LP3988微器，150mA超低压差CMOS电压稳压器，具有电源良好
2004年8月
LP3988
微器，150mA超低压降CMOS电压
稳压器，电源良好
概述
该LP3988是150毫安低压差稳压器设计
专为满足便携式电池的要求
应用程序。该LP3988设计有工作空间
节能，小型1μF的陶瓷电容。该LP3988功能
一个错误标志输出，用于指示一个错误的输出条件。
该LP3988的业绩电池供电优化
系统能够提供低噪声，极低的压差电压
和低静态电流。稳压器的接地电流IN-
折痕只稍稍差，进一步延长电池盒盖
tery生活。
电源抑制比60分贝更好的低音频率
连锁商店并开始在10千赫滚降。高电源
拒绝维持下来较低的输入电压电平
常见的电池供电电路。
该器件非常适用于移动电话及类似的电池
供电的无线应用。它提供高达150毫安，
从2.5V至6V输入，功耗小于1 μA的禁用
模式，并具有快速的开启时间不超过为200ps 。
该LP3988提供5引脚SOT- 23封装和凸块5
薄型micro SMD封装。性能被指定为-40℃
至+ 125°C温度范围，在现有1.85 ， 2.5 ，
2.6 ， 2.85 ， 3.0和3.3V的输出电压。
n
n
n
n
n
n
40分贝PSRR在10kHz
≤1
μA的静态电流时关闭
快速的开启时间： 100微秒（典型值）。
80 mV的压降典型值与150毫安负荷
-40到+ 125°C的结温范围内运作
1.85V ， 2.5V ， 2.6V ， 2.85V ，3.0V和3.3V
特点
n
n
n
n
n
n
n
5凹凸薄的micro SMD封装
SOT- 23-5封装
电源良好标记输出
逻辑控制使能
稳定的陶瓷和高品质的钽电容
快速开启
热关断和短路电流限制
应用
n
n
n
n
n
CDMA蜂窝手机
宽带CDMA蜂窝手机
GSM蜂窝手机
便携式信息设备
微小的3.3V
±
5 ％至2.85V器，150mA转换器
关键的特定连接的阳离子
n
2.5至6.0V输入电压范围
n
150毫安保证出力
典型应用电路
20020502
2004美国国家半导体公司
DS200205
www.national.com
LP3988
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
V
OUT
, V
EN
，电源良好（适用
只有微SMD ）
结温
储存温度
铅温度，垫温度。
功率耗散（注3 ）
SOT23-5
微型SMD
-0.3 6.5V
-0.3V到（V
IN
+0.3V),
用6V最大
150C
-65 ° C至+ 150°C
235C
364mW
355mW
ESD额定值（注4 ）
人体模型
机器型号
SOT23-5 （注13 ）
微型SMD
150V
200V
2kV
工作额定值
（注1,2 ）
V
IN
（注15 ）
V
OUT
, V
EN
结温
结到环境的热
电阻（ θ
JA
)
SOT23-5
微型SMD
最大功率耗散（注5 ）
SOT23-5
微型SMD
2.5V至6V
0到V
IN
-40 ° C至+ 125°C
220
o
C / W
255
o
C / W
250mW
244mW
电气特性
除非另有规定： V
EN
= 1.8V, V
IN
= V
OUT
+ 0.5V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 1 μF 。典型的价值和限度
出现在标准字体为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结温
范围运行， -40°C至+ 125°C 。 （注6 ） （注7 ）
符号
参数
输出电压
公差
条件
典型值
极限
民
2
3
3.5
-3
0.15
0.2
最大
2
3
3.5
3
0.15
0.2
0.005
0.007
65
%/V
％ / mA的
单位
20C
%
T
J
%
125℃ SOT23-5
40C
%
T
J
%
125℃ SOT23-5
40C
%
T
J
%
125℃的micro SMD
％的
V
OUT （ NOM ）
V
OUT
线路调整错误
负载调节误差
（注8）
V
IN
= V
OUT
（ NOM ）
+ 0.5V至6.0V
I
OUT
= 1 mA至150毫安
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V,
F = 1千赫
I
OUT
= 50 mA时（图
3)
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V,
F = 10 kHz时，
I
OUT
= 50 mA时（图
3)
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0毫安
