LS843 LS844 LS845
线性集成系统
特点
超低噪声
低漏
低漂移
超低失调电压
超低噪声低漂移
单片双N沟道JFET
e
n
=为3nV / √Hz的TYP 。
I
G
= 15pA座型式。
|V
GS1-2
/ ΔT | = 5μV / ℃以下。
IV
GS1-2
I = 1mV的最大。
绝对最大额定值注1
@ 25 ℃（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
-65至+ 150°C
+150°C
D1
S1
G1
G2
S2
D2
31 ×32 MILS
G1
3
5
S2
D1
2
6
D2
最大电压和电流的每个晶体管注1
栅极电压漏极或源极
60V
-V
GSS
-V
DSO
-I
G（ F）
漏源极电压
门正向电流
60V
50mA
1
S1
7
G2
最大功率耗散
设备损耗@自由空气 - 总
底部视图
为400mW @ + 125°C
电气特性@ 25
°
℃（除非另有说明）
符号
特征
LS843 LS844 LS845单位
5
10
25
μV/°C
|V
GS1-2
/ ΔT |最大。随温度漂移
|V
GS1-2
|最大。
符号
BV
GSS
BV
GGO
Y
FSS
Y
fs
|Y
fs1-2
/Y
fs
|
I
DSS
|I
DSS1-2
/I
DSS
|
V
GS
（关闭）或V
P
V
GS
-I
G
-I
G
-I
G
-I
GSS
失调电压
特征
击穿电压
栅栅击穿
跨
全导
典型的传导
不匹配
漏电流
全导
错配的全导
栅极电压
夹断电压
工作范围
栅电流
操作
高温
减少副总监
在全导通
--
--
--
--
15
--
5
--
50
50
30
100
pA
nA
pA
pA
1
0.5
--
--
3.5
3.5
V
V
1.5
--
5
1
15
5
mA
%
1500
1000
--
--
1500
0.6
--
--
3
μmho
μmho
%
1
分钟。
60
60
5
典型值。
--
--
15
马克斯。
--
--
mV
单位
V
V
条件
V
DG
= 10V
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
V
DG
= 10V
条件
V
DS
= 0
I
D
= 1nA的
I
G
= 1nA的
V
DG
= 15V
V
DG
= 15V
I
D
= 0
V
GS
= 0
I
D
= 500A
I
D
= 500A
I
D
= 500A
I
S
= 0
F = 1kHz时
V
DG
= 15V
V
GS
= 0
V
DS
= 15V
V
DS
= 15V
V
DG
= 15V
V
DG
= 15V
V
DG
= 3V
V
DG
= 15V
I
D
= 1nA的
I
D
= 500A
I
D
= 500A
I
D
= 500A
I
D
= 500A
V
DS
= 0
T
A
= +125°C
线性集成系统
4042帆船法院，弗里蒙特，CA 94538 电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
符号
Y
OSS
Y
OS
|Y
OS1-2
|
CMR
CMR
特征
输出电导
全导
操作
迪FF erential
共模抑制
-20日志| ΔV
GS1-2
/V
DS
|
噪音
分钟。
--
--
--
90
--
典型值。
--
0.2
0.02
110
85
--
--
--
MAX 。单位
20
2
0.2
--
--
0.5
7
11
μmho
μmho
μmho
dB
dB
dB
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
条件
V
DG
= 15V
V
DG
= 15V
V
GS
= 0
I
D
= 500A
V
DS
= 10 20V
V
DS
= 5 10V
V
DS
= 15V
F = 100Hz的
V
DS
= 15V
NBW = 1Hz的
V
DS
= 15V
NBW = 1Hz的
V
DS
= 15V
V
DG
= 15V
I
D
= 500A
I
D
= 500A
V
GS
= 0 R
G
= 10M
NBW = 6HZ
I
D
= 500μA F = 1kHz时
I
D
= 500μA F = 10Hz的
NF
e
n
e
n
科幻gure
电压
电压
电容
输入
反向传输
漏漏
--
--
--
C
国际空间站
C
RSS
C
DD
--
--
--
--
--
0.5
8
3
--
pF
pF
pF
I
D
= 500A
I
D
= 500A
TO-71
六线
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
TO-78
0.305
0.335
0.335
0.370
马克斯。
0.040 0.165
0.185
MIN 。 0.500
座位
飞机
0.200
0.100
P- DIP
0.320
(8.13)
0.290
(7.37)
0.405
(10.29)
马克斯。
S1 1
D1 2
SS 3
G1 4
8
7
6
5
G2
SS
D2
S2
0.016
0.019
DIM 。一
0.016
0.021
DIM 。 B
0.029
0.045
2 3 4
1
5
8 7 6
6 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.050
2 3 4
1
8
5
6
7
SOIC
0.150
(3.81)
0.158
(4.01)
0.100
45°
0.046
0.036
45°
0.048
0.028
0.028
0.034
0.188
(4.78)
0.197
(5.00)
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
SS
D2
S2
0.228
(5.79)
0.244
(6.20)
注意事项：
1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害。
线性集成系统
4042帆船法院，弗里蒙特，CA 94538 电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
LS843 LS844 LS845
线性集成系统
特点
超低噪声
低漏
低漂移
超低失调电压
超低噪声低漂移
单片双N沟道JFET
e
n
=为3nV / √Hz的TYP 。
I
G
= 15pA座型式。
|V
GS1-2
