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polyfet射频器件
LP821
概述
硅VDMOS和LDMOS
晶体管专
宽带RF应用。
适合Militry收音机，
移动和寻呼放大器基地
站，广播FM / AM ， MRI ，
激光驱动器等。
"Polyfet"工艺特点
较低的反馈和输出电容
导致高F音
t
晶体管高
输入阻抗和高效率。
TM
硅栅增强型
RF功率LDMOS晶体管
10.0瓦单端
包装样式AP
高效率，线性
高增益，低噪声
o
绝对最大额定值（T = 25℃ ）
总
设备
耗散
50瓦
结到
热病例
阻力
o
3.40 C / W
最大
连接点
温度
o
200 C
存储
温度
o
o
-65 ℃150℃
直流漏
当前
漏
门
电压
36 V
漏
来源
电压
36 V
大门
来源
电压
20 V
5.0 A
射频特性（
符号
全球定位系统
参数
共源功率增益
漏EF网络效率
负载不匹配公差
民
12
55
典型值
10.0瓦的输出）
最大
单位
dB
%
20:1
测试条件
IDQ = 0.40 ， VDS =
12.5
V，F =
IDQ = 0.40 ， VDS =
12.5
V，F =
500
兆赫
500
兆赫
η
VSWR
相对IDQ = 0.40 ， VDS =
12.5
V，F =
500
兆赫
电气特性（每边）
符号
BVDSS
IDSS
IGSS
VGS
gM
RDSON
Idsat
西塞
CRSS
科斯
参数
漏极耐压
零偏置漏电流
栅极漏电流
栅极偏置的漏电流
正向跨导
饱和电阻
饱和电流
共源输入电容
共源反馈电容
共源输出电容
1
1.0
0.60
7.50
33.0
2.0
24.0
民
36
1.0
1
7
典型值
最大
单位
V
mA
uA
V
姆欧
欧姆
AMP
pF
pF
pF
测试条件
IDS =
0.10毫安， VGS = 0V
VDS = 12.5 V， VGS = 0V
VDS = 0V VGS = 30V
IDS = 0.10 A， VGS = Vds的
VDS = 10V ， VGS = 5V
VGS = 20V ， IDS = 3.00
VGS = 20V ， VDS = 10V
VDS = 12.5的Vgs = 0V ，F = 1 MHz的
VDS = 12.5的Vgs = 0V ，F = 1 MHz的
VDS = 12.5的Vgs = 0V ，F = 1 MHz的
polyfet射频器件
修订2001年4月27日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
LP821
POUT VS PIN GRAPH
LP821 VS POUT PIN F = 500MHZ ， IDQ = 0.25 ， VDS = 12.5V
15
22.00
100
电容VS电压
L2C1DIE电容
20.00
西塞
10
18.00
科斯
效率 - 60 ％
16.00
10
CRSS
5
14.00
12.00
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
噘
1.2
10.00
1
0
2
4
6
8
10
12
14
PIN （瓦）
收益
以伏VDS
IV曲线
L2C 1 DIE四
9
8
7
6
ID为安培
5
4
3
2
1
0
0
2
vg=2v
4
6
Vg=4v
8
10
12
以伏VDS
Vg=6v
vg=8v
14
vg=10v
16
18
vg=12v
20
0.1
0
2
4
1
10
100
ID & GM VS VGS
L2C 1 DIE
ID ，通用VS VG
ID
GM
VGS的电压
6
8
10
12
14
寻ZOUT
IN吋包装尺寸
公差.XX +/- 0.01
.XXX +/- 。 005英寸
polyfet射频器件
修订2001年4月27日
1110马路Acaso ，加利福尼亚州Camarillo 93012电话： （ 805 ） 484-4210传真： （ 805 ） 484-3393电邮： Sales@polyfet.com网址： www.polyfet.com
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