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该LP239已经过时了
并且不再提供。
LP239 ， LP339 ， LP2901
低功耗四通道差分比较仪
SLCS004B - 1987年10月 - 修订2004年9月
D
宽电源电压范围。 。 。 3 V至30 V
D
超低电源电流
D
D
D
D
D
D
D
D
D
或N包装
（ TOP VIEW ）
排水。 。 。 60
A
典型值
低输入偏置电流。 。 。 3 nA的
低输入偏置电流。 。 。
±0.5
nA
低输入失调电压。 。 。
±2
mV
共模输入电压包括
地
输出电压的兼容MOS和
CMOS逻辑
高输出灌电流能力
（30毫安V
O
= 2V)
电源输入反向电压
保护
单电源供电
引脚对引脚兼容LM239 ， LM339 ，
LM2901
1OUT
2OUT
V
CC
2IN -
2IN +
1IN -
1IN +
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
3OUT
4OUT
GND
4IN +
4IN -
3英寸+
3英寸 -
描述/订购信息
该LP239 ， LP339 ， LP2901是低功耗四路差动比较器。每个器件包括四个
独立的电压比较器专门设计用于从单个电源和通常操作
借鉴60 μA的漏电流在很宽的电压范围。从分裂电源的操作也有可能
和超低电源漏电流是独立的电源电压的。
应用包括限比较器，简单的模拟 - 数字转换器，脉冲发生器，方波
发生器，延时发生器，电压控制振荡器，多谐振荡器和高电压逻辑门。
该LP239 ， LP339 ， LP2901是专门设计的CMOS逻辑系列接口。超低
电源电流特性使这些产品最好在电池供电的应用。
在LP239的特点是操作从-25 ° C到85°C 。在LP339的特点是从操作
0℃至70℃。该LP2901的特点是操作温度范围为-40 ° C至85°C 。
订购信息
TA
VIOMAX
在25℃下
PDIP （ N）
0 C 70°C
0 ° C至70℃
±
5毫伏
SOIC （ D）
PDIP （ N）
40 C 85°C
-40 ° C至85 C
±
5毫伏
SOIC （ D）
包装
25管
50管
2500卷
25管
50管
2500卷
订购
产品型号
LP339N
LP339D
LP339DR
LP2901N
LP2901D
LP2901DR
LP339
LP2901N
LP2901
TOP- SIDE
记号
LP339N
包装图纸，标准包装数量，热数据，符号和PCB设计指南可在
www.ti.com/sc/package 。
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
2004年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
LP239 ， LP339 ， LP2901
低功耗四通道差分比较仪
SLCS004B - 1987年10月 - 修订2004年9月
该LP239已经过时了
并且不再提供。
示意图（每个比较器）
VCC
0.2
A
5
A
0.2
A
6
A
IN +
OUT
IN-
GND
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±36
V
输入电压范围，V
I
（任一输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.3 V至36 V
输入电流，V
I
≤
-0.3 V（见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -50毫安
输出短路到地的持续时间（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗（见注5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内，T
A
： LP239 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -25°C至85°C
LP339 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
LP2901 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -40 ° C至85°C
封装的热阻抗，
θ
JA
（见注6及7 ） ：D包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 86 ° C / W
