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位置:首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第580页 > LS4148
半导体
二极管,信号(表面贴装)
LL4148 / LS4148 / MCL4148
SOD80封装( LL4148 )的Quadro MELF封装( LS4148 )和Micro MELF ( MCL4148 )版本的1N4148型。电气规格为
前一页上显示轴向引线。提供录音和缠绕在2K5或10Kpcs的数量。
外形尺寸(mm )
SOD80
阴极
阴极
的Quadro MELF
阴极
微型晶圆电阻
1.4 DIA 。
0.35
3.5
0.35
0.35
3.5
1.4平方米。
0.35
0.2
2.0
1.25直径。
0.2
1.1sq.
圆体
方体
方体
包装
TAPE (塑胶)
4.0
2.0
4.0
1.5
1.75
0.3
卷盘(塑料)
SOD80
的Quadro MELF
微型晶圆电阻
订货编号
5.5
LL4148
LS4148
MCL4148
供给完整卷轴ONLY
w
w
w
lk
.a
阴极
n
o
+7
et
.n
实体专利法条约
(括号中的MCL4148大小差异)
81
(
3.8
(2.5)
3.5 8.0
1.8
(1.4)
2)
6
5
-0
0
1.5
9.5
60
13
27
3-
178
(2K5pcs)
330
(10Kpcs)
卷轴数量2K5或10Kpcs
2K5件
对于很多的完整性和可追溯性。
厂家最小的工厂包装数量
LL4448
在1N4448的SOD80封装版本。电气规格为轴向引线上页图所示。提供录音和缠绕在
量10Kpcs的。
外形尺寸(mm )
SOD80
包装
TAPE (塑胶)
卷盘(塑料)
1.5
9.5
4.0
1.5
4.0
1.75
0.3
1.4 DIA 。
0.35
3.5
0.35
2.0
3.5 8.0
圆体
5.5
3.8
1.8
13
60
330
SOD80
订货编号
卷轴数量10Kpcs
LL4448
厂家最小的工厂包装数量
供给完整卷轴ONLY
实体专利法条约
10K个
对于很多的完整性和可追溯性。
248
01945 47 47 47
q
01945 47 48 49
LS4148
表面贴装
硅平面二极管
版本2004-06-18
额定电流
Nennstrom
反向重复峰值电压
Periodische Spitzensperrspannung
玻璃柜的Quadro - MiniMELF
Glasgehuse的Quadro - MiniMELF
重量约。
Gewicht约
尺寸/集体单位为毫米
Silizium平面, Dioden
献给死去Oberflchenmontage
150毫安
100 V
SOD- 80
0.04 g
参见第18页
世赫页首18
1,45
±0.05
3.5
0.3
±0.1
±0.1
标准包装录音中的弹药盒
在弹药,包装标准Lieferform gegurtet
最大额定值
TYPE
典型值
LS4148
反向电压
Sperrspannung
V
RM
[V]
75
Grenzwerte
反向击穿电压
Abbruchspannung
V
RRM
[V]
1
)
100
LS4148
马克斯。正向平均整流电流, R-负荷
Dauergrenzstrom在Einwegschaltung麻省理工学院的R-最后
重复峰值正向电流
Periodischer Spitzenstrom
非重复性峰值FWD 。当前
Stostrom Grenzwert
马克斯。功耗
马克斯。 Verlustleistung
t
p
= 1 s
T
j
= 25°C
T
A
= 25°C
I
FAV
I
FRM
I
FSM
P
合计
T
j
T
S
150毫安
2
)
500毫安
2
)
2000毫安
500毫瓦
2
)
- 50…+ 175°C
- 50…+ 175°C
工作结点温度。 - Sperrschichttemp 。
储存温度 - Lagerungstemperatur
1
2
)测试与100 μA脉冲 - Gemessen麻省理工学院100 μA , Impulsen
)安装在交媾板为25mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
1
LS4148
特性,T
j
= 25°C
TYPE
典型值
LS4148
正向电压
Durchlaspannung
V
F
[V]
<1
I
F
[马]
10
漏电流
Sperrstrom
I
R
[ nA的]
& LT ; 25
< 5.000
< 50.000
V
R
[V]
20
75
20 (T
j
= 150°C)
Kennwerte ,T
j
= 25°C
牧师的恢复时间
1
)
Sperrverzugszeit
1
)
t
rr
[ NS ]
<4
热阻结到环境空气
Wrmewiderstand Sperrschicht - umgebende拉夫特
R
THA
< 0.3 K /毫瓦
2
)
120
10
[%]
100
80
60
40
