LP3986双微150毫安超低压差CMOS电压稳压器，微型SMD
包
2003年5月
LP3986
双微150毫安超低压降CMOS
电压调节器的micro SMD封装
概述
该LP3986是150毫安双低压差稳压器DE-
签名用于便携式和无线应用需求 -
荷兰国际集团的性能和电路板空间要求。
该LP3986是稳定的小1 μF
±
30 ％的陶瓷输出
电容需要尽可能小的电路板空间。
该LP3986的业绩电池供电优化
系统能够提供超低噪音，极低压差
电压和负载电流的低静态电流的独立
租。稳压器的接地电流的增加非常轻微
降，进一步延长电池寿命。可选外部
旁路电容减少输出噪声更不
减慢的负载瞬态响应。快速启动时间
通过利用一个加速电路，其主动预实现
的旁路电容充电。电源抑制
在低频时优于60 dB和55分贝在10kHz 。
高电源抑制保持在低输入电压
常见的电池寿命水平供电电路。
该LP3986是提供一个micro SMD封装。 Perfor-
曼斯被指定为-40°C至+ 125°C的温度
范围内。对于单个LDO应用，请参考
LP3985数据表。
特点
n
小型8 -I / O的micro SMD封装
n
稳定的1μF陶瓷和高品质的钽电容
输出电容
n
快速开启
n
两个独立的监管机构
n
逻辑控制使能
n
过流和热保护
关键的特定连接的阳离子
n
每个稳压器保证输出150 mA电流
n
1nA的典型静态电流当两个监管机构
关断模式
n
60 mV的典型压差电压在150 mA的输出电流
n
115 μA典型接地电流
n
40 μV典型的输出噪声
n
200 μs的快速导通电路
n
-40°C至+ 125°C的结温
应用
n
n
n
n
CDMA蜂窝手机
GSM蜂窝手机
便携式信息设备
便携式电池供电的应用
典型应用电路
20003401
2003美国国家半导体公司
DS200034
www.national.com
LP3986
框图
LP3986
20003402
引脚说明
名字
V
OUT2
EN
2
绕行
GND
GND
EN
1
V
OUT1
V
IN
*微型SMD
A1
B1
C1
C2
C3
B3
A3
A2
功能
第二个LDO的输出电压
使能输入第二个LDO
旁路电容的带隙
共同点
共同点
使能输入为所述第一LDO
第一个LDO的输出电压
两个LDO的输入通用
*注：为micro SMD封装的引脚编号方案进行了修订， 2002年4月，以符合JEDEC标准。只有脚
数进行了修订。不改变输入/输出的物理位置发了言。为便于参考，过时
编号方案有V
OUT2
作为销1 ， EN
2
作为销2 ，旁路如销3 ，GND作为引脚4和5 ，EN
1
作为销6 ，V
OUT1
作为销7和V
IN
作为引脚8 。
接线图
20003404
顶视图
8焊球micro SMD封装
见NS包装数BLA08
www.national.com
2
LP3986
订购信息
对于micro SMD封装（ BL有0.995毫米厚度）
产量
电压（V）的
2.52.8
2.82.8
2.852.85
2.92.9
3.03.0
3.13.1
3.13.3
3.33.3
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
包
记号
14
10
11
15
12
13
16
17
LP3986提供250个单位，
磁带和卷轴
LP3986BL-2528
LP3986BL-2828
LP3986BL-285285
LP3986BL-2929
LP3986BL-3030
LP3986BL-3131
LP3986BL-3133
LP3986BL-3333
LP3986提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3986BLX-2528
LP3986BLX-2828
LP3986BLX285285
LP3986BLX-2929
LP3986BLX-3030
LP3986BLX-3131
LP3986BLX-3133
LP3986BLX-3333
对于micro SMD封装（ TL具有0.600毫米的厚度）
产量
电压（V）的
2.52.8
2.82.8
2.852.85
2.92.9
3.03.0
3.13.1
3.13.3
3.33.3
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
包
记号
14
10
11
15
12
13
16
17
LP3986提供250个单位，
磁带和卷轴
LP3986TL-2528
LP3986TL-2828
LP3986TL-285285
LP3986TL-2929
LP3986TL-3030
LP3986TL-3131
LP3986TL-3133
LP3986TL-3333
LP3986提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3986TLX-2528
LP3986TLX-2828
LP3986TLX285285
LP3986TLX-2929
LP3986TLX-3030
LP3986TLX-3131
LP3986TLX-3133
LP3986TLX-3333
20003403
3
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LP3986
