LP3985微器，150mA低噪声超低压差CMOS电压稳压器
2002年6月
LP3985
微器，150mA低噪声超低压降CMOS
稳压器
概述
该LP3985是专为便携式和无线应用
系统蒸发散与苛刻的性能和空间要求。
该LP3985是稳定的一个小1μF
±
30 ％的陶瓷或
高质量的钽输出电容器。微型SMD重
张塌塌米的最小的PC板面积 - 总应用程序
阳离子电路面积可小于2.0毫米X 2.5毫米，一
分数一1206外壳尺寸的。
该LP3985的业绩电池供电优化
系统能够提供超低噪音，极低压差
电压和低静态电流。稳压器的接地电流
增加只稍稍差，进一步延长
电池寿命。
一个可选的外部旁路电容可降低输出
噪声不会降低负载瞬态响应。
快速启动时间，通过利用内部实现的
电源接通电路，其积极地进行预充电的旁路电容
器。
电源抑制比50分贝更好的低音频率
资本投资者入境计划，并开始在1kHz滚下。高电源抑制
被保持在低电平共用输入电压电平
电池供电的电路。
该器件非常适用于移动电话及类似的电池
供电的无线应用。它提供高达150毫安，
从2.5V至6V的输入。该LP3985功耗小于
1.5μA的关闭模式，并快速的开启时间小于
200s.
该LP3985是一个5小凸点焊球micro SMD用，
5凹凸大的焊球micro SMD ，以及5引脚SOT-23
封装。性能被指定为-40°C至+ 125°C
温度范围在2.5V可用， 2.6V ， 2.7V ， 2.8V ，
2.85V ， 2.9V ， 3.0V 。 3.1V ， 3.2V ， 3.3V ， 4.7V和5.0V输出
电压。对于到2.5V之间的其他输出电压选项
5.0V或双LP3985 ，请联系国家Semicon-
导体销售办事处。
关键的特定连接的阳离子
n
n
n
n
n
n
n
n
n
2.5至6.0V输入电压范围
150毫安保证出力
50分贝PSRR在1kHz
@
V
IN
= V
OUT
+ 0.2V
≤1.5A
当关机静态电流
快速的开启时间： 200微秒（典型值）。
100mV的最大压差与150毫安负荷
37μVrms在10Hz至100kHz的输出噪声
-40到+ 125°C的结温范围内运作
2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 2.9V, 3.0V, 3.1V, 3.2V,
3.3V ， 4.7V和5.0V输出标准
特点
n
n
n
n
n
微型5 - I / O的micro SMD及SOT- 23-5封装
逻辑控制使能
稳定的陶瓷和高品质的钽电容
快速开启
热关断和短路电流限制
应用
n
n
n
n
CDMA蜂窝手机
宽带CDMA蜂窝手机
GSM蜂窝手机
便携式信息设备
典型应用电路
10136402
注：引脚数括号注明的micro SMD封装。
*
可选的减少噪音电容。
2002美国国家半导体公司
DS101364
www.national.com
LP3985
框图
10136401
引脚说明
名字
V
EN
GND
V
OUT
V
IN
绕行
*微型SMD
A1
B2
C1
C3
A3
SOT
3
2
5
1
4
功能
使能输入逻辑，使能高
共同点
LDO的输出电压
LDO的输入电压
可选的旁路电容噪声
减少
*为micro SMD封装的引脚编号方案进行了修订， 2002年4月，以符合JEDEC标准。只有引脚数分别为
修订。不改变输入/输出的物理位置发了言。为便于参考，过时的编号方案有VEN
作为销1 ， GND为2脚， VOUT为3脚， VIN为4脚，并作为旁路引脚5 。
连接图
SOT- 23-5封装（ MF ）
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05和BLA05 ）
10136407
顶视图
见NS包装数MF05A
10136470
顶视图
见NS包装数BPA05和BLA05
www.national.com
2
LP3985
订购信息
BP是指0.170毫米凹凸尺寸的micro SMD封装
产量
电压（V）的
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
4.7
5.0
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP3985提供250
单位，磁带和卷轴
LP3985IBP-2.5
LP3985IBP-2.6
LP3985IBP-2.7
LP3985IBP-2.8
LP3985IBP-285
LP3985IBP-2.9
LP3985IBP-3.0
LP3985IBP-3.1
LP3985IBP-3.2
LP3985IBP-3.3
LP3985IBP-4.7
LP3985IBP-5.0
LP3985提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3985IBPX-2.5