10
-2
20
10
-1
[A]
1
T
j
= 125°C
T
j
= 25°C
P
合计
0
I
F
10
-3
T
A
[°C]
2
V
F
[V]
功耗与环境温度)
2
Verlustleistung在ABH 。冯明镜Umgebungstemp 。 )
正向特性(典型值)
Durchlasskennlinien ( typische Werte )
1
)
I
F
= 10毫安尤伯杯/经过我
R
= 10毫安双/到我
R
= 1毫安, V
R
= 6 V ,R
L
= 100
)安装在交媾板为25mm
2
铜焊盘中的每一个终端
蒙太奇奥夫Leiterplatte麻省理工学院25毫米
2
Kupferbelag ( Ltpad )的jedem并吞
2
F: \\ DATA \\ ProdukteDiotec \\ Datenblatt \\ Einzelbltter \\ Sondertypen \\ LS4148.wpd
2
LS4148
表面装载快速开关二极管
特点
·
·
·
·
·
开关速度快
表面贴装型封装非常适合
自动插入
对于通用开关应用
高电导
概述类似JEDEC 213AA
A
B
机械数据
·
·
·
·
·
案例: QuadroMELF ,玻璃
码头:每MIL -STD- 202焊接的,
方法208
极性:负极频带
只有阴极乐队:标记
重0.034克数(大约)
A
B
C
D
QuadroMELF
暗淡
3.3
1.4
最大
3.7
1.6
1.7典型
0.3典型
尺寸:mm
最大额定值
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
特征
非重复性峰值反向电压
反向重复峰值电压
工作峰值反向电压
阻断电压DC
RMS反向电压
正向连续电流(注1 )
平均整流器ED输出电流(注1 )
非重复性峰值正向浪涌电流@ T = 1.0ms的
功耗
热阻结到环境空气(注1 )
工作和存储温度范围
符号
V
RM
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R( RMS )
I
FM
I
O
I
FSM
P
d
R
qJA
T
j
, T
英镑
价值
100
75
53
300
150
2.0
500
300
-65到+175
单位
V
V
V
mA
mA
A
mW
K / W
°C
电气特性
特征
最大正向电压
最大反向峰值电流
结电容
反向恢复时间
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
V
FM
I
RM
C
j
t
rr
最大
1.0
25
50
5.0
4.0
4.0
单位
V
nA
mA
mA
pF
ns
测试条件
I
F
= 50毫安
V
R
= 20V
V
R
= 20V ,T
j
= 150°C
V
R
= 75V
V
R
= 0 , F = 1.0MHz的
I
F
= I
R
= 10毫安,V
R
= 6V,
R
L
= 100W
注意事项:
1.有效的规定,电极被保持在环境温度下进行。
DS30003修订版A- 2
1 2
C
D
LS4148
I
F
,正向电流(mA)
1000
10,000
100
T
j
= 100
°
C
T
j
= 25
°
C
10
I
R
漏电流( NA)
1000
100
1.0
0.1
10
0.01
0
1
2
V
F
,正向电压( V)
图。 1正向特性
1
0
100
V
R
= 20V
200
T
j
,结温(
°
C)
图。 2漏电流与结温
DS30003修订版A- 2
2 2
LS4148
RECTRON
半导体
技术规格
LS4148
1N4148的Quadro MELF信号二极管
绝对最大额定值(Ta = 25
°
C)
符号
额定值单位
反向电压
VR
75
V
反向恢复
TRR
4
ns
时间
功耗
P
500
mW
3.33mW/
°
C (25
°
C)
正向电流
IF
150
mA
结温。
Tj
-65 175
°
C
储存温度。
TSTG
-65 175
°
C
机械数据
铅/完成
芯片
物料
Q
UADRO
MELF
密封的玻璃
双螺柱/锡电镀
玻璃钝化
广告曲R 0
ME L F
阴极鉴定
1.5
+/-0.1
玻璃
3.5
+/- 0.2
单位:毫米
电气特性( TA = 25
°
C)
评级
最小击穿电压
@ IR = 100uA的
峰值正向浪涌电流
TP = 1
美国证券交易委员会。
最大正向电压
IF = 10毫安
最大反向电流
VR = 20V
VR = 75V
VR = 20V , TJ = 150
°
C
最大结电容
VR = 0中,f = 1 MHz的
最大反向恢复时间
IF = 10毫安, VR = 6V , IRR = 1mA时, RL = 100
最大热阻
(在PC板50毫米×50毫米X 1.6毫米)
最大整流效率
VRF = 2V , F = 100MHz的
符号
BV
IFsurge
VF
IR
评级
100
2
1.0
0.025
5.0
50
4
4
500
0.45
G 1.7
la
ss
单位
V
A
V
uA
Cj
TRR
R
θ
JA
η½
pF
ns
°
