LP3985微器，150mA低噪声超低压差CMOS电压稳压器
2003年6月
LP3985
微器，150mA低噪声超低压降CMOS
稳压器
概述
该LP3985是专为便携式和无线应用
系统蒸发散与苛刻的性能和空间要求。
该LP3985是稳定的一个小1μF
±
30 ％的陶瓷或
高质量的钽输出电容器。微型SMD重
张塌塌米的最小的PC板面积 - 总应用程序
阳离子电路面积可小于2.0毫米X 2.5毫米，一
分数一1206外壳尺寸的。
该LP3985的业绩电池供电优化
系统能够提供超低噪音，极低压差
电压和低静态电流。稳压器的接地电流
增加只稍稍差，进一步延长
电池寿命。
一个可选的外部旁路电容可降低输出
噪声不会降低负载瞬态响应。
快速启动时间，通过利用内部实现的
电源接通电路，其积极地进行预充电的旁路电容
器。
电源抑制比50分贝更好的低音频率
资本投资者入境计划，并开始在1kHz滚下。高电源抑制
被保持在低电平共用输入电压电平
电池供电的电路。
该器件非常适用于移动电话及类似的电池
供电的无线应用。它提供高达150毫安，
从2.5V至6V的输入。该LP3985功耗小于
1.5μA的关闭模式，并快速的开启时间小于
200s.
该LP3985是一个5小凸点焊球micro SMD用，
5凹凸大的焊球micro SMD ， 5凸点薄的micro SMD
和5引脚SOT- 23封装。性能被指定为
-40°C至+ 125°C的温度范围内工作，在2.5V可用，
2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 2.9V, 3.0V. 3.1V, 3.2V, 3.3V, 4.7V,
4.8V和5.0V的输出电压。对于其他的输出电压
2.5V之间选择， 5.0V或双LP3985 ，请
与美国国家半导体销售办事处。
关键的特定连接的阳离子
n
n
n
n
n
n
n
n
n
2.5至6.0V输入电压范围
150毫安保证出力
50分贝PSRR在1kHz
@
V
IN
= V
OUT
+ 0.2V
≤1.5A
当关机静态电流
快速的开启时间： 200微秒（典型值）。
100mV的最大压差与150毫安负荷
30μVrms输出噪声（典型值），在10Hz至100kHz
-40到+ 125°C的结温范围内运作
2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 2.9V, 3.0V, 3.1V, 3.2V,
3.3V ， 4.7V ， 4.8V和5.0V输出标准
特点
n
n
n
n
n
微型5 - I / O的micro SMD及SOT- 23-5封装
逻辑控制使能
稳定的陶瓷和高品质的钽电容
快速开启
热关断和短路电流限制
应用
n
n
n
n
CDMA蜂窝手机
宽带CDMA蜂窝手机
GSM蜂窝手机
便携式信息设备
典型应用电路
10136402
注：引脚数括号注明的micro SMD封装。
*
可选的减少噪音电容。
2003美国国家半导体公司
DS101364
www.national.com
LP3985
框图
10136401
引脚说明
名字
V
EN
GND
V
OUT
V
IN
绕行
*微型SMD
A1
B2
C1
C3
A3
SOT
3
2
5
1
4
功能
使能输入逻辑，使能高
共同点
LDO的输出电压
LDO的输入电压
可选的旁路电容噪声
减少
*为micro SMD封装的引脚编号方案进行了修订， 2002年4月，以符合JEDEC标准。只有引脚数分别为
修订。不改变输入/输出的物理位置发了言。为便于参考，过时的编号方案有VEN
作为销1 ， GND为2脚， VOUT为3脚， VIN为4脚，并作为旁路引脚5 。
连接图
SOT 23-5封装（ MF ）
5焊球micro SMD封装（ BPA05 ， BLA05 ， TLA05 ）
10136407
顶视图
见NS包装数MF05A
10136470
顶视图
见NS包装数BPA05 ， BLA05 ， TLA05
www.national.com
2
LP3985
订购信息
BP是指0.170毫米凹凸的尺寸， 0.900毫米高度的micro SMD封装
产量
电压（V）的
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
4.7
5.0
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP3985提供250
单位，磁带和卷轴
LP3985IBP-2.5
LP3985IBP-2.6
LP3985IBP-2.7
LP3985IBP-2.8
LP3985IBP-285
LP3985IBP-2.9
LP3985IBP-3.0
LP3985IBP-3.1
LP3985IBP-3.2
LP3985IBP-3.3
LP3985IBP-4.7
LP3985IBP-5.0
LP3985提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3985IBPX-2.5
LP3985IBPX-2.6
LP3985IBPX-2.7
LP3985IBPX-2.8
LP3985IBPX-285
LP3985IBPX-2.9
LP3985IBPX-3.0
LP3985IBPX-3.1
LP3985IBPX-3.2
LP3985IBPX-3.3
LP3985IBPX-4.7
LP3985IBPX-5.0
BL是指0.300毫米凹凸的尺寸， 0.995毫米高度的micro SMD封装
产量
电压（V）的
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
4.8
5.0
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP3985提供250
单位，磁带和卷轴
LP3985IBL-2.5
