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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第632页 > LPV321IDBVR
LPV321单， LPV358双路， LPV324 QUAD
通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
SLOS433I - 2004年2月 - 修订2005年3月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
2.7 V和5 V性能
-40 ° C至125°C规格在5 V
无交越失真
152 kHz的增益带宽
低电源电流
- LPV321 。 。 。 9
A
- LPV358 。 。 。 15
A
- LPV324 。 。 。 28
A
轨到轨输出摆幅为100 kΩ的负载
V
CC+
= 3.5毫伏
V
CC
+ 90毫伏
V
ICR
。 。 。 -0.2 V到V
CC+
0.8 V
稳定， 1000 pF的电容负载
应用
有源滤波器
- 通用，低电压
应用
- 低功耗和/或便携式应用
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
LPV321 。 。 。 DBV OR DCK包装
（ TOP VIEW ）
IN +
V
CC
IN-
1
2
3
5
4
V
CC+
产量
LPV358 。 。 。 D， DDU ，或DGK包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
LPV324 。 。 。 D组或PW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
V
CC
3IN+
3IN
3OUT
描述/订购信息
该LPV321 / 324分之358设备是低功率（ 9
A
每次在5 V通道）的LMV321版本/三百二十四分之三百五十八
运算放大器。这些都是增加的LMV321 / 324分之358系列商品运算放大器。
该LPV321 / 324分之358设备的应用场合低压最具成本效益的解决方案，
低功耗操作，节省空间，低价格是必要的。这些器件具有轨至轨输出摆幅
能力，并输入共模电压范围包括地面。他们都表现出出色的速度，力量
比，达到152 kHz的带宽，与只有9 ，电源电流
A
典型的。
该LPV321 ， LPV358和LPV324的特点是工作在-40 ° C至85°C 。该LPV321I ，
LPV358I和LPV324I的特点是工作在-40 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2005年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
SLOS433I - 2004年2月 - 修订2005年3月
LPV321单， LPV358双路， LPV324 QUAD
通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
描述/订购信息（续）
订购信息
TA
包装
3000卷
SOT23-5 （ DBV ）
单身
SC- 70 （ DCK ）
SOIC-8 （D）的
40 C 85 C
-40 ° C至85°C
双
VSSOP - 8 （ DDU ）
VSSOP - 8 （ DGK ）
SOIC - 14 （D ）
四
TSSOP -14 （ PW ）
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
3000卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
3000卷
SOT23-5 （ DBV ）
单身
SC- 70 （ DCK ）
SOIC-8 （D）的
40 C 125°C
-40 ° C至125°C
双
VSSOP - 8 （ DDU ）
VSSOP - 8 （ DGK ）
SOIC - 14 （D ）
四
TSSOP -14 （ PW ）
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
3000卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
LPV321DBVR
LPV321DBVT
LPV321DCKR
LPV321DCKT
LPV358D
LPV358DR
LPV358DDUR
LPV358DGKR
LPV358DGKT
LPV324D
LPV324DR
LPV324PW
LPV324PWR
LPV321IDBVR
LPV321IDBVT
LPV321IDCKR
LPV321IDCKT
LPV358ID
LPV358IDR
LPV358IDDUR
LPV358IDGKR
LPV358IDGKT
LPV324ID
LPV324IDR
LPV324IPW
LPV324IPWR
LPV324I
PV324I
PV358I
5AE6
556
预览
LPV324
PV324
5C1_
预览
53_
预览
PV358
5A56
546
预览
TOP- SIDE
记号
5C7_
预览
52_
预览
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
DBV / DCK ：实际的顶部端标记有一个指定的封装/测试网站一个额外的字符。
符号（每个放大器）
IN-
OUT
IN +
+
2
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达拉斯，德克萨斯州75265
LPV321单， LPV358双路， LPV324 QUAD
通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
SLOS433I - 2004年2月 - 修订2005年3月
LPV324的简化原理图
VCC
VBIAS1
+
VBIAS2
VCC
+
产量
VCC VCC
VBIAS3
+
IN-
IN +
VBIAS4
+
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
CC+
V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±V
CC
输入电压范围，V
I
（任一输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
到V
CC+
1 V
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3和4） ： 5针DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
5针DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 252 ° C / W