C / W
%
RECTRON美国
1315约翰·里德苑,工业,CA 91745
联系电话: ( 626 ) 333-3802传真: ( 626 ) 330-6296
www.rectron.com
LS4148.LS4448
威世德律风根
硅外延平面二极管
特点
D
电气数据等同于设备1N4148
分别1N4448
D
的Quadro晶圆电阻包
应用
极速开关
96 12009
绝对最大额定值
T
j
= 25
_
C
参数
反向重复峰值电压
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
平均正向电流
功耗
结温
存储温度范围
测试条件
TYPE
符号
V
RRM
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
I
FAV
P
V
T
j
T
英镑
价值
100
75
2
500
300
150
500
175
–65...+175
单位
V
V
A
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
t
p
=1
m
s
V
R
=0
最大热阻
T
j
= 25
_
C
参数
交界处的环境
测试条件
在PC板50mmx50mmx1.6mm
符号
R
thJA
价值
500
单位
K / W
文档编号85561
第3版, 01 -APR- 99
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
1 (4)
LS4148.LS4448
威世德律风根
电气特性
T
j
= 25
_
C
参数
正向电压
g
测试条件
I
F
=5mA
I
F
=50mA
I
F
=100mA
V
R
=20V
V
R
= 20V ,T
j
=150
°
C
V
R
=75V
I
R
=100
m
A,T
p
/T=0.01,
t
p
=0.3ms
V
R
= 0 , F = 1MHz时, V
HF
=50mV
V
HF
= 2V , F = 100MHz的
I
F
=I
R
= 10毫安,我
R
=1mA
I
F
= 10毫安,V
R
= 6V ,我
R
=0.1xI
R
,
R
L
=100
W
TYPE
LS4448
LS4148
LS4448
符号
V
F
V
F
V
F
I
R
I
R
I
R
V
( BR )
C
D
0.62
典型值
0.86
0.93
最大
0.72
1
1
25
50
5
单位
V
V
V
nA
m
A
m
A
V
pF
%
ns
ns
反向电流
击穿电压
二极管电容
整流效率
反向恢复时间
y
100
4
45
8
4
h
r
t
rr
t
rr
特征
(T
j
= 25
_
C除非另有说明)
1000
I
F
- 正向电流(mA )
I
F
- 正向电流(mA )
LL 4148
100
散射极限
10
1000
LL 4448
100
散射极限
10
1
T
j
= 25°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
1
T
j
= 25°C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.1
94 9096
0.1
94 9097
V
F
- 正向电压( V)
V
F
- 正向电压( V)
图1.正向电流与正向电压
图2.正向电流与正向电压
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
2 (4)
文档编号85561
第3版, 01 -APR- 99
LS4148.LS4448
威世德律风根
1000
C
D
- 二极管电容(pF )
I
R
- 反向电流( NA)
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
1
94 9098
T
j
= 25°C
100
F = 1 MHz的
T
j
= 25°C
散射极限
10
1
10
V
R
- 反向电压( V)
100
94 9099
0.1
1
10
100
V
R
- 反向电压( V)
图3.反向电流和反向电压
图4.二极管电容与反向电压
尺寸(mm)
96 12071
文档编号85561
第3版, 01 -APR- 99
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3 (4)
LS4148.LS4448
威世德律风根
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
系统
相对于它们对健康和员工的安全和公众的影响,以及其上的冲击
环境。
这是特别令人关注,以控制或消除这些物质释放到其已知作为气氛
消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990年)打算严格限制使用消耗臭氧层物质和
在未来十年内禁止其使用。不同的国家和国际行动正加紧进行早期禁令
于这些物质。
威世半导体有限公司
已经能够使用的持续改进其政策,以杜绝使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦分别修正列表