N包装， 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 80 ° C / W
经营虚拟结温，T
J
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 150°C
铅温度范围1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下60秒：J-包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
存储温度范围，T
英镑
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ℃150 ℃的
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出了推荐工作条件所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于地面网络。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.该输入电流仅当在任何一个输入端的电压加负电的存在。电流流过集电极 - 基极
输入钳位器件的结。除了夹紧装置的动作，有横向的npn寄生晶体管作用。这
动作不是破坏性的，并且通常的输出状态被重新建立，当输入电压返回到比更积极
- 0.3 V在TA = 25 ℃。
输出VCC之间4.短路可能导致过热和最终销毁。
5.如果输出晶体管允许饱和，低偏置耗散和输出的开 - 关特性保持
损耗非常小（一般小于100毫瓦） 。
6.最大功耗是TJ （最大）的函数，
θ
JA和TA 。在任何允许的最大允许功耗
环境温度为PD = （ TJ（MAX） - TA ） / θJA 。工作在150℃的最大绝对值的TJ可能影响可靠性。
7.封装的热阻抗的计算按照JESD 51-7 。
额定功耗表
包
J
TA
≤
25°C
额定功率
1025毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
8.2毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
656毫瓦
TA = 85°C
额定功率
533毫瓦
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
该LP239已经过时了
并且不再提供。
LP239 ， LP339 ， LP2901
低功耗四通道差分比较仪
SLCS004B - 1987年10月 - 修订2004年9月
推荐工作条件
LP239
民
VCC
维克
VI
TA
电源电压
共模输入电压
输入电压
工作自由空气的温度
VCC = 5 V
VCC = 30 V
VCC = 5 V
VCC = 30 V
3
0
0
0
0
25
最大
30
3
28
3
28
85
LP339
民
3
0
0
0
0
0
最大
30
3
28
3
28
70
LP2901
民
3
0
0
0
0
40
最大
30
3
28
3
28
85
单位
V
V
V
V
V
°C
电气特性，V
CC
= 5 V ，T
A
= 25
°C
（除非另有说明）
参数
VIO
IIO
IIB
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
见注7
测试条件
VCC = 5 V至30 V ，
RS = 0 ，
VO = 2 V ，
见注6
TA
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
单电源
全系列
VCC = 15 V ，
VI- = 1 V ，
VI + = 0
VI + = 1 V ，
VI- = 0
RL = 15 kΩ的
VO = 2 V ，
见注8
VO = 0.4 V
VO = 5 V
25°C
全系列
25°C
25°C
全系列
20
15
0.2
0.7
0.1
1
nA
A
0
VCC - 1.5
0
VCC - 2
500
30
mA
±0.5
±1
2.5
4
民
典型值
±2
最大
±5
±9
±5
±15
25
40
nA
单位
mV
nA
VICR
共模输入电压
范围
大信号差分电压
放大器阳离子
V
AVD
V / MV
输出灌电流
输出漏电流
VID
差分输入电压
36
V
ICC
电源电流
RL =
∞
所有比较
60
100
A
全系列为-25°C至85°C的LP239 ， 0 ° C至70℃的LP339 ，和 - 40 ° C至85°C的LP2901 。
注意： 8. VIO测量在整个共模输入电压范围。
9.由于PNP型输入级，该电流的方向是从所述装置的。此电流基本上是恒定的（即，独立
输出状态） 。在参考或输入线没有装载变化存在，只要共模输入电压范围是