LP3985IBPX-2.6
LP3985IBPX-2.7
LP3985IBPX-2.8
LP3985IBPX-285
LP3985IBPX-2.9
LP3985IBPX-3.0
LP3985IBPX-3.1
LP3985IBPX-3.2
LP3985IBPX-3.3
LP3985IBPX-4.7
LP3985IBPX-5.0
BL是指0.300毫米凹凸尺寸的micro SMD封装
产量
电压（V）的
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.1
3.3
5.0
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP3985提供250
单位，磁带和卷轴
LP3985IBL-2.7
LP3985IBL-2.8
LP3985IBL-285
LP3985IBL-2.9
LP3985IBL-3.0
LP3985IBL-3.1
LP3985IBL-3.3
LP3985IBL-5.0
对于SOT封装
产量
电压（V）的
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
4.7
5.0
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP3985提供1000
单位，磁带和卷轴
LP3985IM5-2.5
LP3985IM5-2.6
LP3985IM5-2.7
LP3985IM5-2.8
LP3985IM5-285
LP3985IM5-2.9
LP3985IM5-3.0
LP3985IM5-3.1
LP3985IM5-3.2
LP3985IM5-3.3
LP3985IM5-4.7
LP3985IM5-5.0
LP3985提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3985IM5X-2.5
LP3985IM5X-2.6
LP3985IM5X-2.7
LP3985IM5X-2.8
LP3985IM5X-285
LP3985IM5X-2.9
LP3985IM5X-3.0
LP3985IM5X-3.1
LP3985IM5X-3.2
LP3985IM5X-3.3
LP3985IM5X-4.7
LP3985IM5X-5.0
包装标志
LCSB
LCTB
LCUB
LCJB
LCXB
LCYB
LCRB
LCZB
LDPB
LDQB
LDRB
LDSB
LP3985提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3985IBLX-2.7
LP3985IBLX-2.8
LP3985IBLX-285
LP3985IBLX-2.9
LP3985IBLX-3.0
LP3985IBLX-3.1
LP3985IBLX-3.3
LP3985IBLX-5.0
3
www.national.com
LP3985
绝对最大额定值
2)
（注1 ，
工作额定值
（注1,2 ）
V
IN
V
EN
结温
热阻
θ
JA
(SOT23-5)
θ
JA
（微型SMD ）
最大功率耗散
SOT23-5 （注6 ）
微型SMD （注6 ）
2.5 6V
0至（Ⅴ
IN
+0.3)
≤
6V
-40 ° C至+ 125°C
220C/W
255C/W
250mW
244mW
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
, V
EN
V
OUT
结温
储存温度
铅温度。
垫温度。 （注3）
最大功率耗散
SOT23-5 （注4 ）
微型SMD （注4 ）
ESD额定值（注5 ）
人体模型
机器型号
-0.3 6.5V
-0.3 （V
IN
+0.3)
≤
6.5V
150C
-65 ° C至+ 150°C
235C
235C
364mW
355mW
2kV
150V
电气特性
除非另有规定： V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 1 μF ，C
绕行
= 0.01μF 。典型值
并出现在标准字体限为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结
操作温度范围， -40°C至+ 125°C 。 （注7 ） （注8）
符号
参数
输出电压
公差
线路调整错误
V
OUT
负载调节误差
（注9 ）
输出交流线路调整
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ）至6.0V ，
对于4.7和5.0的选项
对于所有其他选项
I
OUT
= 1 mA至150毫安
LP3985IM5 （ SOT23-5 ）
LP3985 （微SMD ）