2 。 I类和II于1990年,由环境的清洁空气法案修正案消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计,并可以这样做,恕不另行通知的权利。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个客户的应用进行验证
由客户。如买方使用的Vishay ,德律风根产品的任何意外或未经授权的应用程序时,
买方应赔偿日前,Vishay ,德律风根的所有索赔,费用,损失,费用,所产生的直接或
间接的,人身损害,伤害或死亡等意外或未经授权使用相关的任何索赔。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 7131 67 2423
www.vishay.de
FaxBack + 1-408-970-5600
4 (4)
文档编号85561
第3版, 01 -APR- 99
Elektr onische BAUELEMENTE
符合RoHS产品
表面贴装开关二极管
LS4148
的" - C"后缀指定卤素&无铅
的Quadro MELF
特点
设计用于安装在小
表面
高速
高安装能力,较强的耐浪涌,
高可靠性
机械数据
案例:的Quadro MELF模制玻璃
码头:焊接镀,每MIL -STD- 750
方法2026
极性:由阴极频带指示
安装位置:任意
尺寸(mm)
最大额定值
(在T
A
=25
o
C除非另有说明)
PAR AME T E
反向重复峰值V oltage
连续REVERS ê电压
意思是整流电流
FORW ARD河畔GE CURR耳鼻喉科
功耗
储存温度
工作温度
1秒。 英格尔半正弦-W AVE超强加于
率负荷( JEDEC梭)
ONDITIONS
S y时MB OL
V
RM
V
R
I
O
I
FSM
P
d
T
J
T
英镑
分钟。
牛逼 P.
马克斯。
单位
V
V
mA
mA
100
75
150
500
500
+ 175
-6 5
+ 175
mW
o
o
C
C
电气特性
(在T
A
=25
o
C除非另有说明)
PAR AME T E
FORW ARD电压
反C光凭目前
电容之间的VC终端
反向REC安理时间
IF =
10
直流毫安
V
R
= 75 V
F = 1MHz的和应用0VDCreverse电压
V
R
= 6V ,我
F
= 10毫安,R
L
=50
ONDITIONS
S y时MB OL
V
F
I
R
C
T
TRR
分钟。
牛逼 P.
马克斯。
单位
V
uA
pF
nS
0.93
0.02
1.00
5
4
4
HTTP : //www.SeCoSGmbH.com
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第1页2
表面贴装开关二极管
LS4148
额定值和特性曲线( LS4148 )
图。 1正向特性
1000
图。 2反向特性
FOR WARD电流(毫安)
反向电流: ( A)
1m
125
O
100
100u
1u
75
125
10
75
25
100n
25
- 25
1
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
正向电压( V)
1.2
10n
0
20
40
60
80
100
120
140
REVERSE VOLT年龄:( V)
图。 3降额曲线
CAP ACIT ANCE端子间: (PF )
图。 4间电容
终端特性
5.0
F=1MHZ
Ta=25
4.0
安装在玻璃环氧树脂印刷电路板
500
400
3.0
加入Pd( mW)的
300
2.0
200
1.0
100
0
0
0
2
4
6
8
10
12
14
0
50
100
150
200
环境温度:钽
REVERSE VOLT AGE : V
的说明书中的任何改变将不被通知个人
01君2002年修订版A
第2页2
两个码头
SMD开关二极管
LS4148 LS4448
两个端子表面贴装开关二极管
特点
开关速度快
表面贴装型封装非常适合自动插入
通用整改
硅外延平面建设
符合RoHS
QuadroMELF
机械数据
案例:
终端:
重量:
QuadroMELF ,玻璃柜
每MIL -STD- 202方法208
0.05克
最大额定值
(T
环境
= 25°C除非另有说明)
符号
描述
反向电压
峰值反向电压
正向平均电流
峰值正向浪涌电流,
脉冲宽度= 1.0us
功耗在25℃以上
前锋
电压
马克斯。反向电流
二极管电容
反向恢复时间
工作结存储
温度范围
最大
---
1.0 @ 10毫安
0.025
5.0
4.0
4.0
-65到+175
LS4148
75
100
150
2.0
500
0.62 @ 5毫安
0.72 @ 5毫安
1.0@100mA
0.025
5.0
V
V
R
=20V
V
R
=75V
LS4448
单位
V
V
mA
A
mW
有效的规定,
电极被保持在
环境温度
条件
V
RM
V
RRM
I
F( AV )
I
FSM
P
D
V
F
I
R
C