不超标。
10.输出灌电流输出电压的函数。这些设备具有双峰输出部分，使他们能够下沉
（通过连接达林顿）大电流的输出电压大于1.5 V时，小电流，输出电压
小于1.5V。
VO = 30 V
VI
≤
0 （或VCC - 上分离电源）
开关特性，V
CC
= 5 V ，T
A
= 25
°C,
R
L
通过5.1 kΩ的连接到5 V
参数
大信号响应时间
响应时间
测试条件
TTL逻辑摆幅， VREF = 1.4 V
民
典型值
1.3
8
最大
单位
s
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3
LP239 ， LP339 ， LP2901
低功耗四通道差分比较仪
SLCS004B - 1987年10月 - 修订2004年9月
该LP239已经过时了
并且不再提供。
应用信息
图1示出了使用LP239 ， LP339 ，或LP2901比较器的基本配置。图2示出了
图，使用这些比较器作为一个CMOS驱动器中的一个。
VCC
VCC
30 k
IN +
IN =
+
OUT
1/4 LP239 ， LP339 ，
或LP2901
IN =
12
IN +
+
3
100 k
OUT
1/4 LP239 ， LP339 ，
或LP2901
1/4 SN54 / 74LS00或
1/4 SN54 / 74ALS1000A
图1.基本比较
图2： CMOS驱动器
任何未使用的比较器的所有引脚应接地。的LP239 ， LP339和LP2901的偏置网络
建立了漏极电流，而不受电源电压的幅度超过范围
2 V到30V。它通常有必要使用一个旁路电容器两端的电源线。
差分输入电压可以比V大
CC
而不会损坏器件。保护应
用以防止输入电压变成负值超过-0.3 V的输出部分有两个
操作的不同模式：一个达林顿方式和地面发射器模式。这种独特的驱动电路允许
装置下沉30毫安在V
O
= 2 V在达林顿方式和700
A
在V
O
= 0.4伏在地面发射器模式。
图3是输出部分的简化示意图。所述输出部被配置在一个达林顿
连接（忽略Q3 ） 。如果输出电压被保持足够高（高于1 V）中， Q 1是不饱和的和
输出电流由下h的产物只限于
FE
第一季度中，H
FE
Q2和I1和60 - Ω饱和的
Q2的阻力。该设备能够驱动发光二极管，继电器等在此模式下，同时保持一个
60超低电源电流
A,
典型的。
VCC
I1 = 6
A
Q3
VO
Q1
Q2
图3.输出段示意图
4
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该LP239已经过时了
并且不再提供。
LP239 ， LP339 ， LP2901
低功耗四通道差分比较仪
SLCS004B - 1987年10月 - 修订2004年9月
应用信息
未经晶体管Q3 ，如果输出电压被允许下降到低于0.8伏，晶体管Q1将饱和，并且
输出电流将下降到零。该电路将无法拉低电流负荷下到地面或
负电源，如果使用的话。晶体管Q3已列入绕过这些条件下，晶体管Q1导通
与直接将电流I1到Q2的基极。输出灌电流，现在大约是I1倍
h
FE
Q2的（ 700
A
在V
O
= 0.4 V） 。该装置的输出显示出双峰特征，具有光滑
模式之间的转变。
在这两种情况下，输出是未提交的集电极。几个输出可以连接在一起，以提供一个逻辑点
功能。的输出上拉电阻可以连接到任何可用的电源电压范围内所允许的
电源电压范围，并没有对这个电压并无限制的基础上，也就是电压的幅度
提供给V
CC
包的。
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5
LP239 ， LP339 ， LP2901
低功耗四通道差分比较仪
SLCS004A - 1987年10月 - 修订1988年5月
D
D
D
D
D
D
D
D
D
D
超低电源电流
排水。 。 。 60
A
典型值
低输入偏置电流。 。 。 3 nA的
低输入偏置电流。 。 。
±0.5
nA
低输入失调电压。 。 。
±2
mV
共模输入电压包括
地
输出电压的兼容MOS和
CMOS逻辑
高输出灌电流能力
（30毫安V
O
= 2V)
电源输入反向电压
保护
单电源供电
引脚对引脚兼容LM239 ， LM339 ，
LM2901
D， J或N包装
（ TOP VIEW ）
1OUT
2OUT
V
CC
2IN -
2IN +
1IN -
1IN +
1
2
3
4
5
6
7
14
13
12
11
10
9
8
3OUT
4OUT
GND
4IN +
4IN -
3英寸+
3英寸 -
描述
该LP239 ， LP339 ， LP2901是低功耗四路差动比较器。每个器件包括四个
独立的电压比较器专门设计用于从单个电源和通常操作
