LP61L256B系列
32K ×8位高速低VCC CMOS SRAM
特点
n
单+3.3伏电源
n
访问时间： 12 ns的（最大）
n
电流：工作时： 100mA（最大）。
待机：
10mA（最）
n
全静态操作，无时钟或刷新要求
n
n
n
n
所有输入和输出直接TTL兼容
采用三态输出通用I / O
数据保持电压： 2V （分钟）
可提供28引脚SOJ和TSOP封装
概述
该LP61L256B是一个高速，低功耗262,144位
组织为32,768字静态随机存取存储器
由8位可以工作在3.3V单电源供电。
输入和三态输出为TTL兼容，
允许直接连接常见的系统总线
结构。
最低待机功耗是由该设备时， CE画
是在一个较高的水平，而与其它的输入电平。
数据保存期限保证在电源电压为
低至2V 。
销刀豆网络gurations
n
SOJ
n
TSOP
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I / O
1
I / O
2
I / O
3
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
WE
A13
A8
14
1
LP61L256BV
A9
A11
OE
A10
CE
I / O
8
I / O
7
I / O
6
I / O
5
I / O
4
15
LP61L256B
28
PIN号
针
名字
PIN号
针
名字
1
OE
15
A2
2
A11
16
A1
3
A9
17
A0
4
A8
18
I / O
1
5
A13
19
I / O
2
6
WE
20
7
VCC
21
8
A14
22
I / O
4
9
A12
23
I / O
5
10
A7
24
I / O
6
11
A6
25
I / O
7
12
A5
26
I / O
8
13
A4
27
CE
14
A3
28
A10
I / O
3
GND
（ 2001年8月， 1.0版）
1
AMIC Technology，Inc.的
LP61L256B系列
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C）
符号
VCC
GND
V
IH
V
IL
C
L
TTL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
输出负载
输出负载
分钟。
3.0
0
2.2
-0.3
-
-
典型值。
3.3
0
-
0
-
-
马克斯。
3.6
0
VCC + 0.3
0.8
30
1
单位
V
V
V
V
pF
-
绝对最大额定值*
VCC和GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 4.6V
IN， IN / OUT伏至GND 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.3V到VCC + 0.3V
工作温度，范围Topr 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至+ 70°C
储存温度， TSTG 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
功耗，铂。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W
*评论
超出上述"Absolute最大上市
Ratings"可能会导致该设备造成永久性损坏。
这些压力额定值只。功能操作
该器件在这些或以上的任何其他条件
在这个业务部门的说明
规范是不是暗示或预期。接触
绝对最大额定值条件下工作
期间可能会影响器件的可靠性。
DC电气特性
(T
A
= 0 ° C至70 ° C， VCC = 3.3V
±
的10％ ， GND = 0V）
LP61L256B-12
符号
I
LI
I
LO
I
CC1
(1)
I
SB
待机功耗
电源电流
参数
分钟。
输入漏电流
输出漏电流
动态工作电流
-
-
-
-
马克斯。
2
2
100
20
A
A
mA
mA
V
IN
= GND到Vcc
CE = V
IH
或OE = V
IH
V
I / O
= GND到Vcc
CE = V
IL
, I
I / O
= 0毫安
CE = V
IH
CE
≥
VCC - 0.2V
V
IN
≥
VCC - 0.2V或
V
IN
≤
0.2V
I
OL
= 8毫安
I
OH
= -4毫安
单位
条件
I
SB1
-
10
mA
V
OL
V
OH
输出低电压
输出高电压
-
2.4
0.4
-
V
V
注：1。我
CC1
依赖于输出负载，循环速率和读/写模式。
（ 2001年8月， 1.0版）
3
AMIC Technology，Inc.的
LP61L256B系列
真值表
模式
待机
输出禁用
读
写
CE
H
L
L
L
OE
X
H
L
X
WE
X
H
H
L
I / O操作
高Z
高Z
D
OUT
D
IN
电源电流
I
SB
, I
SB1
I
CC1
I
CC1
I
CC1
电容
(T
A
= 25 ° C，F = 1.0兆赫）
符号
C
IN
*
C
I / O
*
参数
输入电容
输入/输出电容
分钟。
-
-
马克斯。
10
10
单位
pF
pF
条件
V
IN
= 0 V
V
I / O
= 0 V
*这些参数进行采样，而不是100 ％测试。
AC特性
(T
A
= 0 ° C至+ 70 ° C， VCC = 3.3V
±
10%)
LP61L256B-12
符号
参数
分钟。
读周期
t
RC
t
AA
t
ACE
t
OE
t
CLZ
t
OLZ
t
CHZ
t
OHZ
t
OH
读周期时间
地址访问时间
芯片使能存取时间
输出使能到输出有效
芯片使能在低Z输出
输出使能到输出中低Z
芯片禁用高Z输出
输出禁止到输出中高Z
从地址变更输出保持
12
-
-
-
2
2
0
2
2
-
12
12
7
-
-
7
6
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
马克斯。
单位
（ 2001年8月， 1.0版）
4
AMIC Technology，Inc.的
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