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LP62S16256E -I系列
256K x 16位的低电压CMOS SRAM
文档标题
256K x 16位的低电压CMOS SRAM
修订历史
版本号
2.0
历史
改变V
CC
最大
从3.3V至3.6V
添加产品系列和55ns规范
发行日期
2002年1月25日
备注
( 2002年1月, 2.0版)
AMIC Technology,Inc.的
LP62S16256E -I系列
256K x 16位的低电压CMOS SRAM
特点
n
工作电压: 2.7V至3.6V
n
访问时间: 55ns / 70ns的(最大)
n
当前位置:
非常低功率版:操作: 40毫安(最大)
待机:
10μA (最大值)。
n
全静态操作,无时钟或刷新要求
n
所有输入和输出直接TTL兼容
n
采用三态输出通用I / O
n
数据保持电压: 2.0V (分钟)
n
采用44引脚TSOP和48球CSP ( 6
×
8mm)
套餐
概述
该LP62S16256E -I是一个低工作电流4194304位
组织为262144字静态随机存取存储器
由16位工作在低电源电压从2.7V到
3.3V 。它采用AMIC的高性能CMOS建
流程。
输入和三态输出为TTL兼容,并允许
对于直接连接常见的系统总线结构。
该芯片使能输入提供了掉电,
设备启用。两字节使能输入端和一个输出使能
输入包含了简单的接口。
数据保存期限保证在电源电压为
低至2.0V 。
产品系列
产品系列
操作
温度
-40°C ~ +85°C
VCC
范围
2.7V~3.6V
速度
功耗
数据保留
待机
操作
(I
CCDR
, TYP 。 )
(I
SB1
,典型值)。 (我
CC2
, TYP 。 )
0.08A
0.3A
5mA
TYPE
44L TSOP
48B CSP
LP62S16256E-I
55ns / 70ns的
1.典型值是在VCC = 3.0V ,T测
A
= 25°C ,而不是100 %测试。
2.数据保持电流VCC = 2.0V 。
销刀豆网络gurations
n
TSOP
n
CSP (芯片尺寸封装)
48引脚顶视图
A4
A3
A2
A1
A0
CE
I / O
1
I / O
2
I / O
3
I / O
4
VCC
GND
I / O
5
I / O
6
I / O
7
I / O
8
WE
A17
A16
A15
A14
A13
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A5
A6
A7
OE
HB
LB
I / O
16
I / O
15
I / O
14
I / O
13
GND
VCC
I / O
12
I / O
11
I / O
10
I / O
9
NC
A8
A9
A10
A11
A12
1
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
9
I / O
10
GND
VCC
I / O
15
I / O
16
NC
2
OE
HB
I / O
11
I / O
12
I / O
13
I / O
14
NC
A8
3
A0
A3
A5
A17
NC
A14
A12
A9
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
CE
I / O
2
I / O
4
I / O
5
I / O
6
WE
A11
6
NC
I / O
1
I / O
3
VCC
GND
I / O
7
I / O
8
NC
LP62S16256EV-I
( 2002年1月, 2.0版)
1
AMIC Technology,Inc.的
LP62S16256E -I系列
框图
A0
VCC
GND
512 X 8192
解码器
A16
存储阵列
A17
I / O
1
列I / O
输入
数据
电路
I / O
9
输入
数据
电路
I / O
8
I / O
16
CE
LB
HB
OE
WE
控制
电路
引脚说明 - TSOP
PIN号
1 - 5, 18 - 27,
42 - 44
6
7 - 10, 13 - 16,
29 - 32, 35 - 38
17
39
40
41
11, 33
12, 34
28
符号
A0 - A17
CE
I / O
1
- I / O
16
WE
LB
HB
OE
VCC
GND
NC
描述
地址输入
芯片使能输入
数据输入/输出
写使能输入
低字节使能输入( I / O
1
到I / O
8
)
高字节使能输入( I / O
9
到I / O
16
)
输出使能输入
动力
无连接
( 2002年1月, 2.0版)
2
AMIC Technology,Inc.的
LP62S16256E -I系列
引脚说明 - CSP
符号
A0 - A17
描述
地址输入
符号
HB
描述
高字节使能输入
( I / O
9
- I / O
16
)
OUTPUT ENABLE
电源
无连接
CE
I / O
1
- I / O
16
WE
LB
芯片使能
数据输入/输出
写使能输入
字节使能输入
( I / O
1
- I / O
8
)
OE
VCC
GND
NC
建议的直流工作条件
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C )
符号
VCC
GND
V
IH
V
IL
C
L
TTL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出负载
输出负载
分钟。
2.7
0
2.2
-0.3
-
-
典型值。
3
0
-
-
-
-
马克斯。
3.6
0
VCC + 0.3
+0.6
30
1
单位
V
V
V
V
pF
-
( 2002年1月, 2.0版)
3
AMIC Technology,Inc.的
LP62S16256E -I系列
绝对最大额定值*
VCC和GND ..............................................- 0.5V至+ 4.0V
IN, IN / OUT伏至GND ................... -0.5V到VCC + 0.5V
工作温度范围Topr ...................- 40 ° C至+ 85°C
储存温度, TSTG .....................- 55 ° C至+ 125°C
功耗,P
T ......................................................................
0.7W
*评论
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能会导致该设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只。这个功能操作
器件在这些或以上的任何其他条件
在本规范的业务部门所标明
是不是暗示或预期。暴露于绝对
最大额定值条件下工作会
影响器件的可靠性。
DC电气特性
(T
A
= -40 ° C至+ 85°C , VCC = 2.7V至3.6V , GND = 0V )
符号
参数
LP62S16256E - 55LLI / 70LLI
分钟。
I
LI
I
LO
输入漏电流
-
-
典型值。
-
马克斯。
1
1
A
A
V
IN
= GND到Vcc
CE = V
IH
HB = V
IH
或OE = V
IH
or
WE = V
IH
V
I / O
= GND到Vcc
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
单位
条件
输出漏电流
-
I
CC
有源电源电流
-
-
5
mA
I
CC1
动态工作电流
I
CC2
-
25
40
mA
分钟。周期,占空比= 100 %
CE = V
I
, I
I / O
= 0毫安
-
5
15
mA
CE = V
IL
, V
IH
= Vcc时,
V
IL
= 0V , F = 1MHz时,
I
I / O
= 0毫安
CE = V
IH
VCC
3.3V
CE
VCC - 0.2V ,
VCC
3.3V
V
IN
0V
I
OL
= 2.1毫安
I
OH
= -1.0毫安
I
SB
待机电流
-
-
1
mA
I
SB1
-
0.3
10
A
V
OL
V
OH
输出低电压
输出高电压
-
2.2
-
-
0.4
-
V
V
( 2002年1月, 2.0版)
4
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    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

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