LP3931双RGB LED驱动器,高电流升压型DC -DC转换器
2004年8月
LP3931
双RGB LED驱动器,高电流升压型DC -DC
变流器
概述
该LP3931是RGB LED驱动器,高电流升压
的DC-DC转换器设计用于便携式无线应用
系统蒸发散。它包含了2套RGB LED驱动器,是PWM-
可编程颜色,强度和闪烁巳驱动
燕鸥。另外,它们还配备了闪光灯功能,支持
地拍照相机功能的移动电话。
一种高效磁升压型DC / DC转换器提供的
所需的偏置,从单节锂离子电池供电。该
DC / DC变换器的输出电压是用户可编程的对
适应不同的LED类型和效率optimiza-
化。
所有功能可通过软件控制,通过SPI接口
面和内部寄存器。
特点
n
高效率可编程300毫安磁力升压
DC-DC变换器
n
2独立控制的PWM RGB LED驱动器
可编程的颜色,亮度,开启/关闭的斜坡和
闪烁模式
n
多达6路输出,每达到闪光功能
120毫安
n
通过SPI接口功能的软件控制
n
其他LED开/关和调光控制硬件
n
可编程低电流待机模式
n
低电压数字接口电压低至1.8V
n
节省空间的24引脚LLP封装
应用
n
GSM蜂窝电话
n
WCDMA,CDMA和CDMA2000手机
n
PHS和PDC移动电话
典型用途
20117301
2004美国国家半导体公司
DS201173
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LP3931
连接图以及包装标志信息
24引脚的LLP封装, 4 ×4× 0.8毫米
NS包装数NSQAL024
20117303
20117302
底部视图
顶视图
20117304
包装标志 - 顶视图
注意:
包标记会有所不同,从部分零件的实际物理位置。包装标志“ XY ”表示
日期代码。 “ UZ ”和“ TT ”是为模具制造和组装的可追溯性NSC内码。两者都将有很大的不同。
订购信息
订单号
LP3931ISQ
LP3931ISQX
包装标志
LP3931ISQ
LP3931ISQ
供货方式
1000个单位,带盘式
2500单位,磁带和卷盘
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LP3931
绝对最大额定值
2)
(注1 ,
ESD额定值(注8 )
人体模型:
机器型号:
2千伏
200V
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的,
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
V( SW , FB , R 1 - 2 , G1-2 ,
B1-2 )引脚:
电压GND (注3,4)
V
DD1
, V
DD2
, V
DD_IO
在逻辑引脚电压
我( R1,G1 ,B1, R2,G2, B2)的
(注5 )
I( V
REF
)
连续功率耗散
(注6 )
结温(T
J- MAX
)
存储温度范围
最大的铅温度
(回流焊接, 3次)
(注7 )
工作额定值
(注1,2 )
V( SW , FB , R1-2 , G1-2 , B1-2 )
3.0V至6.0V
2.65V至2.9V
1.8V至V
DD1,2
0 mA至300毫安
-40 ° C至+ 125°C
-40 ° C至+ 85°C
V
DD1
, V
DD2
(注4 )
V
DD_IO
推荐负载电流
结温(T
J
)范围
环境温度(T
A
)范围
(注9 )
-0.3V至+ 7.2V
-0.3V至+ 6.0V
-0.3V到V
DD_IO
+ 0.3V , 6.0V与最大
150毫安
10 A
热性能
内部限制
125C
-65 ° C至+ 150°C
结点至环境热阻( θ
JA
),
SQA24A套餐(注10 )
39C/W
240C
电气特性
(注2,注11 )
在标准字体限为T
J
= 25℃。在限额
粗体
则适用于工作环境温度范围
(40C
≤
T
J
≤
+ 85℃) 。除非另有说明,规范适用于LP3931典型应用电路(第1 )为: V
DD1
= V
DD2
= V
DDIO
= 2.775V ,C
VDD1
= C
VDD2
= C
VDDIO
= 0.1 μF ,C
OUT
= C
IN
= 10 μF ,C
VREF
= 0.1 μF ,L
1
= 10 μH ,R
T
= 82k
(注12 ) 。
符号
I
DD
参数
待机电源电流
(V
DD1
和V
DD2
电流)
空载电流
(V
DD1
和V
DD2
当前,提振关闭)
满负载电源电流
(V
DD1
和V
DD2
目前,对提升)
条件
NSTBY = L(寄存器)
SCK , SS , SI , NRST = H
NSTBY = H (REG )。
EN_BOOST = L (REG )。
SCK , SS , SI , NRST = H
NSTBY = H (REG )。
EN_BOOST = H (REG )。
SCK , SS , SI , NRST = H
所有输出活跃
NSTBY = L (REG )。
SCK , SS , SI , NRST = H
1 MHz的频率SCK
C
L
= 50 pF的在SO引脚
I( V
REF
)
≤
1 nA的,
测试仅供参考
1.205
2
民
典型值
1
最大
5
单位
A
170
250
A
1
mA
I
DD_IO
V
DD_IO
待机电源电流
V
DD_IO
电源电流
1
20
1.23
1.255
+2
A
A
V
%
V
REF
参考电压(注13 )
注1 :
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。额定工作值是根据其运行情况
该装置保证的。工作额定值并不意味着保证性能的限制。为了保证性能的限制和相关的测试条件,请参阅
电气特性表。
注2 :
所有的电压都是相对于潜在的GND引脚( GND1-3 , GND_BOOST , GND_RGB ) 。
注3 :
电池/充电器电压应大于6V不超过运行寿命的10 %以上。
注4 :
LP3931 6.0V以上的电压容差依赖于事实,即V
DD1
和V
DD2
( 2.775V )是可用的( ON),在所有的条件。如果V
DD1
和V
DD2
不可
( ON)在所有情况下,美国国家半导体公司不保证任何参数或可靠性此设备。
注5 :
升压转换器的总负载电流应限制到300毫安。
注6 :
内部热关断电路保护永久性损坏设备。热关断从事在T
J
= 160C (典型值),并脱离在T
J
=
140℃ (典型值) 。
注7 :
有关详细的封装和焊接规范和信息,请参考美国国家半导体应用笔记1187 :无铅引线框架
封装( LLP ) 。
注8 :
人体模型是一个100pF的电容通过一个1.5 kΩ电阻向每个引脚放电。机器模型是一个200 pF电容放电
直接向每个引脚。 MIL - STD-883标准3015.7 。
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LP3931
电气特性
(注2,注11 )
(续)
注9 :
在应用中,高功率耗散和/或封装的热性能差的存在,在最大环境温度可能要
降额。最高环境温度(T
A- MAX
)是依赖于最大工作结温(T
J- MAX -OP
= 125℃ ) ,其最大功率
该装置中的应用程序的耗散性(P
D- MAX
),以及结点到环境的部件/封装的热阻在应用程序( θ
JA
),如由下式给出的
下面的公式:T已
A- MAX
= T
J- MAX -OP
(θ
JA
X P
D- MAX
).
注10 :
结至环境热阻高度应用和电路板布局有关。在应用中,高最大功耗存在,
必须特别注意支付给电路板设计的散热问题。
注11 :
最小和最大限制是由设计,测试或统计分析保证。典型的数字也无法保证,但代表了最常见的情况。
注12 :
低ESR的表面贴装陶瓷电容器(MLCC )用于设置电气特性。
注13 :
V
REF
针(带隙基准电压输出)仅供内部使用。电容器应始终放在V之间
REF
和GND1 。
框图
20117305
LP3931框图
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