LP3995微150毫安CMOS电压稳压器与Active关闭
2004年8月
LP3995
微150毫安CMOS电压稳压器与Active
关闭
概述
该LP3995线性稳压器的设计符合要
便携式电池供电应用和语句将亲
韦迪精确的输出电压与低噪声和低
静态电流。非常适合用于驱动RF /模拟
设备，该设备也将被用于满足更一般
电路需要在其中一个快速关断是必不可少的。
对于电池供电应用的低压差和低
由该设备提供的接地电流允许的寿命
电池被最大化。启用（ /禁用）控制
使系统可以进一步延长电池使用寿命
降低功率消耗几乎为零。
在设备上启用（ /禁用）功能集成了一个
在输出有源放电电路更快的器件关断模式
下来。其中，快速关断不需要LP3999
线性调节器被推荐。
该LP3995还具有对短期内保护
短路电流和过温条件。
该LP3995被设计成稳定的小1.0 μF的
陶瓷电容。该LP3995微型的小外形
SMD封装，所需的陶瓷电容
实现最小的电路板面积内的系统应用。
性能被指定为-40°C至+ 125°C的温度
范围内。
该设备是micro SMD封装和律师事务所提供
封装。对于其他封装选项，请联系您当地的NSC
销售网络的CE 。
该装置是在固定的范围内输出电压可用
1.5V至3.3V 。对于可用性，请联系您当地的NSC
销售网络的CE 。
关键的特定连接的阳离子
n
n
n
n
n
n
n
n
n
2.5V至6.0V输入电压范围
精确的输出电压;
±
为75mV / 2％
60 mV的典型压差为150 mA负载
几乎为零的静态电流时禁用
低输出电压噪声
稳定与1 μF输出电容
保证可输出150 mA电流
快速的开启; 30微秒（典型值）。
快速关断; 175微秒（典型值）。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
5引脚micro SMD封装
6引脚LLP封装
稳定与陶瓷电容器
逻辑控制使能
快速开启
主动关闭了快速关断。
热过载和短路保护
-40到+ 125°C结温范围为
手术
应用
n
n
n
n
n
GSM手提电话
CDMA蜂窝手机
宽带CDMA蜂窝手机
蓝牙设备
便携式信息设备
典型应用电路
20034901
2004美国国家半导体公司
DS200349
www.national.com
LP3995
绝对最大额定值
（注3,4）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
输入电压（V
IN
)
输出电压
使能输入电压
结温
铅/盘温度
（注5 ）
微型SMD
律师事务所
储存温度
连续功率
耗散（注7 ）
ESD （注9 ）
人体模型
机器型号
2千伏
200V
内部限制
260C
235C
-65到+ 150°C
-0.3 6.5V
-0.3 （V
IN
+ 0.3V)
至6.5V （最大值）
-0.3 6.5V
150C
工作额定值
（注3）
输入电压（V
IN
)
使能输入电压
结温
环境温度
范围（注7 ）
2.5至6.0V
0至6.0V
-40至+ 125°C
-40到85°C
热性能
（注8）
结到环境的热
阻力
θ
JA
（ LLP PKG ）。
θ
JA
（微型SMD PKG ）。
88C/W
255C/W
电气特性
除非另有说明，V
EN
= 1.5, V
IN
= V
OUT
+ 1.0V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1毫安，C
OUT
= 1 μF ，C
BP
= 0.01 μF 。典型值
并出现在正常的极限值适用对于T
J
= 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个温度
范围内操作， -40 + 125℃ 。 （注14 ， 15 ）
符号
V
IN
V
OUT
参数
输入电压
输出电压容差
线路调整错误
微型SMD
负载调节误差
律师事务所
负载调节误差
PSRR
电源抑制比
（注11 ）
输出电压容差
microSMDLine
调节误差
律师事务所
线路调整错误
微型SMD
负载调节误差
律师事务所
负载调节误差
PSRR
电源抑制比
（注11 ）
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
F = 1千赫，我
OUT
= 1毫安
F = 10 kHz时，我
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
F = 1千赫，我
OUT
= 1毫安
F = 10 kHz时，我
OUT
= 1毫安
10
80
55
50
10
70
55
53
-50
75
2.5
3.5
50
75
2.5
3.5
75
125
条件
典型
极限
民
2.5
-50
-75
-3.5
最大
6.0
50
75
3.5
75
125
单位
V
器件输出： 1.5
≤
V
OUT
＆ LT ;
1.8V
mV
mV / V的
μV / MA
μV / MA
dB
器件输出： 1.8
≤
V
OUT
＆ LT ;
2.5V
V
OUT
mV
mV / V的
mV / V的
μV / MA
μV / MA
dB
5
www.national.com
LP3995微150毫安CMOS电压稳压器与Active关闭
