ZXLD1601
绝对最大额定值
（电压GND除非另有说明）
输入电压（V
IN
)
7V
LX输出电压（V
LX
)
开关输出电流（I
LX
)
功率耗散（ PD ）
工作温度（T
OP
)
存储温度（T
ST
)
结温（Tj
最大
)
30V
500mA
300mW
-40到85°C
-55 ℃150℃
125°C
电气特性：
（测试条件： V
IN
=V
EN
= 3V ，T
AMB
= 25 ° C除非另有说明
(1)
)
符号
V
IN
I
IN
参数
输入电压
电源电流
静
关闭
V
FB
R
1
R
2
f
LX
T
关闭
T
对（2）
I
LXpk
R
LX
I
LX （泄漏）
V
OUT
V
ENH
V
ENL
I
ENL
I
ENH
FB引脚电压控制
从FB引脚的内部电阻
到GND引脚
从FB引脚的内部电阻
到V
SENSE
针
工作频率
LX输出“OFF”时
LX输出“ON”时
开关峰值电流限制
开关“ON”时电阻
开关漏电流
控制器默认输出
电压
V
LX
=20V
FB引脚悬空
26
1.5
L = 10 H ，V
OUT
= 28V ，负载5毫安
320
1.75
1
28
V
IN
0.4
-100
1
120
A
V
V
V
nA
A
s
L = 10 H ，V
OUT
= 28V ，负载5毫安
350
V
EN
= V
IN
, I
LX
= 0时，输出不切换
V
EN
= 0V
0.98
135
3.45
600
500
5
60
<10
100
100
1.07
A
nA
V
k
M
千赫
ns
s
mA
条件
民
2.5
典型值
最大
5.5
单位
V
EN引脚高电平输入电压器件活跃
EN引脚低电平输入电压
EN引脚低电平输入电流
器件在关断
V
EN
=0V
EN引脚高电平输入电流V
EN
ΔVIN
V
EN
从高转换到低
T
EN(hold)(3)
EN引脚关断延迟
注意事项：
1生产装置的测试是在25℃下进行。该器件在-40°C的功能操作至+ 85 ° C的温度范围是
由设计，表征和过程控制保证。
2 “接通”时间标称（ TONnom ）由输入电压（所限定的V
IN
），线圈的电感（L）和峰电流（I
LXpkdc
）根据以下表达式：
T
ONnom
= {I
LX （ pkdc ）
X L / V
IN
} + 200ns的
3这是该装置仍处于活动状态后， EN引脚被置为低电平的时间。这个延迟是必要的，以使输出为
DC PWM模式操作过程中保持不变。
第3期 - 2004年8月
半导体
2
ZXLD1601
电气特性（续） ：
（测试条件： V
IN
=V
EN
= 3V ，T
AMB
= 25 ° C除非另有说明
(1)
)
符号参数
T/T
PWM占空比在周期范围
“EN”输入直流输出
电压控制
内部PWM低通滤波器
截止频率
滤波器衰减
f=30kHz
0
条件
10kHz的< F < 100kHz时， VENH = VIN
民
20
典型值
最大
100
单位
%
FLPF
ALPF
4
52.5
100
千赫
dB
%
F < 1kHz时， VENH = VIN
T/T
(4)
PWM占空比在周期范围
' EN '输入'门'输出
电压控制
注意事项：
4在这种操作模式下，最大的PWM信号的频率应保持尽可能低，以使误差最小，由于关断
延迟
第3期 - 2004年8月
3
半导体
ZXLD1601
设备描述
该装置是PFM反激式直流 - 直流升压变换器，
在非连续模式工作。
参照芯片方框图和典型
应用电路，该装置的操作是作为
如下所示：
控制回路
当“EN”为高时，控制电路被激活
和线圈（L1 ）的低压侧被切换到接地
通过NDMOS晶体管（ MN ） 。在L1中的电流是
可以建立一个内部定义级别
（标称320毫安） MN之前是关闭的。能源
存储在L1中，然后转移到输出电容器
