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日前，Vishay
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
小信号肖特基势垒二极管
特点
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
低正向压降
9612009
应用
HF-探测器
保护电路
小型电池充电器
AC-DC / DC-DC变换器
机械数据
案例： QuadroMELF
玻璃柜（ SOD- 80 ）
重量：
约。 34毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LS103A
LS103B
LS103C
类型分化
V
R
= 40 V, V
F
@ I
F
mA（最大值） 20 。 0.37 V
V
R
= 30 V, V
F
@ I
F
mA（最大值） 20 。 0.37 V
V
R
= 20 V, V
F
@ I
F
mA（最大值） 20 。 0.37 V
订购代码
LS103A - GS18或LS103A - GS08
LS103B - GS18或LS103B - GS08
LS103C - GS18或LS103C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
LS103A
LS103B
LS103C
峰值正向浪涌电流
功耗
t
p
= 300
s,
方波脉冲
升= 4毫米，T
L
=常数
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
P
合计
价值
40
30
20
15
400
单位
V
V
V
A
mW
文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
www.vishay.com
1
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的环境
结温
存储温度范围
测试条件
L = 4毫米，T
L
=常数
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
250
125
- 65至+ 150
日前，Vishay
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10
A
部分
LS103A
LS103B
LS103C
漏电流
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
正向电压降
二极管电容
反向恢复时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 50200毫安，
恢复到0.1 I
R
LS103A
LS103B
LS103C
符号
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
t
rr
50
10
民
40
30
20
5
5
5
0.37
0.6
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
A
A
V
V
pF
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
1000
1000.000
5
100
100.000
I F - 正向电流（mA ）
10
10.000
1
1.000
0.100
0.1
0.010
0.01
0.001
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
V F - 正向电压（MV ）
- 正向电流（ A）
F
4
3
2
1
0
0.0
I
16765
0.5
1.0
1.5
2.0
16766
V
F
- 正向电压（ V）
图。 1正向电流与正向电压
图。 2正向电流比。正向电压
www.vishay.com
2
文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
日前，Vishay
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
10000
I
R
- 反向电流（ A）
1000
100
10
1
0
16767
20
100 120 140 160
T
j
- 结温（ ° C）
40
60
80
图。 3反向电流与结温
30
C
D
- 二极管电容（pF ）
f=1MHz
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
16768
V
R
- 倒V
oltage （ V）
图。 4二极管电容与反向电压
I
合计
–
典型值。非Repetitve正向浪涌电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0.1
1.0
t
p
- 脉冲宽度（ ms）的
10.0
16769
图。 5典型。非重复正向浪涌电流与脉冲宽度
文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
www.vishay.com
3
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
单位：mm包装尺寸（英寸）
日前，Vishay
1.5 ± 0.1
(0.06 ± 0.004)
玻璃
> ，R 3 （R 0.12）
0.47最大。 （ 0.02 ）
3.5 ± 0.2 (0.14 ± 0.008)
贴装焊盘布局
2.50 （ 0.098 ）最大
1.25 （ 0.049 ）分
ISO方法E
(0
.0
G
7)
la
ss
阴极indification
1.
7
玻璃柜
的Quadro晶圆电阻/ SOD 80
JEDEC DO 213 AA
5 （ 0.197 ）参考
96 12071
www.vishay.com
4
文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
2 （ 0.079 ）分
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
www.vishay.com
5
日前，Vishay
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
小信号肖特基势垒二极管
特点
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
低正向压降
9612009
应用
HF-探测器
保护电路
小型电池充电器
AC-DC / DC-DC变换器
机械数据
案例： QuadroMELF
玻璃柜（ SOD- 80 ）
重量：
约。 34毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LS103A
LS103B
LS103C
类型分化
V
R
= 40 V, V
F
@ I
F
mA（最大值） 20 。 0.37 V
V
R
= 30 V, V
F
@ I
F
mA（最大值） 20 。 0.37 V
V
R
= 20 V, V
F
@ I
F
mA（最大值） 20 。 0.37 V
订购代码
LS103A - GS18或LS103A - GS08
LS103B - GS18或LS103B - GS08
LS103C - GS18或LS103C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
LS103A
LS103B
LS103C
峰值正向浪涌电流
功耗
t
p
= 300
s,
方波脉冲
升= 4毫米，T
L
=常数
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
P
合计
价值
40
30
20
15
400
单位
V
V
V
A
mW
文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
www.vishay.com
1
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的环境
结温
存储温度范围
测试条件
L = 4毫米，T
L
=常数
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
250
125
- 65至+ 150
日前，Vishay
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10
A
部分
LS103A
LS103B
LS103C
漏电流
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
正向电压降
二极管电容
反向恢复时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 50200毫安，
恢复到0.1 I
R
LS103A
LS103B
LS103C
符号
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
t
rr
50
10
民
40
30
20
5
5
5
0.37
0.6