借鉴60 μA的漏电流在很宽的电压范围。从分裂电源的操作也有可能
和超低电源漏电流是独立的电源电压。
应用包括限比较器，简单的模拟 - 数字转换器，脉冲发生器，方波
发电机，时间延迟发生器，电压控制振荡器，多谐振荡器和高电压逻辑门。
该LP239 ， LP339 ， LP2901是专门设计的CMOS逻辑系列接口。超低
电源电流使这些产品最好在电池供电的应用。
在LP239的特点是操作从 - 25 ° C至85°C 。在LP339的特点是从操作
0℃至70℃。该LP2901的特点是操作从 - 40 ° C至85°C 。
可选项
包
TA
0
°C
70
°C
– 25
°C
85
°C
– 40
°C
85
°C
VIOmax 25℃
±
5毫伏
±
5毫伏
±
5毫伏
小尺寸
(D)
LP339D
LP239D
LP2901D
塑料DIP
(N)
LP339N
LP239N
LP2901N
陶瓷DIP
(J)
LP339J
LP239J
LP2901J
D封装是可以录音和 - 举步为艰。加上R后缀的设备类型订货时（例如， LP339DR ） 。
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合每德州仪器条款规范
标准保修。生产加工并不包括
所有测试参数。
版权
1988年，德州仪器
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
1
LP239 ， LP339 ， LP2901
低功耗四通道差分比较仪
SLCS004A - 1987年10月 - 修订1988年5月
示意图（每个比较器）
VCC
0.2
A
5
A
0.2
A
6
A
IN +
OUT
IN =
GND
在工作自由空气的温度范围内绝对最大额定值（除非另有说明）
电源电压，V
CC
（见注1 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 36 V
差分输入电压，V
ID
（见注2 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
±36
V
输入电压范围，V
I
（任一输入） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.3 V至36 V
输入电流，V
I
≤
- 0.3 V （见注3 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 50毫安
输出短路到地的持续时间（见注4 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。无限
连续总功耗（见注5 ） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。见耗散额定值表
工作的自由空气的温度范围内，T
A
： LP239 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 25 ° C至85°C
LP339 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0 ° C至70℃
LP2901 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 40 ° C至85°C
存储温度范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 65 ℃150 ℃的
铅温度范围1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下10秒：D或N包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃
铅温度范围1.6毫米（ 1/16英寸）的情况下60秒：J-包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
超出上述绝对最大额定值强调可能会造成永久性损坏设备。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出了推荐工作条件所标明的任何其他条件的功能操作，是不是暗示。
暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
注：1.所有的电压值，除了差分电压，是相对于地面网络。
2.差分电压为IN +相对于 - 。
3.该输入电流仅当在任何一个输入端的电压加负电的存在。电流流过集电极 - 基极
输入钳位器件的结。除了夹紧装置的动作，有横向的npn寄生晶体管作用。这
动作不是破坏性的和正常输出状态被重新建立时的输入电压返回到比更积极
