LP3982微功耗，超低压差，低噪声， 300毫安CMOS稳压器
2002年7月
LP3982
微功耗，超低压差，低噪声， 300毫安
CMOS稳压器
概述
该LP3982低压差（ LDO ） CMOS线性稳压器
在1.8V ， 2.5V ， 2.77V ， 2.82V ， 3.0V ， 3.3V ，并且可以调整
能版本。他们提供300mA的输出电流。封装
年龄在8引脚MSOP封装，该LP3982是引脚和封装
与Maxim的MAX8860兼容。该LM3982还
可在小尺寸的LLP封装。
由于LP3982适合电池供电的应用
其关断模式（ 1nA的典型值） ，低静态电流（ 90μA
典型值） ，而LDO电压（为120mV典型值） 。低压差电压
允许通过更多的利用电池的可用能量
操作更接近报废，其电压。该LP3982的
PMOS输出晶体管消耗相对无驱动电流
相比于PNP LDO稳压器。
这PMOS稳压器稳定与小型陶瓷电容
负载（ 2.2μF典型值） 。
这些器件还包括调节故障检测，一
带隙参考电压，恒定电流限制和
热过载保护。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
MAX8860引脚，封装和规格。兼容
LLP节省空间的封装
300毫安保证输出电流
为120mV压差典型
@
300mA
典型的90μA静态电流
1nA的典型关断模式
60分贝典型PSRR
2.5V至6V输入电压范围
120μs的典型导通时间
稳定与小型陶瓷输出电容器
37μV RMS的输出电压噪声（ 10Hz至100kHz ）
过温/过电流保护
±
2％的输出电压容差
应用
n
n
n
n
无线手机
DSP核电源
电池供电的电子产品
便携式信息设备
应用电路
20036931
2002美国国家半导体公司
DS200369
www.national.com
LP3982
电气特性
（续）
注1 ：
最大极限值是指超出了可能发生的损害限制。外部操作设备时的电气规范不适用的
在额定工作条件下。
注2 ：
所有电压都是相对于在接地端子的电势。
注3 ：
的最大功率消耗的设备使用以下公式计算：
其中T
J（下最大）
是最大结温，T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
是结到环境的热阻。例如为MSOP- 8
包
θ
JA
= 223℃ / W ，T
J（下最大）
= 150℃，对采用T
A
= 25° ，最大功耗被发现是561mW 。降额因子（ -1 / θ
JA
） = -4.5mW / C ，
因此，以下将25℃时的功耗数字可以增加每度4.5MW ，而相似性下降这一因素对于温度高于25℃ 。值
的
θ
JA
对于LLP封装是特别依赖于PCB迹线区域，跟踪材料和层和热通孔的数量。对于改善的热
电阻和功耗的LLP封装，请参考应用笔记AN- 1187 。
注4 ：
典型值代表最可能的参数指标。
注5 ：
所有参数均通过测试或统计分析保证。
注6 ：
人体模型： 1.5kΩ的串联100pF的。
注7 ：
条件并不适用于输入电压低于2.5V ，因为这是最小输入工作电压。
注8 ：
电压差通过降低V测
IN
直到V
O
100mV的下降与其在V标称值
IN
-V
O
= 0.5V 。输入输出电压差不适用1.8
版本。
注9 ：
SET引脚没有外部连接的固定版本。
注10 ：
故障检测电压被指定为输入至输出电压差。 FAULT引脚变为低电平。
功能框图
20036913
3
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LP3982
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SNVS185D - 2002年2月 - 修订2013年4月
LP3982微功耗，超低压差，低噪声， 300毫安CMOS稳压器
检查样品：
LP3982
1
特点
MAX8860引脚，封装和规格。兼容
WSON节省空间的封装
300毫安输出电流
120 mV的典型压差@ 300毫安
90
μA
典型静态电流
1 nA的典型关断模式
60分贝典型PSRR
2.5V至6V输入电压范围
120μs的典型导通时间
稳定与小型陶瓷输出电容器
37
μV
RMS输出电压噪声（ 10 Hz至100
千赫）
过温/过电流保护
± 2％的输出电压容差
描述
该LP3982低压差（ LDO ）线性CMOS
稳压器在1.8V ， 2.5V ， 2.77V ， 2.82V可用，
3.0V ，3.3V和可调版本。他们提供300
mA的输出电流。封装采用8引脚VSSOP ，
该LP3982是引脚和封装兼容
Maxim的MAX8860 。的LM3982同时有
占地面积小WSON封装。
该LP3982适合电池供电的应用
由于其关断模式（ 1nA的典型值） ，低
静态电流（ 90
μA
典型值） ，而LDO电压（ 120
