LT1122
快速稳定, JFET输入
运算放大器连接器
特点
s
DESCRIPTIO
340ns典型值
540ns最大
60V / μs最小值
14MHz
1.2兆赫
60°
600μV最大
75pA最大
600pA最大
40PA最大
150pA最大
s
s
s
s
s
s
s
s
100%测试建立时间
要在1mV的总和节点, 10V步骤
经测试具有固定反馈电容
压摆率
增益带宽积
功率带宽( 20Vp -P )
单位增益稳定;相位裕度
输入失调电压
输入偏置电流
25°C
70°C
输入失调电流
25°C
70°C
低失真
该LT1122 JFET输入运算放大器联合收割机
高速高精度性能。
独特的多门JFET过程中最大限度地减少门系列
电阻和栅极 - 漏极电容,有利于广
带宽性能,而不会降低的JFET晶体管
器匹配。
它压摆80V / μs的和落户在340ns 。该LT1122是
内部补偿为单位增益稳定,但它有一个
14MHz的带宽为7mA的电源电流。其
速度使得LT1122为快速建立一个理想的选择
12位数据的转换和采集系统。
的LT1122失调电压120μV ,且电压增益
500000还支持12位精度的应用程序。
输入偏置电流为10pA和偏移4PA的电流
结合其速度允许在要使用的LT1122
这样的应用程序作为高速采样和保持amplifi-
器,峰值检波器和集成商。
APPLICATI
s
s
s
s
s
s
s
s
S
快速12位D / A输出放大器
高速缓冲器
快速采样和保持放大器
高速积分
电压频率转换器
主动滤池
对数放大器
峰值检波器
典型APPLICATI
12位电压输出D / A转换器
大信号响应
+
Cf
2
0mA至2毫安
或4毫安
3
+
–
LT1122
6
V
OUT
0V至10V
5V/DIV
12位电流输出D / A转换器
C
f
= 5pF的TO 17PF
(根据D / A转换器使用)
LT1122TA01
200ns/DIV
AV = -1
1122 TA07
U
UO
UO
1
LT1122
绝对
AXI ü
RATI GS
工作温度范围
LT1122AM / BM / CM / DM .................... - 55 ° C至125°C
LT1122AC / BC / CC / DC / CS / DS .............. - 40 ° C至85°C
存储温度范围
所有设备....................................... - 65℃ 150℃
电源电压................................................ ....
±
20V
差分输入电压......................................
±
40V
输入电压................................................ ........
±
20V
输出短路持续时间不定..........................
引线温度(焊接, 10秒) ................. 300℃
PACKAGE / ORDER我FOR ATIO
顶视图
V
OS
TRIM
In
+ IN
V
–
1
2
3
4
LT1122
8
7
6
5
速度提升/
OVERCOMP
V
+
OUT
V
OS
TRIM
N8包装
J8套餐
8引脚塑料DIP 8引脚DIP HERMETIC
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 130 ℃/ W( N8 )
T
JMAX
= 175°C,
θ
JA
= 100 ℃/ W( J8 )
订购部件
数
LT1122AMJ8 LT1122CCJ8
LT1122BMJ8 LT1122DCJ8
LT1122CMJ8 LT1122ACN8
LT1122DMJ8 LT1122BCN8
LT1122ACJ8 LT1122CCN8
LT1122BCJ8 LT1122DCN8
咨询工厂的工业级的部件。
电气特性
符号
V
OS
I
OS
I
B
V
S
=
±
15V ,T
A
= 25 ° C,V
CM
= 0V ,除非另有说明。 (注1 )
LT1122AM/BM
LT1122AC/BC
最小典型最大
120
4
10
10
12
10
12
10
11
4
60
80
50
600
40
75
参数
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入阻抗
迪FF erential
共模
输入电容
条件
V
CM
= - 10V至+ 8V
V
CM
= + 8V至11V +
A
V
= – 1
+ 10V到0V, - 10V到0V
100%测试: A和C等级
要在1mV的总和节点
B级和D级为1mV的总和,在节点
所有等级到值为0.5mV的总和节点
S
R
压摆率
建立时间(注2 )
GBW
A
VOL
CMRR
PSRR
增益带宽积
功率带宽
大信号电压增益
共模抑制比
输入电压范围
电源抑制比
输入噪声电压
输入噪声电压密度
输入噪声电流密度
V
OUT
= 20Vp -P
V
OUT
=
±
10V ,R
L
= 2k
V
OUT
=
±
10V ,R
L
= 600
V
CM
=
±
10V
(注3)
V
S
=
±
10V至
±
18V
为0.1Hz至10Hz
