光电二极管硅PIN LED灯
包装尺寸为
LPD3330
系列
描述
该LPD3330系列硅平面
P / N光电二极管的塑料结合
包，同时作为
过滤和也透明红外
发射自己的终端焊接
翼片设置在2.54毫米中心到中心
间距，由于其设计的二极管
可垂直于PC板组装
阵列可以由多个实现
配置多功能光电探测器是
适合于二极管以及伏打电池
工作中的信号噪声比
即使在低的特别有利
照度P / N光电二极管
出色的低结电容
高截止频率和快速开关
次。
它们特别适合于红外
声音传输和远程控制
LPD3330光电二极管的阴极是
标记的包装上的冲压
EDGE
5.0
5.9
7.6
8.6
1.5MAX
□
0.5
典型值
25.0MIN
2.54TYP
1.0MIN
注： 1.所有尺寸以毫米为单位的公差
±
0.25除非另有说明
2.Specifications如有变更，恕不另行通知
最大额定值（ TA = 25
℃
)
特征
反向击穿电压
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
BR
PD
TOPR
TSTG
等级
30
150
NIT
V
mW
-
30
﹣
+60
-
40
﹣
+60
℃
℃
电气特性AT （ TA =
℃
)
特征
暗电流
短路电流
符号
I
D
ISC
测试条件
V
R
=10V
Ee=0mW/c㎡
V
R
=5V
λ
P
=940nm
Ee=0.5mW/c㎡
民
－
1.5
典型值
1.0
2.0
最大
30
－
单位
nA
uA
开路电压
总电容
最高灵敏度的峰值波长
上升时间，下降时间
DOC.NO
:
QW0905-LPD3330
VOC
C
T
λ
P
=940nm
Ee=0.5mW/c㎡
V
R
= 3V F = 1MHZ EE = 0mW / C㎡
_
－
－
350
20
940
50
－
－
－
－
mV
pF
nm
ns
λ
SMAX
TR ， TF
V
R
± 10V
L
=1KΩ
REV ： B
－
日期： 17
-
八月
- 2005
光电二极管硅PIN LED灯
包装尺寸为
LPD3330
系列
描述
该LPD3330系列硅平面
P / N光电二极管的塑料结合
包，同时作为
过滤和也透明红外
发射自己的终端焊接
翼片设置在2.54毫米中心到中心
间距，由于其设计的二极管
可垂直于PC板组装
阵列可以由多个实现
配置多功能光电探测器是
适合于二极管以及伏打电池
工作中的信号噪声比
即使在低的特别有利
照度P / N光电二极管
出色的低结电容
高截止频率和快速开关
次。
它们特别适合于红外
声音传输和远程控制
LPD3330光电二极管的阴极是
标记的包装上的冲压
EDGE
5.0
5.9
7.6
8.6
1.5MAX
□
0.5
典型值
25.0MIN
2.54TYP
1.0MIN
注： 1.所有尺寸以毫米为单位的公差
±
0.25除非另有说明
2.Specifications如有变更，恕不另行通知
最大额定值（ TA = 25
℃
)
特征
反向击穿电压
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
BR
PD
TOPR
TSTG
等级
30
150
NIT
V
mW
-
30
﹣
+60
-
40
﹣
+60
℃
℃
电气特性AT （ TA =
℃
)
特征
暗电流
短路电流
符号
I
D
ISC
测试条件
V
R
=10V
Ee=0mW/c㎡
V
R
=5V
λ
P
=940nm
Ee=0.5mW/c㎡
民
－
1.5
典型值
1.0
2.0
最大
30
－
单位
nA
uA
开路电压
总电容
最高灵敏度的峰值波长
上升时间，下降时间
DOC.NO
:
QW0905-LPD3330
VOC
C
T
λ
P
=940nm
Ee=0.5mW/c㎡
V
R
= 3V F = 1MHZ EE = 0mW / C㎡
_
－
－
350
20
940
50
－
－
－
－
mV
pF
nm
ns
λ
SMAX
TR ， TF
V
R
± 10V
L
=1KΩ
REV ： B
－
日期： 17
-
八月
- 2005
光电二极管硅PIN LED灯
包装尺寸为
LPD3330
系列
描述
该LPD3330系列硅平面
P / N光电二极管的塑料结合
包，同时作为
过滤和也透明红外
发射自己的终端焊接
翼片设置在2.54毫米中心到中心
间距，由于其设计的二极管
可垂直于PC板组装
阵列可以由多个实现
配置多功能光电探测器是
适合于二极管以及伏打电池
工作中的信号噪声比
即使在低的特别有利
照度P / N光电二极管
出色的低结电容
高截止频率和快速开关
次。
它们特别适合于红外
声音传输和远程控制
LPD3330光电二极管的阴极是
标记的包装上的冲压
EDGE
5.0
5.9
7.6
8.6
1.5MAX
□
0.5
典型值
25.0MIN
2.54TYP
1.0MIN
注： 1.所有尺寸以毫米为单位的公差
±
0.25除非另有说明
2.Specifications如有变更，恕不另行通知
最大额定值（ TA = 25
℃
)
特征
反向击穿电压
功耗
工作温度
储存温度
符号
V
BR
PD
TOPR
TSTG
等级
30
150
NIT
V
mW
-
30
﹣
+60
-
40
﹣
+60
℃
℃
电气特性AT （ TA =
℃
)
特征
暗电流
短路电流
符号
I
D
ISC
测试条件
V
R
=10V
Ee=0mW/c㎡
V
R
=5V
λ
P
=940nm
Ee=0.5mW/c㎡
民
－
1.5
典型值
1.0
2.0
最大
30
－
单位
nA
uA
开路电压
总电容
最高灵敏度的峰值波长
上升时间，下降时间
DOC.NO
:
QW0905-LPD3330
VOC
C
T
λ
P
=940nm
Ee=0.5mW/c㎡
V
R
= 3V F = 1MHZ EE = 0mW / C㎡
_
－
－
350
20
940
50
－
－
－
－
mV
pF
nm
ns
λ
SMAX
TR ， TF
V
R
± 10V
L
=1KΩ
REV ： B
－
日期： 17
-
八月
- 2005
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