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AN26027A
超小型,低NF ,单波段LNA -IC
600 MHz频段的应用
特点
低电压操作
低电流消耗
3毫安典型。 (高增益模式)
1 μA (典型值) 。 (低增益模式)
高增益15.0分贝典型。 fRX的= 620兆赫(高增益模式)
低噪声系数
1.20分贝典型。 fRX的= 620兆赫(高增益模式)
低失真( IIP3 10 MHz偏移)
-4.0 dBm的典型。 fRX的= 620兆赫(高增益模式)
5引脚晶圆级芯片尺寸封装(WLCSP )
2.85 V (典型值) 。
描述
AN26027A是单频段LNA - IC,适用于600 MHz频段
应用程序。
它采用0.18微米,实现高性能的SiGeC
双CMOS工艺(六
T
= 90 GHz的,女
最大
= 140千兆赫) 。
高/低增益模式是多变的,通过控制
集成CMOS逻辑电路。
一个WLCSP封装(晶圆级芯片尺寸的封装)
实现了小型化。
应用
数字电视(UHF)
简化应用
50
Ω
RF输出
V
CC
组件
L1
A3
B3
C2
C1
C2
0603
0603
1 000 pF的GRM033B11C102KD01
100 000 pF的GRM33B30J104KE18
村田
村田
SIZE
0603
价值
产品型号
8.2 nH的LQP03TN8N2H04
供应商
村田
顶视图
A2
注意事项)
本应用电路是一个例子。质的操作
制作组无法得到保证。你应该执行不够
评估和验证的量产设计
设置的。你是完全负责的掺入
以上的设计应用电路和信息的
设备。
A1
B1
CNT
(增益CNT )
C1
L1
RF输入
50
Ω
出版日期: 2013年2月
1
版本。 CEB
AN26027A
绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电流
工作环境温度
工作结温
储存温度
符号
V
CC
I
CC
T
OPR
T
j
T
英镑
IN(引脚No.A1 )
输入电压范围
CNT (引脚No.B1 )
OUT (引脚No.A3 )
HBM (人体模型)
ESD
MM (机器型号)
100
V
等级
3.6
18
-25到75
-40到+125
-40到+125
-0.3到V
CC
1
单位
V
mA
°C
°C
°C
V
V
V
kV
*1
*2
*2
*2
*3
*4
注意事项) 。如果受到比上述绝对最大额定值更高的条件下,本产品可能维持永久性的损坏。
此额定值的最大额定值和设备工作在该范围内不guaranteeable ,因为它是比我们的既定更高
推荐工作范围。
当时间长下的绝对最大额定值进行,产品的可靠性可能受到影响。
* 1 :的情况下不超过上述绝对最大额定值和功耗值。
* 2 :除了工作环境温度,工作结温,以及储存温度,
所有评级是TA = 25 ℃。
* 3: RF信号输入引脚。不要施加直流。
* 4: RF信号输出引脚。不适用DC
.
额定功耗
WLCSP
θ
JA
1391.0℃/W
PD ( TA = 25
°C)
0.072W
PD ( TA = 75
°C)
0.036W
注) 。对于实际使用,请参考对PD-钽特性图中的包装说明书中,供应
电压,负载和环境温度条件下,以确保有足够的裕量按照动力和
热设计不超过允许值。
小心
尽管这有限的内置ESD保护电路,但可能永久的损坏就可以发生。
因此,适当的ESD预防措施建议,以避免对静电损坏MOS大门
推荐工作条件
参数
电源电压范围
符号
V
CC
分钟。
2.5
典型值。
2.85
马克斯。
3.0
单位
V
*1
注)* 1 :的情况下不超过上述绝对最大额定值和功耗值。
2
版本。 CEB
AN26027A
ELECRTRICAL特性
注) VCC = 2.85 V, TA = 25 ° C± 2 ° C,除非另有规定。
参数
DC电气特性
电源电流HG
电源电流LG
开关电压
(高增益模式)
开关电压
(低增益模式)
开关电流(高)
符号
条件
范围
典型值
最大
单位注
ICCH
ICCL
VIH
VIL
IIH
Vcc的电流在高增益模式
无输入信号
VCC电流低增益模式
无输入信号
VIH = VCC
×
0.90
VIL = VCC
×
0.14
目前在CNT引脚
VIH = VCC
2.57
3.0
1.0
2.85
0.0
4.6
4.4
10
0.4
20
mA
μA
V
V
μA
3
版本。 CEB
AN26027A
ELECRTRICAL特性(续)
注) VCC = 2.85 V, TA = 25 ° C± 2 ° C, fRXa = 620兆赫, PRX = -30 dBm时, CW除非另有规定。
参数
LNA AC电气特性
功率增益HG
功率增益LG
符号
条件
范围
典型值
最大
单位注
GHS
GLS
高增益模式
低增益模式
PRX = -20 dBm的
高增益模式
F1 = fRXa + 10 MHz的
F2 = fRXa + 20 MHz的
输入2个信号(F1,F2 )
13.0
–7.5
15.0
