LRS1341/LRS1342
数据表
特点
闪存和SRAM
堆叠芯片芯片级封装
72球CSP （ FBGA072 -P - 0811 ）塑料封装
电源： 2.7 V至3.6 V
工作温度：-25 ° C至+ 85°C
闪存
- 访问时间（最大） ： 100纳秒
- 工作电流（最大值） ：
目前的F- V
CC
针
- 阅读： 25毫安（T
周期
= 200纳秒）
- 字写： 17毫安
- 块擦除： 17毫安
- 深度掉电电流（电流
F- V
CC
针） ：10 μA （ MAX F- CE
≥
F- V
CC
- 0.2 V,
F- RP
≤
-0.2 V，F -V
PP
≤
0.2 V)
优化的阵列架构堵
- 两个4K字引导块
- 六4K字的参数块
堆叠晶片
16M闪存和SRAM 2M
- 三十一32K字的主要模块
- 顶部/底部启动位置版本
- 扩展循环能力
- 100000块擦除周期
增强的自动暂停选项
- 字写暂停阅读
- 块擦除挂起到字写
- 块擦除挂起阅读
SRAM
- 访问时间（最大） ： 85纳秒
- 工作电流（最大值） ：
= 45毫安
- 8毫安（T
RC
, t
WC
= 1 s)
- 待机电流： 45 μA （ MAX 。 ）
- 数据保持电流： 35 μA （ MAX 。 ）
描述
该LRS1341 / LRS1342是一个组合存储
组织为1048576 × 16位的闪速存储器和
131,072 × 16位静态RAM在一个封装中。
引脚配置
72球FBGA
指数
顶视图
1
A
B
C
D
E
F
G
H
NC
NC
2
NC
3
NC
A
16
F- WE
4
A
11
A
8
F- RY /
BY
5
A
15
A
10
T
1
T
2
6
A
14
A
9
T
3
T
4
7
A
13
8
A
12
9
GND
10
NC
DQ
7
DQ
5
11
NC
12
NC
DQ
15
S- WE
DQ
14
DQ
13
DQ
6
DQ
4
GND
F- WP
F- RP
DQ
12
S-CE
2
S-V
CC
F- V
CC
T
5
DQ
9
DQ
10
DQ
2
DQ
8
DQ
0
DQ
3
DQ
1
F- V
PP
F- á
19
DQ
11
NC
S- LB S- UB
S- OE
F- á
18
NC
NC
F- á
17
A
5
A
7
A
4
A
6
A
0
A
3
F- CE
A
2
A
1
S-CE
1
NC
NC
NC
GND F- OE
注意：
两个NC引脚在拐角处相连。
LRS1342-1
图1. LRS1341 / LRS1342引脚配置
数据表
1
LRS1341/LRS1342
表2.真值表
1
FL灰
读
输出禁用
写
SRAM
待机
待机
待机
读
待机
产量
关闭
写
读
RESET / POWER DOWN
产量
关闭
写
待机
RESET / POWER DOWN
待机
待机
F- CE
L
L
L
H
H
H
H
X
X
X
X
H
X
F- RP
H
H
H
H
H
H
H
L
L
L
L
H
L
F- OE
L
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
F- WE
H
H
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
见注4
S-CE
1
S-CE
2
S- OE
X
X
X
L
H
X
L
L
H
X
L
X
X
堆叠芯片（ 16M闪存& 2M SRAM ）
S- WE
X
X
X
H
H
X
L
H
H
X
L
X
X
S- LB
S- UB
DQ
0
-
DQ-7
DQ
8
-
DQ
15
笔记
2, 3
3
2, 3, 5, 6
D
OUT
见注4
高-Z
D
IN
见注7
X
H
X
H
高-Z
高-Z
见注7
X
H
X
H
高-Z
高-Z
见注7
见注4
高-Z
高-Z
3
3
见注4
注意事项：
1. L = V
IL
，H = V
IH
， X = H或L.参见直流特性。
2.请参考“闪存命令定义”部分有效
D
IN
在写操作。
3. F- WP设定为V
IL
或V
IH
.