f
O
= 100Hz的
f
O
= 10kHz的
f
O
= 100Hz的,女
O
= 10kHz的
180
130
83
86
2
U
U
W
W W
U
W
顶视图
V
OS
TRIM
In
+ IN
V–
1
2
3
4
S8包装
8引脚塑料SOIC
LT1122
8
7
6
5
速度提升/
OVERCOMP
V+
OUT
V
OS
TRIM
订购部件
数
LT1122CS8
LT1122DS8
最热
1122C
1122D
T
JMAX
= 150°C,
θ
JA
= 190 ° C / W
LT1122CM/DM
LT1122CC/DC
LT1122CS/DS
最小典型最大
130
5
12
10
12
10
12
10
11
4
75
900
50
100
单位
V
pA
pA
pF
V / μs的
340
350
450
14
1.2
500
250
99
103
3.0
25
14
2
540
350
360
470
13
1.1
150
110
80
±
10.5
82
450
220
98
±
11
101
3.3
27
15
2
590
ns
ns
ns
兆赫
兆赫
V / MV
V / MV
dB
V
dB
V
P-P
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
FA / √Hz的
±
10.5
±
11
LT1122
电气特性
符号
V
OUT
I
S
V
S
=
±
15V ,T
A
= 25 ° C,V
CM
= 0V ,除非另有说明。
LT1122AM/BM
LT1122AC/BC
最小典型最大
±
12
±
12.5
±
11.5
±
12
7.5
10
±
5
±
10
±
4
±
10
±
5
±
4
参数
输出电压摆幅
电源电流
最小电源电压
偏移调整范围
条件
R
L
= 2k
R
L
= 600
(注4 )
R
锅
≥
10K ,雨刮到V
+
LT1122CM/DM
LT1122CC/DC
LT1122CS/DS
最小典型最大
±
12
±
11.5
±
12.5
±
12
7.8
11
单位
V
V
mA
V
mV
V
S
=
±
15V, V
CM
= 0V , 0℃下
≤
T
A
≤
70℃,除非另有说明。 (注1 )
符号
V
OS
参数
输入失调电压
平均温度系数
输入偏移电压的
条件
LT1122AC/BC
最小典型最大
LT1122CC/DC
LT1122CS/DS
最小典型最大
400
6
15
90
100
78
80
±
10
±
11.5
40
340
96
99
±
10.8
±
12.4
65
2000
25
200
800
单位
V
μV/°C
pA
pA
V / MV
dB
dB
V
V
V / μs的
V
OUT
=
±
10V ,R
L
≥
2k
V
CM
=
±
10V
V
S
=
±
10V至
±
17V
R
L
= 2k
A
V
= – 1
350
5
12
80
120
82
84
±
10
50
380
98
101
±
10.8
70
1400
18
150
600
I
OS
I
B
A
VOL
CMRR
PSRR
V
OUT
S
R
输入失调电流
输入偏置电流
大信号电压增益
共模抑制比
电源抑制比
输入电压范围
输出电压摆幅
压摆率
±
11.5
±
12.4
V
S
=
±
15V, V
CM
= 0V , - 55°C
≤
T
A
≤
125 ℃,除非另有说明。 (注1 )
符号
V
OS
参数
输入失调电压
平均温度系数
输入偏移电压的
条件
LT1122AM/BM
最小典型最大
650
6
0.5
6
70
80
83
±
10
45
230
97
100
±
10.5
60
2400
18
6
25
LT1122CM/DM
最小典型最大
800
7
0.6
7
60
76
78
±
10
35
200
94
98
±
10.5
55
3400
25
9
35
单位
V
μV/°C
nA
nA
V / MV
dB
dB
V
V
V / μs的
I
OS
I
B
A
VOL
CMRR
PSRR
V
OUT
S
R
输入失调电流
输入偏置电流
大信号电压增益
共模抑制比
电源抑制比
输入电压范围
输出电压摆幅
压摆率
R
L
= 2k
A
V
= – 1
V
OUT
=
±
10V ,R
L
≥
2k
V
CM
=
±
10V
V
S
=
±
10V至
±
17V
±
11.3
±
12.1
±
11.3
±
12.1
该
表示该应用在整个工作的特定连接的阳离子
温度范围。
注1 :
的LT1122测量在自动测试器在小于一
第二次施药后的力量。根据封装使用,功率
功耗,散热和空气流通的条件下,全面回暖芯片
温度可以为10℃至50℃的温度比环境温度高。
注2 :
建立时间是经过100%测试,使用沉淀A和C等级
显示的时间测试电路。此试验中不包括质量保证
样品检测。
注3 :
输入电压范围的功能是有保证的测试失调
电压的输入电压范围限制到最大为4mV (A,B的
等级) ,以5.7mV (C,D级) 。
注4 :
最低电源电压通过测量偏置电压到测试
7MV最大值
±
5V电源。
注5 :
该LT1122未经测试且不质量保证,采样
- 40 ℃,并在85℃ 。这些规范是由设计保证,
相关性和/或推论,从 - 55 ° C, 0 ° C, 25 ° C, 70 ° C和/或125°C
测试。
3