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LS101A , LS101B , LS101C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
低电容
低漏电流
低正向压降
AEC- Q101标准
符合RoHS指令2002/95 / EC
并根据WEEE指令2002/96 / EC
9612009
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流,低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器,用于笔记本电脑
机械数据
案例:
QuadroMELF SOD- 80
重量:
约。 34毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LS101A
LS101B
LS101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
在我
F
= 1 mA(最大值) 。 410毫伏
V
R
= 50 V, V
F
在我
F
= 1 mA(最大值) 。 400毫伏
V
R
= 40 V, V
F
在我
F
= 1 mA(最大值) 。 390毫伏
订购代码
LS101A - GS18或LS101A - GS08
LS101B - GS18或LS101B - GS08
LS101C - GS18或LS101C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向电压
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
t
p
= 10 s
测试条件
部分
LS101A
LS101B
LS101C
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
60
50
40
2
150
30
单位
V
V
V
A
mA
mA
文档编号85628
修订版1.5 , 05 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
www.vishay.com
1
LS101A , LS101B , LS101C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
热阻结到
环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10 A
V
R
= 50 V
漏电流
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
I
F
= 1毫安
正向电压降
I
F
= 15毫安
部分
LS101A
LS101B
LS101C
LS101A
LS101B
LS101C
LS101A
LS101B
LS101C
LS101A
LS101B
LS101C
LS101A
二极管电容
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
LS101B
LS101C
符号
V
( BR )
V
( BR )
V
( BR )
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
C
D
60
50
40
200
200
200
410
400
390
1000
950
900
2
2.1
2.2
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
100
2.0
T
j
= 125 °C
10
T
j
= 100 °C
1
T
j
= 75 °C
T
j
= 50 °C
0.1
T
j
= 25 °C
0.01
0
16204
C
D
- 二极管电容(pF )
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
T
j
= 25 °C
I
R
=反向电流( μA )
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
16205
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
V
R
- 反向
电压
(V)
V
R
- 反向
电压
(V)
图1.反向电流和反向电压
图2.二极管电容与反向电压
www.vishay.com
2
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:文档编号85628
DiodesAmericas@vishay.com , DiodesAsia@vishay.com , DiodesEurope@vishay.com
修订版1.5 , 05 - 8 - 10
LS101A , LS101B , LS101C
威世半导体
10.00
I
F
- 正向电流(mA )
1.00
0.10
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
16206
V
F
- 前进
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
包装尺寸
以毫米(英寸):
QuadroMELF SOD- 80
12071
文档编号85628
修订版1.5 , 05 - 8 - 10
您所在区域内的技术问题,请联系以下之一:
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3
QuadroMELF SOD80
威世半导体
包装尺寸
毫米(英寸)
1.6 (0.063)
1.4 (0.055)
> R3 ( R0.118 )
玻璃
0.47 ( 0.019)最大。
3.7 (0.146)
3.3 (0.130)
差距
插头和玻璃能
be
无论是在阴极或阳极侧
足迹推荐:
1.25 ( 0.049 )分钟。
2.5 ( 0.098 )最大。
(0
.0
gl
作为67 )
s
阴极鉴定
1.
