
12
11
IRFZ44
1000F
100V
+
10F
25V
10
PV
+
+
4
C
BOOST
1F
紫外线
牛逼源
LT1160
2
PWM
为0Hz至100kHz
3
在顶部
从下
SGND
5
B GATE DR
B门FB
保护地
6
9
8
IRFZ44
在最佳IN底部T形门DR B GATE DR
L
L
H
H
L
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
1160 TA01
U
U
U
1
LT1160/LT1162
绝对
最大
评级
电源电压（注1 ） .......................................... 20V
升压................................................ ......... 75V
峰值输出电流（ <为10μs ） .............................. 1.5A
输入引脚电压.......................... - 0.3V至V
+
+ 0.3V
顶源电压..................................... - 5V至60V
升压至源极电压........................... - 0.3V至20V
工作温度范围
商业.......................................... 0 ° C至70℃
工业......................................... - 40 ° C至85°C
结温（注2 ） ............................ 125°C
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
封装/订购信息
顶视图
SV
+
订购部件
数
14 BOOST
13吨GATE DR
12吨门FB
11T的来源
10 PV
+
9 B GATE DR
8 B门FB
1
排名前2
从下3
紫外线4
5 SGND
保护地6
NC 7
N包装
14引脚PDIP
LT1160CN
LT1160CS
LT1160IN
LT1160IS
的一揽子
14引脚塑料SO
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 70 ℃/ W（ N）
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 110 ℃/ W（ S）
咨询工厂的军工级配件。
电气特性
符号参数
I
S
直流电源电流（注3 ）
测试电路，T
A
= 25 ° C，V
+
= V
BOOST
= 12V, V
Tsource和
= 0V ，C
门
= 3000pF的。
门反馈引脚连接到栅极驱动引脚，除非另有说明。
条件
V
+
= 15V, V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 2V
V
+
= 15V, V
INTOP
= 2V, V
INBOTTOM
= 0.8V
V
+
= 15V, V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 0.8V
V
+
= 15V, V
Tsource和
= 60V, V
BOOST
= 75V,
V
INTOP
= V
INBOTTOM
= 0.8V
q
q
I
BOOST
V
IL
V
IH
I
IN
V
+ UVH
V
+ UVL
V
BUVH
V
BUVL
升压电流（注3 ）
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入电流
V
+
低电压起动阈值
V
+
欠压关断阈值
V
BOOST
低电压起动阈值
V
BOOST
欠压关断阈值
V
INTOP
= V
INBOTTOM
= 4V
V
Tsource和
= 60V (V
BOOST
– V
Tsource和
)
V
Tsource和
= 60V (V
BOOST
– V
Tsource和
)
2
U
U
W
W W
U
W
顶视图
SV
+
A 1
在顶部的2
在底部的3
紫外线A 4
GND有5
B门FB A 6
SV
+
B
7
在最佳B 8
从下B 9
紫外线B 10
GND B 11
B门FB B 12
N包装
24引脚PDIP
24增强一个
23牛逼GATE医生的
22牛逼GATE FB一
21源A
20 PV
+
A
19 B GATE医生的
18 BOOST B
17牛逼GATE DR B
16吨门FB B
T第15源B
14 PV
+
B
13 B GATE DR B
SW PACKAGE
24引脚塑封这么宽
订购部件
数
LT1162CN
LT1162CSW
LT1162IN
LT1162ISW
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 58 ℃/ W（ N）
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 80 ℃/ W（ SW ）
民
7
7
7
3
典型值
11
10
11
4.5
1.4
最大
15
15
15
6
0.8
25
9.4
8.8
9.8
9.2
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
A
V
V
V
V
2
8.4
7.8
8.8
8.2
1.7
7
8.9
8.3
9.3
8.7
q
LT1160/LT1162
电气特性
符号参数
I
UVOUT
V
UVOUT
V
OH
V
OL
t
r
欠压输出泄漏
欠压输出饱和
顶栅开启电压
底栅开启电压
顶栅关断电压
底栅关断电压
顶栅上升时间