2008年1月4日
LP3995
微150毫安CMOS电压稳压器与Active
关闭
概述
该LP3995线性稳压器的设计符合要
便携式电池供电应用和语句将亲
韦迪精确的输出电压与低噪声和低
静态电流。非常适合用于驱动RF /模拟DE-
恶习，该设备也将被用于满足更广泛
电路需要在其中一个快速关断是必不可少的。
对于电池供电应用的低压差和低
由该设备提供的接地电流允许的寿命
电池被最大化。启用（ /禁用）控制AL-
低点系统进一步延长电池寿命
降低功率消耗几乎为零。
在设备上启用（ /禁用）功能集成了一个
在输出有源放电电路更快的器件关断模式
下来。其中，快速关断不需要LP3999线性
调节器被推荐。
该LP3995还具有对短期内保护
短路电流和过温条件。
该LP3995被设计成稳定的小1.0 μF的胶结
RAMIC电容。该LP3995微型SMD的小外形
包所需的陶瓷电容器可实现
最小的电路板面积内的系统应用。
性能被指定为-40°C至+ 125°C的温度
范围内。
该设备是micro SMD封装和LLP封装可
年龄。对于其他封装选项，请联系您当地的销售NSC
的网络连接CE 。
该装置是在固定的范围内输出电压可用
1.5V至3.3V 。对于可用性，请联系您当地的NSC
销售网络的CE 。
关键的特定连接的阳离子
■
■
■
■
■
■
■
■
■
2.5V至6.0V输入电压范围
精确的输出电压; ±为75mV / 2 ％
60 mV的典型压差为150 mA负载
几乎为零的静态电流时禁用
低输出电压噪声
稳定与1 μF输出电容
保证可输出150 mA电流
快速的开启; 30微秒（典型值）。
快速关断; 175微秒（典型值）。
特点
■
■
■
■
■
■
■
■
5引脚micro SMD封装
6引脚LLP封装
稳定与陶瓷电容器
逻辑控制使能
快速开启
主动关闭了快速关断。
热过载和短路保护
-40到+ 125°C的结温范围内运作
应用
■
■
■
■
■
GSM手提电话
CDMA蜂窝手机
宽带CDMA蜂窝手机
蓝牙设备
便携式信息设备
典型应用电路
20034901
2008美国国家半导体公司
200349
www.national.com
LP3995
绝对最大额定值
（注3,4）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
输入电压（V
IN
)
输出电压
-0.3 6.5V
-0.3 （V
IN
+ 0.3V)
至6.5V （最大值）
-0.3 6.5V
150°C
工作额定值
输入电压（V
IN
)
使能输入电压
结温
环境温度范围
（注7 ）
（注3）
2.5至6.0V
0至6.0V
-40至+ 125°C
-40到85°C
热性能
结到环境的热
阻力
θ
JA
（ LLP PKG ）。
θ
JA
（微型SMD PKG ）。
（注8）
使能输入电压
结温
铅/盘温度
（注5 ）
微型SMD
260°C
律师事务所
235°C
储存温度
-65到+ 150°C
连续功率耗散内部限制
（注7 ）
ESD （注9 ）
人体模型
2千伏
机器型号
200V
88°C/W
255°C/W
电气特性
除非另有说明，V
EN
= 1.5, V
IN
= V
OUT
+ 1.0V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1毫安，C
OUT
= 1 μF ，C
BP
= 0.01 μF 。典型值，
出现在正常的极限值适用对于T
J
= 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个温度范围
操作， -40 + 125°C 。 （注14 ， 15 ）
符号
V
IN
ΔV
OUT
参数
输入电压
条件
典型
极限
民
2.5
最大
6.0
单位
V
器件输出： 1.5
≤
V
OUT
＆ LT ; 1.8V
输出电压容差
线路调整错误
微型SMD
负载调节误差
律师事务所
负载调节误差
PSRR
电源抑制比
（注11 ）
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
F = 1千赫，我
OUT
= 1毫安
F = 10 kHz时，我
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
F = 1千赫，我
OUT
= 1毫安
F = 10 kHz时，我
OUT
= 1毫安
10
80
55
50
10
70
55
53
-50
-75
-3.5
50
75
3.5
75
125
mV
mV / V的
μV / MA
μV / MA
dB
器件输出： 1.8
≤
V
OUT
＆ LT ; 2.5V
ΔV
OUT
输出电压容差
microSMDLine
调节误差
律师事务所
线路调整错误
微型SMD
负载调节误差
律师事务所
负载调节误差
PSRR
电源抑制比
（注11 ）
-50
75
2.5
3.5
50
75
2.5
3.5
75
125
mV
mV / V的
mV / V的
μV / MA
μV / MA
dB
5
www.national.com
LP3995微150毫安CMOS电压稳压器与Active关闭
2004年8月
LP3995
微150毫安CMOS电压稳压器与Active