D
T
rr
T
J
,
T
英镑
A
pF
ns
°C
V
R=0V,
f
=1MHz
I
F = 10毫安,
I
R=1mA,
V
R=6V,
R
L=100
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版本A / AH 2007-10-09
第1页3
两个端子表面贴装开关二极管
LS4148 LS4448
典型特性曲线
Fig.1-前向功率耗散降额曲线
Fig.2-
典型的正向特性
P
D
功耗(MW )
I
F
正向电流(mA )
正向电压( V)
环境温度T
a
(°C)
Fig.3-结电容曲线
Fig.4-典型的瞬时反向特性
C
T
二极管电容(pF )
反向电压
(V)
I
R
反向电流
(A)
反向电压( V)
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两个端子表面贴装开关二极管
LS4148 LS4448
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QuadroMELF
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第3页3
LS4448 / LS4148 / LS914B
Pb
RoHS指令
合规
500mW的玻璃密闭快速
开关二极管
QUADRO MINI MELF
特点
快速开关设备(T
RR
< 4.0ns )
QUADRO迷你MELF封装
面器类型安装
密封的玻璃
压接施工
所有的外部表面的腐蚀
耐信息很容易焊
符合RoHS
雾锡( Sn)的无铅封装
1
st
乐队表示阴极
尺寸以英寸(毫米)
最大额定值和电气特性
等级25
o
Cambient温度,除非另有规定。
最大额定值
类型编号
功耗
工作电压逆
非重复峰值正向电流
平均整流电流
峰值正向浪涌电流
工作结温
存储温度范围
符号
Pd
W
IV
I
FM
Io
I
FSURGE
T
J
T
英镑
符号
IR=100uA
IR=5uA
价值
500
75
450
150
2
175
-65到+ 200
100
75
0.62
-
单位
mW
V
mA
mA
A
O
C
O
C
最大
单位
V
0.72
1.0
1.0
25
5
电气特性
类型编号
击穿电压
正向电压
LS4448 , LS914B IF = 5.0毫安
LS4148 IF = 10毫安
LS4448 , LS914B IF = 100毫安
反向漏电流
VR=20V
VR=75V
结电容
VR = 0 , F = 1.0MHz的
B
V
V
F
I
R
V
nA
uA
pF
nS
-
4.0
Cj
-
反向恢复时间(注1 )
4.0
TRR
注:1.反向恢复测试条件:我
F
=I
R
= 10毫安,R
L
=100Ω, I
RR
=1mA
版本: B07
收视率和特性曲线
(LS4448/LS4148/LS914B)
1000
LS4148
I
F
- 正向电流(mA )
1000
100
散射极限
10
I
R
- 反向电流( NA)
T
j
= 25 °C
100
散射极限
10
1
T
j
= 25 °C
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
0.1
1
1
10
V
R
- 反向电压( V)
100
V
F
- 正向电压( V)
图1.正向电流与正向电压
图3.反向电流和反向电压
1000
C
D
- 二极管电容(pF )
LS4448
I
F
- 正向电流(mA )
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
2.0
0.1
1
10
100
V
R
- 反向电压( V)
F = 1 MHz的
T
j
= 25 °C
100
散射极限
10
1
T
j
= 25 °C
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
F
- 正向电压( V)
图2.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
版本: B07
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Taiwan Semiconductor Corporation
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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Taiwan Semiconductor Corporation
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电话:0755-83015506-23947236
联系人:朱先生
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ST
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