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V,
I
OUT
= 150 mA时（图
1)
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.2V,
F = 1千赫
I
OUT
= 50 mA时（图
2)
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.2V,
F = 10 kHz时，
I
OUT
= 50 mA时（图
2)
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0毫安
对于4.7和5.0的选项
对于所有其他选项
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0至150毫安
对于4.7和5.0的选项
对于所有其他选项
V
EN
= 0.4V
输入输出电压差（注10 ）
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 150毫安
I
SC
I
OUT （ PK ）
短路电流限制
峰值输出电流
输出接地
（稳定状态）
V
OUT
≥
V
OUT （ NOM ）
- 5%
4
条件
典型值
极限
民
2
3
0.19
0.1
最大
2
3
0.19
0.1
0.005
单位
％的
V
OUT （ NOM ）
%/V
0.0025
0.0004
1.5
50
％ / mA的
0.002
mV
P-P
PSRR
电源抑制比
40
dB
I
Q
静态电流
100
85
155
140
0.003
0.4
20
45
60
600
550
300
165
150
A
250
200
1.5
2
35
70
100
mA
mA
mV
www.national.com
LP3985
电气特性
（续）
除非另有规定： V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 1 μF ，C
绕行
= 0.01μF 。典型值
并出现在标准字体限为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结
操作温度范围， -40°C至+ 125°C 。 （注7 ） （注8）
符号
T
ON
e
n
参数
开启时间
（注11 ）
输出噪声电压
输出噪声密度
I
EN
V
IL
V
IH
C
OUT
最大输入电流EN
最大低电平输入
电压EN
最低高电平输入
电压EN
输出电容
热关断温度
热关断迟滞
条件
C
绕行
= 0.01 F
BW = 10赫兹至100千赫兹，
C
OUT
= 1F
C
BP
= 0
V
EN
= 0.4 V
IN
= 6.0
V
IN
= 2.5 6.0V
V
IN
= 2.5 6.0V
电容
ESR
TSD
160
20
1.4
1
5
20
500
典型值
200
30
230
极限
民
最大
单位
s
μVRMS
内华达州/
nA
0.4
V
V
F
m
C
C
±
1
注1 ：
绝对最大额定值超出这可能会损坏设备的限制。额定工作值是根据该装置的操作条件
得到保障。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试环境，请参阅电气
特性表。
注2 ：
所有的电压都是相对于在GND引脚的潜力。
注3 ：
铅温度和温度垫的附加信息可以在美国国家半导体应用笔记（ AN- 1112）上找到。
注4 ：
绝对最大功耗取决于环境温度，并可以用下式来计算：P
D
= (T
J
- T
A
)/θ
JA
,
其中T
J
是结温度T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
是结到环境的热阻。该364mW额定SOT23-5
出现绝对最大额定值的结果，从代绝对最大结温150℃，对于T
J
，70C对于T
A
对于和220C / W
θ
JA
.
更多电源可以安全地在环境温度低于70℃消退。更少的功率可以安全地在环境温度70℃以上消退。绝对
最大功耗可提高4.5MW为低于70℃每度，并且必须由4.5MW以上70°C每度会减小。
注5 ：
人体模型是100pF电容通过1.5kΩ电阻对每个引脚放电。机器模型是一个200 pF的电容直接排入各
引脚。
注6 ：
象的绝对最大功耗，最大功耗操作依赖于环境温度。该250mW的评级
SOT23-5出现在额定工作成果，从操作代替的最高结温，125C ，对于T
J
，70C对于T
A
对于和220C / W
θ
JA
成（注4）的上方。更多的功率可在环境温度低于70℃消退。更少的功率可在环境温度70℃以上消退。
最大功率耗散为操作可提高4.5MW为低于70℃每度，并且必须由4.5MW以上会减小为每度
70C.