4. SRAM的待机模式。请参阅表2a 。
表2a 。
模式
引脚
S-CE
1
H
待机
（ SRAM）的
X
X
S-CE
2
X
L
X
S- LB
X
X
H
S- UB
X
X
H
5.命令将涉及块擦除或字写的可靠
执行时， F- V
PP
= V
PPH
和F -V
CC
= 2.7 V至3.6 V.座
擦除或单词与V写
IH
< RP < V
HH
产生虚假的结果
并且不应该尝试。
6.不要持有F- OE LOW和F -WE低的同时。
7. S- LB ， S- UB控制模式。看表2b 。
表2b 。
模式
（ SRAM）的
引脚
S- LB
L
读/写
L
H
S- UB
L
H
L
DQ
0
- DQ
7
D
OUT
/D
IN
D
OUT
/D
IN
高-Z
DQ
8
- DQ
15
D
OUT
/D
IN
高-Z
D
OUT
/D
IN
表3.命令定义为闪存
1
命令
读阵列/复位
读取识别码
读状态寄存器
清除状态寄存器
块擦除
字写
块擦除和Word
写暂停
块擦除和Word
写简历
总线周期
需要
1
≥
2
2
1
2
2
1
1
第一总线周期
手术
2
写
写
写
写
写
写
写
写
地址
3
XA
XA
XA
XA
BA
WA
XA
XA
数据
3
FFH
90H
70H
50H
20H
40H或10H
B0H
D0H
写
写
BA
WA
D0H
WD
5
5
5
5
读
读
IA
XA
ID
SRD
4
第二个总线周期
手术
2
地址
3
数据
3
笔记
注意事项：
1.命令于其它同表中所示的是由保留
夏普未来设备的实现，并且不应被使用。
2.总线的操作如表2规定。
3. XA =设备中的任何有效的地址;
IA =标识代码的地址;
块内的BA =地址被删除;
WA =地址的内存位置写入;
从状态寄存器，见表6阅读SRD =数据;
WD =要写入的数据在位置WA 。数据被锁存的
F- WE或F - CE （取云高头）的上升沿;
ID =数据从识别码读取。
4.请参见表4标识符代码。
5.见表5写保护的替代品。
4
数据表
堆叠芯片（ 16M闪存& 2M SRAM ）
LRS1341/LRS1342
表4.标识符代码
代码
生产代码
器件代码
地址
(A
0
- A
18
)
00000H
00001H
LRS1341数据
（ DQ
0
- DQ
7
)
B0H
48H
LRS1342数据
（ DQ
0
- DQ
7
)
B0H
49H
表5.写保护的替代品
手术
F- V
PP
F- RP
F- WP
效果
所有的块锁定
所有的块锁定
所有块解锁
两个引导块锁定
所有块解锁
V
IL
块擦除或
字写
X
V
IL
V
HH
V
IH
V
IH
X
X
X
V
IL
V
IH
＆ GT ; V
PPLK
表6.状态寄存器的定义
WSMS
7
ESS
6
ES
5
WWS
4
VPPS
3
WWSS
2
DPS
1
R
0
SR.7 =写状态机状态（ WSMS ）
1 =就绪
0 =忙
SR.6 =擦除挂起状态（ ESS ）
1 =块擦除暂停
0 =块擦除中/已完成
SR.5 =擦除状态（ ES ）
1 =错误在块擦除
0 =成功的块擦除
SR.4 = WORD写状态（ WWS ）
1 =错误的字写
0 =成功的字写
SR.3 = V
PP
STATUS （ VPPS ）
1 = F -V
PP
低检测，操作中止
0 = F -V
PP
好
SR.2 = WORD写暂停状态（ WWSS ）
1 =字写暂停
0 =字写在建/已完成
SR.1 =设备保护状态（ DPS ）
1 = F - WP和/或F -RP锁检测，
操作中止
0 =解锁
SR.0 =保留以备将来增强（ R）
注意事项：
1.检查RY / BY或SR.7确定块擦除或写入字
完成。 SR.6 - SR.0的同时SR.7 = 0无效。
2.如果同时SR.5和SR.4是“ 1的块擦除尝试之后，一
不正确的指令序列输入。
3. SR.3不提供FV的连续指示
PP
的水平。该
WSM询问，并表示F- V
PP
只有在水平座
擦除或字写命令序列。 SR.3不能保证
报告只有当F- V准确的反馈
PP
≠
V
PPH1
, V
PPH2
.
4. WSM询问F- WP和F - RP后才块擦除
或字写命令序列。它通知系统，
根据不同的尝试的操作中，如果在F- WP不是V
IH
or
F- RP不是V
HH
.
5. SR.0被保留供将来使用，应屏蔽时
查询状态寄存器。
数据表
5
QQ：2880707522 复制
