LPC662低功耗CMOS双路运算放大器
1998年3月
LPC662
低功耗CMOS双路运算放大器
概述
该LPC662 CMOS双运算放大器是理想的
操作采用单电源供电。它具有广泛的
从+ 5V的工作电压为+ 15V ,轨到轨输出摆幅
除了输入共模范围,其包括
地面上。一直困扰CMOS的性能限制
在过去放大器不是这种设计的一个问题。在 -
把V
OS
,漂移和宽带噪声和电压增益
(为100 kΩ和5 kΩ的)都等于或大于普遍好
接受双极当量,而电源再
quirement通常小于0.5毫瓦。
该芯片是建立与美国国家半导体的先进的双聚
硅栅CMOS工艺。
看到LPC660数据表的四CMOS运算
放大器和LPC661为单一CMOS运算扩增
费里与这些相同的特性。
n
n
n
n
n
长期积分
高阻抗前置放大器
有源滤波器
采样和保持电路
峰值检波器
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
轨到轨输出摆幅
微功耗工作(
& LT ;
0.5毫瓦)
指定为100 kΩ和5 kΩ的负载
高电压增益
120分贝
低输入偏移电压
3毫伏
低失调电压漂移
1.3 μV /℃
超低输入偏置电流
2发
输入共模包括GND
经营范围为+ 5V至+ 15V
低失真
在1kHz 0.01%
压摆率
0.11 V / μs的
可整个军用温度范围
应用
n
高阻抗缓冲
n
高精度电流电压转换器
接线图
8引脚DIP / SO
DS010548-1
顶视图
订购信息
包
8-Pin
侧面钎焊
陶瓷DIP
8-Pin
小尺寸
8-Pin
模压DIP
8-Pin
陶瓷DIP
1999美国国家半导体公司
DS010548
www.national.com
温度范围
军事
LPC662AMD
产业
NSC
制图
D08C
运输
媒体
轨
LPC662AIM
或LPC662IM
LPC662AIN
或LPC662IN
LPC662AMJ/883
M08A
N08E
J08A
轨
磁带和卷轴
轨
轨
绝对最大额定值
(注3)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
差分输入电压
电源电压(V
+
V
)
输出短路到V
+
输出短路到V
焊接温度
(焊接, 10秒)
储存温度。范围
结温
ESD额定值
( C = 100 pF的, R = 1.5千欧)
功耗
目前,在输入引脚
目前,在输出引脚
目前在电源引脚
电压输入/输出引脚
35毫安
(V ) + 0.3V, (V ) 0.3V
+
工作额定值
(注3)
温度范围
LPC662AMJ/883
LPC662AM
LPC662AI
LPC662I
供应范围
功耗
热阻( θ
JA
) (注10 )
8引脚陶瓷DIP
8引脚DIP成型
8引脚SO
8引脚侧面钎焊陶瓷DIP
55C
≤
T
J
≤
+125C
55C
≤
T
J
≤
+125C
40C
≤
T
J
≤
+85C
40C
≤
T
J
≤
+85C
4.75V至15.5V
(注9 )
100C/W
101C/W
165C/W
100C/W
±
电源电压
16V
(注11 )
(注1 )
260C
-65 ° C至+ 150°C
150C
1000V
(注2 )
±
5毫安
±
18毫安
DC电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= 2.5V和R
L
& GT ;
1M除非另有规定。
LPC662AM
参数
条件
典型值
LPC662AMJ/883
极限
(注4,8)
输入失调电压
输入失调电压
平均漂移
输入偏置电流
输入失调电流
输入阻抗
共模
抑制比
正电源。
抑制比
负电源
抑制比
输入共模
电压范围
V = 5V和15V
对于CMRR
≥
50分贝
V 1.9
大信号
电压增益
R
L
= 100 kΩ的(注5 )
采购
下沉
R
L
= 5kΩ的(注5)
采购
下沉
250
500
1000
1000
+
+
+
+
LPC662AI
极限
(注4 )
3
3.3
LPC662I
极限
(注4 )
6
6.3
mV
最大
μV/°C
单位
1
1.3
0.002
0.001
3
3.5
20
100
20
100
2
70
68
70
68
84
83
0.1
0
V 2.3
V 2.5
400
300
180
120
200
160
100
60
+
+
+
+
pA
4
4
2
63
61
63
61
74
73
0.1
0
V 2.3
V 2.5
300
200
90
70
100
80
50
40
最大
pA
最大
TERA
dB
民
dB
民
dB
民
V
最大
V
民
V / MV
民
V / MV
民
V / MV
民
V / MV
民
& GT ;
1
0V
≤
V
CM
≤
12.0V
V
+
= 15V
5V
≤
V
≤
15V
V
O
= 2.5V
+
83
83
94
0.4
70
68
70
68
84
82
0.1
0
V 2.3
V 2.6
400
250
180
70
200
150
100
35
0V
≤
V
≤
10V
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2
AC电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= 2.5V和R
L
& GT ;
1M除非另有规定。
LPC662AM
参数
条件
典型值
LPC662AMJ/883
极限
(注4,8)
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
安培到隔离放大器
输入参考电压噪声
输入参考噪声电流
总谐波失真
(注7 )
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫,A
V
= 10, V
+
= 15V
R
L
= 100 kΩ的,V
O
= 8 V
PP
(注6 )
0.11
0.35
50
17
130
42
0.0002
0.01
%
0.07
0.04
0.07
0.05
0.05
0.03
V / μs的
民
兆赫
度
dB
dB
LPC662AI
极限
(注4 )
LPC662I
极限
(注4 )
单位
注1 :
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度和/或多个运算放大器短裤连续短路操作
可以导致超过150℃的最大允许结温。输出电流超过
±
30毫安在长期可能会产生不利影响的可靠性。
注2 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
,
θ
JA
和叔
A
。任何环境温度下的最大允许功耗为:P
D
= (T
J(下最大)
T
A
)/θ
JA
.
注3 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备得到更好地条件
往往是功能性的,但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注4 :
限制由测试或相关保证。
注5 :
V
+
= 15V, V
CM
= 7.5V和R
L
连接到7.5V 。对于采购的测试, 7.5V
≤
V
O
≤
11.5V 。对于下沉试验, 2.5V
≤
V
O
≤
7.5V.
注6 :
V
+
= 15V 。接成电压跟随器, 10V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
注7 :
输入参考。 V
+
= 15V和R
L
= 100 kΩ的连接到V
+
/ 2 。每安培兴奋依次用1千赫兹以产生V
O
= 13 V
PP
.
注8 :
军事RETS电气测试规格可根据要求提供。在印刷时, LPC662AMJ / 883 RETS规格全面遵守的
粗体
在此列的限制。该LPC662AMJ / 883也可以购买到标准军用图纸规范。
注9 :
对于在升高的温度下操作的设备必须基于热敏电阻降额
θ
JA
与P
D
= (T
J
T
A
)/θ
JA
.
注10 :
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注11 :
不要输出连接到V
+
当V
+
大于13V或可靠性可能受到不利影响。
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