80C31BH 80C51BH 87C51
MCS 51
CHMOS单片8位微控制器
汽车
Y
扩展汽车温度
RANGE （
b
40℃
a
125℃环境）
高性能CHMOS工艺
功率控制模式
4 KB的片上ROM EPROM
128 ×8位的RAM
32个可编程I O线
2个16位定时计数器
5个中断源
快速脉冲EPROM编程
2级程序存储器EPROM锁
布尔处理器
Y
Y
可编程串行端口
TTL和CMOS兼容逻辑
水平
64K外部程序存储器
64K外部数据存储器空间
空闲模式和掉电模式
ONCE模式利于系统测试
可在12 MHz和16 MHz的
版本
可在PLCC和DIP封装
（见包装规格订购
231369)
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
Y
在MCS 51 CHMOS微控制器产品的制造在英特尔的可靠的CHMOS工艺，并
与标准MCS 51 HMOS单片机产品该技术结合了功能兼容
HMOS与CHMOS的低功耗特性该组合的高速度和密度特性
化扩展了功能强大的MCS 51单片机架构和指令集的有效性
如MCS 51 HMOS单片机版本的MCS 51 CHMOS微控制器产品具备
以下功能4 KB的ROM EPROM （ 87C51分别80C51BH ） 128字节的RAM 32 IO线
两个16位定时器计数器的五源2级中断结构，一个全双工串行口和片
振荡器和时钟电路。此外MCS 51 CHMOS微控制器产品具有低工作
随着活动减少了，从而进一步降低功耗空闲和两种软件可选模式电源
掉电
在空闲模式下冻结CPU而RAM定时计数器，串行口和中断系统
继续工作，掉电模式保存RAM中的内容，但冻结振荡器使所有
其他芯片功能不起作用
在87C51是80C51BH的EPROM版本它包含4 KB片上程序存储器，可以
被编程并可以通过接触被清除紫外线照射的87C51 EPROM阵列使用
修改后的快速脉冲编程算法，通过它整个4字节数组可以在大约编程
12秒
通告
该数据表包含此数据表中的产品在满负荷生产规格信息
如有更改，恕不另行通知确认与您当地的英特尔销售办事处，你有最新的
最后确定的设计之前，数据表
其他品牌和名称是其各自所有者的财产
本文档中的信息均与英特尔产品相关的英特尔概不承担任何责任，包括侵犯任何专利或
版权销售英特尔产品和使用，除非在英特尔的条款和条件出售此类产品的英特尔保留作出正确的规定
修改这些参数，恕不另行通知微电脑产品随时可能有轻微的变化，以本规范勘误表
版权
英特尔公司1995年
1995年1月
订单号270419-007
汽车80C31BH 80C51BH 87C51
汽车级温度范围选项操作
特性都保证在温度
范围
b
40℃
a
125 C环境
汽车和扩展温度版本
在MCS 51单片机产品家族是
可带或不作为上市的老化选项
表1
如图2温度预烧和
封装选项是由一个或两个字母标识
前缀的部件号
80C31BH 80C51BH 87C51
产品选项
英特尔的扩展和汽车温度范围
产品设计以满足这些需求
应用程序的运行要求超过
商业标准
随着扩展级温度范围选项操作
tional特性都保证在温
的温度范围内
b
40℃
a
85℃的环境对于
270419 –2
例子
AN80C51表示80C51的一个PLCC封装的汽车级温度范围版本4 KB的ROM
程序存储器
图2 MCS 51单片机产品系列命名规则
表1温度选项
温度
分类
EXTENDED
汽车
温度
称号
T
L
A
B
操作
温度
C环境
b
40
a
85
b
40
a
85
b
40
a
125
b
40
a
125
BURN -IN
选项
标准
EXTENDED
标准
EXTENDED
3
汽车80C31BH 80C51BH 87C51
端口3还提供各种特殊的功能
在MCS 51系列单片机的特点
下面列出
针
P3 0
P3 1
P3 2
P3 3
P3 4
P3 5
P3 6
P3 7
名字
RXD
TXD
INT0
INT1
T0
T1
WR
RD
备用功能
串行输入线
串行输出线
外部中断0
外部中断1
定时器0外部输入
定时器1外部输入
外部数据存储器写选通
外部数据存储器读选通
270419 – 5
图4使用的片上振荡器
3口也接收一些控制信号
EPROM编程和程序验证
RESET
复位输入逻辑高电平该引脚上有两个
而振荡器运行复位机器周期
芯片内部下拉电阻允许
仅使用一个外部产生的上电复位
最终电容V
CC
ALE PROG （ EPROM只）
地址锁存使能
输出信号，用于锁存地址的低字节
在访问外部存储器时，此引脚也
编程脉冲输入（ PROG ）在EPROM亲
编程
在正常操作中，ALE以恒定的发射
1 6的振荡频率和速率可以是
用于外部定时或时钟使用注意事项
然而，一个ALE脉冲在每个跳过
访问外部数据存储器
PSEN
程序存储允许的读选
外部程序存储器
当
87C51 80C51BH从内部程序执行
存储器的PSEN无效（高电平）当设备处于
从外部程序存储器执行代码
PSEN被激活两次，每个机器周期除外
两个PSEN激活过程中每一个被跳过
访问外部数据存储器
EA V
PP
外部访问允许EA必须
绑V
SS
为了使
87C51 80C51BH从外部亲获取代码
开始0000H高达克的内存位置
0FFFFH但是请注意，如果任一锁
位进行编程的逻辑电平在EA的内部
复位时锁存（ EPROM只）
EA必须到V
CC
内部程序
执行
V
PP
（仅EPROM ）
该引脚也接收
12 75V编程电源电压（V
PP
）在
EPROM编程
270419– 6
图5外部时钟驱动
XTAL1
输入到振荡器反相放大器和
输入至内部时钟产生电路
XTAL2
从反相振荡器输出amplifi-
er
振荡器特性
XTAL1和XTAL2分别为输入和输出respec-
一个反相放大器，它以被配置的tively
用作片上振荡器如图置的
图4
为了从外部时钟源驱动器件
而XTAL2留不整合XTAL1应该是驱动
连接的，如图5没有要求一
在外部时钟信号的占空比ments
由于输入到内部时钟电路是
通过除以2的触发器，但最小和
在数据 - 指定的最大高电平和低电平时间
板材必须遵守
空闲模式
在空闲模式下， CPU把自己睡，而所有
片上外设保持活跃的模式
由软件调用片上的内容
RAM和所有特殊功能寄存器保留
不变，在此模式下，待机模式可
任何使能的中断或由硬终止
洁具复位
应当指出的是，当空闲是由封端的
硬件复位设备恢复正常亲
克执行从那里离开的最多两个马
内部复位算法之前折角周期
需要控制片上硬件禁止访问
5
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