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
A
A
V
V
pF
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
1000
1000.000
5
100
100.000
I F - 正向电流（mA ）
10
10.000
1
1.000
0.100
0.1
0.010
0.01
0.001
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
V F - 正向电压（MV ）
- 正向电流（ A）
F
4
3
2
1
0
0.0
I
16765
0.5
1.0
1.5
2.0
16766
V
F
- 正向电压（ V）
图。 1正向电流与正向电压
图。 2正向电流比。正向电压
www.vishay.com
2
文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
日前，Vishay
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
10000
I
R
- 反向电流（ A）
1000
100
10
1
0
16767
20
100 120 140 160
T
j
- 结温（ ° C）
40
60
80
图。 3反向电流与结温
30
C
D
- 二极管电容（pF ）
f=1MHz
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
16768
V
R
- 倒V
oltage （ V）
图。 4二极管电容与反向电压
I
合计
–
典型值。非Repetitve正向浪涌电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0.1
1.0
t
p
- 脉冲宽度（ ms）的
10.0
16769
图。 5典型。非重复正向浪涌电流与脉冲宽度
文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
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3
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
单位：mm包装尺寸（英寸）
日前，Vishay
1.5 ± 0.1
(0.06 ± 0.004)
玻璃
> ，R 3 （R 0.12）
0.47最大。 （ 0.02 ）
3.5 ± 0.2 (0.14 ± 0.008)
贴装焊盘布局
2.50 （ 0.098 ）最大
1.25 （ 0.049 ）分
ISO方法E
(0
.0
G
7)
la
ss
阴极indification
1.
7
玻璃柜
的Quadro晶圆电阻/ SOD 80
JEDEC DO 213 AA
5 （ 0.197 ）参考
96 12071
www.vishay.com
4
文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
2 （ 0.079 ）分
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
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5
LS103A ， LS103B ， LS103C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
低电容
低漏电流
低正向压降
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC和
根据WEEE指令2002/96 / EC
9612009
应用
HF-探测器
保护电路
小型电池充电器
AC-DC / DC-DC变换器
机械数据
案例：
QuadroMELF SOD- 80
重量：
约。 34毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LS103A
LS103B
LS103C
类型分化
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
订购代码
LS103A - GS18或LS103A - GS08
LS103B - GS18或LS103B - GS08
LS103C - GS18或LS103C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
峰值正向浪涌电流
功耗
t
p
= 300微秒，方波脉冲
测试条件
部分
LS103A
LS103B
LS103C
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
P
合计
价值
40
30
20
15
400
单位
V
V
V
A
mW
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
250
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
文档编号85631
修订版1.4 ， 05 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题，请联系以下之一：
DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
LS103A ， LS103B ， LS103C
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10 A
V
R
= 30 V
漏电流
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
正向电压降
二极管电容
反向恢复时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 50200毫安，
恢复到0.1 I
R
部分
LS103A
LS103B
LS103C
LS103A
LS103B
LS103C
符号
V
（ BR ）
V
（ BR ）
V
（ BR ）
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
t
rr
50
10
民
40
30
20
5
5
5
370
600
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
A
A
mV
mV
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
100
10
1
10 000
I
F
- 正向电流（mA ）
I
R
- 反向电流（ μA ）
1000
100
0.1
0.01
0.001
0 100 200 300 400 500 600 700
800
900 1000
10
1
0
16767
20
40
60
80
100
120
140
160
16765
V
F
- 前进
电压
（毫伏）
T
j
- 结温（ ° C）
图1.正向电流与正向电压
图3.反向电流与结温
5
30
F = 1 MHz的
C
D
- 二极管电容（pF ）
I
F
- 正向电流（ A）
4
25
20
15
10
5
0
3
2
1
0
0.0
16766
0.5
1.0
1.5
2.0
16768
0
5
10
15
20
25
30
V
F
- 前进
电压
(V)
V
R
- 反向
电压
(V)
图2.正向电流与正向电压
图4.二极管电容与反向电压
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2
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DiodesAmericas@vishay.com ， DiodesAsia@vishay.com ， DiodesEurope@vishay.com
修订版1.4 ， 05 - 8 - 10
LS103A ， LS103B ， LS103C
威世半导体
25
I
合计
- 典型。
不
Repetitve
正向浪涌电流（ A）
20
15
10
5
0
0.1
16769
1.0
10.0
t
P
- 脉冲
宽度
（女士）
图5.典型。非重复正向浪涌电流与
脉冲宽度
包装尺寸
以毫米（英寸）：
QuadroMELF SOD- 80
12071
文档编号85631
修订版1.4 ， 05 - 8 - 10
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3
QuadroMELF SOD80
威世半导体
包装尺寸
毫米（英寸）
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
> R3 （ R0.118 ）
玻璃
0.47 （ 0.019）最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
差距
间
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐：
1.25 （ 0.049 ）分钟。
2.5 （ 0.098 ）最大。
(0
.0
gl
作为67 ）
s
阴极鉴定
1.