底栅上升时间
t
f
顶栅下降时间
底栅下降时间
t
D1
顶栅导通延迟
底栅开启延迟
t
D2
顶栅关断延迟
底栅关断延迟
t
D3
顶栅锁定延迟
底栅锁定延迟
t
D4
顶栅释放延迟
底栅释放延迟
测试电路，T
A
= 25 ° C，V
+
= V
BOOST
= 12V, V
Tsource和
= 0V ，C
门
= 3000pF的。
门反馈引脚连接到栅极驱动引脚，除非另有说明。
条件
V
+
= 15V
V
+
= 7.5V ，我
UVOUT
= 2.5毫安
V
INTOP
= 2V, V
INBOTTOM
= 0.8V
V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 2V
V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 2V
V
INTOP
= 2V, V
INBOTTOM
= 0.8V
V
INTOP
（ + ）过渡，V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
（注4 ）
V
INBOTTOM
（ + ）过渡，V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
（注4 ）
V
INTOP
（ - ）过渡，V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
（注4 ）
V
INBOTTOM
（ - ）过渡，V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
（注4 ）
V
INTOP
（ + ）过渡，V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
（注4 ）
V
INBOTTOM
（ + ）过渡，V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
（注4 ）
V
INTOP
（ - ）过渡，V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
（注4 ）
V
INBOTTOM
（ - ）过渡，V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
（注4 ）
V
INBOTTOM
（ + ）过渡，V
INTOP
= 2V,
测量V
TGATE DR
（注4 ）
V
INTOP
（ + ）过渡，V
INBOTTOM
= 2V,
测量V
BGATE DR
（注4 ）
V
INBOTTOM
（ - ）过渡，V
INTOP
= 2V,
测量V
TGATE DR
（注4 ）
V
INTOP
（ - ）过渡，V
INBOTTOM
= 2V,
测量V
BGATE DR
（注4 ）
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
q
民
典型值
0.1
0.2
最大
5
0.4
12
12
0.7
0.7
200
200
140
140
500
400
600
400
600
500
500
400
单位
A
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
11
11
11.3
11.3
0.4
0.4
130
90
60
60
250
200
300
200
300
250
250
200
该
q
表示该指标适合整个工作
温度范围。
注1 ：
对于LT1160 ，引脚1 ， 10应连接在一起。对于
LT1162 ，引脚1 ， 7 ， 14 ， 20 ，应连接在一起。
注2 ：
T
J
从周围温度T计算出的
A
和权力
耗散P
D
根据下式：
LT1160CN / LT1160IN ：T已
J
= T
A
+ (P
D
)(70°C/W)
LT1160CS / LT1160IS ：T已
J
= T
A
+ (P
D
)(110°C/W)
LT1162CN / LT1162IN ：T已
J
= T
A
+ (P
D
)(58°C/W)
LT1162CS / LT1162IS ：T已
J
= T
A
+ (P
D
)(80°C/W)
注3 ：
I
S
电流是通过SV总和
+
， PV
+
和BOOST引脚。
I
BOOST
是电流通过升压销。动态电源电流
由于栅极电荷较高的传递在开关频率。
见典型性能特性和应用信息
部分。该LT1160 = 1/2 LT1162 。
注4 ：
见时序图。门的上升时间是从测量2V至10V
时间和下降时间测量从10V至2V 。延迟时间是衡量
从输入转换到时的栅极电压上升至2V或
下降到10V 。
3
LT1160/LT1162
半/全桥
N沟道
功率MOSFET驱动器
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
■
DESCRIPTIO
浮顶驱切换高达60V
驱动器的前N沟道MOSFET栅极
上述负载HV电源
180ns转换时间驾驶10,000pF
自适应非重叠栅极驱动预防
SHOOT - THROUGH
顶驱保护在高占空比
TTL / CMOS输入电平
滞后欠压闭锁
工作在电源电压为10V至15V
独立的顶部和底部驱动引脚
在LT
1160 / LT1162具有成本效益半/全桥
N沟道功率MOSFET驱动器。浮动驱动器可以
驾驶操作关闭上部N沟道功率MOSFET
高电压（ HV）的轨道的高达60V 。
内部逻辑防止输入从接通
功率MOSFET半桥同时。其
独特的自适应保护，防止直通电流
租金消除了两个所有匹配的要求
的MOSFET。这极大地简化了高英法fi效率的设计
电机控制和开关调节器系统。
在低电源或启动条件下，欠压
停摆积极拉动驱动器输出低电平，以防止
