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LPC660低功耗CMOS四路运算放大器
1998年3月
LPC660
低功耗CMOS四路运算放大器
概述
该LPC660 CMOS四路运算放大器是理想的
操作采用单电源供电。它具有广泛的
从+ 5V的工作电压为+ 15V和特点轨至轨
到输入共模范围输出摆幅除
包括地上。具有性能限制
在过去的困扰的CMOS放大器不是一个问题
这样的设计。输入V
OS
,漂移和宽带噪声以及
电压增益(为100 kΩ和5千欧)都等于或更好
较广泛接受的双极当量,而电源
供应的需求通常小于1mW 。
该芯片是建立与美国国家半导体的先进的双聚
硅栅CMOS工艺。
看到LPC662数据表的双CMOS运算
放大器和LPC661数据为单一CMOS操作
tional放大器,这些相同的功能。
n
n
n
n
n
长期积分
高阻抗前置放大器
有源滤波器
采样和保持电路
峰值检波器
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
轨到轨输出摆幅
微操作:
指定为100 kΩ和5 kΩ的负载
高电压增益:
低输入失调电压:
低失调电压漂移:
超低输入偏置电流:
输入共模包括V
经营范围为+ 5V至+ 15V
低失真:
压摆率:
整个军用温度。可用范围
( 1毫瓦)
120分贝
3毫伏
1.3 μV /℃
2发
应用
n
高阻抗缓冲
n
高精度电流电压转换器
在1kHz 0.01%
0.11 V / μs的
接线图
14引脚DIP / SO
DS010547-1
顶视图
1999美国国家半导体公司
DS010547
www.national.com
订购信息
14-Pin
侧面钎焊
陶瓷DIP
14-Pin
小尺寸
14-Pin
模压DIP
14-Pin
陶瓷DIP
LPC660AMJ/883
LPC660AIM
或LPC660IM
LPC660AIN
或LPC660IN
J14A
N14A
M14A
磁带和卷轴
温度范围
军事
LPC660AMD
产业
NSC
制图
D14E
运输
媒体
www.national.com
2
绝对最大额定值
(注3)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
差分输入电压
电源电压(V
+
V
)
输出短路到V
+
输出短路到V
焊接温度
(焊接, 10秒)
储存温度。范围
结温(注2 )
ESD额定值
( C = 100 pF的, R = 1.5千欧)
功耗
目前,在输入引脚
目前,在输出引脚
电压输入/输出引脚
目前在电源引脚
(V
+
) + 0.3V, (V
) 0.3V
35毫安
工作额定值
(注3)
温度范围
LPC660AM
LPC660AI
LPC660I
供应范围
功耗
热阻( θ
JA
) , (注10 )
14引脚陶瓷DIP
14引脚DIP成型
14引脚SO
14引脚侧面钎焊陶瓷DIP
55C
T
J
+125C
40C
T
J
+85C
40C
T
J
+85C
4.75V至15.5V
(注9 )
90C/W
85C/W
115C/W
90C/W
±
电源电压
16V
(注11 )
(注1 )
260C
-65 ° C至+ 150°C
150C
1000V
(注2 )
±
5毫安
±
18毫安
DC电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= 2.5V ,且R
L
& GT ;
1M除非另有规定。
参数
条件
典型值
LPC660AM
LPC660AMJ/883
极限
(注4,8)
输入失调电压
输入失调电压
平均漂移
输入偏置电流
输入失调电流
输入阻抗
共模
抑制比
正电源。
抑制比
负电源
抑制比
输入共模
电压范围
V = 5V 15V &
对于CMRR
& GT ;
50分贝
V 1.9
大信号
电压增益
R
L
= 100 kΩ的(注5 )
采购
下沉
R
L
= 5kΩ的(注5)
采购
下沉
250
500
1000
1000
+
+
+
+
LPC660AI
极限
(注4 )
3
3.3
LPC660I
极限
(注4 )
6
6.3
单位
1
1.3
0.002
0.001
3
3.5
mV
最大
μV/°C
20
100
20
100
2
70
68
70
68
84
83
0.1
0
V 2.3
V 2.5
400
300
180
120
200
160
100
60
+
+
+
+
pA
4
4
2
63
61
63
61
74
73
0.1
0
V 2.3
V 2.5
300
200
90
70
100
80
50
40
最大
pA
最大
TERA
dB
dB
dB
V
最大
V
V / MV
V / MV
V / MV
V / MV
& GT ;
1
0V
V
CM
12.0V
V
+
= 15V
5V
V
15V
+
83
83
94
0.4
70
68
70
68
84
82
0.1
0
V 2.3
V 2.6
400
250
180
70
200
150
100
35
0V
V
10V
3
www.national.com
DC电气特性
参数
条件
(续)
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= 2.5V ,且R
L
& GT ;
1M除非另有规定。
典型值
LPC660AM
LPC660AMJ/883
极限
(注4,8)
输出摆幅
V = 5V
R
L
= 100 kΩ到V
+
/2
+
LPC660AI
极限
(注4 )
4.970
4.950
0.030
0.050
4.850
4.750
0.150
0.250
14.920
14.880
0.030
0.050
14.680
14.600
0.220
0.300
16
14
16
14
28
25
28
24
200
230
LPC660I
极限
(注4 )
4.940
4.910
0.060
0.090
4.750
4.650
0.250
0.350
14.880
14.820
0.060
0.090
14.580
14.480
0.320
0.400
13
11
13
11
23
20
23
19
240
270
单位
4.987
0.004
4.970
4.950
0.030
0.050
4.850
4.750
0.150
0.250
14.920
14.880
0.030
0.050
14.680
14.600
0.220
0.300
16
12
16
12
19
19
19
19
200
250
V
V
最大
V
V
最大
V
V
最大
V
V
最大
mA
mA
mA
mA
A
最大
V = 5V
R
L
= 5 kΩ到V
+
/2
+
4.940
0.040
V = 15V
R
L
= 100 kΩ到V
+
/2
+
14.970
0.007
V
+
= 15V
R
L
= 5 kΩ到V
+
/2
14.840
0.110
输出电流
V
+
= 5V
采购,V
O
= 0V
下沉,V
O
= 5V
22
21
40
39
160
输出电流
V
+
= 15V
采购,V
O
= 0V
下沉,V
O
= 13V
(注11 )
电源电流
所有四个放大器
V
O
= 1.5V
www.national.com
4
AC电气特性
除非另有说明,所有参数保证对于T
J
= 25C.