7
5 （ 0.197 ）参考。
96 12071
文档编号： 84025
修订版1.2 12 -JAN- 07
如有技术问题，请联系： EMI-filter@vishay.com
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1
2 （ 0.079 ）分钟。
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日前，Vishay
放弃
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可靠性，功能，设计或其他原因。
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关于任何产品的披露。
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的要求，常常放置在日前，Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任，以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性，适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异，而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数，包括典型参数，必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件，
包括但不限于本文所述的保修。
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应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险，并同意
充分赔偿并日前，Vishay及其分销商，免受任何和所有索赔，债务，费用和
引起或导致此类使用或销售，包括律师费方面，即使此类索赔称，赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证，明示或暗示，禁止反言或其他方式，向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号： 91000
修订： 11 -MAR- 11
www.vishay.com
1
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
e2
低电容
低漏电流
低正向压降
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
9612009
应用
HF-探测器
保护电路
小型电池充电器
AC-DC / DC-DC变换器
机械数据
案例：
QuadroMELF玻璃的情况下SOD80
重量：
约。 34毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LS103A
LS103B
LS103C
类型分化
V
R
= 40 V, V
F
在我
F
=最多20毫安。 370毫伏
V
R
= 30 V, V
F
在我
F
=最多20毫安。 370毫伏
V
R
= 20 V, V
F
在我
F
=最多20毫安。 370毫伏
订购代码
LS103A - GS18或LS103A - GS08
LS103B - GS18或LS103B - GS08
LS103C - GS18或LS103C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
LS103A
LS103B
LS103C
峰值正向浪涌电流
功耗
t
p
= 300微秒，方波脉冲
升= 4毫米，T
L
=常数
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
P
合计
价值
40
30
20
15
400
单位
V
V
V
A
mW
文档编号85631
修订版1.3 ， 17 -MAR -06
www.vishay.com
1
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
升= 4毫米，T
L
=常数
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
250
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10 A
部分
LS103A
LS103B
LS103C
漏电流
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
正向电压降
二极管电容
反向恢复时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 50200毫安，
恢复到0.1 I
R
LS103A
LS103B
LS103C
符号
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
t
rr
50
10
民
40
30
20
5
5
5
370
600
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
A
A
mV
mV
pF
ns
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
1000
100
10
1
5
I
F
- 正向电流（mA ）
I
F
- 正向电流（ A）
4
3
2
0.1
0.01
0.001
0 100 200 300 400 500 600 700
800
900 1000
1
0
0.0
16766
0.5
1.0
1.5
2.0
16765
V
F
- 前进
电压
（毫伏）
V
F
- 前进
电压
(V)
图1.正向电流与正向电压
图2.正向电流与正向电压
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2
文档编号85631
修订版1.3 ， 17 -MAR -06
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
10000
I
R
- 反向电流（ A）
1000
100
10
1
0
16767
20
40
60
80
100
120
140
160
T
j
- 结温（ ° C）
图3.反向电流与结温
30
F = 1 MHz的
C
D
- 二极管电容（pF ）
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
16768
V
R
- 反向
电压
(V)
图4.二极管电容与反向电压
25
I
合计
- 典型。
不
Repetitve
正向浪涌电流（ A）
20
15
10
5
0
0.1
16769
1.0
10.0
t
P
- 脉冲
宽度
（女士）
图5.典型。非重复正向浪涌电流与脉冲
宽度
文档编号85631
修订版1.3 ， 17 -MAR -06
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LS103A / 103B / 103C
威世半导体
单位：mm包装尺寸（英寸）
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修订版1.3 ， 17 -MAR -06
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众，对安全的影响的系统，以及
他们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前，Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策，以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
日前，Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
文档编号85631
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5
日前，Vishay
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
小信号肖特基势垒二极管
特点
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
低正向压降
9612009
应用
HF-探测器
保护电路
小型电池充电器