注7 ：
所有参数均保证。具有室温的限制，但电特性的生产和T中进行测试
J
= 25℃或相关使用
统计质量控制（ SQC）方法。所有冷热极限值均通过与电气特性来处理和温度变化保证
并应用统计过程控制。
注8 ：
目标输出电压，将其标记V
OUT （ NOM ）
是所希望的电压的选择。
注9 ：
在负载电流的结果，在输出电压，反之亦然略有下降增加。
注10 ：
差电压是输入 - 输出电压差，当输出电压为100mV低于其标称值。本规范不适
输入电压低于2.5V 。
注11 ：
开启时间测量的使能输入刚刚超过V之间的时间
IH
和输出电压刚达到95％的标称值。
10136408
图1.线路瞬态输入测试信号
5
www.national.com
LP3985微器，150mA低噪声超低压差CMOS电压稳压器
2003年6月
LP3985
微器，150mA低噪声超低压降CMOS
稳压器
概述
该LP3985是专为便携式和无线应用
系统蒸发散与苛刻的性能和空间要求。
该LP3985是稳定的一个小1μF
±
30 ％的陶瓷或
高质量的钽输出电容器。微型SMD重
张塌塌米的最小的PC板面积 - 总应用程序
阳离子电路面积可小于2.0毫米X 2.5毫米，一
分数一1206外壳尺寸的。
该LP3985的业绩电池供电优化
系统能够提供超低噪音，极低压差
电压和低静态电流。稳压器的接地电流
增加只稍稍差，进一步延长
电池寿命。
一个可选的外部旁路电容可降低输出
噪声不会降低负载瞬态响应。
快速启动时间，通过利用内部实现的
电源接通电路，其积极地进行预充电的旁路电容
器。
电源抑制比50分贝更好的低音频率
资本投资者入境计划，并开始在1kHz滚下。高电源抑制
被保持在低电平共用输入电压电平
电池供电的电路。
该器件非常适用于移动电话及类似的电池
供电的无线应用。它提供高达150毫安，
从2.5V至6V的输入。该LP3985功耗小于
1.5μA的关闭模式，并快速的开启时间小于
200s.
该LP3985是一个5小凸点焊球micro SMD用，
5凹凸大的焊球micro SMD ， 5凸点薄的micro SMD
和5引脚SOT- 23封装。性能被指定为
-40°C至+ 125°C的温度范围内工作，在2.5V可用，
2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 2.9V, 3.0V. 3.1V, 3.2V, 3.3V, 4.7V,
4.8V和5.0V的输出电压。对于其他的输出电压
2.5V之间选择， 5.0V或双LP3985 ，请
与美国国家半导体销售办事处。
关键的特定连接的阳离子
n
n
n
n
n
n
n
n
n
2.5至6.0V输入电压范围
150毫安保证出力
50分贝PSRR在1kHz
@
V
IN
= V
OUT
+ 0.2V
≤1.5A
当关机静态电流
快速的开启时间： 200微秒（典型值）。
100mV的最大压差与150毫安负荷
30μVrms输出噪声（典型值），在10Hz至100kHz
-40到+ 125°C的结温范围内运作
2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 2.9V, 3.0V, 3.1V, 3.2V,
3.3V ， 4.7V ， 4.8V和5.0V输出标准
特点
n
n
n
n
n
微型5 - I / O的micro SMD及SOT- 23-5封装
逻辑控制使能
稳定的陶瓷和高品质的钽电容
快速开启
热关断和短路电流限制
应用
n
n
n
n
CDMA蜂窝手机
宽带CDMA蜂窝手机
GSM蜂窝手机
便携式信息设备
典型应用电路
10136402
注：引脚数括号注明的micro SMD封装。
*
可选的减少噪音电容。
2003美国国家半导体公司
DS101364
www.national.com
LP3985
框图
10136401
引脚说明
名字
V
EN
GND
V
OUT
V
IN
绕行
*微型SMD
A1
B2
C1
C3
A3
SOT
3
2
5
1
4
功能
使能输入逻辑，使能高
共同点
LDO的输出电压
LDO的输入电压
可选的旁路电容噪声
减少
*为micro SMD封装的引脚编号方案进行了修订， 2002年4月，以符合JEDEC标准。只有引脚数分别为
修订。不改变输入/输出的物理位置发了言。为便于参考，过时的编号方案有VEN
作为销1 ， GND为2脚， VOUT为3脚， VIN为4脚，并作为旁路引脚5 。
连接图
SOT 23-5封装（ MF ）
5焊球micro SMD封装（ BPA05 ， BLA05 ， TLA05 ）
10136407
顶视图
见NS包装数MF05A
