LP8556
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SNVS871B - 2012年7月 - 修订2012年9月
LP8556高效率LED背光驱动器，用于平板电脑
检查样品：
LP8556
1
特点
高效率DC / DC升压转换器
集成0.19Ω功率MOSFET和三
开关频率选项312 /一千二百五十〇分之六百二十五
千赫
2.7V至36V的升压开关输入电压范围
支持多节锂离子电池（ 2.7V - 20V
VDD输入范围）
7V至43V升压开关输出电压范围
支持少至3个WLED每系列
通道和多达12个
可配置的信道数（ 16）
每通道50毫安
PWM和/或I
2
亮度控制
相移PWM模式降低声音
噪音
自适应调光高等教育LED驱动
光效
可编程边沿速率控制和传播
频谱方案最大限度地降低开关噪声
并改善EMI性能
LED故障（短路/开路）检测， UVLO ， TSD ，
OCP和OVP （最多6个阈值选项）
可在微型20焊球， 1.715毫米X 2.376
毫米×0.6毫米，间距为0.4mm ， DSBGA包装，
和24垫4毫米x 4毫米× 0.8毫米为0.5mm
球场上， WQFN封装。
2
应用
平板液晶显示器LED背光
描述
LP8556是一个白光LED驱动器，具有异步升压转换器和六个高精度电流吸收器的
可以通过一个PWM信号或I被控制
2
C中间。
升压转换器采用自适应输出电压控制设定最佳的LED驱动器在电压低至7V
和高达43V 。此功能通过调节输出电压，以最低的最小的功率消耗
在所有条件下足够的水平。 312 ， 625和1250 ：该转换器可以在三个开关频率上工作
千赫硬性通过一个外部电阻或通过EPROM中的预配置。可编程转换速率控制和传播
频谱方案最大限度地降低开关噪声，提高了EMI性能。
LED电流吸收器可设置多达15位的PWM调光的分辨率。专有的自适应调光
模式允许更高的系统节电。此外，相移LED的PWM调光允许减少可听到的
噪音和更小的升压输出电容。
该LP8556拥有全套的安全功能，确保设备和外部组件的稳健运行。
该集包括输入欠压锁定，热关断，过电流保护，高达6层的过
过压保护，LED开路和短路检测。
该LP8556工作在-30 ° C至+ 85°C的环境温度范围。它采用节省空间的20
凹凸DSBGA和24片WQFN封装。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
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所有商标均为其各自所有者的财产。
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产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
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SNVS871B - 2012年7月 - 修订2012年9月
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典型用途
7V
±
43V
2.7V - 20V
V
IN
C
IN
C
OUT
L1
D1
1.1
” 9
OUT
/ V
IN
”
15
V
OUT
VDD
SW
EN / V
DDIO
1.62V
±
3.6V
C
VLDO
EN / VDDIO
VLDO
VBOOST
R
FSET
FSET
R
ISET
ISET
可选
LED1
LED2
LP8556
LED3
LED4
LED5
PWM
MCU
SDA
SCL
LED6
GNDS
典型应用（ 2 ）
7V
±
43V
2.7V - 36V
V
IN
C
IN
C
OUT
L1
D1
1.1
” 9
OUT
/ V
IN
”
15
V
OUT
V
DD
C
VDD
2.7V
±
20V
SW
VDD
VBOOST
EN / V
DDIO
1.62V
±
3.6V
C
VLDO
VLDO
R
FSET
FSET
R
ISET
ISET
可选
LED4
LED5
PWM
MCU
SDA
SCL
GNDS
LED6
LED2
EN / VDDIO
LED1
LP8556
LED3
2
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推荐电感的升压功率级
假设20毫安作为最大的LED每串和3.3V的最大LED正向电压电流。
LED数量
STRINGS
6
6
4
4
每升压输入电压LED数量
STRING
范围[V]的
6
8
10
12
2.7V - 4.4V
5.4V - 8.8V
2.7V - 4.4V
5.4V - 8.8V
5.4V - 8.8V
5.4V - 8.8V
电感L1 [ μH ]
f
SW
= 1250千赫
3.3
μH
- 6.8
μH
10
μH
- 22
μH
4.7
μH
- 10
μH
10
μH
- 22
μH
6.8
μH
- 22
μH
10
μH
- 22
μH
f
SW
= 625千赫
6.8
μH
- 15
μH
22
μH
- 47
μH
10
μH
- 15
μH
22
μH
- 68
μH
22
μH
- 47
μH
22
μH
- 47
μH
(1)
f
SW
= 312千赫
10
μH
- 33
μH
47
μH
- 100
μH
22