从功率MOSFET被部分打开。在0.5V
滞后甚至可以用缓慢vary-可靠运行
荷兰国际集团物资。
该LT1162是LT1160的双通道版本，可
在一个24引脚PDIP或24引脚SO封装宽。
， LT ， LTC和LTM是凌力尔特公司的注册商标。
所有其他商标均为其各自所有者的财产。
应用S
■
■
■
■
■
■
高电流电感负载的PWM
半桥和全桥电机控制
同步降压型开关稳压器
3相无刷电机驱动器
高电流驱动传感器
D类功率放大器
典型应用
1N4148
HV = 60V MAX
+
12V
10F
25V
1
10
SV
+
BOOST
牛逼GATE DR
牛逼GATE FB
14
13
12
11
C
BOOST
1F
IRFZ44
1000F
100V
PV
+
4
紫外线
牛逼源
LT1160
2
PWM
为0Hz至100kHz
3
在顶部
从下
SGND
5
B GATE DR
B门FB
保护地
6
9
8
IRFZ44
在最佳IN底部T形门DR B GATE DR
L
L
H
H
L
H
L
H
L
L
H
L
L
H
L
L
1160 TA01
U
11602fb
U
U
1
LT1160/LT1162
绝对
最大
评级
（注1 ）
电源电压（注2 ） ......................................... 20V
升压................................................ ......... 75V
峰值输出电流（ <为10μs ） .............................. 1.5A
输入引脚电压.......................... - 0.3V至V
+
+ 0.3V
顶源电压..................................... - 5V至60V
升压至源极电压........................... - 0.3V至20V
工作温度范围
商业.......................................... 0 ° C至70℃
工业......................................... - 40 ° C至85°C
结温（注3 ） ............................ 125°C
存储温度范围................ - 65℃ 150℃
引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃
封装/订购信息
顶视图
SV
+
订购部件
数
14 BOOST
13吨GATE DR
12吨门FB
11T的来源
10 PV
+
9 B GATE DR
8 B门FB
1
排名前2
从下3
紫外线4
5 SGND
保护地6
NC 7
N包装
14引脚PDIP
LT1160CN
LT1160CS
LT1160IN
LT1160IS
的一揽子
14引脚塑料SO
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 70 ℃/ W（ N）
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 110 ℃/ W（ S）
咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。
电气特性
符号参数
I
S
直流电源电流（注4 ）
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25°C 。测试电路，T
A
= 25 ° C，V
+
= V
BOOST
= 12V, V
Tsource和
= 0V ，C
门
=
3000pF的。门反馈引脚连接到栅极驱动引脚，除非另有说明。
条件
V
+
= 15V, V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 2V
V
+
= 15V, V
INTOP
= 2V, V
INBOTTOM
= 0.8V
V
+
= 15V, V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 0.8V
V
+
= 15V, V
Tsource和
= 60V, V
BOOST
= 75V,
V
INTOP
= V
INBOTTOM
= 0.8V
●
●
I
BOOST
V
IL
V
IH
I
IN
V
+ UVH
V
+ UVL
V
BUVH
V
BUVL
升压电流（注4 ）
输入逻辑低电平
输入逻辑高
输入电流
V
+
低电压起动阈值
V
+
欠压关断阈值
V
BOOST
低电压起动阈值
V
BOOST
欠压关断阈值
V
INTOP
= V
INBOTTOM
= 4V
V
Tsource和
= 60V (V
BOOST
– V
Tsource和
)
V
Tsource和
= 60V (V
BOOST
– V
Tsource和
)
2
U
U
W
W W
U
W
顶视图
SV A 1
在顶部的2
在底部的3
紫外线A 4
GND有5
B门FB A 6
SV
+
B 7
在最佳B 8
从下B 9
紫外线B 10
GND B 11
B门FB B 12
N包装
24引脚PDIP
+
24增强一个
23牛逼GATE医生的
22牛逼GATE FB一
21源A
20 PV
+
A
19 B GATE医生的
18 BOOST B
17牛逼GATE DR B
16吨门FB B
T第15源B
14 PV
+
B
13 B GATE DR B
SW PACKAGE
24引脚塑封这么宽
订购部件
数
LT1162CSW
LT1162ISW
过时的
产品编号
LT1162CN
LT1162IN
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 58 ℃/ W（ N）
