H
室内运动场
P
ERFORMANCE
pHEMT制
特点
21 dBm的输出功率在1dB
压缩在18 GHz的
12分贝功率增益为18 GHz的
1.0分贝噪声系数在18 GHz的
55％的功率附加效率
LPD200
门
BOND
PAD （2X）
漏
BOND
PAD （2X）
来源
BOND
PAD （2X）
DIE SIZE ： 12.6X10.2mils （ 320x260
m)
管芯厚度： 3.9密耳（ 100
m)
焊盘： 3.3X2.6密耳（ 85x65
m)
说明与应用
该LPD200是一个铝镓砷/铟镓砷化物（
铝镓砷/铟镓砷）
假晶高电子迁移率晶体管（ PHEMT ） ，利用电子束指示按
写0.25
m
200
m
肖特基势垒门。凹“蘑菇”栅结构最小化
寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延结构和处理已经
用于高动态范围进行优化。该LPD200还具有硅
3
N
4
钝化是可用
各种套餐，如陶瓷P70和其它塑料封装。
典型应用包括低噪声，宽带放大器使用。
电气规格@ T
环境
= 25°C
参数
饱和漏源电流
功率在1dB压缩
功率增益1dB压缩
功率附加英法fi效率
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
热敏电阻
频率= 18 GHz的
符号
I
DSS
P-1dB
G-1dB
PAE
I
最大
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
Θ
JC
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 5 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 2 V; V
GS
= 1 V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 1毫安
I
GS
= 1毫安
I
GD
= 1毫安
-0.25
-6
-8
50
民
40
19
11
典型值
60
21
12.5
55
125
70
1
-0.8
-7
-9
260
10
-1.5
最大
85
单位
mA
DBM
dB
%
mA
mS
A
V
V
V
° C / W
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/22/01
电子邮件：
sales@filss.com
H
室内运动场
P
ERFORMANCE
pHEMT制
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
总功耗
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
测试条件
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
—
T
环境
= 22
±
3
°C
-65
民
最大
8
-3
2xI
DSS
10
100
175
175
550
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
mW
LPD200
注意事项：
经营超过绝对最大额定值条件下可能导致器件的永久性损坏。
功耗定义为：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中，
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
绝对最大功耗要降额如下高于25 ° C：
P
合计
= 550MW - （ 3.7mW / ° C）控制x T
HS
其中T
HS
=散热器或环境温度。
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。这些装置应被视为1A类（ 0-500 Ⅴ） 。在ESD控制的更多信息
措施可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。
装配说明
推荐的芯片附着是在氮气氛下金/锡共晶焊料。舞台
温度应为280-290 ℃;在该温度下的最大时间为一分钟。推荐
引线键合方法是用0.7或1.0密耳（ 0.018或0.025毫米）热压楔焊
金线。阶段的温度应该是250-260 ℃。
应用说明&设计数据
应用笔记，可以从当地的费尔多尼克销售代表或直接从
工厂。完整的设计数据，包括S参数，噪声数据，信号和大信号模型
可在费尔多尼克网站。
所有信息和规格如有变更，恕不另行通知。
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
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修改后：
1/22/01
电子邮件：
sales@filss.com
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