10136470
顶视图
见NS包装数BPA05 ， BLA05 ， TLA05
www.national.com
2
LP3985
订购信息
BP是指0.170毫米凹凸的尺寸， 0.900毫米高度的micro SMD封装
产量
电压（V）的
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
4.7
5.0
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP3985提供250
单位，磁带和卷轴
LP3985IBP-2.5
LP3985IBP-2.6
LP3985IBP-2.7
LP3985IBP-2.8
LP3985IBP-285
LP3985IBP-2.9
LP3985IBP-3.0
LP3985IBP-3.1
LP3985IBP-3.2
LP3985IBP-3.3
LP3985IBP-4.7
LP3985IBP-5.0
LP3985提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3985IBPX-2.5
LP3985IBPX-2.6
LP3985IBPX-2.7
LP3985IBPX-2.8
LP3985IBPX-285
LP3985IBPX-2.9
LP3985IBPX-3.0
LP3985IBPX-3.1
LP3985IBPX-3.2
LP3985IBPX-3.3
LP3985IBPX-4.7
LP3985IBPX-5.0
BL是指0.300毫米凹凸的尺寸， 0.995毫米高度的micro SMD封装
产量
电压（V）的
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
4.8
5.0
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP3985提供250
单位，磁带和卷轴
LP3985IBL-2.5
LP3985IBL-2.6
LP3985IBL-2.7
LP3985IBL-2.8
LP3985IBL-285
LP3985IBL-2.9
LP3985IBL-3.0
LP3985IBL-3.1
LP3985IBL-3.2
LP3985IBL-3.3
LP3985IBL-4.8
LP3985IBL-5.0
LP3985提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3985IBLX-2.5
LP3985IBLX-2.6
LP3985IBLX-2.7
LP3985IBLX-2.8
LP3985IBLX-285
LP3985IBLX-2.9
LP3985IBLX-3.0
LP3985IBLX-3.1
LP3985IBLX-3.2
LP3985IBLX-3.3
LP3985IBLX-4.8
LP3985IBLX-5.0
TL是指0.300毫米凹凸的尺寸， 0.600毫米高度的micro SMD封装
产量
电压（V）的
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
4.8
5.0
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP3985提供250
单位，磁带和卷轴
LP3985ITL-2.5
LP3985ITL-2.6
LP3985ITL-2.7
LP3985ITL-2.8
LP3985ITL-285
LP3985ITL-2.9
LP3985ITL-3.0
LP3985ITL-3.1
LP3985ITL-3.2
LP3985ITL-3.3
LP3985ITL-4.8
LP3985ITL-5.0
LP3985提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3985ITLX-2.5
LP3985ITLX-2.6
LP3985ITLX-2.7
LP3985ITLX-2.8
LP3985ITLX-285
LP3985ITLX-2.9
LP3985ITLX-3.0
LP3985ITLX-3.1
LP3985ITLX-3.2
LP3985ITLX-3.3
LP3985ITLX-4.8
LP3985ITLX-5.0
3
www.national.com
LP3985
绝对最大额定值
2)
（注1 ，
工作额定值
（注1,2 ）
V
IN
V
EN
结温
热阻
θ
JA
(SOT23-5)
θ
JA
（微型SMD ）
最大功率耗散
SOT23-5 （注6 ）
微型SMD （注6 ）
2.5 6V
0至（Ⅴ
IN
+0.3)
≤