–4.0
17.0
–1.0
dB
dB
IIP3 10 MHz偏移HG
IIP3H1
–12
–4.0
DBM
4
版本。 CEB
AN26027A
应用信息
参考值设计
注) VCC = 2.85 V
TA = 25° C± 2 ° C, fRXb = 470兆赫, 620兆赫, 770兆赫, PRX = -30 dBm时, CW除非另有规定。
参考值
参数
LNA AC电气特性
功率增益HG
电源GainLG
噪声系数HG
噪声系数LG
GH
GL
NFH
NFL
高增益模式
低增益模式
PRX = -20 dBm的
高增益模式
低增益模式
高增益模式
F1 = fRXb + 10 MHz的
F2 = fRXb + 20 MHz的
输入2个信号(F1,F2 )
高增益模式
F1 = fRXb - 10 MHz的
F2 = fRXb - 20 MHz的
输入2个信号(F1,F2 )
高增益模式
高增益模式
高增益模式
11.5
–8.0
15.0
–4.0
1.3
6.5
17.5
–1.0
2.3
8.5
dB
dB
dB
dB
*1
*1
*1,*3
*1
符号
条件
典型值
最大
单位
IIP3 10 MHz偏移HG
IIP3H1
–13
–4.0
DBM
*1
IIP3 10 MHz偏移HG
IIP3H2
–13
–4.0
DBM
*1
输入P1dB为HG
反向隔离HG
反向隔离LG
注)
IP1dBH
IsoH
ISOL
–10
–6
–24
–3.5
DBM
dB
dB
*1
*2
*2
* 1 :选中设计,不生产测试。
* 2 :典型值由设计检查。
* 3 :包括连接器&衬底损耗(0.10 dB)表示。
5
版本。 CEB
AN26032A
超小型,单波段LNA -IC
与限带滤波器的600 MHz频段的应用
特点
低电压操作
低电流消耗
4毫安典型。 (高增益模式)
2.85 V (典型值) 。
描述
AN26032A是单频段LNA - IC,适用于600 MHz频段
应用程序。
它采用0.18微米,实现高性能的SiGeC
双CMOS工艺(六
T
= 90 GHz的,女
最大
= 140千兆赫) 。
1 μA (典型值) 。 (低增益模式)
高/低增益模式是多变的,通过控制
高增益14.0分贝典型。 fRX的= 620兆赫(高增益模式)
集成CMOS逻辑电路。
低噪声系数
该带限滤波器是内置的。
1.20分贝典型。 fRX的= 620兆赫(高增益模式)
一个WLCSP封装(晶圆级芯片尺寸的封装)
低失真( IIP3 10 MHz偏移)
实现了小型化。
4 dBm的典型值。 fRX的= 620兆赫(高增益模式)
小而薄的封装6引脚晶圆级芯片尺寸封装
( WLCSP )
应用
数字电视(UHF)
简化应用
50
Ω
L2
RF输出
组件
L1
L2
SIZE
0603
0603
0603
0603
价值
产品型号
供应商
村田
村田
村田
村田
8.2 nH的LQP03TN8N2H04
12 nH的LQP03TN12NJ04
1 000 pF的GRM033B11C102KD01
100 000 pF的GRM33B30J104KE18
顶视图
A3
B3
V
CC
C1
C2
A2
B2
C2
注意事项)
本应用电路是一个例子。质的操作
制作组无法得到保证。你应该执行不够
评估和验证的量产设计
设置的。你是完全负责的掺入
以上的设计应用电路和信息的
设备。
A1
C1
L1
RF输入
50
Ω
B1
CNT
(增益CNT )
出版日期: 2013年2月
1
版本。 CEB
AN26032A
绝对最大额定值
参数
电源电压
电源电流
工作环境温度
工作结温
储存温度
符号
V
CC
I
CC
T
OPR
T
j
T
英镑
IN(引脚No.A1 )
CNT (引脚No.B1 )
输入电压范围
OUT1 (引脚No.A3 )
OUT2 (引脚No.B3 )
ESD
HBM (人体模型)
等级
3.6
18
-25 + 85
-40到+125
-55到+125
-0.3 (V
CC
+ 0.3)
-0.3 1.4
-0.3 1.4
1
单位
V
mA
°C
°C
°C
V
V
V
V
kV
笔记
*1
*2
*2
*2
*3
*4
注意事项) 。如果受到比上述绝对最大额定值更高的条件下,本产品可能维持永久性的损坏。
此额定值的最大额定值和设备工作在该范围内不guaranteeable ,因为它是比我们的既定更高
推荐工作范围。
当时间长下的绝对最大额定值进行,产品的可靠性可能受到影响。
* 1 :条件下The.values不超过上述绝对最大额定值和功耗
* 2 :除了工作环境温度,工作结温,以及储存温度,
所有评级是TA = 25 ℃。
* 3: RF信号输入引脚。不要施加直流。
* 4: ( VCC + 0.3 )V不得超过3.6V 。
额定功耗
WLCSP
θ
JA
1433℃/W
PD ( TA = 25
°C)
0.070W
PD ( TA = 85
°C)
0.028W
注) 。对于实际使用,请参考对PD-钽特性图中的包装说明书中,供应
电压,负载和环境温度条件下,以确保有足够的裕量按照动力和