- 0.3 V在TA = 25 ℃。
输出VCC之间4.短路可能导致过热和最终销毁。
5.如果输出晶体管允许饱和，低偏置耗散和输出的开 - 关特性保持
损耗非常小（一般小于100毫瓦） 。
额定功耗表
包
D
J
N
TA
≤
25°C
额定功率
950毫瓦
1025毫瓦
1150毫瓦
降额因子
以上TA = 25°C
7.6毫瓦/°C的
8.2毫瓦/°C的
9.2毫瓦/°C的
TA = 70℃
额定功率
608毫瓦
656毫瓦
736毫瓦
TA = 85°C
额定功率
494毫瓦
533毫瓦
598毫瓦
2
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
LP239 ， LP339 ， LP2901
低功耗四通道差分比较仪
SLCS004A - 1987年10月 - 修订1988年5月
推荐工作条件
LP239
民
VCC
维克
VI
TA
电源电压
共模
共模输入电压
输入电压
工作自由空气的温度
VCC = 5 V
VCC = 30 V
VCC = 5 V
VCC = 30 V
5
0
0
0
0
– 25
最大
30
3
28
3
28
85
LP339
民
5
0
0
0
0
0
最大
30
3
28
3
28
70
LP2901
民
5
0
0
0
0
– 40
最大
30
3
28
3
28
85
单位
V
V
V
V
V
°C
电气特性，V
CC
= 5 V ，T
A
= 25
°C
（除非另有说明）
参数
VIO
IIO
IIB
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
见注7
测试条件
VCC = 5 V至30 V ，
,
RS = 0 ，
VO = 2 V ，
,
见注6
TA
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
全系列
25°C
单电源
全系列
VCC = 15 V ，
六， - = 1 V ，
V
VI + = 0
VI + = 1 V ，
,
六， - = 0
RL = 15 kΩ的
VO = 2 V ，
,
见注8
VO = 0.4 V
VO = 5 V
25°C
全系列
25°C
25°C
全系列
20
15
0.2
0.7
0.1
1
nA
A
0
VCC - 1.5
0
VCC - 2
500
30
mA
±0.5
±1
– 2.5
–4
民
典型值
±2
最大
±5
±9
±5
±15
– 25
– 40
单位
mV
nA
nA
VICR
g
共模输入电压
范围
大信号差分电压
放大器阳离子
V
AVD
V / MV
输出灌电流
输出漏电流
VID
差分输入电压
36
V
ICC
电源电流
RL =
∞
所有比较
60
100
A
全系列为-25°C至85°C的LP239 ， 0 ° C至70℃的LP339 ，和 - 40 ° C至85°C的LP2901 。
注：6. VIO测量在整个共模输入电压范围。
7.由于PNP型输入级，该电流的方向是从所述装置的。这个电流是基本上恒定的（即，独立
输出状态） 。在参考或输入线没有装载变化存在，只要共模输入电压范围是
不超标。
8.输出吸收电流为输出电压的函数。这些设备具有双峰输出部分，使他们能够下沉
（通过连接达林顿）大电流的输出电压大于1.5 V时，小电流，输出电压
小于1.5V。
VO = 30 V
VI
≤
0 （或VCC - 上分离电源）
开关特性，V
CC
= 5 V ，T
A
= 25
°C,
R
L
通过5.1 kΩ的连接到5 V
参数
大信号响应时间
响应时间
测试条件
TTL逻辑摆幅VREF = 1 4 V
秋千，
f 1.4
民
典型值
1.3
8
最大
单位
s
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
3
LP239 ， LP339 ， LP2901
低功耗四通道差分比较仪
SLCS004A - 1987年10月 - 修订1988年5月
应用信息
图1示出了使用LP239 ， LP339 ，或LP2901比较器的基本配置。图2示出了
图，使用这些比较器作为一个CMOS驱动器中的一个。
VCC
VCC
30 k
IN +
IN =
+
OUT
–
1/4 LP239 ， LP339 ，
或LP2901
IN =
–
12
IN +
+
3
OUT
100 k
图1.基本比较
1/4 LP239 ， LP339 ，
或LP2901
1/4 SN54 / 74LS00或
1/4 SN54 / 74ALS1000A
图2： CMOS驱动器
任何未使用的比较器的所有引脚应接地。的LP239 ， LP339和LP2901的偏置网络
建立了漏极电流，而不受电源电压的幅度超过范围