/ ΔT | = 5μV / ℃以下。
IV
GS1-2
I = 1mV的最大。
绝对最大额定值注1
@ 25 ℃（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
-65至+ 150°C
+150°C
D1
S1
G1
G2
S2
D2
31 ×32 MILS
G1
3
5
S2
D1
2
6
D2
最大电压和电流的每个晶体管注1
栅极电压漏极或源极
60V
-V
GSS
-V
DSO
-I
G（ F）
漏源极电压
门正向电流
60V
50mA
1
S1
7
G2
最大功率耗散
设备损耗@自由空气 - 总
底部视图
为400mW @ + 125°C
电气特性@ 25
°
℃（除非另有说明）
符号
特征
LS843 LS844 LS845单位
5
10
25
μV/°C
|V
GS1-2
/ ΔT |最大。随温度漂移
|V
GS1-2
|最大。
符号
BV
GSS
BV
GGO
Y
FSS
Y
fs
|Y
fs1-2
/Y
fs
|
I
DSS
|I
DSS1-2
/I
DSS
|
V
GS
（关闭）或V
P
V
GS
-I
G
-I
G
-I
G
-I
GSS
失调电压
特征
击穿电压
栅栅击穿
跨
全导
典型的传导
不匹配
漏电流
全导
错配的全导
栅极电压
夹断电压
工作范围
栅电流
操作
高温
减少副总监
在全导通
--
--
--
--
15
--
5
--
50
50
30
100
pA
nA
pA
pA
1
0.5
--
--
3.5
3.5
V
V
1.5
--
5
1
15
5
mA
%
1500
1000
--
--
1500
0.6
--
--
3
μmho
μmho
%
1
分钟。
60
60
5
典型值。
--
--
15
马克斯。
--
--
mV
单位
V
V
条件
V
DG
= 10V
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
V
DG
= 10V
条件
V
DS
= 0
I
D
= 1nA的
I
G
= 1nA的
V
DG
= 15V
V
DG
= 15V
I
D
= 0
V
GS
= 0
I
D
= 500A
I
D
= 500A
I
D
= 500A
I
S
= 0
F = 1kHz时
V
DG
= 15V
V
GS
= 0
V
DS
= 15V
V
DS
= 15V
V
DG
= 15V
V
DG
= 15V
V
DG
= 3V
V
DG
= 15V
I
D
= 1nA的
I
D
= 500A
I
D
= 500A
I
D
= 500A
I
D
= 500A
V
DS
= 0
T
A
= +125°C
线性集成系统
4042帆船法院，弗里蒙特，CA 94538 电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
符号
Y
OSS
Y
OS
|Y
OS1-2
|
CMR
CMR
特征
输出电导
全导
操作
迪FF erential
共模抑制
-20日志| ΔV
GS1-2
/V
DS
|
噪音
分钟。
--
--
--
90
--
典型值。
--
0.2
0.02
110
85
--
--
--
MAX 。单位
20
2
0.2
--
--
0.5
7
11
μmho
μmho
μmho
dB
dB
dB
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
条件
V
DG
= 15V
V
DG
= 15V
V
GS
= 0
I
D
= 500A
V
DS
= 10 20V
V
DS
= 5 10V
V
DS
= 15V
F = 100Hz的
V
DS
= 15V
NBW = 1Hz的
V
DS
= 15V
NBW = 1Hz的
V
DS
= 15V
V
DG
= 15V
I
D
= 500A
I
D
= 500A
V
GS
= 0 R
G
= 10M
NBW = 6HZ
I
D
= 500μA F = 1kHz时
I
D
= 500μA F = 10Hz的
NF
e
n
e
n
科幻gure
电压
电压
电容
输入
反向传输
漏漏
--
--
--
C
国际空间站
C
RSS
C
DD
--
--
--
--
--
0.5
8
3
--
pF
pF
pF
I
D
= 500A
I
D
= 500A
TO-71
六线
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
TO-78
0.305
0.335
0.335
0.370
马克斯。
0.040 0.165
0.185
MIN 。 0.500
座位
飞机
0.200
0.100
P- DIP
0.320
(8.13)
0.290
(7.37)
0.405
(10.29)
马克斯。
S1 1
D1 2
SS 3
G1 4
8
7
6
5
G2
SS
D2
S2
0.016
0.019
DIM 。一
0.016
0.021
DIM 。 B
0.029
0.045
2 3 4
1
5
8 7 6
6 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.050
2 3 4
1
8
5
6
7
SOIC
0.150
(3.81)
0.158
(4.01)
0.100
45°
0.046
0.036
45°
0.048
0.028
0.028
0.034
0.188
(4.78)
0.197
(5.00)
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
SS
D2
S2
0.228
(5.79)
0.244
(6.20)
注意事项：
1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害。
线性集成系统
4042帆船法院，弗里蒙特，CA 94538 电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
LS845
单片双
N沟道JFET
线性系统的超低漏电低漂移单片双路JFET
该LS845是一个高性能的单片双
JFET具有极低的噪声，紧身失调电压
和低温度漂移的规格，并且是
在宽范围的精确定位的使用
仪器仪表应用。该LS845拥有一个15
mV的失调和25 μV /°C的漂移。
8引脚P- DIP和8引脚SOIC提供方便
制造，并且对称引出线防止
不正确的方向。
（见包装信息） 。
特点是什么？
低漂移
|V
GS1‐2
/T|≤25V/°C
低漏
I
G
=15pATYP.