7
5 ( 0.197 )参考。
96 12071
文档编号: 84025
修订版1.2 12 -JAN- 07
如有技术问题,请联系: EMI-filter@vishay.com
www.vishay.com
1
2 ( 0.079 )分钟。
法律免责声明
日前,Vishay
放弃
全部产品,产品规格及数据如有更改,恕不另行通知,以改善
可靠性,功能,设计或其他原因。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理商和雇员,和所有代表及其或其各自的(统称个人,
“威世” ) ,包含在任何数据或任何其他的任何错误,不准确或不完整不承担任何责任
关于任何产品的披露。
日前,Vishay不就产品的适合任何特定用途或任何保证,声明或担保
继续生产的任何产品。在适用法律允许的最大范围内, Vishay不承担( i)任何及所有
责任所产生的任何产品的应用或使用, ( ii)任何及所有责任,包括但不限于特殊,
间接或附带损失,及(iii)任何和所有的暗示担保,包括适销性和针对特定担保
目的,非侵权及适销性。
关于产品的某些类型的应用程序的适用性声明是基于典型的Vishay的知识
的要求,常常放置在日前,Vishay产品一般应用。此类声明是没有约束力的声明
关于产品的适用于特殊应用。这是客户的责任,以验证一个特定的
产物用在产品说明书中描述的特性,适合于一个特定的应用。参数
数据手册和/或技术规格中提供可在不同的应用而异,而且性能可能随时间而变化。所有
工作参数,包括典型参数,必须为每个客户的应用受到了客户的验证
技术专家。产品规格不扩展或不以其他方式修改Vishay的采购条款与条件,
包括但不限于本文所述的保修。
除非书面注明,否则Vishay产品不用于医疗,救生或维持生命的应用
应用程序或任何其他应用程序中的Vishay产品发生故障有可能导致人身伤害或死亡。
使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的应用中使用这样做在自己的风险,并同意
充分赔偿并日前,Vishay及其分销商,免受任何和所有索赔,债务,费用和
引起或导致此类使用或销售,包括律师费方面,即使此类索赔称,赔偿金威世
或其分销商是疏忽就部分的设计或制造。请与Vishay授权人员
获得关于产品设计的此类应用程序的书面条款和条件。
没有许可证,明示或暗示,禁止反言或其他方式,向任何知识产权授予本文档或
Vishay的任何行为。产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 11 -MAR- 11
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1
日前,Vishay
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
小信号肖特基势垒二极管
特点
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
低正向压降
9612009
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流,低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器,用于笔记本电脑
机械数据
案例: QuadroMELF
玻璃柜( SOD- 80 )
重量:
约。 34毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LS101A
LS101B
LS101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
@ I
F
最大1 mA的电流。 0.41 V
V
R
= 50 V, V
F
@ I
F
最大1 mA的电流。 0.4 V
V
R
= 40 V, V
F
@ I
F
最大1 mA的电流。 0.39 V
订购代码
LS101A - GS18或LS101A - GS08
LS101B - GS18或LS101B - GS08
LS101C - GS18或LS101C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
LS101A
LS101B
LS101C
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
t
p
= 10
s
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
60
50
40
2
150
30
单位
V
V
V
A
mA
mA
文档编号85628
修订版1.3 , 13 -APR- 04
www.vishay.com
1
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
交界处的环境
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50 mmx50 mmx1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
日前,Vishay
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10
A
部分
LS101A
LS101B
LS101C
漏电流
V
R
= 50 V
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
正向电压降
I
F
= 1毫安
LS101A
LS101B
LS101C
LS101A
LS101B
LS101C
I
F
= 15毫安
LS101A
LS101B
LS101C
二极管电容
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
LS101A
LS101B
LS101C
符号
V
( BR )R
V
( BR )R
V
( BR )R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
C
D
60
50
40
200
200
200
0.41
0.4
0.39
1
0.95
0.9
2.0
2.1
2.2
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
100
I
R
- 反向电流( μ A)
T
j
=125 °C
C
D
- 二极管电容(pF )
T
j
=150 °C
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
16205
Tj=25
°
C
10
T
j
=100 °C
1
T
j
=75 °C
T
j
=50 °C
0.1
T
j
=25 °C
0.01
0
16204
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
R
- 倒V oltage ( V)
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
R
- 反向电压( V)
图。 1反向电流与反向电压
图。 2二极管电容与反向电压
www.vishay.com
2
文档编号85628
修订版1.3 , 13 -APR- 04
日前,Vishay
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
10.00
I
F
- 正向电流(mA )
1.00
0.10
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
16206
V
F
- 前V oltage ( V)
图。 3正向电流与正向电压
单位:mm包装尺寸(英寸)
(0
7
1.
