LP8900超低噪声，双通道200mA线性稳压器，用于射频/模拟电路
2009年2月11日
LP8900
超低噪声，双通道200mA线性稳压器，用于RF /
模拟电路
概述
该LP8900是能够供给一个双重的线性稳压器
200毫安每个稳压器的输出电流。专为满足
射频/模拟电路的要求， LP8900提供低
器件噪声，高PSRR ，低静态电流和卓越
线路瞬态响应的数字。
采用新的创新设计技术的LP8900报价
同级领先的设备噪声性能无噪音副产品
通电容。
该LP8900被设计成稳定的节省空间
陶瓷电容小0402外壳尺寸，使得
解决方案尺寸<4毫米
2
.
性能被指定为-40 ° C至125 ° C的结
温度范围。
输出电压选项为1.2V和3.6V之间，
可用性，请联系您当地的NSC销售办事处。
特点
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操作从1.8V至5.5V输入
1 ％的准确度温度
输出电压从1.2V到3.6V
6V
RMS
输出电压噪声
PSRR 75分贝在1kHz
仅为110mV压差在200mA的电流
每个稳压器48μA静态电流
为80μs启动时间
稳定的陶瓷电容小0402
热过载和短路保护
包
■
6引脚微型SMD （ 1.5毫米X 1.1毫米）
应用
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■
■
电池供电设备
手持式信息设备
噪声敏感的RF应用
DC / DC转换器后稳压器/滤波器
典型应用电路
30039302
2009美国国家半导体公司
300393
www.national.com
LP8900
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
, V
OUT
引脚：电压GND
-0.3 6.5V
V
EN
：电压GND
-0.3 （V
IN
+ 0.3V ）至6.5V
（最大）
结温
150°C
铅/垫温度。 （注3）
微型SMD
260°C
储存温度
-65 ℃150℃
连续功率耗散
内部限制
（注4 ）
静电放电（注5）
人体模型
2KV
机器型号
200V
工作额定值
（注1 ）
1.8 5.5V
200mA
-40°C至125°C
-40 ° C至85°C
输入电压范围
推荐负载电流每
通道
结温
环境温度T
A
范围
（注6 ）
热性能
结到环境的热
电阻（注7 ）
θ
JA
JEDEC董事会
（注8）
θ
JA
4层板
（注1 ）
108°C/W
172°C/W
电气特性
除非另有说明，V
EN
=1.2V, V
IN
= V
OUT
+ 0.5V ，或1.8V ，以较高者为准，其中V
OUT
为V的较高
OUT1
和
V
OUT2.
C
IN
= C
OUT
= 1μF ，我
OUT
= 1.0毫安。
典型值和限制出现在普通型适用于对于T
A
= 25℃。出现在极限
粗体
则适用于全部结
操作温度范围-40至+ 125°C 。 （注9 ）
符号
V
IN
ΔV
OUT
参数
输入电压
输出电压容差
（注10 ）
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V至5.5V
I
负载
= 1毫安
V
IN
= 1.8V至5.5V
I
负载
= 1mA时， V
OUT
= 1.2V
线路调整错误
负载调节误差
V
DO
输入输出电压差（注11 ）
I
OUT
= 200毫安
I
负载
I
Q
负载电流
静态电流
（注12 ）
V
EN1
= 1.2V, V
EN2
= 0V我
OUT
= 0毫安
V
EN1
= 1.2V, V
EN2
= 1.2V我
OUT
= 0毫安
V
EN1
= 1.2V, V
EN2
= 1.2V我
OUT
= 200毫安
V
EN
≤
0.4V
I
SC
PSRR
短路电流限制
电源抑制比
（注14 ）
V
IN
= 3.6V （注13 ）
F = 1kHz时，我
OUT
= 200毫安
F = 10kHz时，我
OUT
= 200毫安
F = 100kHz时，我
OUT
= 200毫安
F = 1MHz时，我
OUT
= 200毫安
BW = 10Hz到
I
OUT
= 0毫安
100kHz,
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= 4.2V ，C
OUT
=
I
OUT
= 200毫安
1.0F
温度
迟滞
www.national.com
4
条件
典型值
极限
民
1.8
-1.0
-2.25
最大
5.5
1.0
2.25
单位
V
%
%
%/V
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V至5.5V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1mA至200毫安
V
OUT
= 3.6V
V
OUT
= 2.8V
V
OUT
= 1.8V
0.05
4
55
110
185
0
48
85
210
0.003
600
75
65
45
30
6
10
6
155
15
1.0
900
9
82
164
260
200
120
200
mV
mV
mA
A
mA
dB
e
n
输出噪声电压（注14 ）
V
RMS
T
关闭
热关断
°C
LP8900
电气特性续。
除非另有说明，V
EN
=1.2V, V
IN
= V
OUT
+ 0.5V ，或1.8V ，以较高者为准，其中V
OUT
为V的较高
OUT1
和
V
OUT2.
