【LT1158半桥式N沟道功率MOSFET驱动器特点nnnnnnnnnnnn描述在LT单个输入引脚11】,IC型号LT1158ISW,LT1158ISW PDF资料,LT1158ISW经销商,ic,电子元器件-51电子网

LT1158

半桥式N沟道

功率MOSFET驱动器

特点

描述

在LT单个输入引脚

1158同步控制

两个N沟道功率MOSFET的图腾柱CON连接gura-

化。独特的自适应保护，防止贯通

电流消除了两个所有匹配的要求

的MOSFET。这极大地简化了高英法fi效率的设计

电机控制和开关调节器系统。

在LT1158可以调节的连续电流限制环路

短路电流在顶部功率MOSFET。更高

启动电流被允许，只要MOSFET的V

不超过1.2V 。通过返回

故障

输出

使能输入时， LT1158将自动关机

在出现故障的情况下，重试时的内部上拉

电流充电使能电容。

一个片上电荷泵切换时，需要在

打开顶端的N沟道MOSFET连续。特

电路确保顶侧栅极驱动器是安全的

保持在PWM和DC之间的过渡操作

化。栅极 - 源极电压在内部限定于

14.5V时，在更高的电源电压工作。

LT ， LTC和LTM的注册和凌特公司的商标。所有其他

商标是其各自所有者的财产。受美国专利保护，包括

5365118.

