LS5905 LS5906 LS5907
LS5908 LS5909
线性集成系统
特点
低漂移
超低漏电
LOW夹断
|V
GS1-2
/ ΔT | = 5μV / ℃以下。
I
G
= 150fA TYP 。
V
P
= 2V TYP 。
低漏低漂移
单片双N沟道JFET
绝对最大额定值注1
@ 25 ℃（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
-65至+ 150°C
+150°C
D1
S1
G2
G1
3
5
S2
最大电压和电流的每个晶体管注1
栅极电压漏极或源极
40V
-V
GSS
-V
DSO
-I
G（ F）
-I
G
漏源极电压
门正向电流
门反向电流
40V
10mA
10A
D1
2
D2
S1
G1
S2
6
D2
1
7
G2
最大功率耗散
设备损耗@自由空气 - 总
22 ×20 MILS
为40mW @ + 125°C
底部视图
电气特性@ 25
°
℃（除非另有说明）
符号
特征
LS5906 LS5907 LS5908 LS5909 LS5905
5
10
20
40
40
|V
GS1-2
/ ΔT |最大。随温度漂移
|V
GS1-2
|最大。
-I
G
马克斯。
-I
G
马克斯。
-I
GSS
马克斯。
-I
GSS
马克斯。
符号
BV
GSS
BV
GGO
Y
FSS
Y
fs
|Y
fs1-2
/Y
fs
|
I
DSS
|I
DSS1-2
/I
DSS
|
V
GS
（关闭）或V
P
V
GS
I
GGO
失调电压
操作
高温
在全导通
高温
特征
击穿电压
栅栅击穿
跨
全导
典型的操作
不匹配
漏电流
全导
错配的全导
栅极电压
夹断电压
工作范围
栅电流
栅极到栅极漏
5
1
1
2
5
分钟。
40
40
70
50
--
60
--
0.6
--
--
5
1
1
2
5
典型值。
60
--
300
100
1
400
2
2
--
1
10
1
1
2
5
马克斯。
--
--
500
200
5
1000
5
4.5
4
--
15
1
1
2
5
单位
V
V
μmho
μmho
%
A
%
V
V
pA
15
3
3
5
10
单位条件
μV/°C
V
DG
= 10V ，我
D
= 30A
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
mV
pA
nA
pA
nA
T
A
= +125°C
V
DS
= 0V
T
A
= +125°C
V
GS
= 20V
V
DG
=10V
I
D
= 30A
条件
V
DS
= 0
I
D
= 1nA的
I
G
= 1nA的
V
DG
= 10V
V
DG
= 10V
I
D
= 0
V
GS
= 0
I
D
= 30A
I
S
= 0
F = 1kHz时
F = 1kHz时
V
DG
= 10V
V
GS
= 0
V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
V
GG
=20V
I
D
= 1nA的
I
D
= 30A
线性集成系统
4042帆船法院，弗里蒙特，CA 94538 电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
符号
Y
OSS
Y
OS
|Y
OS1-2
|
CMR
CMR
特征
输出电导
全导
操作
迪FF erential
共模抑制
-20日志| ΔV
GS1-2
/V
DS
|
-20日志| ΔV
GS1-2
/V
DS
|
噪音
科幻gure
电压
电容
输入
反向传输
漏漏
分钟。
--
--
--
典型值。
--
0.1
0.01
MAX 。单位
5
0.1
0.1
μmho
μmho
μmho
条件
V
DG
= 10V
V
DG
= 10V
V
GS
= 0
I
D
= 30A
--
--
90
90
--
--
dB
dB
V
DS
= 10 20V
V
DS
= 5 10V
V
DS
= 10V
F = 100Hz的
V
DG
= 10V
NBW = 1Hz的
V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
V
DG
= 20V
I
D
= 30A
I
D
= 30A
V
GS
= 0 R
G
= 10M
NBW = 6HZ
I
D
= 30μA F = 10Hz的
NF
e
n
--
--
--
20
1
70
dB
纳伏/赫兹÷
C
国际空间站
C
RSS
C
DD
--
--
--
--
--
--
3
1.5
0.1
pF
pF
pF
V
GS
= 0
V
GS
= 0
I
D
= 30A
F = 1MHz的
F = 1MHz的
TO-71
六线
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
TO-78
0.305
0.335
0.335
0.370
马克斯。
0.040 0.165
0.185
MIN 。 0.500
座位
飞机
0.200
0.100
P- DIP
0.320
(8.13)
0.290
(7.37)
0.405
(10.29)
马克斯。
S1 1
D1 2
SS 3
G1 4
8
7
6
5
G2
SS
D2
S2
0.016
0.019
DIM 。一
0.016
0.021
DIM 。 B
0.029
0.045
2 3 4
1
5
8 7 6
6 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.050
2 3 4
1
8
5
6
7
SOIC
0.150
(3.81)
0.158
(4.01)
0.100
45°
0.046
0.036
45°
0.048
0.028
0.028
0.034
0.188
(4.78)
0.197
(5.00)
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
SS
D2
S2
0.228
(5.79)
0.244
(6.20)
注意事项：
1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害。
线性集成系统
4042帆船法院，弗里蒙特，CA 94538 电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