μH
- 33
μH
47
μH
- 100
μH
47
μH
- 100
μH
33
μH
- 100
μH
推荐的电容的升压和LDO功率级
开关频率[千赫]
1250
625
312
(1)
C
IN
[μF]
2.2
2.2
4.7
C
OUT
[μF]
4.7
4.7
10
C
VLDO
[μF]
10
10
10
的多层陶瓷电容器（ MLCC）的电容可以与所施加的直流电压显著变化。使用具有良好的电容
电容与直流叠加特性。一般情况下， MLCC在更大的封装具有较低的电容降额比实际更小
电容器。
连接图（ DSBGA ）
1
2
3
4
4
3
2
1
A
SW
GND
SW
SDA
SCL
SCL
SDA
GND
SW
SW
A
B
SW
GND
SW
PWM
EN
VDDIO
EN
VDDIO
PWM
GND
SW
SW
B
C
VDD
VBOOST
FSET
LED3
LED3
FSET
VBOOST
VDD
C
D
VLDO
ISET
GND
LED2
LED2
GND
ISET
VLDO
D
E
LED6
LED5
LED4
LED1
LED1
LED4
LED5
LED6
E
图1. 20焊球DSBGA包装 - 顶视图
见包装数YFQ0020
图2.底部视图
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3
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连接图（ WQFN ）
GND_SW
GND_SW
GND_SW
GND_SW
SDA
SCL
SDA
5
SW
引脚1号
6
EN / VDDIO
NC
PWM
GND
GND
LED1
7
8
9
10
11
12
13
LED2
5
4
3
2
1
24
23
22
21
20
19
GND
ISET
VDD
FSET
VBOOST
VLDO
GND
ISET
VDD
FSET
VBOOST
VLDO
24
23
22
21
20
19
1
SW
引脚1号
2
3
4
SCL
6
7
8
9
10
11
12
EN / VDDIO
NC
PWM
GND
GND
LED1
13
LED2
SW
SW
14
LED3
15
GND
16
LED4
17
LED5
18
LED6
18
LED6
17
LED5
16
LED4
15
GND
14
LED3
图3. 24引脚WQFN封装 - 顶视图
见包装数RTW0024A
图4.底部视图
4
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引脚说明
USMD
A1，B1
A2，B2
A3
A4
B3
B4
WQFN
1, 2
3, 4
5
6
9
7
名字
SW
GND_SW
SDA
SCL
PWM
EN / VDDIO
TYPE
(1)
A
G
I / O
I
I
P
描述
一个连接到集成功率MOSFET的漏极。
一个连接到集成功率MOSFET的源极。
I
2
C数据输入/输出引脚。
I
2
时钟输入引脚。
PWM调光输入。提供一个75赫兹到25千赫兹的PWM信号来控制
调光。该引脚必须连接到GND ，如果未使用。
两用引脚作为芯片使能和作为电源供应既
参考PWM ， SDA和SCL输入。驱动该引脚为逻辑
门可输出至少为1 mA的。
器件的电源引脚。提供2.7V至20V电源到该引脚。这
脚是内部LDO稳压器的输入。内部的输出
LDO是什么力量设备。
升压转换器的输出引脚。内部反馈（ FB ）和过
电压保护（ OVP ）电路监控该引脚上的电压。
连接转换器的输出电容器组靠近该引脚。
设置升压频率和PWM调光输出的连接
频率通过使用外部电阻器。连接一个电阻，R
FSET
,
该引脚与参考地之间（见
表5）。
该引脚可
悬空如果PWM_FSET_EN = 0 AND BOOST_FSET_EN = 0 （见
表9）。
LED驱动器 - 电流吸收端。如果未使用的，它可被悬空。
内部LDO输出引脚。连接一个电容，C
VLDO
，该引脚之间
和接地参考。
LED电流设定电阻器的连接。连接一个电阻，
R
ISET
，该引脚与参考地之间。该引脚可留
浮若ISET_EN = 0 （见
表9）。
接地引脚。
LED驱动器 - 电流吸收端。如果未使用的，它可被悬空。
LED驱动器 - 电流吸收端。如果未使用的，它可被悬空。
LED驱动器 - 电流吸收端。如果未使用的，它可被悬空。
LED驱动器 - 电流吸收端。如果未使用的，它可被悬空。
LED驱动器 - 电流吸收端。如果未使用的，它可被悬空。
无连接引脚。
C1
22
VDD
P
C2
20
VBOOST
A
C3
21
FSET
A
C4
D1
D2
D3
D4
E1
E2
E3
E4
-
(1)
14
19
23
10, 11, 15, 24,
DAP
13
18
17
16
12
8
LED3
VLDO
ISET
GND
LED2
LED6
LED5
LED4
LED1
NC
A
P
A
I
A
A
A
A
A
-
答：模拟引脚， G：接地引脚，P ：电源引脚， I：数字输入引脚， I / O ：数字输入/输出引脚
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
版权所有2012，德州仪器
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LP8556
5
QQ：2881677436 复制