2 V到30V。它通常需要使用一个旁路电容器两端的电源线。
差分输入电压可以比V大
CC
而不会损坏器件。保护应
用以防止输入电压变成负值超过 - 0.3 V的输出部分有两个
操作的不同模式：一个达林顿方式和地面发射器模式。这种独特的驱动电路证
该装置沉入30毫安在V
O
= 2 V在达林顿方式和700
A
在V
O
= 0.4伏在地面发射极
模式。图3是输出部分的简化示意图。所述输出部被配置在一
达林顿连接（忽略Q3 ） 。如果输出电压被保持足够高（高于1 V）中， Q 1是不饱和
和输出电流由下h的产物仅仅局限于
FE
第一季度中，H
FE
Q2和I1和60 - Ω饱和的
Q2的阻力。该设备能够驱动发光二极管，继电器等在此模式下，同时保持一个超低
60的电源电流
A
典型的。
VCC
I1 = 6
A
Q3
VO
Q1
Q2
图3.输出段示意图
4
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
LP239 ， LP339 ， LP2901
低功耗四通道差分比较仪
SLCS004A - 1987年10月 - 修订1988年5月
应用信息
未经晶体管Q3 ，如果输出电压被允许下降到低于0.8伏，晶体管Q1将饱和和
输出电流将下降到零。该电路将无法拉低电流负荷下到地面或
负电源，如果使用的话。晶体管Q3已列入绕过这些条件下，晶体管Q1导通
与直接将电流I1到Q2的基极。输出灌电流，现在大约I1倍
h
FE
Q2的（ 700
A
在V
O
= 0.4 V） 。该装置的输出显示出具有光滑的双峰特性
模式之间的转变。
在这两种情况下，输出是未提交的集电极。几个输出可以连接在一起，以提供一个逻辑点
功能。的输出上拉电阻可以连接到任何可用的电源电压范围内所允许的
电源电压范围，并且有根据是这样的电压的幅值在此电压没有限制
提供给V
CC
包的。
邮政信箱655303
达拉斯，德克萨斯州75265
5
LP339超低功耗四路比较器
1999年9月
LP339
超低功耗四路比较器
概述
该LP339由四个独立的电压compara-
专门设计器从单个电源操作
供应和借鉴典型的60电源漏电流的μA
租在宽范围的电源电压。手术
从分离电源，也可以和超低功耗
供应漏极电流是独立的电源的电压
年龄。这些比较器还具有共模
范围包括地面，从一个操作，即使
单电源供电。
应用
包括
极限
比较器，
简单
模拟 - 数字转换器，脉冲，方波和延迟时间
发电机组; VCO的;多谐振荡器;高电压逻辑门。
该LP339是专门设计的接口
CMOS逻辑系列。超低电源电流，使
LP339在电池供电的应用价值。
n
n
n
n
单电源供电
感应地面
兼容CMOS逻辑系列
引脚排列完全相同LM339
特点
n
超低电源电流消耗
（60微安） - 与电源电压无关的
（ 75 μW /比较器的+ 5V
DC
)
n
低输入偏置电流： 3 nA的
n
低输入失调电流：
±
0.5 nA的
n
低输入失调电压：
±
2毫伏
n
输入共模电压包括接地
n
输出电压与MOS和CMOS逻辑兼容
n
高输出灌电流能力（30毫安V
O
= 2 V
DC
)
n
电源输入保护，防止反向电压
优势
n
适用于电池超低电源漏
应用
原理图和接线图
DS005226-2
DS005226-1
订单号LP339M的S.O.包
见NS包装数M14A
订单号LP339N为双列直插式封装
见NS包装数N14A
典型应用
(V
+
= 5.0 V
DC
)
驾驶CMOS
基本比较器
DS005226-3
DS005226-4
1999美国国家半导体公司
DS005226
www.national.com
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
差分输入电压
输入电压
功率耗散（注2 ）
模压DIP
输出短路到地（注3 ）
输入电流V
IN
＆ LT ;
0.3 V
DC
（注4 ）
36 V
DC
or
±
18 V
DC
±
36 V
DC
0.3 V
DC
至36 V
DC
570毫瓦
连续
50毫安
工作温度范围
0 ° C至+ 70°C
存储温度范围
-65 °至+ 150°C
焊接方式：
双列直插式封装（ 10秒）
+260C
S.O.包装：
气相（ 60秒）
+215C
红外（15秒）。
+220C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
产品可靠性“的焊接表面的其它方法
安装设备。
电气特性
(V+ = 5 V
DC
） （注5 ）
参数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入共
模电压范围
电源电流
电压增益
大信号
响应时间
响应时间
输出灌电流
R
L
=无限上所有比较，T
A
