LP3999低噪声150毫安电压调节器的射频/模拟应用
2003年12月
LP3999
低噪声150毫安电压调节器的射频/模拟
应用
概述
该LP3999稳压器是专为满足要求
便携式无线电池供电应用和意志
提供精确的输出电压与低噪声和低
静态电流。非常适合用于驱动RF /模拟
设备该设备也将被用于满足更广泛
电路的要求。
对于电池供电应用的低压差和低
由该设备提供的接地电流允许的寿命
电池是maximized.The包容的使能（解散
能）的控制，可以由系统使用，以进一步延伸
通过降低功耗，以虚拟轴电池寿命
盟友为零。如果应用程序需要与设备
活跃的禁用功能，请参考设备LP3995 。
该LP3999还具有对短期内保护
短路电流和过温条件。
该LP3999被设计成稳定的小1.0 μF的
陶瓷电容。该LP3999微型的小外形
SMD封装，所需的陶瓷电容
实现最小的电路板面积内的系统应用。
性能被指定为-40°C至+ 125°C的温度
范围内。
该设备是micro SMD封装和律师事务所提供
封装。对于其他封装选项，请联系您当地的NSC
销售网络的CE 。
该装置是在固定的范围内输出电压可用
的1.5V至3.3V 。对于可用性，请联系您当地的
NSC销售办事处。
关键的特定连接的阳离子
n
n
n
n
n
n
n
n
2.5V至6.0V输入电压范围
精确的输出电压;
±
为75mV / 2％
60 mV的典型压差为150 mA负载。 V
OUT
＆ GT ;
2.5V
几乎为零的静态电流时禁用
在10Hz至100kHz 10 μVRMS输出噪声
稳定与1 μF输出电容
保证可输出150 mA电流
快速的开启时间; 140微秒（典型值）。
特点
n
n
n
n
n
n
n
5引脚micro SMD封装
6引脚LLP封装
稳定与陶瓷电容器
逻辑控制使能
快速开启
热过载和短路保护
-40到+ 125°C的结温范围内运作
应用
n
n
n
n
n
n
GSM手提电话
CDMA蜂窝手机
宽带CDMA蜂窝手机
蓝牙设备
便携式信息设备
手持式MP3播放器
典型应用电路
20052001
2003美国国家半导体公司
DS200520
www.national.com
LP3999低噪声150毫安电压调节器的射频/模拟应用
2005年11月
LP3999
低噪声150毫安电压调节器的射频/模拟
应用
概述
该LP3999稳压器是专为满足要求
便携式无线电池供电应用和意志
提供精确的输出电压与低噪声和低
静态电流。非常适合用于驱动RF /模拟
设备该设备也将被用于满足更广泛
电路的要求。
对于电池供电应用的低压差和低
由该设备提供的接地电流允许的寿命
电池是maximized.The包容的使能（解散
能）的控制，可以由系统使用，以进一步延伸
通过降低功耗，以虚拟轴电池寿命
盟友为零。如果应用程序需要与设备
活跃的禁用功能，请参考设备LP3995 。
该LP3999还具有对短期内保护
短路电流和过温条件。
该LP3999被设计成稳定的小1.0 μF的
陶瓷电容。该LP3999微型的小外形
SMD封装，所需的陶瓷电容
实现最小的电路板面积内的系统应用。
性能被指定为-40°C至+ 125°C的温度
范围内。
该器件是采用micro SMD封装。对于其他
封装选项，请联系您当地的NSC销售办事处。
该装置是在固定的范围内输出电压可用
的1.5V至3.3V 。对于可用性，请联系您当地的
NSC销售办事处。
关键的特定连接的阳离子
n
n
n
n
n
n
n
n
2.5V至6.0V输入电压范围
精确的输出电压;
±
为75mV / 2％
60 mV的典型压差为150 mA负载。 V
OUT
＆ GT ;
2.5V
几乎为零的静态电流时禁用
在10Hz至100kHz 10 μVRMS输出噪声
稳定与1 μF输出电容
保证可输出150 mA电流
快速的开启时间; 140微秒（典型值）。
特点
n
n
n
n
n
n
5引脚micro SMD封装
稳定与陶瓷电容器
逻辑控制使能
快速开启
热过载和短路保护
-40到+ 125°C的结温范围内运作
应用
n
n
n
n
n
n
GSM手提电话
CDMA蜂窝手机
宽带CDMA蜂窝手机
蓝牙设备
便携式信息设备
手持式MP3播放器
典型应用电路
20052001
2005美国国家半导体公司
DS200520
www.national.com
LP3999
绝对最大额定值
（注3,4）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
输入电压（V
IN
)
输出电压
使能输入电压
结温
铅/盘温度
（注5 ）
的microSMD
储存温度
连续功率耗散
（注6 ）
ESD （注9 ）
260C
-65到+ 150°C
内部限制
-0.3 6.5V
-0.3 （V
IN
+ 0.3V)
至6.5V （最大值）
-0.3 6.5V
150C
人体模型
机器型号
2千伏
200V
工作额定值
（注3）
输入电压（V
IN
)
使能输入电压
结温
环境温度范围
（注7 ）
2.5至6.0V
0至6.0V
-40至+ 125°C
-40到85°C
热性能
（注8）
结到环境的热
阻力
θ
JA
（微型SMD PKG ）。
255C/W
电气特性
除非另有说明，V
EN
= 1.5, V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1毫安，C
OUT
= 1 μF ，C
BP
= 0.01 μF 。典型
价值观和限制出现在普通型适用于对于T
J
= 25℃。出现在极限
粗体
则适用于全温度
TURE范围内操作， -40 + 125℃ 。 （注13 ， 14 ）
符号
V
