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LS4151
威世德律风根
硅外延平面二极管
特点
D
电气数据等同于设备1N4151
D
的Quadro晶圆电阻包
应用
极速开关
96 12009
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向重复峰值电压
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
平均正向电流
功耗
结温
存储温度范围
测试条件
TYPE
符号
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
V
T
j
T
英镑
价值
75
50
2
500
300
150
500
175
–65...+175
单位
V
V
A
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
t
p
=1
m
s
V
R
=0
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
在PC板50mmx50mmx1.6mm
符号
R
thJA
价值
500
单位
K / W
文档编号85563
第3版, 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
LS4151
威世德律风根
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
反向电压
g
击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
y
测试条件
I
F
=50mA
V
R
=50V
V
R
= 50V ,T
j
=150
°
C
I
R
=5
m
A,T
p
/T=0.01, t
p
=0.3ms
V
R
= 0 , F = 1MHz时, V
HF
=50mV
I
F
=I
R
= 10毫安,我
R
=1mA
I
F
= 10毫安,V
R
= 6V ,我
R
=0.1xI
R
,
R
L
=100
W
TYPE
符号
V
F
I
R
I
R
V
( BR )
C
D
t
rr
t
rr
典型值
0.88
最大
1
50
50
2
4
2
单位
V
nA
m
A
V
pF
ns
ns
75
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明)
100
C
D
- 二极管电容(pF )
散射极限
I
R
- 反向电流(
m
A )
10
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
94 9151
F = 1 MHz的
T
j
= 25°C
1
0.1
V
R
= 50 V
0.01
40
80
120
160
200
T
j
- 结温(
°C
)
0.1
94 9153
1
10
100
V
R
- 反向电压( V)
图1.反向电流与结温
1000
I
F
- 正向电流(mA )
T
j
= 100°C
100
图3.二极管电容与反向电压
10
T
j
= 25°C
1
0.1
0
94 9152
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
F
- 正向电压( V)
图2.正向电流与正向电压
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (4)
文档编号85563
第3版, 01 -APR- 99
LS4151
威世德律风根
尺寸(mm)
96 12071
文档编号85563
第3版, 01 -APR- 99
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LS4151
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响,以及其上的冲击
环境。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ,德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,德律风根的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
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4 (4)
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威世德律风根
硅外延平面二极管
特点
D
电气数据等同于设备1N4151
D
的Quadro晶圆电阻包
应用
极速开关
96 12009
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向重复峰值电压
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
平均正向电流
功耗
结温
存储温度范围
测试条件
TYPE
符号
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
V
T
j
T
英镑
价值
75
50
2
500
300
150
500
175
–65...+175
单位
V
V
A
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
t
p
=1
m
s
V
R
=0
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
在PC板50mmx50mmx1.6mm
符号
R
thJA
价值
500
单位
K / W
文档编号85563
第3版, 01 -APR- 99
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1 (4)
LS4151
威世德律风根
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
反向电压
g
击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
y
测试条件
I
F
=50mA
V
R
=50V
V
R
= 50V ,T
j
=150
°
C
I
R
=5
m
A,T
p
/T=0.01, t
p
=0.3ms
V
R
= 0 , F = 1MHz时, V
HF
=50mV
I
F
=I
R
= 10毫安,我
R
=1mA
I
F
= 10毫安,V
R
= 6V ,我
R
=0.1xI
R
,
R
L
=100
W
TYPE
符号
V
F
I
R
I
R
V
( BR )
C
D
t
rr
t
rr
典型值
0.88
最大
1
50
50
2
4
2
单位
V
nA
m
A
V
pF
ns
ns
75
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明)
100
C
D
- 二极管电容(pF )
散射极限
I
R
- 反向电流(
m
A )
10
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
0
94 9151
F = 1 MHz的
T
j
= 25°C
1
0.1
V
R
= 50 V
0.01
40
80
120
160
200
T
j
- 结温(
°C
)
0.1
94 9153
1
10
100
V
R
- 反向电压( V)
图1.反向电流与结温
1000
I
F
- 正向电流(mA )
T
j
= 100°C
100
图3.二极管电容与反向电压
10
T
j
= 25°C
1
0.1
0
94 9152
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
F
- 正向电压( V)
图2.正向电流与正向电压
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2 (4)
文档编号85563
第3版, 01 -APR- 99
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威世德律风根
尺寸(mm)
96 12071
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威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响,以及其上的冲击
环境。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ,德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,德律风根的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
www.vishay.de
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4 (4)
文档编号85563
第3版, 01 -APR- 99
LS4151
威世半导体
小信号的快速开关二极管
特点
硅外延平面二极管
电气数据相同的装置
1N4151
QuadroMELF包
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
9612009
应用
极速开关
机械数据
案例:
QuadroMELF SOD- 80