T
JMAX
= 125°C,
θ
JA
= 80 ℃/ W（ SW ）
民
7
7
7
3
典型值
11
10
11
4.5
1.4
最大
15
15
15
6
0.8
25
9.7
8.8
9.8
9.2
单位
mA
mA
mA
mA
V
V
A
V
V
V
V
2
8.4
7.8
8.8
8.2
1.7
7
8.9
8.3
9.3
8.7
●
11602fb
LT1160/LT1162
该
●
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围，否则仅指在T
A
= 25 ° C.Test电路，T
A
= 25 ° C，V
+
= V
BOOST
= 12V, V
Tsource和
= 0V ，C
门
=
3000pF的。门反馈引脚连接到栅极驱动引脚，除非另有说明。
符号参数
I
UVOUT
V
UVOUT
V
OH
V
OL
t
r
欠压输出泄漏
欠压输出饱和
顶栅开启电压
底栅开启电压
顶栅关断电压
底栅关断电压
顶栅上升时间
底栅上升时间
t
f
顶栅下降时间
底栅下降时间
t
D1
顶栅导通延迟
底栅开启延迟
t
D2
顶栅关断延迟
底栅关断延迟
t
D3
顶栅锁定延迟
底栅锁定延迟
t
D4
顶栅释放延迟
底栅释放延迟
条件
V
+
= 15V
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
●
电气特性
民
典型值
0.1
0.2
最大
5
0.4
12
12
0.7
0.7
200
200
140
140
500
400
600
400
600
500
500
400
单位
A
V
V
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
+
= 7.5V ，我
UVOUT
= 2.5毫安
V
INTOP
= 2V, V
INBOTTOM
= 0.8V
V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 2V
V
INTOP
= 0.8V, V
INBOTTOM
= 2V
V
INTOP
= 2V, V
INBOTTOM
= 0.8V
V
INTOP
（ + ）过渡，V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
（注5 ）
V
INBOTTOM
（ + ）过渡，V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
（注5 ）
V
INTOP
（ - ）过渡，V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
（注5 ）
V
INBOTTOM
（ - ）过渡，V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
（注5 ）
V
INTOP
（ + ）过渡，V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
（注5 ）
V
INBOTTOM
（ + ）过渡，V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
（注5 ）
V
INTOP
（ - ）过渡，V
INBOTTOM
= 0.8V,
测量V
TGATE DR
（注5 ）
V
INBOTTOM
（ - ）过渡，V
INTOP
= 0.8V,
测量V
BGATE DR
（注5 ）
V
INBOTTOM
（ + ）过渡，V
INTOP
= 2V,
测量V
TGATE DR
（注5 ）
V
INTOP
（ + ）过渡，V
INBOTTOM
= 2V,
测量V
BGATE DR
（注5 ）
V
INBOTTOM
（ - ）过渡，V
INTOP
= 2V,
测量V
TGATE DR
（注5 ）
V
INTOP
（ - ）过渡，V
INBOTTOM
= 2V,
测量V
BGATE DR
（注5 ）
11
11
11.3
11.3
0.4
0.4
130
90
60
60
250
200
300
200
300
250
250
200
注1 ：
强调超越上述绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对
最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性和寿命。
注2 ：
对于LT1160 ，引脚1 ， 10应连接在一起。对于
LT1162 ，引脚1 ， 7 ， 14 ， 20 ，应连接在一起。
注3 ：
T
J
从周围温度T计算出的
A
和权力
耗散P
D
根据下式：
LT1160CN / LT1160IN ：T已
J
= T
A
+ (P
D
)(70°C/W)
LT1160CS / LT1160IS ：T已
J
= T
A
+ (P
D
)(110°C/W)
LT1162CN / LT1162IN ：T已
J
= T
A
+ (P
D
)(58°C/W)
LT1162CS / LT1162IS ：T已
J
= T
A
+ (P
D
)(80°C/W)
注4 ：
I
S
电流是通过SV总和
+
， PV
+
和BOOST引脚。
I
BOOST
是电流通过升压销。动态电源电流
由于栅极电荷较高的传递在开关频率。
见典型性能特性和应用信息
部分。该LT1160 = 1/2 LT1162 。
注5 ：
见时序图。门的上升时间是从测量2V至10V
时间和下降时间测量从10V至2V 。延迟时间是衡量
从输入转换到时的栅极电压上升至2V或
下降到10V 。
11602fb
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