驱动器前侧MOSFET高于V之门

工作在电源电压为5V至30V

为150ns转换时间驱动3000pF的

在500mA峰值驱动电流

自适应非重叠栅极驱动器

连续电流限制保护

自动关机和重试功能

内部电荷泵，用于直流操作

内置栅极电压保护

兼容电流检测的MOSFET

TTL / CMOS输入电平

故障指示输出

应用

高电流电感负载的PWM

半桥和全桥电机控制

同步降压型开关稳压器

三相无刷电机驱动器

高电流驱动传感器

电池供电的逻辑电平MOSFET

典型用途

24V

1N4148

顶部和底部的波形门

BOOST

牛逼GATE DR

牛逼GATE FB

牛逼源

0.1μF

IRFZ34

BOOST DR

10μF

500μF

低

ESR

PWM

0Hz所需

100kHz

输入

LT1158

SENSE

0.015Ω

负载

= 24V

= 12Ω

1158 TA02

1μF

启用

故障

BIAS

SENSE

–

B GATE DR

B门FB

GND

–

IRFZ34

0.01μF

LT1158 TA01

1158fb

LT1158

绝对最大额定值

（注1 ）

电源电压（引脚2,10 ） ...................................... 36V

升压电压（引脚16 ） ............................................ ..56V

连续输出电流（引脚1 ， 9 ， 15 ） ......... 100毫安

检测电压（引脚11 ， 12 ） .................. -5V到V

+ 5V

顶源极电压（引脚13 ） ..................... -5V到V

+ 5V

升压至源极电压（ V16 - V13 ） ........ -0.3V至20V

工作温度范围

LT1158C ................................................. .. 0 ° C至70℃

LT1158I ................................................ - 40 ° C至85°C

结温（注2 ）

LT1158C ................................................. ........... 125°C

LT1158I ................................................. ............ 150℃

存储温度范围................... -65℃ 150℃

引线温度（焊接， 10秒） ................. 300℃

引脚配置

顶视图

BOOST DR

BIAS

启用

故障

输入

GND

B门FB

16 BOOST

T第15 GATE DR

14吨门FB

13吨源

12感

11感

–

10 V

B GATE DR

BOOST DR 1

顶视图

16 BOOST

T第15 GATE DR

14吨门FB

13吨源

12感

11感

–

10 V

B GATE DR

BIAS 3

ENABLE 4

故障

输入6

7 GND

B门FB 8

N包装

16引脚塑料DIP

= 70 ° C / W

SW PACKAGE

16引脚塑料（ WIDE ） SO

= 110 ° C / W

订购信息

无铅完成

LT1158CN#PBF

LT1158IN#PBF

LT1158CSW#PBF

LT1158ISW#PBF

含铅涂层

LT1158CN

LT1158IN

LT1158CSW

LT1158ISW

磁带和卷轴

LT1158CN#TRPBF

LT1158IN#TRPBF

LT1158CSW#TRPBF

LT1158ISW#TRPBF

磁带和卷轴

LT1158CN#TR

LT1158IN#TR

LT1158CSW#TR

LT1158ISW#TR

最热*

包装说明

16引脚塑料DIP

16引脚塑料（ WIDE ） SO

包装说明

16引脚塑料DIP

16引脚塑料（ WIDE ） SO

温度范围

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

温度范围

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

0 ° C至70℃

-40 ° C至85°C

咨询LTC营销部分特定网络版与更广泛的工作温度范围。 *温度等级为identi网络由在包装盒上的标签编。

有关无铅零件标记的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/leadfree/

有关磁带和卷轴特定网络阳离子的更多信息，请访问：

http://www.linear.com/tapeandreel/

1158fb

LT1158

电气特性

符号

+ I

参数

直流电源电流（注2 ）

条件

= 30V, V16 = 15V, V4 = 0.5V

= 30V, V16 = 15V, V6 = 0.8V

= 30V, V16 = 15V, V6 = 2V

= V13 = 30V, V16 = 45V, V6 = 0.8V

该

表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子

温度范围内，另有规定的阳离子是在T

= 25°C 。测试电路，V

= V16 = 12V ， V11 = V12 = V13 = 0V ，引脚1和4开，

门反馈引脚连接到栅极驱动引脚，除非另有规定ED 。

LT1158I

民

4.5

0.8

0.9

1.3

LT1158C

最大

4.5

1.4

1.7

2.5

130

170

180

1.4

250

550

250

400

200

120

1.1

0.85

1.2

0.8

民

4.5

典型值

2.2

1.4

1.15

1.5

14.5

1.75

1.5

0.1

0.5

110

150

1.25

130

350

120

130

200

100

最大

4.5

1.4

1.8

2.5

135

180

1.4

250

550

250

400

200

单位

μA

典型值

2.2

1.4

1.15

1.5

14.5

1.75

1.5

0.1

0.5

ΔV4

V15

升压电流

输入阈值

输入电流

实现低阈值

启用滞后

启用上拉电流

电荷泵电压

底栅“ON ”电压

升压驱动电压

底关断阈值

故障输出泄漏

故障输出饱和

V6 = 5V

V6 = 0.8V ，监视器V9

V4 = 0V

= 5V ， V6 = 2V ，引脚16开， V13

→

= 30V ， V6 = 2V ，引脚16开， V13

→

30V

= V16 = 18V, V6 = 0.8V

= V16 = 18V ， V6 = 0.8V ， 100毫安脉冲负载

= V16 = 5V, V6 = 0.8V

= V16 = 5V, V6 = 2V

= 30V, V16 = 15V, V6 = 2V

= 30V ， V16 = 15V ， V6 = 2V ，我

= 10毫安

= 30V ， V16 = 15V ， V6 = 2V ，我

= 100μA

= 30V ， V16 = 15V ， V6 = 2V ，闭环

= V12 = 12V ， V6 = 2V ，减少V11

直到V15变为低电平

引脚6 （ + ）过渡：测量。 V15 - V13 （注4 ）

引脚6 （ - ）过渡：测量。 V15 - V13 （注4 ）

引脚6 （ - ）过渡：测量。 V9 （注4 ）

引脚6 （ + ）过渡：测量。 V9 （注4 ）

V14 - V13前关断阈值

V12 - V11故障导听阈

V12 - V11电流限制门限

V12 - V11电流限制禁止

门槛

顶栅上升时间

顶栅关断延迟

顶栅下降时间

底栅上升时间

底栅关断延迟

底栅下降时间

110

150

1.25

130

350

120

130

200

100

130

120

1.1

注1 ：

强调超越上述绝对最大额定值

可能对器件造成永久性损坏。暴露于任何绝对

最大额定值条件下工作会影响器件

可靠性和寿命。

注2 ：

从周围温度T计算出的

和权力

耗散P

根据下式：

LT1158IN ， LT1158CN ：T已

= T

+ (P

70°C/W)