绝对最大额定值
2)
（注1 ，
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
, V
EN
V
OUT
结温
储存温度
垫温度。 （注3）
最大功率耗散
（注4 ）
-0.3 6.5V
-0.3 （V
IN
+0.3V)
≤
6.5V
150C
-65 ° C至+ 150°C
235C
364mW
ESD额定值（注5 ）
人体模型
机器型号
2kV
200V
工作额定值
（注1,2 ）
V
IN
V
EN
结温
热阻
θ
JA
最大功率耗散（注6 ）
220C/W
250mW
2.5 6V
0至（Ⅴ
IN
+ 0.3V)
≤
6V
-40 ° C至+ 125°C
电气特性
除非另有规定： V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 1 μF ，C
绕行
= 0.01μF 。典型值
并出现在标准字体限为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结
操作温度范围， -40°C至+ 125°C 。 （注7 ） （注8）
符号
参数
输出电压
公差
V
OUT
线路调整错误
（注9 ）
负载调节误差
（注10 ）
交流输出电
规
条件
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ）至
6.0V,
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1mA至150毫安
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V,
I
OUT
= 150 mA时（图
1)
V
IN
= 3.1V,
F = 1千赫
I
OUT
= 50 mA时（图
2)
V
IN
= 3.1V,
F = 10 kHz时，
I
OUT
= 50 mA时（图
2)
这两个监管机构
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0毫安
这两个监管机构
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0至150
mA
一个稳压器ON
V
EN
= 1.4V我
OUT
= 0毫安
一个稳压器ON
V
EN
= 1.4V我
OUT
= 0至150
mA
V
EN
= 0.4V ，两个稳压器
OFF （关闭）
输入输出电压差
（注11 ）
I
SC
I
OUT （ PK ）
T
ON
短路电流
极限
峰值输出电流
开启时间
（注12 ）
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 150毫安
输出接地
V
OUT
≥
V
OUT （ NOM ）
- 5%
C
绕行
= 0.01 F
0.006
典型值
极限
民
2.5
3.0
最大
2.5
3.0
0.092
0.128
0.006
0.01
单位
％的
V
OUT （ NOM ）
%/V
0.003
1.5
60
％ / mA的
mV
P-P
PSRR
电源抑制
比
50
dB
I
Q
静态电流
115
220
200
320
75
130
130
200
A
0.001
0.4
60
600
500
200
300
2
4
2
100
mV
mA
mA
s
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4
LP3986
电气特性
（续）
除非另有规定： V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 1 μF ，C
绕行
= 0.01μF 。典型值
并出现在标准字体限为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结
操作温度范围， -40°C至+ 125°C 。 （注7 ） （注8）
符号
e
n
ρn(1/f)
I
EN
V
IL
V
IH
参数
输出噪声电压
输出噪声密度
最大输入电流
在EN
最大低电平
输入电压为EN
最低高层
输入电压为EN
条件
BW = 10赫兹至100千赫兹，
C
OUT
= 1F
F = 120赫兹，
C
OUT
= 1F
V
EN
= 0.4 V
IN
= 6V
V
IN
= 2.5 6V
V
IN
= 2.5 6V
I
Load1
= 150 mA的1KHz的速度
I
Load2
= 1毫安
V
OUT2
/V
OUT1
I
Load2
= 150 mA的1KHz的速度
I
Load1
= 1毫安
V
OUT2
/V
OUT1
（注13 ）
（注14 ）
1.4
典型值
40
1
极限
民
最大
单位
μVRMS
V/
nA
0.4
V
V
±
10
XTALK
串扰抑制
60
dB
60
1
5
22
500
F
m
C
OUT
电容
ESR
注1 ：
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是根据该装置的操作条件
得到保障。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试环境，请参阅电气
特性表。
注2 ：