热设计不超过允许值。
小心
尽管这有限的内置ESD保护电路,但可能永久的损坏就可以发生。
因此,适当的ESD预防措施建议,以避免对静电损坏MOS大门
推荐工作条件
参数
电源电压范围
符号
V
CC
分钟。
2.5
典型值。
2.85
马克斯。
3.0
单位
V
笔记
*1
注)* 1 :的情况下不超过上述绝对最大额定值和功耗值。
2
版本。 CEB
AN26032A
ELECRTRICAL特性
注) VCC = 2.85V
T
a
= 25 ° C± 2 ° C除非另有说明
参数
DC电气特性
电源电流HG
电源电流LG
开关电压
(高增益模式)
开关电压
(低增益模式)
开关电流(高)
符号
条件
范围
典型值
最大
单位注
ICCH
ICCL
VIH
VIL
IIH
Vcc的电流在高增益模式
无输入信号
VCC电流低增益模式
无输入信号
目前在CNT引脚
VIH = VCC
1.40
4.0
1.0
2.85
0.0
4
5.8
9.5
0.55
9.5
mA
μA
V
V
μA
ELECRTRICAL特性(续)
注) VCC = 2.85 V
的Ta = 25 ℃±2 ℃下, fRX的= 620兆赫, PRX = -30 dBm时, CW ,除非另有规定。
范围
典型值
参数
AC电气特性
功率增益HG
功率增益LG
符号
条件
最大
单位注
GHS
GLS
高增益模式
F = fRX的
低增益模式
F = fRX的PRX = -20 dBm的
高增益模式
F1 = fRX的+ 10 MHz的
F2 = fRX的+ 20 MHz的
输入2个信号(F1,F2 )
12
–7
14
–4.5
16
–1.5
dB
dB
IIP3-10 MHz偏移HG
IIP3H1S
–4
4
DBM
3
版本。 CEB
AN26032A
应用信息
参考值设计
注) VCC = 2.85 V
TA = 25° C± 2 ° C, fRX的= 470兆赫, 620兆赫, 770兆赫, PRX = -30 dBm时, CW除非另有规定。
参考值
参数
AC电气特性
功率增益HG
功率增益LG
噪声系数HG
噪声系数LG
GH
GL
NFH
NFL
高增益模式
F = fRX的
低增益模式
F = fRX的PRX = -20 dBm的
高增益模式
F = fRX的
低增益模式
F = fRX的
高增益模式
F1 = fRX的+ 10 MHz的
F2 = fRX的+ 20 MHz的
输入2个信号(F1,F2 )
高增益模式
F1 = fRX的 - 10 MHz的
F2 = fRX的 - 20 MHz的
输入2个信号(F1,F2 )
高增益模式
F = fRX的
高增益模式
F = fRX的
高增益模式
F = fRX的
高增益模式
F1 = 620 MHz的
F2 = 1520 MHz的
增益( F2 ) - 增益( F1 )
高增益模式
F1 = 620 MHz的
F2 = 1880 MHz的
增益( F2 ) - 增益( F1 )
10.9
–7.5
14
–4.5
1.3
4.5
16.5
–1.5
1.7
7.5
dB
dB
dB
dB
*1
*1
*1 ,*2
*1,*2
符号
条件
典型值
最大
单位
IIP3 10 MHz偏移
HG
IIP3H1
–5
4
DBM
*1
IIP3 -10 MHz偏移
HG
IIP3H2
–7
2
DBM
*1
输入P1dB为HG
反向隔离HG
反向隔离LG
IP1dBH
IsoH
ISOL
–14
–10
–27
–4.5
DBM
dB
dB
*1
*1
*1
Attenuation1 HG
ATTH1
–31
–24
dB
*1
Attenuation2 HG
ATTH2
–49
–41
dB
*1
注)* 1 :通过设计检查,不生产测试。
* 2 :包括连接器&衬底损耗(0.1 dB)表示。
4
版本。 CEB
AN26032A
应用信息(续)
参考值设计(续)
注) VCC = 2.5 V至3.0 V
TA = -25 ° C至85°C ,除非另有规定。
参考值
参数
DC电气特性
电源电流HG
IccHT
Vcc的电流在高增益模式
无输入信号
VCC电流低增益
模式
无输入信号
目前在CNT引脚
VIH = VCC
4.0
5.9
mA
*1
符号
条件
典型值
最大
单位
电源电流LG
开关电压
(高增益模式)
开关电压
(低增益模式)
开关电流(高)
IccHT
1.0
10
μA
*1
VIHT
VILT
IIHT
1.50
2.85
0.0
4
0.4
10
V
V
μA
*1
*1
*1
注)* 1 :通过设计检查,不生产测试。
5
版本。 CEB
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    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:北京市海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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