C
IN
= C
OUT
= 1μF ，我
OUT
=为1mA。
典型值和限制出现在普通型适用于对于T
A
= 25℃。出现在极限
粗体
则适用于全部结
操作温度范围-40至+ 125°C 。 （注9 ）
符号
参数
条件
典型值
极限
民
最大
单位
使能控制特性
I
EN
V
IL
V
IH
T
ON
T
关闭
最大输入电流
V
EN
输入（注15 ）
低输入阈值
高输入阈值
启动时间
关闭时间
V
EN
= 0V, V
IN
= 5.5V
V
EN
= V
IN
= 5.5V
V
IN
= 1.8V至5.5V
V
IN
= 1.8V至5.5V
到95％程度
V
OUT （ NOM ）
Ⅴ的5％的
OUT （ NOM ） ，
I
OUT
= 0毫安
1.2
0.003
4
0.4
A
V
V
时序\\暂态特性（注
14)
80
0.4
1
80
70
0
1
200
1
s
ms
mV
（峰 - 峰）
mV
%
线路瞬态响应| δV
OUT
| T
上升
= T
秋天
= 30s
δV
IN
= 600mV的
短暂
响应
负载瞬态响应| δV
OUT
| T
上升
= T
秋天
= 1μs的我
OUT
= 1 mA至200毫安
I
OUT
= 200毫安至1mA
过冲启动
注1 ：
绝对最大额定值是损害的界限，就可能发生。额定工作值是在何种条件下设备的操作
保证。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试环境，请参阅电气
特性表。
注2 ：
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注3 ：
有关这些包的更多信息，请参考以下应用笔记AN- 1112微型SMD晶圆级芯片尺寸封装。
注4 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。
注5 ：
人体模型是100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200pF的电容直接排入
每个引脚。
注6 ：
最高环境温度（T
A（最大值）
）是依赖于最大工作结温（T
J（下MAX- OP ）
= 125℃ ） ，其最大功率
该装置中的应用程序的耗散性（P
D（最大）
），以及结点到环境的部分/封装的热阻在应用程序（ θ
JA
），如由下式给出的
下面的公式：T已
A（最大值）
= T
J（下MAX- OP ）
- (θ
JA
× P
D（最大）
).
注7 ：
结到环境的热阻取决于应用和电路板布局。在应用中，高的最大功耗为
可能的话，必须特别注意支付给电路板设计的散热问题。
注8 ：
详情可在JESD61-7找到
注9 ：
所有参数均保证。具有室温的范围的所有的电气特性在生产过程中在T测试
J
= 25℃或相关使用
统计质量控制方法。工作在温度规格是由相关的电气特性进行处理，并保证
温度变化及统计过程控制。
注10 ：
最小输入电压= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V或1.8V ，取较大值。
注11 ：
差电压被输入和输出，当输出电压降低至100mV低于其标称值之间的电压差。这个参数是
仅适用于输出电压高于1.8V的规定。
注12 ：
该器件保持稳定的输出电压无负载。
注13 ：
短路电流测量V
OUT
拉到0V。
注14 ：
该电气规格为设计保证。
注15 ：
使能引脚有一个内部3MΩ典型的电阻连接到GND 。
注16 ：
该电容的容差应为30 ％或以上的温度更好。在整个操作条件下为应用程序应该在选择时，应考虑
一个合适的电容，以保证电容的最小值总是被满足。推荐的电容类型X7R或X5R 。 （见电容部分
应用提示）
推荐的电容容量规格
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
电容
（注16 ）
ESR
条件
典型值
1.0
1.0
极限
民
0.33
0.33
5
最大
10
4.7
500
m
单位
F
5
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