LT1158ISW ， LT1158CSW ：T已

= T

+ (P

110°C/W)

注3 ：

动态电源电流较高，由于栅极电荷

被输送的开关频率。见典型表现

特点及应用信息。

注4 ：

门的上升时间是从测量2V至10V ，延时时间为

从输入过渡测到当栅极电压已降低

至10V ，时间和下降时间是从10V测量到2V 。

1158fb

LT1158

典型性能特性

直流电源电流

+ I

电源电流（mA ）

输入高

输入低

15 20 25 30

电源电压（ V）

启用低

V13 = V

V13 = 0V

输入低

–50 –25

启用低

+ I

= 12V

电源电流（mA ）

输入高

输入频率（千赫）

100

LT1158 G03

直流电源电流

动态电源电流（V

)

占空比为50％

门

= 3000pF的

= 24V

= 12V

= 6V

温度（℃）

100

125

LT1158 G01

LT1158 G02

动态电源电流

电源电流（mA ）

输入频率（千赫）

100

LT1158 G04

电荷泵输出电压

输入门限电压（ V）

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

TOP栅极电压（ V）

10 15 20 25 30

电源电压（ V）

0.8

10μA LOAD

空载

输入阈值

占空比为50％

= 12V

V（ HIGH ）

–40°C

+25°C

+85°C

–40°C

+25°C

+85°C

V（ LOW ）

门

= 10000pF

门

= 3000pF的

门

= 1000pF的

1.0

10 15 20 25 30

电源电压（ V）

LT1158 G05

LT1158 G06

启用阈值

3.5

故障导听阈（MV ）

启用阈值电压（V ）

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

0.5

15 20 25 30

电源电压（ V）

V（ LOW ）

–40°C

+25°C

+85°C

V（ HIGH ）

–40°C

+25°C

+85°C

160

150

140

130

120

110

100

故障导听阈

200

V11 = 0V

电流限制阈值（MV ）

190

180

170

160

150

140

130

120

110

10 15 20 25 30

电源电压（ V）

100

电流限制阈值

闭环

+85°C

+25°C

–40°C

+85°C

+25°C

–40°C

10 15 20 25 30

电源电压（ V）

LT1158 G07

LT1158 G08

LT1158 G09

1158fb

LT1158

典型性能特性

电流限制禁止

门槛

1.50

电流限制阈值INHIBIT （V ）

1.45

1.40

1.35

1.30

1.25

1.20

1.15

1.10

1.05

1.00

10 15 20 25 30

电源电压（ V）

–40°C

+25°C

+85°C

V2 – V11

底栅上升时间（ NS ）

400

350

300

250

200

150

100

门

= 1000pF的

门

= 3000pF的

门

= 10000pF

底栅下降时间（ NS ）

底栅上升时间

400

350

300

250

200

150

100

底栅下降时间

门

= 10000pF

门

= 3000pF的

门

= 1000pF的

10 15 20 25 30

电源电压（ V）

10 15 20 25 30

电源电压（ V）

LT1158 G10

LT1158 G11

LT1158 G12

顶栅上升时间

400

350

顶栅下降时间（ NS ）

顶栅上升时间（ NS ）

300

250

200

150

100

门

= 1000pF的

门

= 3000pF的

门

= 10000pF

400

350

顶栅下降时间

800

700

门

= 10000pF

转换时间（纳秒）

600

500

400

300

200

100

10 15 20 25 30

电源电压（ V）

转型时代VS

门

= 12V

门

= 3000pF的

300

250

200

150

100

上升时间

下降时间

门

= 3000pF的

门

= 1000pF的

10 15 20 25 30

电源电压（ V）

10 20 30 40 50 60 70 80 90 100

栅极电阻（ Ω ）

LT1158 G15

LT1158 G13

LT1158 G14

1158fb