（C2），通过肖特基二极管（D1） 。输出电压为
感觉到脚'V
SENSE
'通过内部电阻器R1和R2
（可在外部引脚' FB '被分流）和
相对于参考电压V
REF
(1.025V
标称值） 。比较器检测时的输出
电压高于所设置的基准，其输出
用于控制所述输出开关的“关断”的时间。该
控制环是自激振荡，产生向上的脉冲
为5μs的最大持续时间（ “开”开关） ，在频率
这成比例地变化的输出电流。该
反馈回路保持VREF的电压FB引脚
并因此定义了一个最大输出电压等于
到V
REF
* （R1 + R2）/ R1 。最小“关断”的时间
输出开关固定在0.5μs的名义，以留出时间
用于线圈的能量，以在切换之前消散
再次接通。这保持了稳定，高效的
运行在非连续模式。
滤波PWM操作
内部低通滤波器的输入端被切换到
V
REF
当EN引脚为高电平，并切换到地
当EN引脚为低电平。这种过滤器驱动输出
在控制回路中的比较器。连续
在EN为高电平状态，因此提供了一个滤波后的电压
值Vref的比较器。然而，通过改变
EN信号中的一个适当高频率占空比
（ f>10kHz ） ，控制回路将看到一个电压，即具有
的平均值等于占空比乘以
V
REF
。这提供了调整的输出的装置
电压到一个较低的值。它也允许器件是
均导通，并与在所述单个信号调节
“EN”引脚。在这种操作模式下，输出将
是一个直流电压等于V
REF
* （R1 + R2）/ R1 X占空比。
门控PWM操作
该ZXLD1601的内部电路被关断
当没有信号出现在“EN”脚以上
120μs（在标称值） 。施加到A的低频信号
EN引脚会因此栅极“导通”的设备，并在“关断”
选通频率和该信号的占空比可
被改变以提供一个平均输出等于V
REF
* （R1 + R2）/ R1 X占空比。为了获得最佳的精度，选通
频率应尽可能低（例如
低于1kHz ） ，使得芯片的关断延迟时间为
选通期间只有一小部分
设定输出电流的进一步细节在给出
应用笔记。
第3期 - 2004年8月
5
半导体
ZXLD1615
绝对最大额定值
（电压GND除非另有说明）
输入电压（V
IN
)
7V
LX输出电压（V
LX
)
开关输出电流（I
LX
)
功率耗散（ PD ）
工作温度（T
OP
)
存储温度（T
ST
)
结温（Tj
最大
)
30V
500mA
300mW
-40到85°C
-55 ℃150℃
125°C
电气特性：
（测试条件： V
IN
=V
EN
= 3V ，T
AMB
= 25 ° C除非另有说明
(1)
)
符号
V
IN
I
IN
参数
输入电压
电源电流
静
关闭
V
FB
f
LX
T
关闭
T
对（2）
I
LXpk
R
LX
I
LX （泄漏）
V
ENH
V
ENL
I
ENL
I
ENH
FB引脚电压控制
工作频率
LX输出“OFF”时
LX输出“ON”时
开关峰值电流限制
开关“开”阻力
开关漏电流
V
LX
=20V
1.5
L = 10 H ，V
OUT
= 28V ，负载5毫安
320
1.75
1
V
IN
0.4
-100
1
120
20
100
A
V
V
nA
A
s
%
L = 10 H ，V
OUT
= 28V ，负载5毫安
350
V
EN
= V
IN
, I
LX
= 0时，输出不切换
V
EN
= 0V
0.98
600
500
5
60
<10
100
100
1.07
A
nA
V
千赫
ns
s
mA
条件
民
2.5
典型值
最大
5.5
单位
V
EN引脚高电平输入电压器件活跃
EN引脚低电平输入电压
EN引脚低电平输入电流
器件在关断
V
EN
=0V
EN引脚高电平输入电流V
EN
=V
IN
V
EN
从高转换到低
10kHz的< F < 100kHz时，V
ENH
=V
IN
T
EN(hold)(3)
EN引脚关断延迟
