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LP3958照明管理单位与高电压升压转换器
2006年2月
LP3958
高电压升压照明管理单元
变流器
概述
LP3958是用于便携式应用的照明管理单元
系统蒸发散。它被用来驱动显示器背光和键盘的LED。
该器件可驱动LED的5分别连接字符串
高电压升压转换器。
键盘LED驱动器允许来自高电压驱动LED
年龄升压转换器或单独的电源voltage.The主
和SUB输出高分辨率的电流模式驱动程序。
键盘LED输出可以在开关模式和电流使用
租模式。外部PWM控制可用于任何SE-
lected输出。
该设备是通过2线低电压I控制
2
C
兼容的接口,减少了所需的数
连接。
LP3958是一个微小的25焊球micro - SMD封装。
特点
n
高效率的升压转换器,具有可编程
输出电压
n
串行显示背光LED 2个别司机
n
3驱动器的串行键盘指示灯
n
自动调光控制器
n
单机系列键盘的LED控制器
n
3个通用IO引脚
n
25焊球micro SMD封装形式: ( 2.54毫米X 2.54毫米X
0.6mm)
应用
n
手机和PDA
n
MP3播放器
n
数码相机
典型用途
20175570
2006美国国家半导体公司
DS201755
www.national.com
LP3958
连接图以及包装标志信息
连接图
25焊球薄型micro SMD封装,大的凸起
NS包装数TLA25CCA
20175571
20175572
顶视图
底部视图
包装标志
20175596
订购信息
订单号
LP3958TL
LP3958TLX
包装标志
SJHB
SJHB
供货方式
TNR 250
TNR 3000
规格/流
NOPB
NOPB
www.national.com
2
LP3958
连接图以及包装标志信息
引脚说明
针#
5E
5D
5C
5B
5A
4E
4D
4C
4B
4A
3E
3D
3C
3B
3A
2E
2D
2C
2B
2A
1E
1D
1C
1B
1A
名字
SW
FB
KEY1
KEY2
KEY3
GND_SW
NRST
SCL
IKEY
GND_KEY
VDD2
VDDIO
SDA
GPIO[2]
GPIO [ 0 ] / PWM
GND_WLED
GNDT
VDD1
VREF
GPIO[1]
VDDA
GND
IRT
TYPE
产量
输入
产量
产量
产量
输入
逻辑输入
输入
动力
动力
逻辑输入/输出
逻辑输入/输出
逻辑输入/输出
动力
产量
逻辑输入/输出
产量
产量
产量
输入
升压转换器电源开关
升压转换器的反馈
键盘LED输出1 (灌电流)
键盘LED输出2 (灌电流)
键盘LED输出3 (灌电流)
电源开关接地
外部复位,低电平有效
(续)
描述
时钟输入我
2
IC兼容接口
外接小键盘LED最大电流设置电阻
地面键LED电流
电源电压3.0 ... 5.5 V
电源电压的数字量输入/输出缓冲器和驱动器
数据输入/输出的I
2
IC兼容接口
通用逻辑输入/输出
通用逻辑输入/输出/外部PWM输入
地面白光LED电流(主,副输出)
电源电压3.0 ... 5.5 V
参考电压( 1.23V )
通用逻辑输入/输出
主显示屏白光LED电流输出(灌电流)
SUB显示白光LED电流输出(灌电流)
内部LDO输出( 2.80V )
地上的核心电路
振荡器频率设置电阻
3
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LP3958
绝对最大额定值
2)
(注1 ,
工作额定值
(注1,2 )
V( SW , FB , MAIN, SUB )
V
DD1,2
V
DDIO
推荐负载电流
( KEY1 , KEY2 , KEY3 ) CC模式
推荐总升压
转换器负载电流
结温(T
J
)范围
环境温度(T
A
)范围
(注6 )
0至+ 19V
3.0至5.5V
1.65V至V
DD1
0毫安至15mA /驱动器
0毫安至70mA
-30
o
C至+ 125
o
C
-30
o
C至+ 85
o
C
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V( SW , FB , MAIN, SUB , KEY1 ,
KEY2 , KEY3 )
V
DD1
, V
DD2
, V
DDIO
, V
DDA
电压我
关键
, I
RT
, V
REF
在逻辑引脚电压
I( V
REF
)
我( KEY1 , KEY2 , KEY3 )
连续功率耗散
(注3)
结温(T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
(焊接) (注4 )
ESD额定值(注5 )
人体模型:
机器型号:
2kV
200V
-0.3V至+ 20V
-0.3V至+ 6.0V
-0.3V到V
DD1
+0.3V
与6.0V最大
-0.3V到V
DDIO
+0.3V
与6.0V最大
10A
100mA
内部限制
125
o
C
-65
o
C至+150
o
C
260
o
C
热性能
结到环境的热
电阻(Ω
JA
) , TLA25套餐
(注7 )
60 - 100
o
C / W
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4
LP3958
电气特性
(注2,8 )
在标准字体限为T
J
= 25
o
C.限制在
粗体
则适用于工作环境温度范围
(-30
o
C
& LT ;
T
A
& LT ;
+85
o
C) 。除非另有说明,规范适用于LP3958框图为: V
DD1,2
= 3.0 ... 5.5V,
C
VDD
= C
VDDIO
= 100nF的,C
OUT
= 2× 4.7μF ,C
IN
= 10μF ,C
VDDA
= 1μF ,C
VREF
= 100nF的, L1 = 10μH ,R
关键
= 8.2kΩ和R
RT
=
82kΩ (注9 ) 。
符号
I
VDD
参数
待机电源电流
(V
DD1
, V
DD2
)
无升压电源电流
(V
DD1
, V
DD2
)
空载电流
(V
DD1
, V
DD2
)
V
DDA
V
REF
内部LDO的输出电压
参考电压(注11 )
条件
NSTBY = L
注册0DH = 08H (注10 )
NSTBY = H,
EN_BOOST = L
NSTBY = H,
EN_BOOST = H
关闭自动加载
I
VDDA
= 1毫安
-3
1.23
典型值
1.7
300
750
最大
7
800
1300
单位
A
A
uA
2.80
+3
V
%
V
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件,请参阅
电气特性表。
注2 :
所有电压都是相对于该电势处于GND管脚。
注3 :
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
=150
o
C(典型值),并在脱离
T
J
=130
o
C(典型值) 。
注4 :
有关详细的焊接规范和信息,请参考美国国家半导体应用笔记AN1112 :微型SMD晶圆级芯片尺寸
注5 :
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200pF的电容放电
直接向每个引脚。 MIL - STD-883标准3015.7
注6 :
在应用中,高功率耗散和/或封装的热性能差的存在,在最大环境温度可能要
降额。最高环境温度(T
A- MAX
)是依赖于最大工作结温(T
J- MAX -OP
= 125
o
C)所示,其最大功率
该装置中的应用程序的耗散性(P
D- MAX
),以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序( θ
JA
),如由下式给出的
下面的公式:T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
– (θ
JA
X P
D- MAX
).
注7 :
结至环境热阻高度应用和电路板布局有关。在应用中,高最大功耗存在,
必须特别注意支付给电路板设计的散热问题。
注8 :
最小和最大限制是由设计,测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证,但代表了最常见的情况。
注9 :
在设置电气特性采用低ESR的表面贴装陶瓷电容器(MLCC ) 。
注10 :
升压输出电压设置为8V ( 08H寄存器0DH ),以防止任何不必要的电流消耗。
注11 :
没有允许V外部加载
REF
引脚。
5
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