6V
-40 ° C至+ 125°C
220C/W
255C/W
250mW
244mW
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
, V
EN
V
OUT
结温
储存温度
铅温度。
垫温度。 （注3）
最大功率耗散
SOT23-5 （注4 ）
微型SMD （注4 ）
ESD额定值（注5 ）
人体模型
机器型号
-0.3 6.5V
-0.3 （V
IN
+0.3)
≤
6.5V
150C
-65 ° C至+ 150°C
235C
235C
364mW
355mW
2kV
150V
电气特性
除非另有规定： V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 1 μF ，C
绕行
= 0.01μF 。典型值
并出现在标准字体限为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结
操作温度范围， -40°C至+ 125°C 。 （注7 ） （注8）
符号
参数
输出电压
公差
线路调整错误
V
OUT
负载调节误差
（注9 ）
输出交流线路调整
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ）至6.0V ，
对于4.7 5.0的选项
对于所有其他选项
I
OUT
= 1 mA至150毫安
LP3985IM5 （ SOT23-5 ）
LP3985 （微SMD ）
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V,
I
OUT
= 150 mA时（图
1)
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.2V,
F = 1千赫
I
OUT
= 50 mA时（图
2)
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.2V,
F = 10 kHz时，
I
OUT
= 50 mA时（图
2)
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0毫安
对于4.7 5.0的选项
对于所有其他选项
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0至150毫安
对于4.7 5.0的选项
对于所有其他选项
V
EN
= 0.4V
输入输出电压差（注10 ）
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 150毫安
I
SC
I
OUT （ PK ）
短路电流限制
峰值输出电流
输出接地
（稳定状态）
V
OUT
≥
V
OUT （ NOM ）
- 5%
5
条件
典型值
极限
民
2
3
0.19
0.1
最大
2
3
0.19
0.1
0.005
单位
％的
V
OUT （ NOM ）
%/V
0.0025
0.0004
1.5
50
％ / mA的
0.002
mV
P-P
PSRR
电源抑制比
40
dB
I
Q
静态电流
100
85
155
140
0.003
0.4
20
45
60
600
550
300
165
150
A
250
200
1.5
2
35
70
100
mA
mA
www.national.com
mV
LP3985微器，150mA低噪声超低压差CMOS电压稳压器
2003年6月
LP3985
微器，150mA低噪声超低压降CMOS
稳压器
概述
该LP3985是专为便携式和无线应用
系统蒸发散与苛刻的性能和空间要求。
该LP3985是稳定的一个小1μF
±
30 ％的陶瓷或
高质量的钽输出电容器。微型SMD重
张塌塌米的最小的PC板面积 - 总应用程序
阳离子电路面积可小于2.0毫米X 2.5毫米，一
分数一1206外壳尺寸的。
该LP3985的业绩电池供电优化
系统能够提供超低噪音，极低压差
电压和低静态电流。稳压器的接地电流
增加只稍稍差，进一步延长
电池寿命。
一个可选的外部旁路电容可降低输出
噪声不会降低负载瞬态响应。
快速启动时间，通过利用内部实现的
电源接通电路，其积极地进行预充电的旁路电容
器。
电源抑制比50分贝更好的低音频率
资本投资者入境计划，并开始在1kHz滚下。高电源抑制
被保持在低电平共用输入电压电平
电池供电的电路。
该器件非常适用于移动电话及类似的电池
供电的无线应用。它提供高达150毫安，
从2.5V至6V的输入。该LP3985功耗小于
1.5μA的关闭模式，并快速的开启时间小于
200s.
