数据表
LQSD103A~LQSD103C
小信号肖特基BARRIES开关二极管
电压
20至40伏特
当前
0.35安培
QUADRO - MELF
单位：英寸（毫米）
特点
低正向压降
保护环结构的瞬态保护
低反向恢复时间
低反向电容
.063(1.6)
.055(1.4)DIA.
正常和无铅产品可供选择：
正常情况： 80 95 ％的锡， 5 20 ％的Pb
无铅： 98.5 ％以上的Sn
机械数据
案例：模压的Quadro晶圆电阻，玻璃
终端：每MIL -STD- 202E ，方法208
极性：参见下图
约。重量： 0.03克
安装位置：任意
包装信息
T / R - 每个7"塑料卷2.5K
.020(0.5)
.012(0.3)
.146(3.7)
.130(3.3)
.020(0.5)
.012(0.3)
最大额定值和电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
PA RA M E TE
P EAK epetiti已经 已经RSE V oltage
R M S R ê已经R 5 ê V L T A G é
M A X 。一个已经R A克é 权证T I F I E D C-UR 鄂西北
P EAK F orward S乌尔GE C-UR重新NT ，T < 0 。 3米每秒
P奥尔 issipation 受这个微博已经2 5
O
C
M A X I M ü M F R W A R D V L T A G E，I
F
= 2 0为m的
I
F
= 2 0 0为m的
米喜米庵 已经R 5式C乌尔鄂西北
泰皮卡尔 unctioncapacitance （N OTE 1 ）
泰皮卡尔 EVERSE ecovery （N OTE 2 ）
米喜米庵的R M一l研究（E S） I S T A NC é
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM B○升
V
RRM
V
RM S
I
O
I
F S M
P
D
V
F
I
R
CJ
T
RR
Rθ J A
T
s TG
5@30V
L QS D 1 0 3一
40
28
L QS D 1 0 3 B
30
21
350
15
400
0 .3 7
0 .6 0
5@20V
50
10
250
- 6 5 TO + 1 7 5
O
.0
67
(1
.7
)
L QS D 1 0的3C
20
14
加利它s
V
V
mA
A
mW
V
5@10V
uA
pF
ns
C / W
O
C
注意：
1. CJ在V
R
= 0中，f = 1MHz的
2.从我
F
= 50mA至我
R
= 200毫安，R
L
=100
STAD-JUL.30.2004
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LQSD103A~LQSD103C
小信号肖特基BARRIES开关二极管
电压
20至40伏特
当前
0.35安培
QUADRO - MELF
单位：英寸（毫米）
特点
低正向压降
保护环结构的瞬态保护
低反向恢复时间
低反向电容
在符合欧盟RoHS指令2002/95 / EC指令
.7
.0
67
(1
)
机械数据
案例：模压玻璃QUADRO MELF
码头：每MIL -STD- 750 ，方法2026
极性：参见下图
约。重量： 0.03克
.020(0.5)
.012(0.3)
.146(3.7)
.130(3.3)
.020(0.5)
.012(0.3)
安装位置：任意
最大额定值和电气特性
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
PA RA M E TE
P EAK epetiti已经 已经RSE V oltage
R M S R ê已经R 5 ê V L T A G é
M A X 。一个已经R A克é 权证T I F I E D C-UR 鄂西北
P EAK F orward S乌尔GE C-UR重新NT ，T < 0 。 3米每秒
P奥尔 issipation 受这个微博已经2 5
O
C
M A X I M ü M F R W A R D V L T A G E，I
F
= 2 0为m的
I
F
= 2 0 0为m的
米喜米庵 已经R 5式C乌尔鄂西北
泰皮卡尔 unctioncapacitance （N OTE 1 ）
泰皮卡尔 EVERSE ecovery （N OTE 2 ）
TY P I C A L T ^ h é R M一l研究（E S）我S T A N权证
S T R A克éテ米P·E·R的T ü R A N G - é
S YM B○升
V
RRM
V
RMS
I
F（ A V ）
I
F S M
P
D
V
F
I
R
C
J
t
rr
R
θ
J A
T
S T摹
L QS D 1 0 3一
40
28
L QS D 1 0 3 B
30
21
350
15
400
0 .3 7
0 .7 0
L QS D 1 0的3C
20
14
.063(1.6)
.055(1.4)DIA.
加利它s
V
V
mA
A
mW
V
5@30V
5@20V
50
10
250
-6 5 1 5 7
5@10V
A
pF
ns
O
C / W
O
C
注意：
1. CJ在V
R
= 0中，f = 1MHz的
2.从我
F
= 50mA至我
R
= 200毫安，R
L
=100
STAD-FEB.09.2009
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LQSD103A~LQSD103C
贴装焊盘布局
订购信息
包装信息
T / R - 10K每13"塑料卷
T / R - 每个7"塑料卷2.5K
法律声明
版权所有强茂国际2009年公司
本文件中的信息被认为是准确和可靠。规格和此处信息
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