mV的典型值） 。低压差电压允许更多
通过操作使用电池的可用能量
接近结束其寿命的电压。该LP3982的PMOS
输出晶体管消耗相对无驱动电流
相比于PNP LDO稳压器。
这PMOS稳压器稳定与小型陶瓷
容性负载（ 2.2
μF
典型值）。
这些器件还包括调节故障检测，
一个带隙电压基准，恒定电流限制
和热过载保护。
2
应用
无线手机
DSP核电源
电池供电的电子产品
便携式信息设备
应用电路
V
IN
IN
2.22F
100k
OUT
2.22F
陶瓷的
V
O
SHDN
故障
GND
CC
33n
F
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2002至13年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LP3982
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这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2) (3)
V
IN
, V
OUT
, V
SHDN
, V
SET
, V
CC
, V
故障
故障灌电流
功耗
存储温度范围
结温（T
J
)
焊接温度（ 10秒）
ESD额定值
热阻（ θ
JA
)
(1)
(2)
(3)
人体模型
(5)
机器型号
8针VSSOP
8引脚WSON
0.3V
至6.5V
20mA
SEE
(4)
65°C
至160℃
150°C
260°C
2kV
200V
223°C/W
SEE
(4)
最大极限值是指超出了可能发生的损害限制。工作时的电气特性不适用
其额定工作条件之外的设备。
所有电压都是相对于在接地端子的电势。
如果是用于军事/航空专用设备，请联系德州仪器（TI）销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
T
J（下最大）
- T
A
6
JA
的最大功率消耗的设备使用以下公式计算：
其中T
J（下最大）
为最大
结温，T
A
是在环境温度下，并
θ
JA
是结到环境的热阻。例如，对于VSSOP-
8封装
θ
JA
= 223℃ / W ，T
J（下最大）
= 150℃，对采用T
A
= 25°C ;最大功率耗散被发现是561毫瓦。降额
因子（-1 / θ
JA
) =
4.5
毫瓦/ ℃，因而在低于25 ℃下的功率耗散系数可以每度增加4.5毫瓦，而相似性
对于温度高于25 ℃的下降这一因素。的价值
θ
JA
为WSON封装是特别相关的PCB上
跟踪区域中，跟踪材料和层和热通孔的数量。为改善耐热性和功耗的
WSON封装，请参考应用笔记AN- 1187
SNOA401.
人体模特： 1.5千欧串联100 pF的。
P
D
=
(4)
(5)
推荐工作条件
(1) (2)
温度范围
电源电压
(1)
(2)
40°C
至85℃
2.5V至6.0V
最大极限值是指超出了可能发生的损害限制。工作时的电气特性不适用
其额定工作条件之外的设备。
所有电压都是相对于在接地端子的电势。
电气特性
除非另有说明，所有参数为V指定
IN
= V
O
+0.5V
(1)
, V
SHDN
= V
IN
, C
IN
= C
OUT
= 2.2μF ，C
CC
= 33nF ，T
J
= 25°C.
粗体
参数适用于工作温度极限：
40°C
和85 ℃。
符号
V
IN
ΔV
O
参数
输入电压
输出电压容差
100
μA ≤
I
OUT
≤
300毫安
V
IN
= V
O
+0.5V
(1)
SET = OUT的调整版本
调整版本只
平均额定直流电流
I
OUT
= 0毫安
I
OUT
= 300毫安
关断电源电流
V
O
= 0V ， SHDN = GND
条件
民
(2)
2.5
2
3
1.25
300
330
770
90
225
0.001
1
270
典型值
(3)
最大
(2)
6.0
+2
+3
6
单位
V
％V的
OUT
（ NOM ）
V
O
I
O
I
极限
I
Q
输出调节范围
最大输出电流
输出电流限制
电源电流
V
mA
mA
μA
μA
(1)
(2)
(3)
2
条件并不适用于输入电压低于2.5V ，因为这是最小输入工作电压。
所有参数均通过测试或统计分析验证。
典型值代表最可能的参数指标。
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版权所有 2002至13年，德州仪器
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电气特性（续）
除非另有说明，所有参数为V指定
IN
= V
O
+0.5V
(1)
, V
SHDN
= V
IN
, C
IN
= C
OUT
= 2.2μF ，C
CC
= 33nF ，T
J
= 25°C.