8针D型封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
8针DDU包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 TBD ° C / W
8针DGK封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 172 ° C / W
14针D型封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
14引脚PW封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
最高结温，T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值，除了IOS的测量指定的差分电压和VCC ，是相对于该网络GND。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） / θJA 。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
邮政信箱655303
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3
SLOS433I - 2004年2月 - 修订2005年3月
LPV321单， LPV358双路， LPV324 QUAD
通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
推荐工作条件
民
VCC
TA
电源电压
LPV3xx
工作自由空气的温度
LPV3xxI
2.7
40
40
最大
5
85
125
单位
V
°C
ESD保护
测试条件
人体模型
机器型号
带电器件模型
典型值
2
200
1
单位
kV
V
kV
4
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LPV321单， LPV358双路， LPV324 QUAD
通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
SLOS433I - 2004年2月 - 修订2005年3月
2.7 -V电气特性
T
A
= 25 ° C，V
CC+
= 2.7 V, V
CC
= 0 V, V
IC
= 1 V, V
O
= V
CC+
/ 2，和R
L
＆ GT ;
1兆欧（除非另有
说明）
参数
VIO
α
VIO
IIB
IIO
CMRR
kSVR
VICR
VO
输入失调电压
平均气温
对COEF网络cient
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模
抑制比
电源电压
抑制比
共模
输入电压范围
输出摆幅
0
≤
维克
≤
1.7 V
2.7 V
≤
VCC +
≤
5 V ，VIC = 1 V ， VO = 1 V
CMRR
≥
50分贝
高层
RL = 100 kΩ到1.35 V
LPV321
ICC
SR
GBW
F
m
电源电流
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
Vn
In
等效输入
噪声电压
等效输入
噪声电流
CL = 22 pF的（见注5 ）
CL = 22 pF的（见注5 ）
CL = 22 pF的（见注5 ）
F = 1千赫
F = 1千赫
LPV358 （两个放大器）
LPV324 （所有四个放大器）
低层
50
50
0至1.7
VCC + - 0.100
测试条件
民
TYP
1.2
4
1.7
0.6
70
65
-0.2 1.9
VCC + - 0.003
0.080
4
8
16
0.1
205
71
11
178
0.5
50
40
最大
7
单位
mV
毫伏/°C的
nA
nA
dB
dB
V
V
0.180
8
16
24
mA
V / ms的
千赫
度
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
所有典型值是在VCC = 2.7 V ， TA = 25 ℃。
指定数是正和负转换速率越慢。
注5 ：闭环增益= 18 dB时， VIC = VCC + / 2
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5
LPV321单， LPV358双路， LPV324 QUAD
通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
SLOS433H - 2004年2月 - 修订2004年10月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
2.7 V和5 V性能
-40 ° C至125°C规格在5 V
无交越失真
152 kHz的增益带宽
低电源电流
- LPV321 。 。 。 9
A
- LPV358 。 。 。 15
A
- LPV324 。 。 。 28
A
轨到轨输出摆幅为100 kΩ的负载
V
CC+
= 3.5毫伏
V
CC
+ 90毫伏
V
ICR
。 。 。 -0.2 V到V
CC+
0.8 V
稳定， 1000 pF的电容负载
应用
有源滤波器
- 通用，低电压
应用
- 低功耗和/或便携式应用
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
LPV321 。 。 。 DBV OR DCK包装
（ TOP VIEW ）
IN +
V
CC
IN-
1
2
3
5
4
V
CC+
产量
LPV358 。 。 。 D， DDU ，或DGK包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
LPV324 。 。 。 D组或PW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
V
CC
3IN+
3IN
3OUT
描述/订购信息
该LPV321 / 324分之358设备是低功率（ 9
A
每次在5 V通道）的LMV321版本/三百二十四分之三百五十八
运算放大器。这些都是增加的LMV321 / 324分之358系列商品运算放大器。
该LPV321 / 324分之358设备的应用场合低压最具成本效益的解决方案，
低功耗操作，节省空间，低价格是必要的。这些器件具有轨至轨输出摆幅
能力，并输入共模电压范围包括地面。他们都表现出出色的速度，力量
比，达到152 kHz的带宽，与只有9 ，电源电流
A
典型的。
该LPV321 ， LPV358和LPV324的特点是工作在-40 ° C至85°C 。该LPV321I ，
LPV358I和LPV324I的特点是工作在-40 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
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1
SLOS433H - 2004年2月 - 修订2004年10月
