LP62S4096E -T系列
512K ×8位的低电压CMOS SRAM
特点
n
电源电压范围： 2.7V至3.6V
n
访问时间： 55ns / 70ns的（最大）
n
当前位置：
非常低功率版：操作： 30毫安（最大）
待机：
10μA （最大值）。
n
全静态操作，无时钟或刷新要求
n
所有输入和输出直接TTL兼容
n
采用三态输出通用I / O
n
数据保持电压： 2V （分钟）
n
可提供32引脚TSOP / TSSOP 36球CSP封装
概述
该LP62S4096E -T是一个低工作电流4194304位
组织为524288字静态随机存取存储器
8位和运行在一个较低的电源电压范围： 2.7V至
3.3V 。它采用AMIC的高性能CMOS建
流程。
输入和三态输出为TTL兼容，并允许
对于直接连接常见的系统总线结构。
两个芯片使能输入提供了掉电
设备使能和输出使能输入是包括易
连接。
数据保存期限保证在电源电压低
为2V 。
n
CE2引脚仅CSP封装
功耗
数据保留
待机
操作
(I
CCDR
， TYP 。 ）
(I
SB1
，典型值）。 （我
CC2
， TYP 。 ）
0.08A
0.3A
5mA
产品系列
产品系列
操作
温度
-25°C ~ +85°C
VCC
范围
2.7V~3.6V
速度
包
TYPE
32L TSOP
32L TSSOP
36B CSP
LP62S4096E-T
55ns / 70ns的
1.典型值是在VCC = 3.0V ，T测
A
= 25°C ，而不是100 ％测试。
2.数据保持电流VCC = 2.0V 。
销刀豆网络gurations
n
TSOP / （ TSSOP ）
n
CSP （芯片尺寸封装）
36引脚顶视图
16
1
1
A
A0
I / O
5
I / O
6
GND
VCC
I / O
7
I / O
8
A9
OE
A10
A18
CE1
A11
A17
A16
A12
A15
A13
2
A1
A2
3
CE2
WE
NC
4
A3
A4
A5
5
A6
A7
6
A8
I / O
1
I / O
2
VCC
GND
I / O
3
I / O
4
A14
LP62S4096EV-T
(LP62S4096EX-T)
17
32
B
C
D
E
F
G
H
PIN号
针
名字
PIN号
针
名字
1
A11
17
A3
2
A9
18
A2
3
A8
19
A1
4
A13
20
A0
5
WE
21
I / O
1
6
A17
22
I / O
2
7
A15
23
I / O
3
8
VCC
24
GND
9
A18
25
I / O
4
10
A16
26
I / O
5
11
A14
27
I / O
6
12
A12
28
I / O
7
13
A7
29
I / O
8
14
A6
30
CE1
15
A5
31
A10
16
A4
32
OE
（ 2002年1月， 2.0版）
AMIC Technology，Inc.的
LP62S4096E -T系列
绝对最大额定值*
VCC和GND ------------------------------------- -0.5V至+ 4.0V
IN， IN / OUT伏至GND --------------- -0.5V到VCC + 0.5V
工作温度范围Topr -------------- -25 ° C至+ 85°C
储存温度， TSTG --------------- -55 ° C至+ 125°C
高温下的偏见， Tbias ----------- -10 ° C至+ 85°C
功耗，P
T
--------------------------------------- 0.7W
*评论
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能会导致该设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只。这个功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件
在本规范的业务部门所标明
是不是暗示或预期。暴露于绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
DC电气特性
符号
参数
(T
A
= -25 ° C至+ 85°C ， VCC = 2.7V至3.6V ， GND = 0V ）
LP62S4096E - 55LLT / 70LLT
分钟。
典型值。
-
马克斯。
1
A
V
IN
= GND到Vcc
CE1 = V
IH
， CE2 = V
IL
or
OE = V
IH
WE = V
IL
V
I / O
= GND到Vcc
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH
I
I / O
= 0毫安
分钟。周期，占空比为100 ％ ，
CE1 = V
IL
CE2 = V
IH
, I
I / O
= 0毫安
CE1 = V
IL
， CE2 = V
IH ，
V
IH
= VCC
V
IL
= 0V ， F = 1MH
Z
I
I / O
= 0毫安
VCC
≤
3.3V
CE1 = V
IH ，
CE2 = V
IL
VCC
≤
3.3V
CE1≥ VCC - 0.2V ，或CE2
≤
0.2V
V
IN
≤
0.2V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0mA
单位
条件
I
LI
I
LO
输入漏电流
-
输出漏电流
-
-
1
A
I
CC
有源电源电流
-
-
5
mA
I
CC1
动态工作电流
-
20
30
mA
I
CC2
动态工作电流
-
5
15
mA
I
SB
待机功耗
-
-
1
mA
I
SB1
电源电流
-
0.3
10
A
V
OL
V
OH
输出低电压
输出高电压
-
2.2
-
-
0.4
-
V
V
（ 2002年1月， 2.0版）
4
AMIC Technology，Inc.的
LP62S4096E -T系列
真值表
模式
待机
待机
输出禁用
读
写
注： X = H或L
CE1
H
X
L
L
L
CE2
X
L
H
H
H
OE
X
X
H
L
X
WE
X
X
H
H
L
I / O操作
高Z
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
, I
SB1
I
SB
, I
SB1
I
CC,
I
CC1,
I
CC2
I
CC,
I
CC1,
I
CC2
I
CC,
I
CC1,
I
CC2
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
*
C
I / O
*
参数
输入电容
输入/输出电容
分钟。
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
AC特性
(T
A
= -25 ° C至+ 85°C ， VCC = 2.7V至3.6V ）
符号
参数
LP62S4096E-55LLT
分钟。
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE1,
t
ACE2
t
OE
t
CLZ1,
t
CLZ2
t
OLZ
t
CHZ1,
t
CHZ2
t
OHZ
t
OH
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
55
-
-
-
10
5
0
0
5
-
55
55
30
-
-
20
20
-
10
5
0
0
5
70
-
-
-
70
70
35
-
-
25
25
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
马克斯。
LP62S4096E-70LLT
分钟。
马克斯。
单位
（ 2002年1月， 2.0版）
5
AMIC Technology，Inc.的
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