= 25C
V
O
= 1 V
DC
至11 V
DC
,
R
L
= 15 kΩ的，V
+
= 15 V
DC
, T
A
= 25C
V
IN
= TTL逻辑摆幅，V
REF
= 1.4 V
DC
,
V
RL
= 5 V
DC
, R
L
= 5.1 kΩ的，T
A
= 25C
V
RL
= 5 V
DC
, R
L
= 5.1 kΩ的，T
A
= 25 （注8 ）
V
IN
() = 1 V
DC
, V
IN
(+) = 0, V
O
= 2 V
DC
,
T
A
= 25 （注12 ）
V
O
= 0.4 V
DC
V
IN
(+) = 1 V
DC
, V
IN
() = 0, V
O
= 5 V
DC
, T
A
= 25C
（注10 ）
I
IN
(+)I
IN
()
I
IN
（ + ）或I
IN
（ - ）与输出的线性范围
单电源
V
IN
() = 1 V
DC
, V
IN
(+) = 0, V
O
= 2 V
DC
V
IN
(+) = 1 V
DC
, V
IN
() = 0, V
O
= 30 V
DC
所有V
IN 'S
≥0
V
DC
（或V上的分离电源） （注9 ）
条件
T
A
= 25 ° C（注10 ）
I
IN
（ + ）或I
IN
（ - ）与
输出的线性范围，T
A
= 25 ° C（注6 ）
I
IN
(+)I
IN
(), T
A
= 25C
T
A
= 25 （注7 ）
民
典型值
最大
单位
mV
DC
nA
DC
nA
DC
V
DC
A
DC
V / MV
微秒
微秒
mA
DC
mA
DC
nA
DC
±
2
2.5
±
5
25
±
0.5
0
60
500
1.3
8
15
0.20
30
0.70
0.1
±
5
V+1.5
100
输出漏电流
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入共
模电压范围
输出灌电流
输出漏电流
差分输入电压
±
1
4
0
10
±
9
±
15
40
V+2.0
mV
DC
nA
DC
nA
DC
V
DC
mA
DC
1.0
36
A
DC
V
DC
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备是功能条件
tional ，但不保证特定的性能极限。
注2 ：
对于高温下操作，T
j
最高为125℃的LP339 。
θ
ja
（结点到环境）对于LP339N 120℃ / W的LP339M 175C时/ W
任一装置被焊接在印刷电路板中的静止空气环境。低偏置耗散和“开 - 关”的输出特性保持芯片
损耗非常小（P
D
≤
100毫瓦） ，提供晶体管允许饱和的输出。
注3 ：
从输出到V短路
+
可能导致过度加热并最终破坏。最大输出电流大约为50毫安。
注4 ：
当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将只存在。这是由于在输入的PNP转录的集电极 - 基极结
电阻取值成为正向偏置，从而作为输入钳位二极管。除了这个二极管动作，也有在横向的NPN寄生晶体管作用
IC芯片。这个晶体管的动作可能会导致比较器的输出电压分别达到所述V +电压电平（或对地大的输入过驱动）的时间笃
配给一个输入驱动负。这不是破坏性的和正常输出状态将重新建立时的输入电压，这是否定的，再次返回到一个
大于0.3 V
DC
(T
A
= 25C).
注5 ：
这些规范适用于V
+
= 5V
DC
和0C≤T
A
≤70
C，除非另有说明。在极端温度，保证，但不是100 ％生产
测试。这些参数不用于计算呼出的AQL 。
注6 ：
输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。这个电流是基本上恒定的，独立的输出的状态，所以
无负荷变化存在于参考或输入线，只要共模范围不超过。
注7 ：
输入共模电压或任一输入电压不应该被允许超过0.3V去负。共模的上端电压
年龄范围为V
+
-1.5V （T
A
= 25℃ ），但其中一个或两个输入端可以到30伏
DC
而不损坏。
注8 ：
指定的响应时间是用于与5 mV过一个100毫伏的输入步骤。对于较大的过载信号的1.3微秒可制得。见典型性能
特性部分。
www.national.com
2
电气特性
（续）
注9 ：
输入电压的正偏移可能超过电源电平。只要其它的电压保持在共模电压范围内，则compara-
器将提供一个合适的输出状态。在低输入电压状态必须不低于0.3 V
DC
（或0.3 V
DC
负电源的大小，如果低于
使用）在T
A
= 25C.
注10 ：
在输出开关点，V
O
= 1.4V ，R
S
=与V 0Ω
+
从5 V
DC
;而在整个输入共模范围（0V
DC
到V
+
1.5 V
DC
).