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注3 ：
上盘温度的附加信息可以在美国国家半导体应用笔记（ AN- 1112）上找到。
注4 ：
绝对最大功耗取决于环境温度，并且可以使用下面的公式来计算：
P
D
= (T
J
- T
A
)/θ
JA
,
其中T
J
是结温度T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
是结到环境的热阻。该364mW额定出现下
从替代的绝对最大结温150℃ ，对于T绝对最大额定值结果
J
，70C对于T
A
对于和220C / W
θ
JA
。更多的权力可
可在环境温度低于70°C安全耗散。更少的功率可以安全地在环境温度70℃以上消退。绝对最大功率
耗散可提高4.5MW为低于70℃每度，并且必须由4.5MW以上70°C每度会减小。
注5 ：
人体模型是100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200pF的电容直接排入各
引脚。
注6 ：
象的绝对最大功耗，最大功耗操作依赖于环境温度。该250mW的评价
出现在额定工作成果，从操作代替的最高结温，125C ，对于T
J
，70C对于T
A
对于和220C / W
θ
JA
INTO
上述（1） 。更多的功率可在环境温度低于70℃消退。更少的功率可在环境温度70℃以上消退。最大
功耗操作可提高4.5MW为低于70℃每度，并且必须由4.5MW以上70°C每度会减小。
注7 ：
所有参数均保证。具有室内温度限制所有的电气特性生产和T中进行测试
J
= 25℃或相关使用
统计质量控制（ SQC）方法。所有冷热极限值均通过与电气特性来处理和温度变化保证
并应用统计过程控制。
注8 ：
目标输出电压，将其标记V
OUT （ NOM ）
是所希望的电压的选择。
注9 ：
的输出电压与线路电压略微变化。在线路电压的结果，在输出电压，反之亦然稍有增加上升。
注10 ：
输出电压与负载电流稍有改变。在负载电流的结果，在输出电压，反之亦然略有下降增加。
注11 ：
差电压是输入 - 输出电压差，当输出电压为100mV低于其标称值。
注12 ：
开启时间是在使能输入之间刚刚超过V
IH
和输出电压刚达到95％的标称值。
注13 ：
电容值的范围，器件将保持稳定。该电气规格为设计保证。
注14 ：
电容的ESR值范围，器件将保持稳定。该电气规格为设计保证。
5
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LP3986双微150毫安超低压差CMOS电压稳压器，微型SMD
包
2003年5月
LP3986
双微150毫安超低压降CMOS
电压调节器的micro SMD封装
概述
该LP3986是150毫安双低压差稳压器DE-
签名用于便携式和无线应用需求 -
荷兰国际集团的性能和电路板空间要求。
该LP3986是稳定的小1 μF
±
30 ％的陶瓷输出
电容需要尽可能小的电路板空间。
该LP3986的业绩电池供电优化
系统能够提供超低噪音，极低压差
电压和负载电流的低静态电流的独立
租。稳压器的接地电流的增加非常轻微
降，进一步延长电池寿命。可选外部
旁路电容减少输出噪声更不
减慢的负载瞬态响应。快速启动时间
通过利用一个加速电路，其主动预实现
的旁路电容充电。电源抑制
在低频时优于60 dB和55分贝在10kHz 。
高电源抑制保持在低输入电压
常见的电池寿命水平供电电路。
该LP3986是提供一个micro SMD封装。 Perfor-
曼斯被指定为-40°C至+ 125°C的温度
范围内。对于单个LDO应用，请参考
LP3985数据表。
特点
n
小型8 -I / O的micro SMD封装
n
稳定的1μF陶瓷和高品质的钽电容
输出电容
n
快速开启
n
两个独立的监管机构
n
逻辑控制使能
n
过流和热保护
关键的特定连接的阳离子
n
每个稳压器保证输出150 mA电流
n
1nA的典型静态电流当两个监管机构
关断模式
n
60 mV的典型压差电压在150 mA的输出电流
n
115 μA典型接地电流
n
40 μV典型的输出噪声
n
200 μs的快速导通电路
n
-40°C至+ 125°C的结温
应用
n
n
n
n
CDMA蜂窝手机
GSM蜂窝手机
便携式信息设备
便携式电池供电的应用
典型应用电路
20003401
2003美国国家半导体公司
DS200034
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LP3986
框图
LP3986
20003402
引脚说明
名字
V
OUT2
EN
2
绕行
GND
GND
EN
1
V
OUT1
V
IN
*微型SMD
A1
B1
C1
C2
C3
B3
A3
A2
功能
第二个LDO的输出电压
使能输入第二个LDO
旁路电容的带隙
共同点
共同点
使能输入为所述第一LDO
第一个LDO的输出电压
两个LDO的输入通用
*注：为micro SMD封装的引脚编号方案进行了修订， 2002年4月，以符合JEDEC标准。只有脚
数进行了修订。不改变输入/输出的物理位置发了言。为便于参考，过时
编号方案有V
OUT2
作为销1 ， EN
2
作为销2 ，旁路如销3 ，GND作为引脚4和5 ，EN
1
作为销6 ，V
OUT1