低噪声
e
n
=3nV/√HzTYP.
低失调电压
|V
GS1‐2
|≤15mV
ABSOLUTEMAXIMUMRATINGS@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
‐65°Cto+150°C
工作结温
+150°C
MaximumVoltageandCurrentforEachTransistor–Note1
‐V
GSS
栅极电压漏极或源极
60V
‐V
DSO
漏源极电压
60V
‐I
G（ F）
门正向电流
50mA
最大功率耗散
DeviceDissipation@FreeAir–Total400mW@+125°C
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°CUNLESSOTHERWISENOTED
SYMBOL
特征值单位条件
|V
GS1‐2
/ T | MAX 。
漂移VS.
25
μV/°C V
DG
=10V,I
D
=500A
温度是多少？
T
A
=‐55°Cto+125°C
|V
GS1‐2
|最大。
失调电压
15
mV
V
DG
=10V,I
D=
500A
马克斯。
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
3
15
5
3.5
3.5
50
50
30
100
20
2
0.2
‐‐
‐‐
0.5
7
11
8
3
‐‐
单位“
V
V
μmho
μmho
%
mA
%
V
V
pA
nA
pA
pA
μmho
μmho
μmho
dB
条件“
V
DS
=0I
D
=1nA
I
G
=1nAI
D
=0I
S
=0
V
DG
=15VV
GS
=0Vf=1kHz
V
DG
=15VI
D
=500A
V
DG
=15VV
GS
=0V
V
DS
=15VI
D
=1nA
V
DS
=15VI
D
=500A
V
DG
=15VI
D
=500A
T
A
=+125°C
V
DG
=3VI
D
=500A
V
DG
=15V,V
DS
=0
V
DG
=15VV
GS
=0V
V
DG
=15VI
D
=500A
LS845应用：
宽带差分放大器
高速，温度补偿的单
端输入放大器
高速比较器
阻抗转换器和振动
探测器。
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
（典型值） *
BV
GSS
击穿电压
60
‐‐
BV
GGO
栅栅击穿
60
‐‐
跨
Y
FSS
全导
1500
‐‐
Y
fS
典型的操作
1000
1500
|Y
FS1‐2
/Y
FS
|
不匹配
‐‐
0.6
漏电流
I
DSS
全导
1.5
5
|I
DSS1‐2
/I
DSS
|
错配的全导
‐‐
1
栅极电压
V
GS
（关闭）或V
p
夹断电压
1
‐‐
V
GS
（上）
工作范围
0.5
‐‐
栅极电流
‐I
G
马克斯。
经营？
‐‐
15
‐I
G
马克斯。
高温
‐‐
‐‐
‐I
G
马克斯。
降低V
DG
‐‐
5
‐I
GSS
马克斯。
在全导通
‐‐
‐‐
输出电导
Y
OSS
全导
‐‐
‐‐
Y
OS
经营？
‐‐
0.2
|Y
OS1‐2
|
微分
‐‐
0.02
共模抑制
CMR刀
‐20log|V
GS1‐2
/V
DS
|
90
110
‐20log|V
GS1‐2
/V
DS
|
‐‐
85
NOISE
NF
身材
‐‐
‐‐
e
n
电压是多少？
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
Capacitance
C
国际空间站
输入 -
‐‐
‐‐
C
RSS
反向传输
‐‐
‐‐
C
DD
漏漏
‐‐
0.5
注1 - 这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害
点击购买
dB
内华达州/ √Hz的
pF
V
DS
=10to20VI
D
=500A
V
DS
=5to10VI
D
=500A
V
DS
=15VV
GS
=0VR
G
=10MΩ
f=100HzNBW=6Hz
V
DS
=15VI
D
=500Af=1KHzNBW=1Hz
V
DS
=15VI
D
=500Af=10HzNBW=1Hz
V
DS
=15V,I
D
=500A
V
DG
=15V,I
D
=500A
PDIP & SOIC （顶视图）
可用的软件包：
LS845 / LS845在PDIP & SOIC
LS845 / LS845可作为裸模
请联系
Micross
全包和模具尺寸
电话：+44 1603 788967
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
http://www.micross.com/distribution
提供的信息线性集成系统和Micross组件被认为是准确和可靠。但是，没有责任承担其使用;也不对任何侵犯专利或
第三方可能导致其使用的其他权利。没有获发牌照以暗示或以其他方式线性集成系统中的任何专利或专利权。
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