1.5 ± 0.1
(0.06 ± 0.004)
.0
阴极indification
玻璃
> ,R 3 (R 0.12)
0.47最大。 ( 0.02 )
3.5 ± 0.2 (0.14 ± 0.008)
贴装焊盘布局
2.50 ( 0.098 )最大
1.25 ( 0.049 )分
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
G
la
ss
7)
玻璃柜
的Quadro晶圆电阻/ SOD 80
JEDEC DO 213 AA
5 ( 0.197 )参考
96 12071
文档编号85628
修订版1.3 , 13 -APR- 04
2 ( 0.079 )分
www.vishay.com
3
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前,Vishay
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响,如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策,以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
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4
文档编号85628
修订版1.3 , 13 -APR- 04
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
小信号肖特基二极管
特点
防静电综合保护环
放电
e2
低电容
低漏电流
低正向压降
铅(Pb) -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
9612009
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流,低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器,用于笔记本电脑
机械数据
案例:
QuadroMELF玻璃的情况下SOD80
重量:
约。 34毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LS101A
LS101B
LS101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
在我
F
= 1 mA(最大值) 。 410毫伏
V
R
= 50 V, V
F
在我
F
= 1 mA(最大值) 。 400毫伏
V
R
= 40 V, V
F
在我
F
= 1 mA(最大值) 。 390毫伏
订购代码
LS101A - GS18或LS101A - GS08
LS101B - GS18或LS101B - GS08
LS101C - GS18或LS101C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
LS101A
LS101B
LS101C
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向连续电流
t
p
= 10 s
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
60
50
40
2
150
30
单位
V
V
V
A
mA
mA
文档编号85628
修订版1.4 , 21 -MAR- 06
www.vishay.com
1
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
结到环境空气
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50毫米×50毫米× 1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10 A
部分
LS101A
LS101B
LS101C
漏电流
V
R
= 50 V
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
正向电压降
I
F
= 1毫安
LS101A
LS101B
LS101C
LS101A
LS101B
LS101C
I
F
= 15毫安
LS101A
LS101B
LS101C
二极管电容
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
LS101A
LS101B
LS101C
符号
V
( BR )R
V
( BR )R
V
( BR )R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
C
D
60
50
40
200
200
200
410
400
390
1000
950
900
2.0
2.1
2.2
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
mV
mV
mV
mV
mV
mV
pF
pF
pF
典型特征
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
100
2.0
T
j
= 125 °C
C
D
- 二极管电容(pF )
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
T
j
= 25 °C
I
R
=反向电流( μA )
10
T
j
= 100 °C
1
T
j
= 75 °C
T
j
= 50 °C
0.1
T
j
= 25 °C
0.01
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0.0
0
16205
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
16204
V
R
- 反向
电压
(V)
V
R
- 反向
电压
(V)
图1.反向电流和反向电压
图2.二极管电容与反向电压
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2
文档编号85628
修订版1.4 , 21 -MAR- 06
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
10.00
I
F
- 正向电流(mA )
1.00
0.10
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
16206
V
F
- 前进
电压
(V)
图3.正向电流与正向电压
单位:mm包装尺寸(英寸)
12071
文档编号85628
修订版1.4 , 21 -MAR- 06
www.vishay.com
3
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
这是威世半导体有限公司向政策
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售和经营的业绩
相对于它们对健康和我们的员工和公众,对安全的影响的系统,以及
他们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
日前,Vishay半导体有限公司已经能够利用不断改进其政策,以消除使用
消耗臭氧层物质列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
日前,Vishay半导体有限公司可以证明我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
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4
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日前,Vishay
放弃
所有产品规格及数据如有更改,恕不另行通知。
日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,其附属公司,代理和员工以及代表及其或其各自的所有人