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0至150毫安
V
EN
= 0.4V
PSRR
电源抑制比
45
dB
I
Q
静态电流
85
140
0.003
1
80
600
220
1
5
160
20
120
200
1.0
5
115
150
mV
mA
μVRMS
20
500
F
m
C
C
0.1
A
A
输入输出电压差（注9 ）
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 150毫安
I
SC
e
n
短路电流限制
输出噪声电压
输出电容
热关断温度
热关断迟滞
最大输入电流EN
（注10 ）
BW = 10赫兹至100千赫兹，
C
OUT
= 1F
电容（注11 ）
ESR （注11 ）
C
OUT
TSD
使能控制特性（注12 ）
I
EN
V
EN
= 0和V
IN
= 6.0V
www.national.com
4
LP3988
电气特性
（续）
除非另有规定： V
EN
= 1.8V, V
IN
= V
OUT
+ 0.5V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 1 μF 。典型的价值和限度
出现在标准字体为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结温
范围运行， -40°C至+ 125°C 。 （注6 ） （注7 ）
符号
参数
逻辑低电平输入阈值
逻辑高输入阈值
电源良好
低门槛
高门槛
PG输出逻辑低电压
PG输出漏电流
电源正常开启时间，
（注9 ）
电源正常关闭时，
（注9 ）
条件
V
IN
= 2.5V至6.0V
V
IN
= 2.5V至6.0V
％V的
OUT
（ PG ON）
图2
％V的
OUT
（ PG OFF ）
图2
（注
14)
I
引体向上
= 100μA ，故障状态
PG关，V
PG
= 6V
V
IN
= 4.2V
V
IN
= 4.2V
1.2
典型值
极限
民
最大
0.5
单位
V
V
V
IL
V
IH
电源良好
V
THL
V
THH
V
OL
I
PGL
T
ON
T
关闭
93
95
0.02
0.02
10
10
90
92
95
98
0.1
%
V
A
s
s
注1 ：
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是根据该装置的操作条件
得到保障。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试环境，请参阅电气
特性表。
注2 ：
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注3 ：
绝对最大功耗取决于环境温度，并且可以使用下面的公式来计算：
P
D
= (T
J
- T
A
)/θ
JA
其中T
J
是结温度T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
是结到环境的热阻。该364mW额定出现下
绝对最大额定值为SOT23-5封装的结果，从代绝对最大结温150℃，对于T
J
，70C对于T
A
和220℃ / W
为
θ
JA
。更多电源可以安全地在环境温度低于70℃消退。更少的功率可以安全地在环境温度70℃以上消退。该
绝对最大功耗可提高4.5MW为低于70℃每度，并且必须由4.5MW以上70°C每度会减小。同样
原则上适用于micro SMD封装。
注4 ：
人体模型是100pF电容通过1.5kΩ电阻对每个引脚放电。机器模型是一个200 pF的电容直接排入各
引脚。
注5 ：
象的绝对最大功耗，最大功耗操作依赖于环境温度。该250mW的评价
出现在工作额定值为SOT23-5封装的结果，从操作代替的最高结温，125C ，对于T
J
，70C对于T
A
,
为220℃ / W
θ
JA
入（注3）的上方。更多的功率可在环境温度低于70℃消退。更少的功率可在室温消退
温度高于70℃。最大功率耗散为操作可提高4.5MW为低于70℃每度，并且必须由4.5MW降额
对于70℃以上每度。同样的原则也适用于micro SMD封装。
注6 ：
所有参数均保证。具有室温的限制，但电特性的生产和T中进行测试
J
= 25℃或相关使用
统计质量控制（ SQC）方法。所有冷热极限值均通过与电气特性来处理和温度变化保证
并应用统计过程控制。
注7 ：
目标输出电压，将其标记V
OUT （ NOM ）
是所希望的电压的选择。
注8 ：
在负载电流的结果，在输出电压，反之亦然略有下降增加。
注9 ：
差电压是输入 - 输出电压差，当输出电压为100mV低于其标称值。
注10 ：
短路电流被拉低V后测得的输入电源线
OUT
到95 ％的V
OUT （ NOM ）
.