LP3985IBL-2.6
LP3985IBL-2.7
LP3985IBL-2.8
LP3985IBL-285
LP3985IBL-2.9
LP3985IBL-3.0
LP3985IBL-3.1
LP3985IBL-3.2
LP3985IBL-3.3
LP3985IBL-4.8
LP3985IBL-5.0
LP3985提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3985IBLX-2.5
LP3985IBLX-2.6
LP3985IBLX-2.7
LP3985IBLX-2.8
LP3985IBLX-285
LP3985IBLX-2.9
LP3985IBLX-3.0
LP3985IBLX-3.1
LP3985IBLX-3.2
LP3985IBLX-3.3
LP3985IBLX-4.8
LP3985IBLX-5.0
TL是指0.300毫米凹凸的尺寸， 0.600毫米高度的micro SMD封装
产量
电压（V）的
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
4.8
5.0
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP3985提供250
单位，磁带和卷轴
LP3985ITL-2.5
LP3985ITL-2.6
LP3985ITL-2.7
LP3985ITL-2.8
LP3985ITL-285
LP3985ITL-2.9
LP3985ITL-3.0
LP3985ITL-3.1
LP3985ITL-3.2
LP3985ITL-3.3
LP3985ITL-4.8
LP3985ITL-5.0
LP3985提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3985ITLX-2.5
LP3985ITLX-2.6
LP3985ITLX-2.7
LP3985ITLX-2.8
LP3985ITLX-285
LP3985ITLX-2.9
LP3985ITLX-3.0
LP3985ITLX-3.1
LP3985ITLX-3.2
LP3985ITLX-3.3
LP3985ITLX-4.8
LP3985ITLX-5.0
3
www.national.com
LP3985
绝对最大额定值
2)
（注1 ，
工作额定值
（注1,2 ）
V
IN
V
EN
结温
热阻
θ
JA
(SOT23-5)
θ
JA
（微型SMD ）
最大功率耗散
SOT23-5 （注6 ）
微型SMD （注6 ）
2.5 6V
0至（Ⅴ
IN
+0.3)
≤
6V
-40 ° C至+ 125°C
220C/W
255C/W
250mW
244mW
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
, V
EN
V
OUT
结温
储存温度
铅温度。
垫温度。 （注3）
最大功率耗散
SOT23-5 （注4 ）
微型SMD （注4 ）
ESD额定值（注5 ）
人体模型
机器型号
-0.3 6.5V
-0.3 （V
IN
+0.3)
≤
6.5V
150C
-65 ° C至+ 150°C
235C
235C
364mW
355mW
2kV
150V
电气特性
除非另有规定： V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 1 μF ，C
绕行
= 0.01μF 。典型值
并出现在标准字体限为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结
操作温度范围， -40°C至+ 125°C 。 （注7 ） （注8）
符号
参数
输出电压
公差
线路调整错误
V
OUT
负载调节误差
（注9 ）
输出交流线路调整
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ）至6.0V ，
对于4.7 5.0的选项
对于所有其他选项
I
OUT
= 1 mA至150毫安
LP3985IM5 （ SOT23-5 ）
LP3985 （微SMD ）
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V,
I
OUT
= 150 mA时（图
1)
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.2V,
F = 1千赫
I
OUT
= 50 mA时（图
2)
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.2V,
F = 10 kHz时，
I
OUT
= 50 mA时（图
2)
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0毫安
对于4.7 5.0的选项
对于所有其他选项
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0至150毫安
对于4.7 5.0的选项
对于所有其他选项
V
EN
= 0.4V
输入输出电压差（注10 ）
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 150毫安
I
SC
I
OUT （ PK ）
短路电流限制
峰值输出电流
输出接地
（稳定状态）
V
OUT
≥
V
OUT （ NOM ）
- 5%
5
条件
典型值
极限
民
2
3
0.19
0.1
最大
2
3
0.19
0.1
0.005
单位
％的
V
OUT （ NOM ）
%/V
0.0025
0.0004
1.5
50
％ / mA的
0.002
mV
P-P
PSRR
电源抑制比
40
dB
I
Q
静态电流
100
85
155