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或在任何其他公开内容有关的任何产品。
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其中,适用于这些产品。
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本文所展示的产品并非设计用于医疗,救生使用,或维持生命的应用程序,除非
另有明确指示。使用或销售Vishay产品的客户没有明确表示在这样的使用
应用这样做完全由自己承担风险,并同意全额赔偿日前,Vishay的产生或造成的任何损坏
从上述使用或销售。请Vishay授权人员联系,以获得有关书面条款和条件
产品专为此类应用。
产品名称及标记本文提到的可能是其各自所有者的商标。
文档编号: 91000
修订: 18 -JUL- 08
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1
日前,Vishay
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
小信号肖特基势垒二极管
特点
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
低正向压降
9612009
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流,低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器,用于笔记本电脑
机械数据
案例: QuadroMELF
玻璃柜( SOD- 80 )
重量:
约。 34毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LS101A
LS101B
LS101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
@ I
F
最大1 mA的电流。 0.41 V
V
R
= 50 V, V
F
@ I
F
最大1 mA的电流。 0.4 V
V
R
= 40 V, V
F
@ I
F
最大1 mA的电流。 0.39 V
订购代码
LS101A - GS18或LS101A - GS08
LS101B - GS18或LS101B - GS08
LS101C - GS18或LS101C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
LS101A
LS101B
LS101C
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
t
p
= 10
s
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
60
50
40
2
150
30
单位
V
V
V
A
mA
mA
文档编号85628
修订版1.3 , 13 -APR- 04
www.vishay.com
1
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
交界处的环境
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50 mmx50 mmx1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
日前,Vishay
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10
A
部分
LS101A
LS101B
LS101C
漏电流
V
R
= 50 V
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
正向电压降
I
F
= 1毫安
LS101A
LS101B
LS101C
LS101A
LS101B
LS101C
I
F
= 15毫安
LS101A
LS101B
LS101C
二极管电容
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
LS101A
LS101B
LS101C
符号
V
( BR )R
V
( BR )R
V
( BR )R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
C
D
60
50
40
200
200
200
0.41
0.4
0.39
1
0.95
0.9
2.0
2.1
2.2
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
100
I
R
- 反向电流( μ A)
T
j
=125 °C
C
D
- 二极管电容(pF )
T
j
=150 °C
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
16205
Tj=25
°
C
10
T
j
=100 °C
1
T
j
=75 °C
T
j
=50 °C
0.1
T
j
=25 °C
0.01
0
16204
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
R
- 倒V oltage ( V)
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
R
- 反向电压( V)
图。 1反向电流与反向电压
图。 2二极管电容与反向电压
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2
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修订版1.3 , 13 -APR- 04
日前,Vishay
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
10.00
I
F
- 正向电流(mA )
1.00
0.10
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
16206
V
F
- 前V oltage ( V)
图。 3正向电流与正向电压
单位:mm包装尺寸(英寸)
(0
7
1.
1.5 ± 0.1
(0.06 ± 0.004)
.0
阴极indification
玻璃
> ,R 3 (R 0.12)
0.47最大。 ( 0.02 )
3.5 ± 0.2 (0.14 ± 0.008)
贴装焊盘布局
2.50 ( 0.098 )最大
1.25 ( 0.049 )分
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
G
la
ss
7)
玻璃柜
的Quadro晶圆电阻/ SOD 80
JEDEC DO 213 AA
5 ( 0.197 )参考
96 12071
文档编号85628
修订版1.3 , 13 -APR- 04
2 ( 0.079 )分
www.vishay.com
3
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前,Vishay
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响,如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策,以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
日前,Vishay半导体有限公司, P.O.B. 3535 , D- 74025德国Heilbronn
电话: 49 ( 0 ) 67 7131 2831 ,传真号码: 49 ( 0 ) 67 7131 2423
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修订版1.3 , 13 -APR- 04
日前,Vishay
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