注11 ：
通过设计保证。该电容的容差应为
±
30 ％以上的整个温度范围内更好。全范围的操作条件下，如
温度，直流偏置，甚至电容器外壳尺寸的电容器中的应用程序应该在设备的选择要考虑，以确保这一最低
电容要求。 X7R电容器的类型，建议，全面满足器件的温度范围。
注12 ：
开启时间测量的使能输入刚刚超过V之间的时间
IH
和输出电压刚达到95％的标称值。
注13 ：
100V机器模型，电源良好标记， 4脚。
注14 ：
生成一起的低和高阈值。通常， 2.6 ％的差异被认为是这些阈值之间。
注15 ：
最小V
IN
是依赖于器件的输出选项。
为Vout的
（ NOM ）
＆ LT ;
2.5V, V
IN（分钟）
将等于2.5V 。因为VOUT
（ NOM ）
＆ GT ;
= 2.5V, V
IN（分钟）
将等于Vout的
（ NOM ）
+ 200mV的。
5
www.national.com
LP3988微器，150mA超低压差CMOS电压稳压器，具有电源良好
2004年8月
LP3988
微器，150mA超低压降CMOS电压
稳压器，电源良好
概述
该LP3988是150毫安低压差稳压器设计
专为满足便携式电池的要求
应用程序。该LP3988设计有工作空间
节能，小型1μF的陶瓷电容。该LP3988功能
一个错误标志输出，用于指示一个错误的输出条件。
该LP3988的业绩电池供电优化
系统能够提供低噪声，极低的压差电压
和低静态电流。稳压器的接地电流IN-
折痕只稍稍差，进一步延长电池盒盖
tery生活。
电源抑制比60分贝更好的低音频率
连锁商店并开始在10千赫滚降。高电源
拒绝维持下来较低的输入电压电平
常见的电池供电电路。
该器件非常适用于移动电话及类似的电池
供电的无线应用。它提供高达150毫安，
从2.5V至6V输入，功耗小于1 μA的禁用
模式，并具有快速的开启时间不超过为200ps 。
该LP3988提供5引脚SOT- 23封装和凸块5
薄型micro SMD封装。性能被指定为-40℃
至+ 125°C温度范围，在现有1.85 ， 2.5 ，
2.6 ， 2.85 ， 3.0和3.3V的输出电压。
n
n
n
n
n
n
40分贝PSRR在10kHz
≤1
μA的静态电流时关闭
快速的开启时间： 100微秒（典型值）。
80 mV的压降典型值与150毫安负荷
-40到+ 125°C的结温范围内运作
1.85V ， 2.5V ， 2.6V ， 2.85V ，3.0V和3.3V
特点
n
n
n
n
n
n
n
5凹凸薄的micro SMD封装
SOT- 23-5封装
电源良好标记输出
逻辑控制使能
稳定的陶瓷和高品质的钽电容
快速开启
热关断和短路电流限制
应用
n
n
n
n
n
CDMA蜂窝手机
宽带CDMA蜂窝手机
GSM蜂窝手机
便携式信息设备
微小的3.3V
±
5 ％至2.85V器，150mA转换器
关键的特定连接的阳离子
n
2.5至6.0V输入电压范围
n
150毫安保证出力
典型应用电路
20020502
2004美国国家半导体公司
DS200205
www.national.com
LP3988
绝对最大额定值
（注1,2 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
V
OUT
, V
EN
，电源良好（适用
只有微SMD ）
结温
储存温度
铅温度，垫温度。
功率耗散（注3 ）
SOT23-5
微型SMD
-0.3 6.5V
-0.3V到（V
IN
+0.3V),
用6V最大
150C
-65 ° C至+ 150°C
235C
364mW
355mW
ESD额定值（注4 ）
人体模型
机器型号
SOT23-5 （注13 ）
微型SMD
150V
200V
2kV
工作额定值
（注1,2 ）
V
IN
（注15 ）
V
OUT
, V
EN
结温
结到环境的热
电阻（ θ
JA
)
SOT23-5
微型SMD
最大功率耗散（注5 ）
SOT23-5
微型SMD
2.5V至6V
0到V
IN
-40 ° C至+ 125°C
220
o
C / W
255
o
C / W
250mW
244mW
电气特性
除非另有规定： V
EN
= 1.8V, V
IN
= V
OUT
+ 0.5V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 1 μF 。典型的价值和限度
出现在标准字体为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结温
范围运行， -40°C至+ 125°C 。 （注6 ） （注7 ）
符号
参数
输出电压
公差
条件
典型值
极限
民
2
3
3.5
-3
0.15
0.2
最大
2
3
3.5
3
0.15
0.2
0.005
0.007
65
%/V
％ / mA的
单位
20C
%
T
J
%
125℃ SOT23-5
40C
%
T
J
%
125℃ SOT23-5
40C
%
T
J
%
125℃的micro SMD
％的
V
OUT （ NOM ）
V
OUT
线路调整错误
负载调节误差
（注8）
V
IN
= V
OUT
（ NOM ）
+ 0.5V至6.0V
I
OUT
= 1 mA至150毫安
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V,
F = 1千赫
I
OUT
= 50 mA时（图
3)
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V,
F = 10 kHz时，
I
OUT
= 50 mA时（图
3)
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0毫安
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0至150毫安