140
0.003
0.4
20
45
60
600
550
300
165
150
A
250
200
1.5
2
35
70
100
mA
mA
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mV
LP3985
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SNVS087AC - 2000年10月 - 修订2013年5月
LP3985微器，150mA低噪声超低压差CMOS电压稳压器
检查样品：
LP3985
1
特点
微型5 - I / O DSBGA和USON包
逻辑控制使能
稳定与陶瓷和高品质
钽电容
快速开启
热关断和短路电流
极限
描述
该LP3985是专为便携式和无线
与苛刻的性能和空间应用
要求。
该LP3985是稳定的，小1μF ±30％的陶瓷
或高质量的钽输出电容器。该DSBGA
需要尽可能小的PCB面积 - 的
总的应用电路面积可小于2.0毫米X
2.5毫米， 1206外壳尺寸的一小部分。
该LP3985的性能进行了优化电池
动力系统，以提供超低噪声，非常
低压差和低静态电流。
稳压器的接地电流仅增加轻微
降，进一步延长电池寿命。
一个可选的外部旁路电容减少
没有放缓的负载瞬态输出噪声
反应。快速启动时间是通过利用所获得的
内部上电电路，积极预收费
旁路电容。
电源抑制比50dB的低
频率，并开始在1kHz滚下。高功率
电源抑制维持下降到低投入
常见的电池电压等级供电电路。
该装置是适用于移动电话和类似的
电池供电的无线应用。它提供了
150mA的电流，在2.5V至6V的输入。该LP3985
消耗低于1.5μA的关闭模式，并具有
快速的开启时间不超过为200ps 。
2
应用
CDMA蜂窝手机
宽带CDMA蜂窝手机
GSM蜂窝手机
便携式信息设备
关键的特定连接的阳离子
2.5至6.0V输入电压范围
150毫安验证输出
50分贝PSRR在1kHz @ VIN = VOUT + 0.2V
≤1.5μA
当关机静态电流
快速的开启时间：为200μs （典型值）。
100mV的最大压差与150毫安负荷
30μVrms输出噪声（典型值），在10Hz至
100kHz
40
至+ 125°C的结温范围为
手术
2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 2.9V, 3.0V, 3.1V,
3.2V ， 3.3V ， 4.7V ， 4.75V ， 4.8V和5.0V输出
标准
典型应用电路
1(C3)
V
IN
1PF
3(A1)
V
OUT
1PF
LP3985
V
EN
2(B2)
4(A3)
绕行
*
5(C1)
括号引脚的数字表示DSBGA包。
*可选降噪电容。
图1 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2000至13年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LP3985
SNVS087AC - 2000年10月 - 修订2013年5月
www.ti.com
描述（续）
该LP3985是在5焊球薄DSBGA和5引脚USON封装。性能被指定为
40°C
至+ 125°C温度范围，在2.5V ， 2.6V ， 2.7V ， 2.8V ， 2.85V ， 2.9V ， 3.0V可用。 3.1V ， 3.2V ，
3.3V ， 4.7V ， 4.75V ， 4.8V和5.0V的输出电压。对于以5.0V或2.5V的之间的其它输出电压选项
双LP3985 ，请与德州仪器（TI）销售办事处。
框图
V
IN
V
OUT
V
EN
ON
t
1.40V
关闭
V
参考
1.23V
快速开启
在线路
R1
d
0.4V
绕行
R2
过电流&
热保护
GND
图2中。
引脚说明
名字
V
EN
GND
V
OUT
V
IN
绕行
* DSBGA
A1
B2
C1
C3
A3
USON
3
2
5
1
4
共同点
LDO的输出电压
LDO的输入电压
可选的旁路电容降噪
功能
使能输入逻辑，使能高
接线图
图3.顶视图USON 5引脚封装
包装数量MF05A
图4顶视图5焊球DSBGA包装
包装数TLA05
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
2
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LP3985
版权所有 2000至13年，德州仪器
LP3985
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SNVS087AC - 2000年10月 - 修订2013年5月
订购信息
(1) (2)
订购
SOT23-5封装
LP3985IM5-2.5/NOPB
LP3985IM5X-2.5/NOPB
LP3985IM5-2.6/NOPB
LP3985IM5X-2.6/NOPB
LP3985IM5-2.7/NOPB
LP3985IM5X-2.7/NOPB
LP3985IM5-2.8/NOPB
LP3985IM5X-2.8/NOPB
LP3985IM5-2.85/NOPB
LP3985IM5X-2.85/NOPB
LP3985IM5-2.9/NOPB
LP3985IM5X-2.9/NOPB
LP3985IM5-3.0/NOPB
LP3985IM5X-3.0/NOPB
LP3985IM5-3.1/NOPB
LP3985IM5X-3.1/NOPB
LP3985IM5-3.2/NOPB
LP3985IM5X-3.2/NOPB
LP3985IM5-3.3/NOPB
LP3985IM5X-3.3/NOPB
LP3985IM5-4.7/NOPB
LP3985IM5X-4.7/NOPB