该LP3985是一个5小凸点焊球micro SMD用，
5凹凸大的焊球micro SMD ， 5凸点薄的micro SMD
和5引脚SOT- 23封装。性能被指定为
-40°C至+ 125°C的温度范围内工作，在2.5V可用，
2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 2.9V, 3.0V. 3.1V, 3.2V, 3.3V, 4.7V,
4.8V和5.0V的输出电压。对于其他的输出电压
2.5V之间选择， 5.0V或双LP3985 ，请
与美国国家半导体销售办事处。
关键的特定连接的阳离子
n
n
n
n
n
n
n
n
n
2.5至6.0V输入电压范围
150毫安保证出力
50分贝PSRR在1kHz
@
V
IN
= V
OUT
+ 0.2V
≤1.5A
当关机静态电流
快速的开启时间： 200微秒（典型值）。
100mV的最大压差与150毫安负荷
30μVrms输出噪声（典型值），在10Hz至100kHz
-40到+ 125°C的结温范围内运作
2.5V, 2.6V, 2.7V, 2.8V, 2.85V, 2.9V, 3.0V, 3.1V, 3.2V,
3.3V ， 4.7V ， 4.8V和5.0V输出标准
特点
n
n
n
n
n
微型5 - I / O的micro SMD及SOT- 23-5封装
逻辑控制使能
稳定的陶瓷和高品质的钽电容
快速开启
热关断和短路电流限制
应用
n
n
n
n
CDMA蜂窝手机
宽带CDMA蜂窝手机
GSM蜂窝手机
便携式信息设备
典型应用电路
10136402
注：引脚数括号注明的micro SMD封装。
*
可选的减少噪音电容。
2003美国国家半导体公司
DS101364
www.national.com
LP3985
框图
10136401
引脚说明
名字
V
EN
GND
V
OUT
V
IN
绕行
*微型SMD
A1
B2
C1
C3
A3
SOT
3
2
5
1
4
功能
使能输入逻辑，使能高
共同点
LDO的输出电压
LDO的输入电压
可选的旁路电容噪声
减少
*为micro SMD封装的引脚编号方案进行了修订， 2002年4月，以符合JEDEC标准。只有引脚数分别为
修订。不改变输入/输出的物理位置发了言。为便于参考，过时的编号方案有VEN
作为销1 ， GND为2脚， VOUT为3脚， VIN为4脚，并作为旁路引脚5 。
连接图
SOT 23-5封装（ MF ）
5焊球micro SMD封装（ BPA05 ， BLA05 ， TLA05 ）
10136407
顶视图
见NS包装数MF05A
10136470
顶视图
见NS包装数BPA05 ， BLA05 ， TLA05
www.national.com
2
LP3985
订购信息
BP是指0.170毫米凹凸的尺寸， 0.900毫米高度的micro SMD封装
产量
电压（V）的
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
4.7
5.0
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP3985提供250
单位，磁带和卷轴
LP3985IBP-2.5
LP3985IBP-2.6
LP3985IBP-2.7
LP3985IBP-2.8
LP3985IBP-285
LP3985IBP-2.9
LP3985IBP-3.0
LP3985IBP-3.1
LP3985IBP-3.2
LP3985IBP-3.3
LP3985IBP-4.7
LP3985IBP-5.0
LP3985提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3985IBPX-2.5
LP3985IBPX-2.6
LP3985IBPX-2.7
LP3985IBPX-2.8
LP3985IBPX-285
LP3985IBPX-2.9
LP3985IBPX-3.0
LP3985IBPX-3.1
LP3985IBPX-3.2
LP3985IBPX-3.3
LP3985IBPX-4.7
LP3985IBPX-5.0
BL是指0.300毫米凹凸的尺寸， 0.995毫米高度的micro SMD封装
产量
电压（V）的
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
4.8
5.0
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP3985提供250
单位，磁带和卷轴
LP3985IBL-2.5
LP3985IBL-2.6
LP3985IBL-2.7
LP3985IBL-2.8
LP3985IBL-285
LP3985IBL-2.9
LP3985IBL-3.0
LP3985IBL-3.1
LP3985IBL-3.2
LP3985IBL-3.3
LP3985IBL-4.8
LP3985IBL-5.0
LP3985提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3985IBLX-2.5
LP3985IBLX-2.6
LP3985IBLX-2.7
LP3985IBLX-2.8
LP3985IBLX-285