IN
V
OUT
参数
输入电压
输出电压容差
线路调整错误
负载调节误差
PSRR
电源抑制比
（注11 ）
输出电压容差
线路调整错误
负载调节误差
PSRR
电源抑制比
（注11 ）
输出电压容差
线路调整错误
负载调节误差
V
DO
PSRR
输入输出电压差
电源抑制比
（注11 ）
负载电流
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
F = 1千赫，我
OUT
= 1毫安
F = 10 kHz时，我
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
F = 1千赫，我
OUT
= 1毫安
F = 10 kHz时，我
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 150毫安
F = 1千赫，我
OUT
= 1毫安
F = 10 kHz时，我
OUT
= 1毫安
（备注10，11 ）
4
条件
典型
极限
民
2.5
50
-75
3.5
最大
6.0
50
75
3.5
75
单位
V
器件输出： 1.5
≤
V
OUT
＆ LT ;
1.8V
mV
mV / V的
μV / MA
dB
10
58
58
-50
75
2.5
10
60
60
-2
3
0.1
0.0004
0.4
60
60
50
0
器件输出： 1.8
≤
V
OUT
＆ LT ;
2.5V
V
OUT
50
75
2.5
75
mV
mV / V的
μV / MA
dB
器件输出： 2.5
≤
V
OUT
≤
3.3V
V
OUT
2
3
0.1
0.002
2
100
％的
V
OUT （ NOM ）
%/V
％ / mA的
mV
dB
全V
OUT
范围
I
负载
www.national.com
A
LP3999
电气特性
（续）
除非另有说明，V
EN
= 1.5, V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1毫安，C
OUT
= 1 μF ，C
BP
= 0.01 μF 。典型
价值观和限制出现在普通型适用于对于T
J
= 25℃。出现在极限
粗体
则适用于全温度
TURE范围内操作， -40 + 125℃ 。 （注13 ， 14 ）
符号
参数
条件
典型
极限
民
最大
150
200
1.5
mA
A
单位
全V
OUT
范围
I
Q
静态电流
V
EN
= 1.5V ，我
OUT
= 0毫安
V
EN
= 1.5V ，我
OUT
= 150毫安
V
EN
= 0.4V
I
SC
E
N
短路电流限制
输出噪声电压（ （注11 ） ） BW = 10 Hz至100 kHz时，
V
IN
= 4.2V ，无负载
BW = 10赫兹至100千赫兹，
V
IN
= 4.2V ， 1mA负载
T
关闭
热关断
温度
迟滞
使能控制特性
I
EN
V
IL
V
IH
T
ON
最大输入电流
V
EN
输入
低输入阈值
高输入阈值
开启时间（注11 ）
到95 ％的水平（注12 ）
140
0.9
V
EN
= 0.0V和V
IN
= 6.0V
0.001
0.4
A
V
V
s
85
140
0.003
450
10
30
160
20
μVRMS
C
时序特性
注3 ：
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是根据该装置的操作条件
得到保障。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试环境，请参阅电气
特性表。
注4 ：
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注5 ：
有关这些包的更多信息，请参考以下应用笔记;
AN- 1112的micro SMD封装晶圆级芯片尺寸封装。
注6 ：
内部热关断电路保护永久性损坏设备。
注7 ：
在实际应用中需要高功耗和/或热性差是目前最大的环境温度可能要降级。
最高环境温度（T
A（最大值）
）是依赖于最大工作结温（T
J（下MAX- OP ）
），最大功耗（P
D（最大）
） ，以及
结到环境的热阻在应用程序中（ θ
JA
） 。此关系由下式给出： -
T
A（最大值）
= T
J（下MAX- OP ）
(P
D（最大）
x
θ
JA
)
注8 ：
结点到环境的热阻是高度依赖于应用和电路板布局。在应用中，高的热耗散是可能的，
必须特别注意支付给在电路板设计的散热问题。
注9 ：
人体是100pF的放电通过1.5 kΩ电阻向每个引脚。机器模型是一个200 pF电容直接排放到每一个引脚。
注10 ：
该器件保持稳定的输出电压无负载。
注11 ：
该电气规格为设计保证。
注12 ：
从V时代
EN
= 0.9V至V
OUT
= 95% (V
OUT （ NOM ）
)
注13 ：
所有参数均保证。具有室温的范围的所有的电气特性在生产过程中在T测试
J
= 25℃或相关使用
统计质量控制方法。工作在温度规格是由相关的电气特性进行处理，并保证
温度变化及统计过程控制。
注14 ：
V
OUT （ NOM ）
是该设备的所述输出电压的选择。
推荐的输出电容
符号
C
OUT
参数
输出电容
条件
电容（注15 ）
ESR
典型
1.0
极限
民
0.70
5
500
最大
单位
F
m
注15 ：
该电容的容差应为30 ％或以上的温度更好。推荐的电容类型X7R但是依赖于应用程序X5R ， Y5V和
Z5U也可使用。
5
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