LS5905 LS5906 LS5907
LS5908 LS5909
线性集成系统
特点
低漂移
超低漏电
LOW夹断
|V
GS1-2
/ ΔT | = 5μV / ℃以下。
I
G
= 150fA TYP 。
V
P
= 2V TYP 。
低漏低漂移
单片双N沟道JFET
绝对最大额定值注1
@ 25 ℃（除非另有说明）
最高温度
储存温度
工作结温
-65至+ 150°C
+150°C
D1
S1
G2
G1
3
5
S2
最大电压和电流的每个晶体管注1
栅极电压漏极或源极
40V
-V
GSS
-V
DSO
-I
G（ F）
-I
G
漏源极电压
门正向电流
门反向电流
40V
10mA
10A
D1
2
D2
S1
G1
S2
6
D2
1
7
G2
最大功率耗散
设备损耗@自由空气 - 总
22 ×20 MILS
为40mW @ + 125°C
底部视图
电气特性@ 25
°
℃（除非另有说明）
符号
特征
LS5906 LS5907 LS5908 LS5909 LS5905
5
10
20
40
40
|V
GS1-2
/ ΔT |最大。随温度漂移
|V
GS1-2
|最大。
-I
G
马克斯。
-I
G
马克斯。
-I
GSS
马克斯。
-I
GSS
马克斯。
符号
BV
GSS
BV
GGO
Y
FSS
Y
fs
|Y
fs1-2
/Y
fs
|
I
DSS
|I
DSS1-2
/I
DSS
|
V
GS
（关闭）或V
P
V
GS
I
GGO
失调电压
操作
高温
在全导通
高温
特征
击穿电压
栅栅击穿
跨
全导
典型的操作
不匹配
漏电流
全导
错配的全导
栅极电压
夹断电压
工作范围
栅电流
栅极到栅极漏
5
1
1
2
5
分钟。
40
40
70
50
--
60
--
0.6
--
--
5
1
1
2
5
典型值。
60
--
300
100
1
400
2
2
--
1
10
1
1
2
5
马克斯。
--
--
500
200
5
1000
5
4.5
4
--
15
1
1
2
5
单位
V
V
μmho
μmho
%
A
%
V
V
pA
15
3
3
5
10
单位条件
μV/°C
V
DG
= 10V ，我
D
= 30A
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
mV
pA
nA
pA
nA
T
A
= +125°C
V
DS
= 0V
T
A
= +125°C
V
GS
= 20V
V
DG
=10V
I
D
= 30A
条件
V
DS
= 0
I
D
= 1nA的
I
G
= 1nA的
V
DG
= 10V
V
DG
= 10V
I
D
= 0
V
GS
= 0
I
D
= 30A
I
S
= 0
F = 1kHz时
F = 1kHz时
V
DG
= 10V
V
GS
= 0
V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
V
GG
=20V
I
D
= 1nA的
I
D
= 30A
线性集成系统
4042帆船法院，弗里蒙特，CA 94538 电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
符号
Y
OSS
Y
OS
|Y
OS1-2
|
CMR
CMR
特征
输出电导
全导
操作
迪FF erential
共模抑制
-20日志| ΔV
GS1-2
/V
DS
|
-20日志| ΔV
GS1-2
/V
DS
|
噪音
科幻gure
电压
电容
输入
反向传输
漏漏
分钟。
--
--
--
典型值。
--
0.1
0.01
MAX 。单位
5
0.1
0.1
μmho
μmho
μmho
条件
V
DG
= 10V
V
DG
= 10V
V
GS
= 0
I
D
= 30A
--
--
90
90
--
--
dB
dB
V
DS
= 10 20V
V
DS
= 5 10V
V
DS
= 10V
F = 100Hz的
V
DG
= 10V
NBW = 1Hz的
V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
V
DG
= 20V
I
D
= 30A
I
D
= 30A
V
GS
= 0 R
G
= 10M
NBW = 6HZ
I
D
= 30μA F = 10Hz的
NF
e
n
--
--
--
20
1
70
dB
纳伏/赫兹÷
C
国际空间站
C
RSS
C
DD
--
--
--
--
--
--
3
1.5
0.1
pF
pF
pF
V
GS
= 0
V
GS
= 0
I
D
= 30A
F = 1MHz的
F = 1MHz的
TO-71
六线
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
TO-78
0.305
0.335
0.335
0.370
马克斯。
0.040 0.165
0.185
MIN 。 0.500
座位
飞机
0.200
0.100
P- DIP
0.320
(8.13)
0.290
(7.37)
0.405
(10.29)
马克斯。
S1 1
D1 2
SS 3
G1 4
8
7
6
5
G2
SS
D2
S2
0.016
0.019
DIM 。一
0.016
0.021
DIM 。 B
0.029
0.045
2 3 4
1
5
8 7 6
6 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.050
2 3 4
1
8
5
6
7
SOIC
0.150
(3.81)
0.158
(4.01)
0.100
45°
0.046
0.036
45°
0.048
0.028
0.028
0.034
0.188
(4.78)
0.197
(5.00)
S1
D1
SS
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
SS
D2
S2
0.228
(5.79)
0.244
(6.20)
注意事项：
1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害。
线性集成系统
4042帆船法院，弗里蒙特，CA 94538 电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
QQ：2881677436 复制