关闭
概述
该LP3995线性稳压器的设计符合要
便携式电池供电应用和语句将亲
韦迪精确的输出电压与低噪声和低
静态电流。非常适合用于驱动RF /模拟
设备，该设备也将被用于满足更一般
电路需要在其中一个快速关断是必不可少的。
对于电池供电应用的低压差和低
由该设备提供的接地电流允许的寿命
电池被最大化。启用（ /禁用）控制
使系统可以进一步延长电池使用寿命
降低功率消耗几乎为零。
在设备上启用（ /禁用）功能集成了一个
在输出有源放电电路更快的器件关断模式
下来。其中，快速关断不需要LP3999
线性调节器被推荐。
该LP3995还具有对短期内保护
短路电流和过温条件。
该LP3995被设计成稳定的小1.0 μF的
陶瓷电容。该LP3995微型的小外形
SMD封装，所需的陶瓷电容
实现最小的电路板面积内的系统应用。
性能被指定为-40°C至+ 125°C的温度
范围内。
该设备是micro SMD封装和律师事务所提供
封装。对于其他封装选项，请联系您当地的NSC
销售网络的CE 。
该装置是在固定的范围内输出电压可用
1.5V至3.3V 。对于可用性，请联系您当地的NSC
销售网络的CE 。
关键的特定连接的阳离子
n
n
n
n
n
n
n
n
n
2.5V至6.0V输入电压范围
精确的输出电压;
±
为75mV / 2％
60 mV的典型压差为150 mA负载
几乎为零的静态电流时禁用
低输出电压噪声
稳定与1 μF输出电容
保证可输出150 mA电流
快速的开启; 30微秒（典型值）。
快速关断; 175微秒（典型值）。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
5引脚micro SMD封装
6引脚LLP封装
稳定与陶瓷电容器
逻辑控制使能
快速开启
主动关闭了快速关断。
热过载和短路保护
-40到+ 125°C结温范围为
手术
应用
n
n
n
n
n
GSM手提电话
CDMA蜂窝手机
宽带CDMA蜂窝手机
蓝牙设备
便携式信息设备
典型应用电路
20034901
2004美国国家半导体公司
DS200349
www.national.com
LP3995
绝对最大额定值
（注3,4）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
输入电压（V
IN
)
输出电压
使能输入电压
结温
铅/盘温度
（注5 ）
微型SMD
律师事务所
储存温度
连续功率
耗散（注7 ）
ESD （注9 ）
人体模型
机器型号
2千伏
200V
内部限制
260C
235C
-65到+ 150°C
-0.3 6.5V
-0.3 （V
IN
+ 0.3V)
至6.5V （最大值）
-0.3 6.5V
150C
工作额定值
（注3）
输入电压（V
IN
)
使能输入电压
结温
环境温度
范围（注7 ）
2.5至6.0V
0至6.0V
-40至+ 125°C
-40到85°C
热性能
（注8）
结到环境的热
阻力
θ
JA
（ LLP PKG ）。
θ
JA
（微型SMD PKG ）。
88C/W
255C/W
电气特性
除非另有说明，V
EN
= 1.5, V
IN
= V
OUT
+ 1.0V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1毫安，C
OUT
= 1 μF ，C
BP
= 0.01 μF 。典型值
并出现在正常的极限值适用对于T
J
= 25℃。出现在极限
粗体
则适用于整个温度
范围内操作， -40 + 125℃ 。 （注14 ， 15 ）
符号
V
IN
V
OUT
参数
输入电压
输出电压容差
线路调整错误
微型SMD
负载调节误差
律师事务所
负载调节误差
PSRR
电源抑制比
（注11 ）
输出电压容差
microSMDLine
调节误差
律师事务所
线路调整错误
微型SMD
负载调节误差
律师事务所
负载调节误差
PSRR
电源抑制比
（注11 ）
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
F = 1千赫，我
OUT
= 1毫安
F = 10 kHz时，我
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 1.0V ）至6.0V ，
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
I
OUT
= 1 mA至150毫安
F = 1千赫，我
OUT
= 1毫安
F = 10 kHz时，我
OUT
= 1毫安
10
80
55
50
10
70
55
53
-50
75
2.5
3.5
50
75
2.5
3.5
75
125
条件
典型
极限
民
2.5
-50
-75
-3.5
最大
6.0
50
75
3.5
75
125
单位
V
器件输出： 1.5
≤
V
OUT
＆ LT ;
1.8V
mV
mV / V的
μV / MA
μV / MA
dB
器件输出： 1.8
≤
V
OUT
＆ LT ;
2.5V
V
OUT
mV
mV / V的
mV / V的
μV / MA
μV / MA
dB
5
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