V
EN
= 0.4V
PSRR
电源抑制比
45
dB
I
Q
静态电流
85
140
0.003
1
80
600
220
1
5
160
20
120
200
1.0
5
115
150
mV
mA
μVRMS
20
500
F
m
C
C
0.1
A
A
输入输出电压差（注9 ）
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 150毫安
I
SC
e
n
短路电流限制
输出噪声电压
输出电容
热关断温度
热关断迟滞
最大输入电流EN
（注10 ）
BW = 10赫兹至100千赫兹，
C
OUT
= 1F
电容（注11 ）
ESR （注11 ）
C
OUT
TSD
使能控制特性（注12 ）
I
EN
V
EN
= 0和V
IN
= 6.0V
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4
LP3988
电气特性
（续）
除非另有规定： V
EN
= 1.8V, V
IN
= V
OUT
+ 0.5V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 1 μF 。典型的价值和限度
出现在标准字体为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结温
范围运行， -40°C至+ 125°C 。 （注6 ） （注7 ）
符号
参数
逻辑低电平输入阈值
逻辑高输入阈值
电源良好
低门槛
高门槛
PG输出逻辑低电压
PG输出漏电流
电源正常开启时间，
（注9 ）
电源正常关闭时，
（注9 ）
条件
V
IN
= 2.5V至6.0V
V
IN
= 2.5V至6.0V
％V的
OUT
（ PG ON）
图2
％V的
OUT
（ PG OFF ）
图2
（注
14)
I
引体向上
= 100μA ，故障状态
PG关，V
PG
= 6V
V
IN
= 4.2V
V
IN
= 4.2V
1.2
典型值
极限
民
最大
0.5
单位
V
V
V
IL
V
IH
电源良好
V
THL
V
THH
V
OL
I
PGL
T
ON
T
关闭
93
95
0.02
0.02
10
10
90
92
95
98
0.1
%
V
A
s
s
注1 ：
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是根据该装置的操作条件
得到保障。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试环境，请参阅电气
特性表。
注2 ：
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注3 ：
绝对最大功耗取决于环境温度，并且可以使用下面的公式来计算：
P
D
= (T
J
- T
A
)/θ
JA
其中T
J
是结温度T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
是结到环境的热阻。该364mW额定出现下
绝对最大额定值为SOT23-5封装的结果，从代绝对最大结温150℃，对于T
J
，70C对于T
A
和220℃ / W
为
θ
JA
。更多电源可以安全地在环境温度低于70℃消退。更少的功率可以安全地在环境温度70℃以上消退。该
绝对最大功耗可提高4.5MW为低于70℃每度，并且必须由4.5MW以上70°C每度会减小。同样
原则上适用于micro SMD封装。
注4 ：
人体模型是100pF电容通过1.5kΩ电阻对每个引脚放电。机器模型是一个200 pF的电容直接排入各
引脚。
注5 ：
象的绝对最大功耗，最大功耗操作依赖于环境温度。该250mW的评价
出现在工作额定值为SOT23-5封装的结果，从操作代替的最高结温，125C ，对于T
J
，70C对于T
A
,
为220℃ / W
θ
JA
入（注3）的上方。更多的功率可在环境温度低于70℃消退。更少的功率可在室温消退
温度高于70℃。最大功率耗散为操作可提高4.5MW为低于70℃每度，并且必须由4.5MW降额
对于70℃以上每度。同样的原则也适用于micro SMD封装。
注6 ：
所有参数均保证。具有室温的限制，但电特性的生产和T中进行测试
J
= 25℃或相关使用
统计质量控制（ SQC）方法。所有冷热极限值均通过与电气特性来处理和温度变化保证
并应用统计过程控制。
注7 ：
目标输出电压，将其标记V
OUT （ NOM ）
是所希望的电压的选择。
注8 ：
在负载电流的结果，在输出电压，反之亦然略有下降增加。
注9 ：
差电压是输入 - 输出电压差，当输出电压为100mV低于其标称值。
注10 ：
短路电流被拉低V后测得的输入电源线
OUT
到95 ％的V
OUT （ NOM ）
.
注11 ：
通过设计保证。该电容的容差应为
±
30 ％以上的整个温度范围内更好。全范围的操作条件下，如
温度，直流偏置，甚至电容器外壳尺寸的电容器中的应用程序应该在设备的选择要考虑，以确保这一最低
电容要求。 X7R电容器的类型，建议，全面满足器件的温度范围。
注12 ：
开启时间测量的使能输入刚刚超过V之间的时间
IH
和输出电压刚达到95％的标称值。
注13 ：
100V机器模型，电源良好标记， 4脚。
注14 ：
生成一起的低和高阈值。通常， 2.6 ％的差异被认为是这些阈值之间。
注15 ：
最小V
IN
是依赖于器件的输出选项。
为Vout的
（ NOM ）
＆ LT ;
2.5V, V
IN（分钟）
将等于2.5V 。因为VOUT
（ NOM ）
＆ GT ;
= 2.5V, V
IN（分钟）
将等于Vout的
（ NOM ）
+ 200mV的。
5
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