P
包装运输
L
OW
N
OISE
pHEMT制
特点
0.7分贝噪声系数为12 GHz的
12分贝相关的增益为12 GHz的
0.6分贝噪声系数在2GHz
14分贝相关的增益在2 GHz
低DC功耗
LPS200P70
说明与应用
该LPS200P70是封装铝砷化镓/铟镓砷化物
（铝镓砷/铟镓砷）假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用一
电子束直写0.25
m
200
m
肖特基势垒门。凹“蘑菇”
钛/铂/金栅结构最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。在外延结构
和处理已被优化用于高动态范围。该LPS200的活跃地区
钝化与思
3
N
4
和P70陶瓷封装是理想的低成本，高性能的
应用程序需要的表面贴装封装。
典型的应用包括低噪声接收机前置放大器用于商业应用，包括
蜂窝/ PCS系统和宽带商用仪器。
电气规格@ T
环境
= 25°C*
°
参数
饱和漏源电流**
噪声系数
最低NF相关的增益
跨
栅极 - 源极漏电流
符号
I
DSS
NF
G
A
G
M
I
GSO
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 25% I
DSS
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -3 V
-0.25
10.5
60
民
15
0.7
12
80
1
-0.8
15
-1.5
典型值
最大
50
1.3
单位
mA
dB
dB
mS
A
V
捏-O FF电压
V
P
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 1毫安
*频率= 12千兆赫，除非另有说明
**原名分级为： LPS200P70-1 = 15-30 mA和LPS200P70-2 = 31-50毫安
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/20/01
电子邮件：
sales@filss.com
P
包装运输
L
OW
N
OISE
pHEMT制
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
总功耗
注意事项：
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
测试条件
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
—
T
环境
= 22
±
3
°C
-65
民
最大
4
-2
I
DSS
2
50
175
175
300
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
mW
LPS200P70
经营超过绝对最大额定值条件下可能导致器件的永久性损坏。
功耗定义为：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中，
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
绝对最大功耗要降额如下高于25 ° C：
P
合计
= 300mW的 - （ 3.5MW / ° C）控制x T
HS
其中T
HS
=散热器或环境温度。
这PHEMT是容易受到静电放电的破坏。处理这些的时候适当的预防措施，应使用
设备。
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。这些装置应被视为1A类（ 0-500 Ⅴ） 。在ESD控制的更多信息
措施可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。
应用说明&设计数据
应用笔记，可以从当地的费尔多尼克销售代表或直接从
工厂。完整的设计数据，包括S参数，噪声数据，信号和大信号模型
可在费尔多尼克网站。
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/20/01
电子邮件：
sales@filss.com
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