LS120
单片双
NPN晶体管
线性系统替换停产Intersil公司IT120
的LS 120是单片双NPN晶体管的
安装在单P - DIP封装。单片
双芯片的设计减少了寄生效应，并给出更好
性能的同时保证非常严格匹配。
该LS120是直接替换停产
Intersil的IT120 。
8引脚P- DIP提供便于制造，并
对称引出线防止不正当的方向。
（见包装信息） 。
LS120特点：
高
fe
在低电流
严格匹配
紧V
BE
跟踪
低输出电容
特点是什么？
DirectReplacementforINTERSILIT120
HIGH“
h
FE
@低电流
输出电容
V
BE
跟踪
绝对最大额定值
1
@25°C(unlessotherwisenoted)
最高温度
储存温度
工作结温
最大功率耗散
连续功率耗散（单面）
连续功率耗散（双方）
线性降额因子（单面）
线性降额因子（双方）
最大电流
集电极电流
MIN
‐‐
‐‐
‐‐
TYP
‐‐
‐‐
‐‐
MAX`
2
5
5
单位“
mV
μV/°C
nA
≥200@10A
≤2.0pF
≤5.0V°C
‐65°Cto+200°C
‐55°Cto+150°C
250mW
500mW
2.3mW/°C
4.3mW/°C
10mA
条件“
I
C
=10A,V
CE
=5V
I
C
=10A,V
CE
=5V
T
A
=‐55°Cto+125°C
I
C
=10A,V
CE
=5V
MATCHINGCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisestated)
SYMBOL
特点】
|V
BE1
–V
BE2
|
基极发射极电压差分
|(V
BE1
–V
BE2
)|/T
基极发射极电压差分
随温度的变化
|I
B1
–I
B2
|
基极电流差动
ELECTRICALCHARACTERISTICS@25°C(unlessotherwisenoted)
SYMBOL
特色」
分钟。
BV
CBO
集电极 - 基极电压
45
BV
首席执行官
集电极到发射极电压
45
BV
EBO
发射极 - 基极击穿电压
6.2
BV
CCO
集电极集电极电压
60
h
FE
直流电流增益
200
225
V
CE
（ SAT ）
集电极饱和电压
‐‐
I
EBO
发射极截止电流
‐‐
I
CBO
集电极截止电流
‐‐
C
敖包
输出电容
‐‐
C
C1C2
集电极集电极电容
‐‐
I
C1C2
集电极集电极漏电流
‐‐
f
T
电流增益带宽积
220
NF
窄带噪声图
‐‐
点击购买
（典型值） *
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
马克斯。
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
‐‐
0.5
1
1
2
2
10
‐‐
3
单位“
V
V
V
V
V
nA
nA
pF
pF
nA
兆赫
dB
P- DIP （顶视图）
条件“
I
C
=10A,I
E
=0
I
C
=10A,I
B
=0
I
E
=10A,I
C
=0
2
I
C
=10A,I
E
=0
I
C
=10A,V
CE
=5V
I
C
=1.0mA,V
CE
=5V
I
C
=0.5mA,I
B
=0.05mA
I
C
=0,V
EB
=3V
I
E
=0,V
CB
=45V
I
E
=0,V
CB
=5V
V
CC
=0V
V
CC
=±60V
I
C
=1mA,V
CE
=5V
I
C
=100A,V
CE
=5V,BW=200Hz,R
G
=10KΩ,
f=1KHz
注意事项：
1.AbsoluteMaximumratingsarelimitingvaluesabovewhichserviceabilitymaybeimpaired
2.Thereversebase‐to‐emittervoltagemustneverexceed6.2volts;thereversebase‐to‐emittercurrentmustneverexceed10A.
可用的软件包：
LS120在P- DIP
LS120可作为裸模
请联系Micross全包和模具尺寸：
电子邮件：
chipcomponents@micross.com
网址：
www.micross.com/distribution.aspx
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