LP3985IBLX-2.9
LP3985IBLX-3.0
LP3985IBLX-3.1
LP3985IBLX-3.2
LP3985IBLX-3.3
LP3985IBLX-4.8
LP3985IBLX-5.0
TL是指0.300毫米凹凸的尺寸， 0.600毫米高度的micro SMD封装
产量
电压（V）的
2.5
2.6
2.7
2.8
2.85
2.9
3.0
3.1
3.2
3.3
4.8
5.0
GRADE
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP3985提供250
单位，磁带和卷轴
LP3985ITL-2.5
LP3985ITL-2.6
LP3985ITL-2.7
LP3985ITL-2.8
LP3985ITL-285
LP3985ITL-2.9
LP3985ITL-3.0
LP3985ITL-3.1
LP3985ITL-3.2
LP3985ITL-3.3
LP3985ITL-4.8
LP3985ITL-5.0
LP3985提供3000
单位，磁带和卷轴
LP3985ITLX-2.5
LP3985ITLX-2.6
LP3985ITLX-2.7
LP3985ITLX-2.8
LP3985ITLX-285
LP3985ITLX-2.9
LP3985ITLX-3.0
LP3985ITLX-3.1
LP3985ITLX-3.2
LP3985ITLX-3.3
LP3985ITLX-4.8
LP3985ITLX-5.0
3
www.national.com
LP3985
绝对最大额定值
2)
（注1 ，
工作额定值
（注1,2 ）
V
IN
V
EN
结温
热阻
θ
JA
(SOT23-5)
θ
JA
（微型SMD ）
最大功率耗散
SOT23-5 （注6 ）
微型SMD （注6 ）
2.5 6V
0至（Ⅴ
IN
+0.3)
≤
6V
-40 ° C至+ 125°C
220C/W
255C/W
250mW
244mW
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V
IN
, V
EN
V
OUT
结温
储存温度
铅温度。
垫温度。 （注3）
最大功率耗散
SOT23-5 （注4 ）
微型SMD （注4 ）
ESD额定值（注5 ）
人体模型
机器型号
-0.3 6.5V
-0.3 （V
IN
+0.3)
≤
6.5V
150C
-65 ° C至+ 150°C
235C
235C
364mW
355mW
2kV
150V
电气特性
除非另有规定： V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ，C
IN
= 1 μF ，我
OUT
= 1mA时，
OUT
= 1 μF ，C
绕行
= 0.01μF 。典型值
并出现在标准字体限为T
J
= 25℃。出现在极限
黑体字
适用于整个结
操作温度范围， -40°C至+ 125°C 。 （注7 ） （注8）
符号
参数
输出电压
公差
线路调整错误
V
OUT
负载调节误差
（注9 ）
输出交流线路调整
I
OUT
= 1毫安
V
IN
= (V
OUT （ NOM ）
+ 0.5V ）至6.0V ，
对于4.7 5.0的选项
对于所有其他选项
I
OUT
= 1 mA至150毫安
LP3985IM5 （ SOT23-5 ）
LP3985 （微SMD ）
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 1V,
I
OUT
= 150 mA时（图
1)
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.2V,
F = 1千赫
I
OUT
= 50 mA时（图
2)
V
IN
= V
OUT （ NOM ）
+ 0.2V,
F = 10 kHz时，
I
OUT
= 50 mA时（图
2)
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0毫安
对于4.7 5.0的选项
对于所有其他选项
V
EN
= 1.4V ，我
OUT
= 0至150毫安
对于4.7 5.0的选项
对于所有其他选项
V
EN
= 0.4V
输入输出电压差（注10 ）
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 50毫安
I
OUT
= 100毫安
I
OUT
= 150毫安
I
SC
I
OUT （ PK ）
短路电流限制
峰值输出电流
输出接地
（稳定状态）
V
OUT
≥
V
OUT （ NOM ）
- 5%
5
条件
典型值
极限
民
2
3
0.19
0.1
最大
2
3
0.19
0.1
0.005
单位
％的
V
OUT （ NOM ）
%/V
0.0025
0.0004
1.5
50
％ / mA的
0.002
mV
P-P
PSRR
电源抑制比
40
dB
I
Q
静态电流
100
85
155
140
0.003
0.4
20
45
60
600
550
300
165
150
A
250
200
1.5
2
35
70
100
mA
mA
www.national.com
mV
QQ：2881677436 复制