小信号肖特基势垒二极管
特点
防止静电放电的综合保护环
低电容
低漏电流
低正向压降
9612009
应用
HF-探测器
保护电路
二极管为低电流,低电源电压
小型电池充电器
电源
DC / DC转换器,用于笔记本电脑
机械数据
案例: QuadroMELF
玻璃柜( SOD- 80 )
重量:
约。 34毫克
阴极带颜色:
包装代码/选项:
每13"卷轴(8毫米磁带) , 10 K /盒GS18 / 10千
每7"卷轴(8毫米磁带) , 12.5 K /盒GS08 / 2.5
零件表
部分
LS101A
LS101B
LS101C
类型分化
V
R
= 60 V, V
F
@ I
F
最大1 mA的电流。 0.41 V
V
R
= 50 V, V
F
@ I
F
最大1 mA的电流。 0.4 V
V
R
= 40 V, V
F
@ I
F
最大1 mA的电流。 0.39 V
订购代码
LS101A - GS18或LS101A - GS08
LS101B - GS18或LS101B - GS08
LS101C - GS18或LS101C - GS08
备注
磁带和卷轴
磁带和卷轴
磁带和卷轴
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向电压
测试条件
部分
LS101A
LS101B
LS101C
峰值正向浪涌电流
重复峰值正向电流
正向电流
t
p
= 10
s
符号
V
R
V
R
V
R
I
FSM
I
FRM
I
F
价值
60
50
40
2
150
30
单位
V
V
V
A
mA
mA
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修订版1.3 , 13 -APR- 04
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1
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
热特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
交界处的环境
结温
存储温度范围
测试条件
在PC板
50 mmx50 mmx1.6毫米
符号
R
thJA
T
j
T
英镑
价值
320
125
- 65至+ 150
日前,Vishay
单位
K / W
°C
°C
电气特性
T
AMB
= 25℃,除非另有说明
参数
反向击穿电压
测试条件
I
R
= 10
A
部分
LS101A
LS101B
LS101C
漏电流
V
R
= 50 V
V
R
= 40 V
V
R
= 30 V
正向电压降
I
F
= 1毫安
LS101A
LS101B
LS101C
LS101A
LS101B
LS101C
I
F
= 15毫安
LS101A
LS101B
LS101C
二极管电容
V
R
= 0 V , F = 1兆赫
LS101A
LS101B
LS101C
符号
V
( BR )R
V
( BR )R
V
( BR )R
I
R
I
R
I
R
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
V
F
C
D
C
D
C
D
60
50
40
200
200
200
0.41
0.4
0.39
1
0.95
0.9
2.0
2.1
2.2
典型值。
最大
单位
V
V
V
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
pF
pF
pF
典型特征
(T
AMB
= 25
°C
除非另有规定编)
100
I
R
- 反向电流( μ A)
T
j
=125 °C
C
D
- 二极管电容(pF )
T
j
=150 °C
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
16205
Tj=25
°
C
10
T
j
=100 °C
1
T
j
=75 °C
T
j
=50 °C
0.1
T
j
=25 °C
0.01
0
16204
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
R
- 倒V oltage ( V)
5
10 15 20 25 30 35 40 45 50
V
R
- 反向电压( V)
图。 1反向电流与反向电压
图。 2二极管电容与反向电压
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修订版1.3 , 13 -APR- 04
日前,Vishay
LS101A / 101B / 101C
威世半导体
10.00
I
F
- 正向电流(mA )
1.00
0.10
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0
16206
V
F
- 前V oltage ( V)
图。 3正向电流与正向电压
单位:mm包装尺寸(英寸)
(0
7
1.
1.5 ± 0.1
(0.06 ± 0.004)
.0
阴极indification
玻璃
> ,R 3 (R 0.12)
0.47最大。 ( 0.02 )
3.5 ± 0.2 (0.14 ± 0.008)
贴装焊盘布局
2.50 ( 0.098 )最大
1.25 ( 0.049 )分
技术图纸
根据DIN
特定网络阳离子
G
la
ss
7)
玻璃柜
的Quadro晶圆电阻/ SOD 80
JEDEC DO 213 AA
5 ( 0.197 )参考
96 12071
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2 ( 0.079 )分
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3
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威世半导体
消耗臭氧层物质的政策声明
它的策略
威世半导体有限公司
to
1.满足所有目前和未来的国家和国际法例的要求。
日前,Vishay
2.定期和不断改进我们的产品,工艺,销售的业绩和
operatingsystems相对于它们的健康和员工的安全和公众的影响,如
以及它们对环境的影响。
这是特别关注,以控制或消除这些物质排放到它们的气息
被称为消耗臭氧层物质(消耗臭氧层物质) 。
蒙特利尔议定书( 1987年)和其伦敦修正案( 1990)打算严格限制使用消耗臭氧层物质
并严禁在未来十年内的使用。不同的国家和国际行动正加紧为
对这些物质的早期禁令。
威世半导体有限公司
已经能够利用不断改进的政策,以消除
使用消耗臭氧层物质的列在下面的文件。
1.附件A, B和蒙特利尔议定书过渡性物质和伦敦修正列表
分别
2. I类并于1990年通过了环境的清洁空气法案修正案II消耗臭氧层物质
保护局(EPA)在美国
3.理事会决定五百四十分之八十八/ EEC分别和六百九十分之九十一/ EEC附件A,B和C (过渡性物质) 。
威世半导体有限公司
可以证明,我们的半导体是不消耗臭氧制造
物质和不含有这种物质。
我们保留作出修改,以改善技术设计的权利
并且可以这样做,恕不另行通知。
参数可以在不同的应用而变化。所有的操作参数必须为每个验证
客户应用程序由客户。如买方使用威世半导体产品的任何
意外或未经授权的应用程序,买方应赔偿威世半导体对所有
索赔,费用,损失,费用,直接或间接地产生出来的,个人的任何索赔
损害,伤害或死亡等意外或未经授权的使用有关。
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联系人:李
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联系人:朱
地址:福田区红荔路上步工业区201栋西座316
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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16000
SOD-80 QuadroMELF
全新原装现货,原厂代理。
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