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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第34页 > LS5911-2
LS5911 LS5912 LS5912C
线性集成系统
特点
改善置换SILICONIX , FAIRCHILD , &
国家: 2N5911 2N5912 &
低噪声( 10kHz时)
e
n
4nV / √Hz的
高跨导( 100MHz时)
绝对最大额定值
1
@ 25 ° C(除非另有说明)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散(总)
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏
门源
-25V
-25V
50mA
500mW
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
改进的低噪声
WIDEBAND MONOLITHIC
双N沟道JFET
TO-71
底部视图
TO-78
底部视图
G1
D1
S1
SOT-23
顶视图
1
2
3
6
5
4
g
fs
4000S
G1
D1
S1
2
3
5
6
S2
D2
G2
PDIP -A
G1
D1
S1
2
3
5
6
S2
D2
G2
S2
D2
G2
1
7
1
7
PDIP -B
8
7
6
5
-65至+150°C
-55至+150°C
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
G2
SS
D2
S2
S1
D1
G1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
G2
D2
S2
SOIC -A
8
7
6
5
SOIC -B
G2
SS
D2
S2
S1
D1
G1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
G2
D2
S2
MATCHING电气特性@ 25 ° C(除非另有说明)
符号
特征
典型值
LS5911
最大
LS5912
最大
LS5912C
最大
单位
条件
V
GS1
V
GS2
V
GS1
V
GS2
T
I
DSS1
I
DSS2
差分门源
截止电压
差分门源
截止电压的变化
温度
门源饱和
流动比率
差动电流门
正向跨导
2
共模抑制
85
10
20
0.95
1
20
0.95
1
0.95
0.95
15
40
1
20
1
0.95
0.95
40
40
1
20
1
mV
μV/°C
%
nA
%
dB
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
T
A
= -55至+ 125°C
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
T
A
= +125°C
V
DS
= 10V ,我
D
= 5毫安
f
= 1kHz时
V
DG
= 5V至10V
I
D
= 5毫安
I
G1
I
G2
g
fs1
g
fs2
CMRR
静态电气特性@ 25 ° C(除非另有说明)
符号。
BV
GSS
V
GS ( OFF )
V
GS ( F)
V
GS
I
DSS
I
GSS
I
G
特征
栅源击穿电压
门源截止电压
门源正向电压
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电流
栅极漏电流
门工作电流
3
典型值
LS5911
-25
-1
-5
-4
40
-50
-50
最大
LS5912
-25
-1
-0.3
7
-5
-4
40
-50
-50
最大
LS5912C
-25
-1
-0.3
7
-5
-4
40
-50
-50
最大
单位
条件
I
G
= -1μA ,V
DS
= 0V
0.7
-0.3
7
-1
-1
V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1nA的
I
G
= 1mA时, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V ,我
G
= 5毫安
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
mA
pA
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特,加利福尼亚州94538 电话: 510 490-9160 传真: 510 353-0261
动态电气特性@ 25 ° C(除非另有说明)
符号。
特征
典型值
f
= 1kHz时
f
= 100MHz的
f
= 1kHz时
f
= 100MHz的
LS5911
最大
LS5912
最大
LS5912C
最大
单位
条件
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
NF
e
n
前锋
输出电导
输入电容
4000 10000 4000 10000 4000 10000
4000 10000 4000 10000 4000 10000
100
150
5
1.2
1
100
150
5
1.2
1
20
10
100
150
5
1.2
1
20
10
pF
dB
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
S
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
反向传输电容
噪声系数
等效输入
噪声电压
f
= 100Hz的
f
= 10kHz的
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
f
= 1MHz的
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
f
= 10kHz时,R
G
= 100K
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
f
= 100Hz的
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
f
= 10kHz的
7
4
20
10
SOT-23
0.95
TO-71
六线
0.35
0.50
2.80
3.00
TO-78
0.230
DIA 。
0.209
PDIP
0.060
1
2
8
7
0.375
3
4
6
5
0.100
1
1.90
6
0.195 DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.305
0.335
0.335
0.370
2
5
4
0.150
0.115
3
1.50
1.75
2.60
3.00
0.016
0.019
DIM 。一
0.016
0.021
DIM 。 B
0.200
0.029
0.045
2 3
5
1
76
马克斯。
0.040 0.165
0.038
0.185
MIN 。 0.500
0.250
6 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
座位
飞机
0.90
1.30
0.100
0.145
0.170
0.050
0.09
0.20
0.295
0.320
尺寸
英寸
2 3
1
5
6
7
0.100
45°
0.00
0.15
0.10
0.60
45°
0.046
0.036
SOIC
0.014
0.018
1
2
0.021
3
4
0.150
0.157
8
7
6
5
0.050
0.189
0.196
尺寸
MILLIMETERS
0.048
0.028
0.028
0.034
PDIP -A
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
PDIP -B
G2
SS
D2
S2
S1
D1
G1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
G2
D2
S2
0.0040
0.0098
0.2284
0.2440
尺寸
英寸
SOIC -A
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC -B
G2
SS
D2
S2
0.0075
0.0098
S1
D1
G1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
G2
D2
S2
请与工厂联系
有关的可用性
可选包。
1.
2.