AC-DC / DC-DC变换器
机械数据
案例： QuadroMELF
玻璃柜（ SOD- 80 ）
重量：
约。 34毫克
阴极带颜色：
黑
包装代码/选项：
每13"卷轴（8毫米磁带） ， 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴（8毫米磁带） ， 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LS103A
LS103B
LS103C
类型分化
V
R
= 40 V, V
F
@ I
F
mA（最大值） 20 。 0.37 V
V
R
= 30 V, V
F
@ I
F
mA（最大值） 20 。 0.37 V
V
R
= 20 V, V
F
@ I
F
mA（最大值） 20 。 0.37 V
订购代码
LS103A - GS18或LS103A - GS08
LS103B - GS18或LS103B - GS08
LS103C - GS18或LS103C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
LS103A
LS103B
LS103C
峰值正向浪涌电流
功耗
t
p
= 300
s,
方波脉冲
升= 4毫米，T
L
=常数
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
P
合计
价值
40
30
20
15
400
单位
V
V
V
A
mW
文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
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1
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
交界处的环境
结温
存储温度范围
测试条件
L = 4毫米，T
L
=常数
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
250
125
- 65至+ 150
日前，Vishay
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10
A
部分
LS103A
LS103B
LS103C
漏电流
V
R
= 30 V
V
R
= 20 V
V
R
= 10 V
正向电压降
二极管电容
反向恢复时间
I
F
= 20毫安
I
F
= 200毫安
V
R
= 0 V ， F = 1兆赫
I
F
= I
R
= 50200毫安，
恢复到0.1 I
R
LS103A
LS103B
LS103C
符号
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
V
（ BR ）R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
C
D
t
rr
50
10
民
40
30
20
5
5
5
0.37
0.6
典型值。
最大
单位
V
V
V
A
A
A
V
V
pF
ns
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编）
1000
1000.000
5
100
100.000
I F - 正向电流（mA ）
10
10.000
1
1.000
0.100
0.1
0.010
0.01
0.001
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
V F - 正向电压（MV ）
- 正向电流（ A）
F
4
3
2
1
0
0.0
I
16765
0.5
1.0
1.5
2.0
16766
V
F
- 正向电压（ V）
图。 1正向电流与正向电压
图。 2正向电流比。正向电压
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文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
日前，Vishay
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
10000
I
R
- 反向电流（ A）
1000
100
10
1
0
16767
20
100 120 140 160
T
j
- 结温（ ° C）
40
60
80
图。 3反向电流与结温
30
C
D
- 二极管电容（pF ）
f=1MHz
25
20
15
10
5
0
0
5
10
15
20
25
30
16768
V
R
- 倒V
oltage （ V）
图。 4二极管电容与反向电压
I
合计
–
典型值。非Repetitve正向浪涌电流（ A）
25
20
15
10
5
0
0.1
1.0
t
p
- 脉冲宽度（ ms）的
10.0
16769
图。 5典型。非重复正向浪涌电流与脉冲宽度
文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
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LS103A / 103B / 103C
威世半导体
单位：mm包装尺寸（英寸）
日前，Vishay
1.5 ± 0.1
(0.06 ± 0.004)
玻璃
> ，R 3 （R 0.12）
0.47最大。 （ 0.02 ）
3.5 ± 0.2 (0.14 ± 0.008)
贴装焊盘布局
2.50 （ 0.098 ）最大
1.25 （ 0.049 ）分
ISO方法E
(0
.0
G
7)
la
ss
阴极indification
1.
7
玻璃柜
的Quadro晶圆电阻/ SOD 80
JEDEC DO 213 AA
5 （ 0.197 ）参考
96 12071
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文档编号85631
修订版1.2 ， 22 -APR- 04
2 （ 0.079 ）分
日前，Vishay
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
LS103A / 103B / 103C
威世半导体
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品，工艺，销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响，如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注，以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质（消耗臭氧层物质） 。
蒙特利尔议定书（ 1987年）和其伦敦修正案（ 1990）打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策，以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A， B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局（EPA）在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A，B和C （过渡性物质） 。
威世半导体有限公司
可以证明，我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改，以改善技术设计的权利
并且可以这样做，恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序，买方应赔偿威世半导体对所有
索赔，费用，损失，费用，直接或间接地产生出来的，个人的任何索赔
损害，伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前，Vishay半导体有限公司， P.O.B. 3535 ， D- 74025德国Heilbronn
电话： 49 （ 0 ） 67 7131 2831 ，传真号码： 49 （ 0 ） 67 7131 2423
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L60030M-1SQ
LP2981-32YZUR
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LC72701M
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