粗体
限制适用于极端温度。 V
+
= 5V, V
= 0V, V
CM
= 1.5V, V
O
= 2.5和R
L
& GT ;
1M除非另有规定。
参数
条件
典型值
LPC660AM
LPC660AMJ/883
极限
(注4,8)
压摆率
增益带宽积
相位裕度
增益裕度
安培到隔离放大器
输入参考电压噪声
输入参考噪声电流
总谐波失真
(注7 )
F = 1千赫
F = 1千赫
F = 1千赫,A
V
= 10
R
L
= 100 kΩ的,V
O
= 8 V
PP
(注6 )
0.11
0.35
50
17
130
42
0.0002
0.01
%
0.07
0.04
极限
(注4 )
0.07
0.05
极限
(注4 )
0.05
0.03
V / μs的
兆赫
dB
dB
LPC660AI
LPC660I
单位
注1 :
适用于单电源和分离电源工作。在升高的环境温度和/或多个运算放大器短裤连续短路操作
可以导致超过150℃的最大允许结温。输出电流超过
±
30毫安在长期可能会产生不利影响的可靠性。
注2 :
最大功耗为T的函数
J(下最大)
,
θ
JA
和T
A
。在任何环境温度下的最大允许功耗为:P
D
=
(T
J(下最大)
–T
A
JA
.
注3 :
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备得到更好地条件
往往是功能性的,但不保证特定的性能极限。关于规范保证和测试环境,请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。
注4 :
限制由测试或相关保证。
注5 :
V
+
= 15V, V
CM
= 7.5V和R
L
连接到7.5V 。对于采购的测试, 7.5V
V
O
11.5V 。对于下沉试验, 2.5V
V
O
7.5V.
注6 :
V
+
= 15V 。接成电压跟随器, 10V阶跃输入。指定的数目是正和负转换速率越慢。
注7 :
输入参考。 V
+
= 15V和R
L
= 100 kΩ的连接到V
+
/ 2 。每安培兴奋依次用1千赫兹以产生V
O
= 13 V
PP
.
注8 :
军事RETS电气测试规格可根据要求提供。在印刷时, LPC660AMJ / 883 RETS规格全面遵守的
粗体
在此列的限制。该LPC660AMJ / 883也可以购买到标准军用图纸规范。
注9 :
对于在升高的温度下操作,该设备必须基于热敏电阻降额
θ
JA
与P
D
= (T
J
–T
A
)/θ
JA
.
注10 :
所有的数字应用直接焊接到印刷电路板的包。
注11 :
不要输出连接到V
+
当V
+
大于13V或可靠性可能受到不利影响。
典型性能特性
电源电流
与电源电压
V
S
=
±
7.5V ,T
A
= 25 ° C除非另有说明
共模电压
范围与温度
输入偏置电流
与温度
DS010547-27
DS010547-28
DS010547-29
5
www.national.com
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LPC660AIN
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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电话:0755- 82519391 0755-83209630
联系人:李林
地址:深圳市福田区华强北电子科技大夏A座36楼C09
LPC660AIN
NS
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DIP
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电话:010-62962871、62104931、 62106431、62104891、62104791
联系人:刘经理
地址:北京市海淀区中关村大街32号和盛嘉业大厦10层1008
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电话:0755-22655674/15099917285
联系人:小邹
地址:深圳市福田区上步工业区201栋西座228室
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电话:0755-83258002
联系人:林
地址:门市: 新华强广场2楼Q2B036室 | 公司: 深圳市福田区华强北路赛格广场58楼5813室
LPC660AIN
N
N/A
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102室
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电话:0755-82780082
联系人:朱先生
地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层
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电话:0755-83035139
联系人:陈小姐
地址:深圳市福田区福华路29号京海花园16G(深圳市华美锐科技有限公司)
LPC660AIN
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地址:深圳市福田区航都大厦17F1
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