LP3985IM5-5.0/NOPB
LP3985IM5X-5.0/NOPB
(1)
(2)
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录结束
本文件，或查看TI网站
www.ti.com 。
包装图纸，热数据和符号可在
www.ti.com/packaging 。
5.0
4.7
3.3
3.2
3.1
3
2.9
2.85
2.8
2.7
2.6
2.5
电压选项（ V）
版权所有 2000至13年，德州仪器
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3
LP3985
SNVS087AC - 2000年10月 - 修订2013年5月
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订购信息
(1)(2)
（续）
订购
DSBGA包装
LP3985ITL-2.5/NOPB
LP3985ITLX-2.5/NOPB
LP3985ITL-2.6/NOPB
LP3985ITLX-2.6/NOPB
LP3985ITL-2.7/NOPB
LP3985ITLX-2.7/NOPB
LP3985ITL-2.8/NOPB
LP3985ITLX-2.8/NOPB
LP3985ITL-2.85/NOPB
LP3985ITLX-2.85/NOPB
LP3985ITL-2.9/NOPB
LP3985ITLX-2.9/NOPB
LP3985ITL-3.0/NOPB
LP3985ITLX-3.0/NOPB
LP3985ITL-3.1/NOPB
LP3985ITLX-3.1/NOPB
LP3985ITL-3.2/NOPB
LP3985ITLX-3.2/NOPB
LP3985ITL-3.3/NOPB
LP3985ITLX-3.3/NOPB
LP3985ITL-4.75/NOPB
LP3985ITLX-4.75/NOPB
LP3985ITL-4.8/NOPB
LP3985ITLX-4.8/NOPB
LP3985ITL-5.0/NOPB
LP3985ITLX-5.0/NOPB
5.0
4.8
4.75
3.3
3.2
3.1
3
2.9
2.85
2.8
2.7
2.6
2.5
电压选项（ V）
4
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SNVS087AC - 2000年10月 - 修订2013年5月
绝对最大额定值
(1) (2) (3)
V
IN
, V
EN
V
OUT
结温
储存温度
铅温度。
垫温度。
(4)
最大功率耗散
SOT23-5
(5)
DSBGA
(5)
ESD额定值
(6)
人体模型
机器型号
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
0.3
至6.5V
0.3
到（Ⅴ
IN
+0.3)
≤
6.5V
150°C
65°C
至+ 150°C
235°C
235°C
364mW
314mW
2kV
150V
(6)
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是在什么条件下
该装置的操作进行验证。工作额定值并不意味着经过验证的性能极限。为了验证性能限制和
相关的测试环境，请参阅电气特性表。
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
铅温度和温度垫的附加信息可以在德州仪器应用笔记中找到AN-
1112(SNOA401).
绝对最大功耗取决于环境温度，并可以用下式来计算：P
D
= (T
J
-
T
A
)/θ
JA
，其中t
J
是结温度T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
是结到环境的热阻。该
364mW额定SOT23-5出现绝对最大额定值的结果，从代绝对最大结
温度， 150℃，对于T
J
，70C对于T
A
对于和220C / W
θ
JA
。更多电源可以安全地在低于环境温度下消散
70℃。更少的功率可以安全地在环境温度高于70 ℃的消退。绝对最大功耗可
低于70 ℃，每度提高了4.5MW ，并且必须由4.5MW为70°C以上每度降额。
人体模型是100pF电容通过1.5kΩ电阻对每个引脚放电。机器模型是一个200 pF电容放电
直接向每个引脚。
工作额定值
(1) (2)
V
IN
V
EN
结温
热阻
θ
JA
(SOT23-5)
θ
JA
（ DSBGA ）
最大功率耗散
SOT23-5
(3)
DSBGA
(3)
(1)
(2)
(3)
2.5 6V
0至（Ⅴ
IN
+0.3)
≤
6V
40°C
至+ 125°C
220°C/W
255°C/W
250mW
216mW
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是在什么条件下
该装置的操作进行验证。工作额定值并不意味着经过验证的性能极限。为了验证性能限制和
相关的测试环境，请参阅电气特性表。
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
象的绝对最大功耗，最大功耗操作依赖于环境温度。该
250mW的评级SOT23-5出现在额定工作成果，从用于取代的最大结温
操作， 125°C ，对于T
J
，70C对于T
A
对于和220C / W
θ
JA
为P
D
= (T
J
- T
A
)/θ
JA
从以上。更多电源可以在环境消退
温度低于70 ℃。更少的功率可在环境温度高于70 ℃的消退。最大功率耗散
操作可提高4.5MW为低于70℃每度，并且必须由4.5MW为70℃以上每度会减小。
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