重量:
约。 34毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LS4151
订购代码
LS4151 - GS18或LS4151 - GS08
键入标记
-
备注
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向重复峰值电压
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
平均正向电流
功耗
V
R
= 0
t
p
= 1 s
测试条件
符号
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
合计
价值
75
50
2
500
300
150
500
单位
V
V
A
mA
mA
mA
mW
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
500
175
- 65 + 175
单位
K / W
°C
°C
文档编号85563
修订版1.7 , 20 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
LS4151
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
正向电压
反向电压
击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 50 V
V
R
= 50 V ,T
j
= 150 °C
I
R
= 5
μA,
t
p
/T = 0.01, t
p
0.3毫秒
V
R
= 0中,f = 1兆赫,V
HF
= 50毫伏
I
F
= I
R
= 10 mA时,我
R
= 1毫安
I
F
= 10 mA时, V
R
= 6 V,
i
R
= 0.1 ×1
R
, R
L
= 100
Ω
符号
V
F
I
R
I
R
V
( BR )
C
D
t
rr
t
rr
75
2
4
2
分钟。
典型值。
880
马克斯。
1000
50
50
单位
mV
nA
μA
V
pF
ns
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
100
I
R
- 反向电流( μA )
散射极限
C
D
- 二极管电容(pF )
10
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
200
94 9153
F = 1 MHz的
T
j
= 25 °C
1
0.1
V
R
= 50
V
0
40
80
120
160
0.01
94 9151
0.1
1
10
100
T
j
- 结温( ° C)
V
R
- 反向
电压
(V)
图1.反向电流与结温
图3.二极管电容与反向电压
1000
T
j
= 100 °C
I
F
- 正向电流(mA )
100
10
T
j
= 25 °C
1
0.1
0
94 9152
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
F
- 前进
电压
(V)
图2.正向电流与正向电压
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:文档编号85563
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
修订版1.7 , 20 - 8 - 10
LS4151
威世半导体
包装尺寸
以毫米(英寸):
QuadroMELF SOD- 80
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
> R3 ( R0.118 )
玻璃
0.47 ( 0.019)最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
差距
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐:
1.25 ( 0.049 )分钟。
2.5 ( 0.098 )最大。
(0
.0
gl
作为67 )
s
阴极鉴定
1.
7
5 ( 0.197 )参考。
96 12071
文档编号85563
修订版1.7 , 20 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
2 ( 0.079 )分钟。
www.vishay.com
3
法律免责声明
www.vishay.com
日前,Vishay
放弃
全部产品,产品规格及数据如有更改,恕不另行通知,以改善
可靠性,功能,设计或其他原因。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理商和雇员,和所有代表及其或其各自的(统称个人,
“威世” ) ,包含在任何数据或任何其他的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前,Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证,声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内, Vishay不承担( i)任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用, ( ii)任何及所有责任,包括但不限于特殊,
间接或附带损失,及(iii)任何和所有的暗示担保,包括适销性和针对特定担保
目的,非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求,常常放置在日前,Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任,以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性,适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异,而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数,包括典型参数,必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明,否则Vishay产品不用于医疗,救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险,并同意
充分赔偿并日前,Vishay及其分销商,免受任何和所有索赔,债务,费用和
引起或导致此类使用或销售,包括律师费方面,即使此类索赔称,赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
材料分类政策
日前,Vishay Intertechnology,Inc.是在此证明,所有被认定为符合RoHS标准的产品符合
定义和限制,根据安理会的指令,欧洲议会的2011/65 / EU和定义
2011年6月8日在使用某些有害物质的电器和电子设备的限制
(EEE ) - 重铸,除非另外指定为不符合要求的。
请注意,某些日前,Vishay文档可能仍然会参考RoHS指令2002/ 95 / EC 。我们确认,
所有被确定为符合2002 /95 / EC的产品符合指令2011/65 / EU 。
修订: 12 -MAR- 12
1
文档编号: 91000
LS4151
快速开关二极管
特点
硅外延平面二极管
电气数据等同于设备1N4151
的Quadro晶圆电阻包
应用
极速开关
机械数据
案例: QuadroMELF玻璃柜( SOD- 80 )
重量:约。 34毫克
阴极带颜色:黑色
绝对最大额定值
参数
反向重复峰值电压
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
平均正向电流
功耗
V
R
=0
t
p
= 1
us
测试条件
( T
AMB
=25
o
C除非另有说明)
符号
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
V
价值
75
50
2
500
300
150
500
单位
V
V
A
mA
mA
mA
mW
热特性
参数
交界处的环境
结温
Stroage温度范围
测试条件
在PC板
50毫米X 50毫米X 1.6毫米
( T
AMB
=25
o
C除非另有说明)
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
500
175
-65到+175
单位
K / W
o
o
C
C
电气特性
参数
正向电压
反向电流
击穿电压
二极管电容
反向恢复时间
I
F
=50
mA
V
R
=50V
V
R
= 50V ,T
j
=150
o
C
I
R
=5
uA
, t
p
/T=0.01, t
p
=0.3
ms
V
R
= 0 , F = 1MHz时, V
HF
=50
mV
I
F
=I
R
=10
m
A,I
R
=1
I
F
=10
m
A,V
R
=6V,
i
R
= 0.1X我
R
, R
L
=100
t
rr
测试条件
V
F
I
R
V
( BR )
C
D
( T
AMB
=25
o
C除非另有说明)
符号
分钟。
典型值。
0.88
马克斯。
1.0
50
50
单位
V
nA
uA
V
pF
ns
75
2
4
2
662
典型特征
( T
AMB
=25
o
C除非另有说明)
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