作为销7和V
IN
作为引脚8 。
接线图
20003404
顶视图
8焊球micro SMD封装
见NS包装数BLA08
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2
LP3986
订购信息
对于micro SMD封装（ BL有0.995毫米厚度）
产量
电压（V）的
2.52.8
2.82.8
2.852.85
2.92.9
3.03.0
3.13.1
3.13.3
3.33.3
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
包
记号
14
10
11
15
12
13
16
17
LP3986提供250个单位，
磁带和卷轴
LP3986BL-2528
LP3986BL-2828
LP3986BL-285285
LP3986BL-2929
LP3986BL-3030
LP3986BL-3131
LP3986BL-3133
LP3986BL-3333
LP3986提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3986BLX-2528
LP3986BLX-2828
LP3986BLX285285
LP3986BLX-2929
LP3986BLX-3030
LP3986BLX-3131
LP3986BLX-3133
LP3986BLX-3333
对于micro SMD封装（ TL具有0.600毫米的厚度）
产量
电压（V）的
2.52.8
2.82.8
2.852.85
2.92.9
3.03.0
3.13.1
3.13.3
3.33.3
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
包
记号
14
10
11
15
12
13
16
17
LP3986提供250个单位，
磁带和卷轴
LP3986TL-2528
LP3986TL-2828
LP3986TL-285285
LP3986TL-2929
LP3986TL-3030
LP3986TL-3131
LP3986TL-3133
LP3986TL-3333
LP3986提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3986TLX-2528
LP3986TLX-2828
LP3986TLX285285
LP3986TLX-2929
LP3986TLX-3030
LP3986TLX-3131
LP3986TLX-3133
LP3986TLX-3333
20003403
3
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LP3986
绝对最大额定值
2)
（注1 ，
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
, V
EN
V
OUT
结温
储存温度
垫温度。 （注3）
最大功率耗散
（注4 ）
-0.3 6.5V
-0.3 （V
IN
+0.3V)
≤
6.5V
150C
-65 ° C至+ 150°C
235C
364mW
ESD额定值（注5 ）
人体模型
机器型号
2kV
200V
工作额定值
（注1,2 ）
V
IN
V
EN
结温
热阻
θ
JA
最大功率耗散（注6 ）
220C/W
250mW
2.5 6V
0至（Ⅴ
IN
+ 0.3V)
≤
6V
-40 ° C至+ 125°C
电气特性
除非另有规定： V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 1 μF ，C
绕行
= 0.01μF 。典型值
并出现在标准字体限为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结
操作温度范围， -40°C至+ 125°C 。 （注7 ） （注8）
符号
参数
输出电压
公差
V
OUT
线路调整错误
（注9 ）
负载调节误差
（注10 ）
交流输出电
规
条件
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ）至
6.0V,
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 1mA至150毫安
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V,
I
OUT
= 150 mA时（图
1)
V
IN
= 3.1V,
F = 1千赫
I
OUT
= 50 mA时（图
2)
V
IN
= 3.1V,
F = 10 kHz时，
I
OUT
= 50 mA时（图
2)
这两个监管机构
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0毫安
这两个监管机构
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0至150
mA
一个稳压器ON
V
EN
= 1.4V我
OUT
= 0毫安
一个稳压器ON
V
EN
= 1.4V我
OUT
= 0至150
mA
V
EN
= 0.4V ，两个稳压器
OFF （关闭）
输入输出电压差
（注11 ）
I
SC
I