3.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试: PW
300μS占空比
3%
假定在分子较小的值。
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是,没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则,根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特,加利福尼亚州94538 电话: 510 490-9160 传真: 510 353-0261
LS5911 LS5912 LS5912C
线性集成系统
特点
改善置换SILICONIX , FAIRCHILD , &
国家: 2N5911 2N5912 &
低噪声( 10kHz时)
e
n
4nV / √Hz的
高跨导( 100MHz时)
绝对最大额定值
1
@ 25 ° C(除非另有说明)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散(总)
最大电流
栅电流
最大电压
栅漏
门源
-25V
-25V
50mA
500mW
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
改进的低噪声
WIDEBAND MONOLITHIC
双N沟道JFET
TO-71
底部视图
TO-78
底部视图
G1
D1
S1
SOT-23
顶视图
1
2
3
6
5
4
g
fs
4000S
G1
D1
S1
2
3
5
6
S2
D2
G2
PDIP -A
G1
D1
S1
2
3
5
6
S2
D2
G2
S2
D2
G2
1
7
1
7
PDIP -B
8
7
6
5
-65至+150°C
-55至+150°C
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
G2
SS
D2
S2
S1
D1
G1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
G2
D2
S2
SOIC -A
8
7
6
5
SOIC -B
G2
SS
D2
S2
S1
D1
G1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
G2
D2
S2
MATCHING电气特性@ 25 ° C(除非另有说明)
符号
特征
典型值
LS5911
最大
LS5912
最大
LS5912C
最大
单位
条件
V
GS1
V
GS2
V
GS1
V
GS2
T
I
DSS1
I
DSS2
差分门源
截止电压
差分门源
截止电压的变化
温度
门源饱和
流动比率
差动电流门
正向跨导
2
共模抑制
85
10
20
0.95
1
20
0.95
1
0.95
0.95
15
40
1
20
1
0.95
0.95
40
40
1
20
1
mV
μV/°C
%
nA
%
dB
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
T
A
= -55至+ 125°C
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
T
A
= +125°C
V
DS
= 10V ,我
D
= 5毫安
f
= 1kHz时
V
DG
= 5V至10V
I
D
= 5毫安
I
G1
I
G2
g
fs1
g
fs2
CMRR
静态电气特性@ 25 ° C(除非另有说明)
符号。
BV
GSS
V
GS ( OFF )
V
GS ( F)
V
GS
I
DSS
I
GSS
I
G
特征
栅源击穿电压
门源截止电压
门源正向电压
栅极至源极电压
漏极至源极饱和电流
栅极漏电流
门工作电流
3
典型值
LS5911
-25
-1
-5
-4
40
-50
-50
最大
LS5912
-25
-1
-0.3
7
-5
-4
40
-50
-50
最大
LS5912C
-25
-1
-0.3
7
-5
-4
40
-50
-50
最大
单位
条件
I
G
= -1μA ,V
DS
= 0V
0.7
-0.3
7
-1
-1
V
V
DS
= 10V ,我
D
= 1nA的
I
G
= 1mA时, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V ,我
G
= 5毫安
V
DS
= 10V, V
GS
= 0V
V
GS
= -15V, V
DS
= 0V
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
mA
pA
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特,加利福尼亚州94538 电话: 510 490-9160 传真: 510 353-0261
动态电气特性@ 25 ° C(除非另有说明)
符号。
特征
典型值
f
= 1kHz时
f
= 100MHz的
f
= 1kHz时
f
= 100MHz的
LS5911
最大
LS5912
最大
LS5912C
最大
单位
条件
g
fs
g
os
C
国际空间站
C
RSS
NF
e
n
前锋
输出电导
输入电容
4000 10000 4000 10000 4000 10000
4000 10000 4000 10000 4000 10000
100
150
5
1.2
1
100
150
5
1.2
1
20
10
100
150
5
1.2
1
20
10
pF
dB
纳伏/赫兹÷
纳伏/赫兹÷
S
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
反向传输电容
噪声系数
等效输入
噪声电压
f
= 100Hz的
f
= 10kHz的
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
f
= 1MHz的
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
f
= 10kHz时,R
G
= 100K
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
f
= 100Hz的
V
DG
= 10V ,我
D
= 5毫安
f
= 10kHz的
7
4
20
10
SOT-23
0.95
TO-71
六线
0.35
0.50
2.80
3.00
TO-78
0.230
DIA 。
0.209
PDIP
0.060
1
2
8
7
0.375
3
4
6
5
0.100
1
1.90
6
0.195 DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.305
0.335
0.335
0.370
2
5
4
0.150
0.115
3
1.50
1.75
2.60
3.00
0.016
0.019
DIM 。一
0.016
0.021
DIM 。 B
0.200
0.029
0.045
2 3
5
1
76
马克斯。
0.040 0.165
0.038
0.185
MIN 。 0.500
0.250
6 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
座位
飞机
0.90
1.30
0.100
0.145
0.170
0.050
0.09
0.20
0.295
0.320
尺寸
英寸
2 3
1
5
6
7
0.100
45°
0.00
0.15
0.10
0.60
45°
0.046
0.036
SOIC
0.014
0.018
1
2
0.021
3
4
0.150
0.157
8
7
6
5
0.050
0.189
0.196
尺寸
MILLIMETERS
0.048
0.028
0.028
0.034
PDIP -A
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
PDIP -B
G2
SS
D2
S2
S1
D1
G1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
G2
D2
S2
0.0040
0.0098
0.2284
0.2440
尺寸
英寸
SOIC -A
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
SOIC -B
G2
SS
D2
S2
0.0075
0.0098
S1
D1
G1
NC
1
2
3
4
8
7
6
5
NC
G2
D2
S2
请与工厂联系
有关的可用性
可选包。
1.
2.
3.
绝对最大额定值的限制值高于其适用性可能受到损害。
脉冲测试: PW
300μS占空比
3%
假定在分子较小的值。
提供的信息线性集成系统被认为是准确和可靠。但是,没有责任承担其
使用;也不对任何侵犯第三方专利或其他权利的可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或
否则,根据线性集成系统中的任何专利或专利权。
线性集成系统
4042克利伯法院弗里蒙特,加利福尼亚州94538 电话: 510 490-9160 传真: 510 353-0261
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LS5911-2
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
LS5911-2
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