LPV321单， LPV358双路， LPV324 QUAD
通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
描述/订购信息（续）
订购信息
TA
包装
3000卷
SOT23-5 （ DBV ）
单身
SOT23-5 （ DCK ）
SOIC-8 （D）的
40 C 85 C
-40 ° C至85°C
双
VSSOP - 8 （ DDU ）
VSSOP - 8 （ DGK ）
SOIC - 14 （D ）
四
TSSOP -14 （ PW ）
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
3000卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
3000卷
SOT23-5 （ DBV ）
单身
SOT23-5 （ DCK ）
SOIC-8 （D）的
40 C 125°C
-40 ° C至125°C
双
VSSOP - 8 （ DDU ）
VSSOP - 8 （ DGK ）
SOIC - 14 （D ）
四
TSSOP -14 （ PW ）
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
3000卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
LPV321DBVR
LPV321DBVT
LPV321DCKR
LPV321DCKT
LPV358D
LPV358DR
LPV358DDUR
LPV358DGKR
LPV358DGKT
LPV324D
LPV324DR
LPV324PW
LPV324PWR
LPV321IDBVR
LPV321IDBVT
LPV321IDCKR
LPV321IDCKT
LPV358ID
LPV358IDR
LPV358IDDUR
LPV358IDGKR
LPV358IDGKT
LPV324ID
LPV324IDR
LPV324IPW
LPV324IPWR
LPV324I
PV324I
LPV324
PV324
TOP- SIDE
记号
预览
预览
预览
预览
预览
预览
预览
预览
预览
预览
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
符号（每个放大器）
IN-
OUT
IN +
+
2
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LPV321单， LPV358双路， LPV324 QUAD
通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
SLOS433H - 2004年2月 - 修订2004年10月
LPV324的简化原理图
VCC
VBIAS1
+
VBIAS2
VCC
+
产量
VCC VCC
VBIAS3
+
IN-
IN +
VBIAS4
+
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
CC+
V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±V
CC
输入电压范围，V
I
（任一输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
到V
CC+
1 V
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3和4） ： 5针DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
5针DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 252 ° C / W
8针D型封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
8针DDU包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 TBD ° C / W
8针DGK封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 172 ° C / W
14针D型封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
14引脚PW封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
最高结温，T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值，除了IOS的测量指定的差分电压和VCC ，是相对于该网络GND。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） / θJA 。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
邮政信箱655303
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3
SLOS433H - 2004年2月 - 修订2004年10月
LPV321单， LPV358双路， LPV324 QUAD
通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
推荐工作条件
民
VCC
TA
电源电压
LPV3xx
工作自由空气的温度
LPV3xxI
2.7
40
40
最大
5
85
125
单位
V
°C
ESD保护
测试条件
人体模型
机器型号
带电器件模型
典型值
2
200
1
单位
kV
V
kV
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
LPV321单， LPV358双路， LPV324 QUAD
通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
SLOS433H - 2004年2月 - 修订2004年10月
2.7 -V电气特性
T
A
= 25 ° C，V
CC+
= 2.7 V, V
CC
= 0 V, V
IC
= 1 V, V
O
= V
CC+
/ 2，和R
L
＆ GT ;
1兆欧（除非另有
说明）
参数
VIO
α
VIO
IIB
IIO
CMRR
kSVR
VICR
VO
输入失调电压
平均气温
对COEF网络cient
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模
抑制比
电源电压
抑制比
共模
输入电压范围
输出摆幅
0
≤
维克
≤
1.7 V
2.7 V
≤
VCC +
≤
5 V ，VIC = 1 V ， VO = 1 V
CMRR
≥
50分贝
高层
RL = 100 kΩ到1.35 V
LPV321§
ICC
SR
GBW
F
m
电源电流
