LS421 ， LS422 ， LS423 ，
LS424 ， LS425 ， LS426
线性集成系统
特点
高输入阻抗
高增益
低功耗工作
I
G
= 0.25pA MAX
GFS = 120μmho MIN
V
GS （ OFF ）
± 2V MAX
S1
G2
G1
3
C
4
5
6
D2
S2
低漏低漂移
单片双N沟道JFET
绝对最大额定值注1
@ 25 ℃（除非另有说明）
最高温度
储存温度
-65至+ 150°C
工作结温
+150°C
最大电压和电流的每个晶体管注1
栅极电压漏极或源极
40V
-V
GSS
-V
DSO
-I
G（ F）
漏源极电压
门正向电流
40V
10mA
为400mW @ + 125°C
D1
D2
D1
2
S1
1
7
G2
G1
S2
TO-78
底部视图
最大功率耗散
设备损耗@自由空气 - 总
22 ×20 MILS
电气特性@ 25
°
℃（除非另有说明）
符号
特性LS421 LS422 LS423 LS424 LS425 LS426单位最大条件
10
25
40
10
25
40
μV/°C
V
DG
= 10V我
D
= 30A
|V
GS1-2
/ ΔT |最大。随温度漂移
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
|V
GS1-2
|最大。
V
GS （ OFF ）
V
GS
I
G
马克斯。
-I
G
马克斯。
-I
GSS
马克斯。
-I
GSS
马克斯。
符号
BV
GSS
BV
GGO
Y
FSS
Y
fs
I
DSS
失调电压
栅极电压
夹断电压
工作范围
操作
高温
在全导通
高温
10
2.0
1.8
.25
250
1.0
1.0
15
2.0
1.8
.25
250
1.0
1.0
25
2.0
1.8
.25
250
1.0
1.0
10
3.0
2.9
.500
500
3.0
3.0
15
3.0
2.9
.500
500
3.0
3.0
25
3.0
2.9
.500
500
3.0
3.0
mV
V
V
pA
pA
pA
nA
V
DG
=10V
V
DS
=10V
V
DG
=10V
V
DG
=10V
T
A
= +125°C
V
DS
= 0V
T
A
= +125°C
V
GS
= 20V
I
D
= 30A
I
D
= 1nA的
I
D
= 30A
I
D
= 30A
特征
击穿电压
栅栅击穿
跨
全导
典型的操作
漏电流
全导
分钟。
40
40
300
120
60
60
典型值。
60
--
--
200
--
--
马克斯。
--
--
1500
350
1000
1800
单位
V
V
μmho
μmho
A
A
条件
V
DS
= 0
I
G
= 1nA的
I
G
= 1A
V
DS
= 10V
V
DG
= 10V
LS421-3
LS424-6
I
D
= 0
V
GS
= 0
I
D
= 30A
V
DS
= 10V
I
S
= 0
F = 1kHz时
F = 1kHz时
V
GS
= 0
线性集成系统
4042帆船CT，弗里蒙特，CA 94538电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
符号
Y
OSS
Y
OS
CMR
CMR
特征
输出电导
全导
操作
共模抑制
-20日志| ΔV
GS1-2
/V
DS
|
-20日志| ΔV
GS1-2
/V
DS
|
噪音
科幻gure
电压
电容
输入
反向传输
分钟。
--
--
典型值。
--
0.1
MAX 。单位
10
3.0
μmho
μmho
dB
dB
条件
V
DS
= 10V
V
DG
= 10V
V
DS
= 10 20V
V
DS
= 5 10V
V
DG
= 10V
F = 10Hz的
V
DG
= 10V
V
DG
= 10V
I
D
= 30A
V
GS
= 0
I
D
= 30A
I
D
= 30A
I
D
= 30A
R
G
= 10M
--
--
90
90
--
--
NF
e
n
--
--
--
20
10
1.0
70
dB
纳伏/赫兹÷
I
D
= 30μA F = 10Hz的
I
D
= 30μA F = 1kHz时
V
GS
= 0
V
GS
= 0
F = 1MHz的
F = 1MHz的
C
国际空间站
C
RSS
--
--
--
--
3.0
1.5
pF
pF
V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
TO-71
六线
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
TO-78
0.305
0.335
0.335
0.370
马克斯。
0.040 0.165
0.185
MIN 。 0.500
座位
飞机
0.200
0.100
P- DIP
0.320
(8.13)
0.290
(7.37)
0.405
(10.29)
马克斯。
S1 1
D1 2
SS 3
G1 4
8
7
6
5
G2
SS
D2
S2
0.016
0.019
DIM 。一
0.016
0.021
DIM 。 B
0.029
0.045
2 3 4
1
5
8 7 6
6 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.050
2 3 4
1
8
5
6
7
SOIC
0.150
(3.81)
0.158
(4.01)
0.100
45°
0.046
0.036
45°
0.048
0.028
0.028
0.034
0.188
(4.78)
0.197
(5.00)
S1
D1
D1
G1
SS
N / C
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
N / C
SS
G2
D2
D2
S2
S2
0.228
(5.79)
0.244
(6.20)
S1
D1
G1
N / C
N / C
G2
D2
S2
注意事项：
1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害。
线性集成系统