OUT （ PK ）
T
ON
短路电流
极限
峰值输出电流
开启时间
（注12 ）
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 150毫安
输出接地
V
OUT
≥
V
OUT （ NOM ）
- 5%
C
绕行
= 0.01 F
0.006
典型值
极限
民
2.5
3.0
最大
2.5
3.0
0.092
0.128
0.006
0.01
单位
％的
V
OUT （ NOM ）
%/V
0.003
1.5
60
％ / mA的
mV
P-P
PSRR
电源抑制
比
50
dB
I
Q
静态电流
115
220
200
320
75
130
130
200
A
0.001
0.4
60
600
500
200
300
2
4
2
100
mV
mA
mA
s
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4
LP3986
电气特性
（续）
除非另有规定： V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 1 μF ，C
绕行
= 0.01μF 。典型值
并出现在标准字体限为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结
操作温度范围， -40°C至+ 125°C 。 （注7 ） （注8）
符号
e
n
ρn(1/f)
I
EN
V
IL
V
IH
参数
输出噪声电压
输出噪声密度
最大输入电流
在EN
最大低电平
输入电压为EN
最低高层
输入电压为EN
条件
BW = 10赫兹至100千赫兹，
C
OUT
= 1F
F = 120赫兹，
C
OUT
= 1F
V
EN
= 0.4 V
IN
= 6V
V
IN
= 2.5 6V
V
IN
= 2.5 6V
I
Load1
= 150 mA的1KHz的速度
I
Load2
= 1毫安
V
OUT2
/V
OUT1
I
Load2
= 150 mA的1KHz的速度
I
Load1
= 1毫安
V
OUT2
/V
OUT1
（注13 ）
（注14 ）
1.4
典型值
40
1
极限
民
最大
单位
μVRMS
V/
nA
0.4
V
V
±
10
XTALK
串扰抑制
60
dB
60
1
5
22
500
F
m
C
OUT
电容
ESR
注1 ：
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是根据该装置的操作条件
得到保障。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试环境，请参阅电气
特性表。
注2 ：
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注3 ：
上盘温度的附加信息可以在美国国家半导体应用笔记（ AN- 1112）上找到。
注4 ：
绝对最大功耗取决于环境温度，并且可以使用下面的公式来计算：
P
D
= (T
J
- T
A
)/θ
JA
,
其中T
J
是结温度T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
是结到环境的热阻。该364mW额定出现下
从替代的绝对最大结温150℃ ，对于T绝对最大额定值结果
J
，70C对于T
A
对于和220C / W
θ
JA
。更多的权力可
可在环境温度低于70°C安全耗散。更少的功率可以安全地在环境温度70℃以上消退。绝对最大功率
耗散可提高4.5MW为低于70℃每度，并且必须由4.5MW以上70°C每度会减小。
注5 ：
人体模型是100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200pF的电容直接排入各
引脚。
注6 ：
象的绝对最大功耗，最大功耗操作依赖于环境温度。该250mW的评价
出现在额定工作成果，从操作代替的最高结温，125C ，对于T
J
，70C对于T
A
对于和220C / W
θ
JA
INTO
上述（1） 。更多的功率可在环境温度低于70℃消退。更少的功率可在环境温度70℃以上消退。最大
功耗操作可提高4.5MW为低于70℃每度，并且必须由4.5MW以上70°C每度会减小。
注7 ：
所有参数均保证。具有室内温度限制所有的电气特性生产和T中进行测试
J
= 25℃或相关使用
统计质量控制（ SQC）方法。所有冷热极限值均通过与电气特性来处理和温度变化保证
并应用统计过程控制。
注8 ：
目标输出电压，将其标记V
OUT （ NOM ）
是所希望的电压的选择。
注9 ：
的输出电压与线路电压略微变化。在线路电压的结果，在输出电压，反之亦然稍有增加上升。
注10 ：
输出电压与负载电流稍有改变。在负载电流的结果，在输出电压，反之亦然略有下降增加。
注11 ：
差电压是输入 - 输出电压差，当输出电压为100mV低于其标称值。
注12 ：
开启时间是在使能输入之间刚刚超过V
IH
和输出电压刚达到95％的标称值。
注13 ：
电容值的范围，器件将保持稳定。该电气规格为设计保证。
注14 ：
电容的ESR值范围，器件将保持稳定。该电气规格为设计保证。
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