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
Vn
In
等效输入
噪声电压
等效输入
噪声电流
CL = 22 pF的（见注5 ）
CL = 22 pF的（见注5 ）
CL = 22 pF的（见注5 ）
F = 1千赫
F = 1千赫
LPV358 （两个放大器） §
LPV324 （所有四个放大器）
低层
50
50
0至1.7
VCC + - 0.100
测试条件
民
TYP
1.2
4
1.7
0.6
70
65
-0.2 1.9
VCC + - 0.003
0.080
4
8
16
0.1
205
71
11
178
0.5
50
40
最大
7
单位
mV
毫伏/°C的
nA
nA
dB
dB
V
V
0.180
8
16
24
mA
V / ms的
千赫
度
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
所有典型值是在VCC = 2.7 V ， TA = 25 ℃。
指定数是正和负转换速率越慢。
产品预览
注5 ：闭环增益= 18 dB时， VIC = VCC + / 2
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5
LPV321单， LPV358双路， LPV324 QUAD
通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
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D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
2.7 V和5 V性能
-40 ° C至125°C规格在5 V
无交越失真
152 kHz的增益带宽
低电源电流
- LPV321 。 。 。 9
A
- LPV358 。 。 。 15
A
- LPV324 。 。 。 28
A
轨到轨输出摆幅为100 kΩ的负载
V
CC+
= 3.5毫伏
V
CC
+ 90毫伏
V
ICR
。 。 。 -0.2 V到V
CC+
0.8 V
稳定， 1000 pF的电容负载
应用
有源滤波器
- 通用，低电压
应用
- 低功耗和/或便携式应用
闭锁性能超过100mA的每
JESD 78 ， II类
ESD保护超过JESD 22
- 2000 -V人体模型（ A114 -A ）
- 200 -V机型号（ A115 -A ）
- 1000 -V带电器件模型（ C101 ）
LPV321 。 。 。 DBV OR DCK包装
（ TOP VIEW ）
IN +
V
CC
IN-
1
2
3
5
4
V
CC+
产量
LPV358 。 。 。 D， DDU ，或DGK包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
V
CC
1
2
3
4
8
7
6
5
V
CC+
2OUT
2IN
2IN+
LPV324 。 。 。 D组或PW包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
1IN
1IN+
V
CC+
2IN+
2IN
2OUT
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
4OUT
4IN
4IN+
V
CC
3IN+
3IN
3OUT
描述/订购信息
该LPV321 / 324分之358设备是低功率（ 9
A
每次在5 V通道）的LMV321版本/三百二十四分之三百五十八
运算放大器。这些都是增加的LMV321 / 324分之358系列商品运算放大器。
该LPV321 / 324分之358设备的应用场合低压最具成本效益的解决方案，
低功耗操作，节省空间，低价格是必要的。这些器件具有轨至轨输出摆幅
能力，并输入共模电压范围包括地面。他们都表现出出色的速度，力量
比，达到152 kHz的带宽，与只有9 ，电源电流
A
典型的。
该LPV321 ， LPV358和LPV324的特点是工作在-40 ° C至85°C 。该LPV321I ，
LPV358I和LPV324I的特点是工作在-40 ° C至125°C 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
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LPV321单， LPV358双路， LPV324 QUAD
通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
描述/订购信息（续）
订购信息
TA
包装
3000卷
SOT23-5 （ DBV ）
单身
SOT23-5 （ DCK ）
SOIC-8 （D）的
40 C 85 C
-40 ° C至85°C
双
VSSOP - 8 （ DDU ）
VSSOP - 8 （ DGK ）
SOIC - 14 （D ）
四
TSSOP -14 （ PW ）
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
3000卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
3000卷
SOT23-5 （ DBV ）
单身
SOT23-5 （ DCK ）
SOIC-8 （D）的
40 C 125°C
-40 ° C至125°C
双
VSSOP - 8 （ DDU ）
VSSOP - 8 （ DGK ）
SOIC - 14 （D ）
四
TSSOP -14 （ PW ）
250的卷轴
3000卷
250的卷轴
75管
2500卷
3000卷
2500卷
250的卷轴
50管
2500卷
90管
2000年卷
订购
产品型号
LPV321DBVR
LPV321DBVT
LPV321DCKR
LPV321DCKT
LPV358D
LPV358DR
LPV358DDUR
LPV358DGKR
LPV358DGKT
LPV324D
LPV324DR
LPV324PW
LPV324PWR
LPV321IDBVR
LPV321IDBVT
LPV321IDCKR
LPV321IDCKT
LPV358ID
LPV358IDR
LPV358IDDUR
LPV358IDGKR
LPV358IDGKT
LPV324ID
LPV324IDR
LPV324IPW
LPV324IPWR
LPV324I
PV324I
LPV324
PV324
TOP- SIDE
记号
预览
预览
预览
预览
预览
预览
预览
预览
预览
预览
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计准则
可在www.ti.com/sc/package 。
符号（每个放大器）
IN-
OUT
IN +
+
2
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通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