T/T
PWM占空比在周期范围
“EN”输入直流输出
电压控制
内部PWM低通滤波器
截止频率
滤波器衰减
f
LPF
A
LPF
4
f=30kHz
52.5
千赫
dB
注意事项：
1生产装置的测试是在25℃下进行。该器件在-40°C的功能操作至+ 85 ° C的温度范围是
由设计，表征和过程控制保证。
2 “接通”时间标称（ TONnom ）由输入电压（所限定的V
IN
），线圈的电感（L）和峰电流（I
LXpkdc
）根据以下表达式：
T
ONnom
= {I
LX （ pkdc ）
X L / V
IN
} + 200ns的
3这是该装置仍处于活动状态后， EN引脚被置为低电平的时间。这个延迟是必要的，以使输出为
DC PWM模式操作过程中保持不变。
4在这种操作模式下，最大的PWM信号的频率应保持尽可能低，以使误差最小，由于关断
延迟
第3期 - 2004年8月
半导体
2
ZXLD1615
引脚说明
PIN号
1
2
3
名字
LX
GND
FB
描述
NDMOS开关输出
地（ 0V ）
反馈引脚电压控制回路
额定电压1.025V
4
EN
使能输入（高电平有效开启装置）
也可以用来调节输出电流的PWM信号。
连接到V
in
永久操作。
5
V
IN
输入电压（ 2.5V至5.5V ） 。去耦电容用接近设备。
框图
第3期 - 2004年8月
3
半导体
ZXLD1615
设备描述
该装置是PFM反激式直流 - 直流升压变换器，
在非连续模式工作。
参照芯片方框图和典型
应用电路，该装置的操作是作为
如下所示：
控制回路
当“EN”为高时，控制电路被激活
和线圈（L1 ）的低压侧被切换到接地
通过NDMOS晶体管（ MN ） 。在L1中的电流是
可以建立一个内部定义级别
（标称320毫安） MN之前是关闭的。该
存储在L1中的能量被转移至输出
电容器（C2）通过肖特基二极管（D1） 。输出
电压由外部电阻R1感觉到脚' FB '
和R2和与参考电压V
REF
（ 1.025V标称值） 。比较器检测时，
输出电压高于该组由参考和
其输出被用于控制的“断开”时间
输出开关。控制环路是自振荡，
高达5的最大持续时间产生的脉冲
（ “上”开关），其频率成比例变化
到的输出电流。反馈回路保持
V的电压
REF
FB引脚，因此定义了
最大输出电压等于V
REF
*(R1+R2)/R1.
最小“关断”输出开关的时间是固定的
在0.5秒的名义，以留出时间线圈的能量
开关再次接通之前被消散。
这保持了稳定，高效运行
不连续模式。
滤波PWM操作
内部低通滤波器的输入端被切换到
V
REF
当EN引脚为高电平，并切换到地
当EN引脚为低电平。这个滤波器的输出端
驱动控制回路内的比较器。一
在EN持续高温状态，因此提供了一个
过滤后的值Vref的电压提供给比较器。
然而，通过改变EN信号的占空比
在一适当高的频率（ f>10kHz ），则控制
环路将看到一个电压，即具有平均值
等于占空比乘以V
REF
。这
提供调节输出电压至一的手段
较低的值。它也允许器件既
接通和调整用的单个信号
“EN”引脚。在这种操作模式下，输出
将是一个直流电压等于V
REF
* （R1 + R2）/ R1 X占空比
周期。
门控PWM操作
该ZXLD1615的内部电路被关断
当没有信号出现在“EN”引脚更多
超过120秒（标称值） 。低频信号应用
在EN引脚将因此门'上'的设备和
“关断”的选通频率和本占空比
信号可以被改变，以提供一个平均输出
等于V
REF
* （R1 + R2）/ R1 X占空比。为了获得最好的
精度，选通频率应为
越低越好（例如低于1kHz ） ，使得所述转
芯片的关闭延迟的只有一小部分
门控周期
设定输出电流的进一步细节在给出
该应用笔记。
第3期 - 2004年8月
半导体
4
QQ：2880707522 复制