粗体
参数适用于工作温度极限：
40°C
和85 ℃。
符号
V
DO
参数
输入输出电压差
(1) (4)
条件
I
OUT
= 1毫安
I
OUT
= 200毫安
I
OUT
= 300毫安
民
(2)
典型值
(3)
0.4
80
120
最大
(2)
220
0.1
单位
mV
%/V
％ / mA的
μV
RMS
纳伏/赫兹÷
ΔV
O
e
n
V
SHDN
I
SHDN
I
SET
V
故障
I
故障
T
SD
T
ON
线路调整
负载调整率
输出电压噪声
输出电压噪声密度
SHDN输入阈值
SHDN输入偏置电流
SET输入漏
FAULTDetection电压
故障输出低电压
FAULT关断漏电流
热关断温度
热关断迟滞
启动时间
I
OUT
= 1毫安， （V
O
+ 0.5V)
≤
V
I
≤
6V
100
μA ≤
I
OUT
≤
300毫安
I
OUT
= 10毫安， 10赫兹
≤
f
≤
100千赫
10赫兹
≤
f
≤
100千赫，C
OUT
= 10
μF
V
IH
, (V
O
+ 0.5V)
≤
V
I
≤
6V
SHDN = GND或IN
SET = 1.3V ，调整版本仅
V
O
≥
2.5V ，我
OUT
= 200毫安
(6)
I
SINK
= 2毫安
FAULT = 3.6V ， SHDN = 0V
(1)
(1)
0.1
0.01
0.002
37
190
2
0.4
0.1
(5)
V
IL
, (V
O
+ 0.5V)
≤
V
I
≤
6V
(1)
0.1
120
0.115
0.1
160
10
C
OUT
= 10
μF,
V
O
在90 ％的终
价值
120
V
nA
nA
mV
V
nA
°C
μs
100
2.5
280
0.25
100
(4)
(5)
(6)
电压差通过降低V测
IN
直到V
O
100mV的下降与其在V标称值
IN
-V
O
= 0.5V 。输入输出电压差不
适用于1.8版本。
SET引脚没有外部连接的固定版本。
故障检测电压被指定为输入至输出电压差。 FAULT引脚变为低电平。
功能框图
V
IN
V
O
当前
极限
快
启动
电路
R1
+
故障
故障
比较
错误
AMP
关闭
SET
-
SHDN
CC
R2
1.25V
带隙
热
保护
GND
图1 。
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典型性能特性
除非另有规定ED ，V
IN
= V
O
+ 0.5V ，C
IN
= C
OUT
= 2.2
μF,
C
CC
= 33 nF的，T
J
= 25 ° C，V
SHDN
= V
IN
.
漏失电压与负载电流
（对于不同的输出电压）
140
V
O
= 2.77V
120
160
140
25°C
漏失电压与负载电流
（不同的输出温度）
漏失电压（MV ）
漏失电压（MV ）
100
V
O
= 2.5V
80
V
O
= 3.3V
60
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
负载电流（mA ）
120
85°C
100
80
-40°C
60
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
负载电流（mA ）
图2中。
故障检测阈值与负载电流
180
240
220
200
I
L
= 0毫安
网络连接gure 3 。
电源电流与输入电压
故障检测阈值（MV ）
160
电源电流（ 2A ）
140
FAULT =高
120
100
80
FAULT = LOW
60
40
20
0
0
50
100
150
200
250
300
负载电流（mA ）
180
160
140
120
100
80
60
40
20
0
0
1
2
T
A
= 85°
C
T
A
= 25°
C
T
A
= -40°
C
3
4
5
6
输入电压（ V）
图4中。
电源电流与负载电流
250
85°C
-10
图5中。
电源抑制比与频率的关系
0
电源电流（ 2A ）
200
25°C
150
-40°C
100
-20
PSRR （分贝）
300
-30
-40
-50
50
-60
0
0
50
250
200
150
100
负载电流（mA ）
-70
10
10k
100
1k
频率（Hz）
100k
图6 。
图7 。
4
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典型性能特性（续）
除非另有规定ED ，V
IN
= V
O
+ 0.5V ，C
IN
= C
OUT
= 2.2
μF,
C
CC
= 33 nF的，T
J
= 25 ° C，V
SHDN
= V
IN
.
输出噪声谱密度
10
输出噪声（ 10Hz至100kHz ）
噪声（ 2V /
赫兹）
C
OUT
= 102F
0.1
C
OUT
= 2.22F
0.01
100
10
k
频率（Hz）
1k
100k
1 ms /格
网络连接gure 8 。
输出阻抗与频率的关系
2
100
2V/DIV
1
图9 。
线路瞬态响应
4.3V
I
L
=
300mA
输出阻抗（ :)
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
10
100
1k
10k
100k
V
IN
(V)
V
O
（ 10 mV /格）
1.8
3.3V
500
2s/DIV
频率（Hz）
网络连接gure 10 。
负载瞬态
20 mV /格
2 V / DIV
I
L
=
300mA
图11 。
SHUTDOWN响应
V
SHDN
0V
V
OUT
V
OUT
为100mA / DIV
1 V / DIV
I
OUT
0V
5002s/DIV
500
2s/DIV
图12 。
图13 。
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