4042帆船CT，弗里蒙特，CA 94538电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
LS421 ， LS422 ， LS423 ，
LS424 ， LS425 ， LS426
线性集成系统
特点
高输入阻抗
高增益
低功耗工作
I
G
= 0.25pA MAX
GFS = 120μmho MIN
V
GS （ OFF ）
± 2V MAX
S1
G2
G1
3
C
4
5
6
D2
S2
低漏低漂移
单片双N沟道JFET
绝对最大额定值注1
@ 25 ℃（除非另有说明）
最高温度
储存温度
-65至+ 150°C
工作结温
+150°C
最大电压和电流的每个晶体管注1
栅极电压漏极或源极
40V
-V
GSS
-V
DSO
-I
G（ F）
漏源极电压
门正向电流
40V
10mA
为400mW @ + 125°C
D1
D2
D1
2
S1
1
7
G2
G1
S2
TO-78
底部视图
最大功率耗散
设备损耗@自由空气 - 总
22 ×20 MILS
电气特性@ 25
°
℃（除非另有说明）
符号
特性LS421 LS422 LS423 LS424 LS425 LS426单位最大条件
10
25
40
10
25
40
μV/°C
V
DG
= 10V我
D
= 30A
|V
GS1-2
/ ΔT |最大。随温度漂移
T
A
= -55 ° C至+ 125°C
|V
GS1-2
|最大。
V
GS （ OFF ）
V
GS
I
G
马克斯。
-I
G
马克斯。
-I
GSS
马克斯。
-I
GSS
马克斯。
符号
BV
GSS
BV
GGO
Y
FSS
Y
fs
I
DSS
失调电压
栅极电压
夹断电压
工作范围
操作
高温
在全导通
高温
10
2.0
1.8
.25
250
1.0
1.0
15
2.0
1.8
.25
250
1.0
1.0
25
2.0
1.8
.25
250
1.0
1.0
10
3.0
2.9
.500
500
3.0
3.0
15
3.0
2.9
.500
500
3.0
3.0
25
3.0
2.9
.500
500
3.0
3.0
mV
V
V
pA
pA
pA
nA
V
DG
=10V
V
DS
=10V
V
DG
=10V
V
DG
=10V
T
A
= +125°C
V
DS
= 0V
T
A
= +125°C
V
GS
= 20V
I
D
= 30A
I
D
= 1nA的
I
D
= 30A
I
D
= 30A
特征
击穿电压
栅栅击穿
跨
全导
典型的操作
漏电流
全导
分钟。
40
40
300
120
60
60
典型值。
60
--
--
200
--
--
马克斯。
--
--
1500
350
1000
1800
单位
V
V
μmho
μmho
A
A
条件
V
DS
= 0
I
G
= 1nA的
I
G
= 1A
V
DS
= 10V
V
DG
= 10V
LS421-3
LS424-6
I
D
= 0
V
GS
= 0
I
D
= 30A
V
DS
= 10V
I
S
= 0
F = 1kHz时
F = 1kHz时
V
GS
= 0
线性集成系统
4042帆船CT，弗里蒙特，CA 94538电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
符号
Y
OSS
Y
OS
CMR
CMR
特征
输出电导
全导
操作
共模抑制
-20日志| ΔV
GS1-2
/V
DS
|
-20日志| ΔV
GS1-2
/V
DS
|
噪音
科幻gure
电压
电容
输入
反向传输
分钟。
--
--
典型值。
--
0.1
MAX 。单位
10
3.0
μmho
μmho
dB
dB
条件
V
DS
= 10V
V
DG
= 10V
V
DS
= 10 20V
V
DS
= 5 10V
V
DG
= 10V
F = 10Hz的
V
DG
= 10V
V
DG
= 10V
I
D
= 30A
V
GS
= 0
I
D
= 30A
I
D
= 30A
I
D
= 30A
R
G
= 10M
--
--
90
90
--
--
NF
e
n
--
--
--
20
10
1.0
70
dB
纳伏/赫兹÷
I
D
= 30μA F = 10Hz的
I
D
= 30μA F = 1kHz时
V
GS
= 0
V
GS
= 0
F = 1MHz的
F = 1MHz的
C
国际空间站
C
RSS
--
--
--
--
3.0
1.5
pF
pF
V
DS
= 10V
V
DS
= 10V
TO-71
六线
0.195
DIA 。
0.175
0.030
马克斯。
0.230
DIA 。
0.209
0.150
0.115
TO-78
0.305
0.335
0.335
0.370
马克斯。
0.040 0.165
0.185
MIN 。 0.500
座位
飞机
0.200
0.100
P- DIP
0.320
(8.13)
0.290
(7.37)
0.405
(10.29)
马克斯。
S1 1
D1 2
SS 3
G1 4
8
7
6
5
G2
SS
D2
S2
0.016
0.019
DIM 。一
0.016
0.021
DIM 。 B
0.029
0.045
2 3 4
1
5
8 7 6
6 LEADS
0.019 DIA 。
0.016
0.100
0.500 MIN 。
0.050
2 3 4
1
8
5
6
7
SOIC
0.150
(3.81)
0.158
(4.01)
0.100
45°
0.046
0.036
45°
0.048
0.028
0.028
0.034
0.188
(4.78)
0.197
(5.00)
S1
D1
D1
G1
SS
N / C
G1
1
2
3
4
8
7
6
5
G2
N / C
SS
G2
D2
D2
S2
S2
0.228
(5.79)
0.244
(6.20)
S1
D1
G1
N / C
N / C
G2
D2
S2
注意事项：
1.这些额定值的限制值高于其中任何半导体的适用性可能受到损害。
线性集成系统
4042帆船CT，弗里蒙特，CA 94538电话： （ 510 ） 490-9160 传真： （ 510 ） 353-0261
QQ：2880707522 复制