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LPV324的简化原理图
VCC
VBIAS1
+
VBIAS2
VCC
+
产量
VCC VCC
VBIAS3
+
IN-
IN +
VBIAS4
+
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
CC+
V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 5.5 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±V
CC
输入电压范围，V
I
（任一输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CC
到V
CC+
1 V
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注3和4） ： 5针DBV封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 206 ° C / W
5针DCK包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 252 ° C / W
8针D型封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 97 ° C / W
8针DDU包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 TBD ° C / W
8针DGK封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 172 ° C / W
14针D型封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
14引脚PW封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 113 ° C / W
最高结温，T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出“绝对最大额定值”列出的强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作“推荐工作条件”不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有电压值，除了IOS的测量指定的差分电压和VCC ，是相对于该网络GND。
2.差分电压为IN +相对于IN- 。
3.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） / θJA 。选择150 ° C时的最大影响可靠性。
4.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
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通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
推荐工作条件
民
VCC
TA
电源电压
LPV3xx
工作自由空气的温度
LPV3xxI
2.7
40
40
最大
5
85
125
单位
V
°C
ESD保护
测试条件
人体模型
机器型号
带电器件模型
典型值
2
200
1
单位
kV
V
kV
4
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通用型，低电压，低功耗，轨至轨输出
运算放大器
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2.7 -V电气特性
T
A
= 25 ° C，V
CC+
= 2.7 V, V
CC
= 0 V, V
IC
= 1 V, V
O
= V
CC+
/ 2，和R
L
＆ GT ;
1兆欧（除非另有
说明）
参数
VIO
α
VIO
IIB
IIO
CMRR
kSVR
VICR
VO
输入失调电压
平均气温
对COEF网络cient
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
共模
抑制比
电源电压
抑制比
共模
输入电压范围
输出摆幅
0
≤
维克
≤
1.7 V
2.7 V
≤
VCC +
≤
5 V ，VIC = 1 V ， VO = 1 V
CMRR
≥
50分贝
高层
RL = 100 kΩ到1.35 V
LPV321§
ICC
SR
GBW
F
m
电源电流
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
Vn
In
等效输入
噪声电压
等效输入
噪声电流
CL = 22 pF的（见注5 ）
CL = 22 pF的（见注5 ）
CL = 22 pF的（见注5 ）
F = 1千赫
F = 1千赫
LPV358 （两个放大器） §
LPV324 （所有四个放大器）
低层
50
50
0至1.7
VCC + - 0.100
测试条件
民
TYP
1.2
4
1.7
0.6
70
65
-0.2 1.9
VCC + - 0.003
0.080
4
8
16
0.1
205
71
11
178
0.5
50
40
最大
7
单位
mV
毫伏/°C的
nA
nA
dB
dB
V
V
0.180
8
16
24
mA
V / ms的
千赫
度
dB
纳伏/赫兹÷
PA / ÷赫兹
所有典型值是在VCC = 2.7 V ， TA = 25 ℃。
指定数是正和负转换速率越慢。
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推荐型号
LM555CMM
LH4200G
LQR2W681MSEC
LM377N
LI0201B800R-10
LTC2471CMSTRPBF
LANE515ND1.2
LS200-5
LTC1530C
LM3702YBBP-308
LN9705PR
LDB215G2520C-001
LTC4306CUFD
LT5571EUF
LM305H/B+
LTC1196-1BCS8
L10C11IM20
LT1187MJ8
LM8063
LM2576WT
供货商
型号
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批号
数量
封装
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    深圳市壹芯创科技有限公司
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    LPV321IDBVR
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电话：0755-83679110 0755-23125986
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