注11 ：
对于输入信号超过V
+
中，只有过驱动比较器受到影响。在5V电源下，V
IN
应限制在25V最大值和一个限流电阻器
应使用上可能会超过正电源的所有输入。
注12 ：
输出灌电流是输出电压的函数。的LP339具有双峰输出部，可使其通过一个达林顿下沉的大电流
在输出端连接电压大于约1.5伏特
DC
和水槽低于这个点低电流。 （见典型特征部分和应用节
化） 。
典型性能特性
电源电流
输入电流
输出灌电流
DS005226-35
DS005226-36
DS005226-37
输出灌电流
响应时间
各种输入
超速传动 -
负跳变
响应时间
各种输入
超速传动 -
正跳变
DS005226-38
DS005226-39
DS005226-40
3
www.national.com
应用提示
任何未使用的比较器的所有引脚应连接到
负电源。
的LP339的偏置网络建立的漏极电流
它是独立的电源的大小的
电压超过2 V的范围内
DC
至30 V
DC
.
它通常不必使用旁路电容器两端
电源线。
差分输入电压可以大于V +的大而不
损坏器件。保护应提供给预
变成负值以上-0.3泄输入电压
V
DC
（25℃） 。输入钳位二极管可以用作显示
在应用程序部分。
的LP339的输出部分有两个不同的模式
操作一个达林顿模式和一个发射极接地模式。
这种独特的驱动电路允许LP339下沉30毫安在
V
O
= 2 V
DC
（达林顿方式）和700 μA，在V
O
= 0.4 V
DC
（接地的发射极模式）。
图1
是一个简化示意
图中的LP339输出部分。
DS005226-11
图1 。
注意，输出部被配置在一个达林顿
连接（忽略Q3 ） 。因此，如果输出电压是
保持足够高（V
O
≥1
V
DC
） ， Q 1是不饱和的
输出电流仅受的贝塔系数的乘积的限制
Q 1 ， Q 2和I 1 （和60Ω
SAT
Q2的） 。该LP339是这样
可驱动的LED ，继电器等在此模式而
保持通常的超低电源电流
60 A.
若晶体管Q 3被省略，并且输出电压允许
下降到低于大约0.8V的
DC
，晶体管Q1将饱和
和输出电流将下降到零。该电路会，
因此，不能以“拉”低电流负载下降到
地面（或负电源电压，如果使用的话） 。晶体管Q3有
被列入，绕过这些条件三极管Q1
tions和直接应用的电流I1到Q2的基极。该
输出灌电流是距今约I1次公测
Q2（ 700 μA在V
O
= 0.4 V
DC
） 。的LP339 exhib-的输出
它具有平滑的过渡双峰特性BE-
吐温模式。 （见输出灌电流图的典型
性能特性一节。 ）
同样重要的是要注意，在这两种情况下，输出是一个
未提交的收藏家。因此，许多收藏者可以
绑在一起，以提供一个输出或运算功能。输出
上拉电阻可以连接到任何可用的功率
内允许的电源电压的电源电压
范围，而且对这个电压并无限制由于
这是施加到V +的端子处的电压的大小
的LP339包。
典型应用
(V
+
= 15 V
DC
)
单稳态多谐振荡器
DS005226-13
www.national.com
4
典型应用
(V
+
= 15 V
DC
）（续）
延时发生器
DS005226-15
或运算的输出
DS005226-16
5
www.national.com
LP339
LP339超低功耗四路比较器
文献编号： SNOSBE0A
LP339超低功耗四路比较器
2000年8月
LP339
超低功耗四路比较器
概述
该LP339由四个独立的电压compara-
专门设计器从单个电源操作
供应和借鉴典型的60电源漏电流的μA
租在宽范围的电源电压。手术
从分离电源，也可以和超低功耗
供应漏极电流是独立的电源的电压
年龄。这些比较器还具有共模
范围包括地面，从一个操作，即使
单电源供电。
应用
包括
极限
比较器，
简单
模拟 - 数字转换器，脉冲，方波和延迟时间
发电机组; VCO的;多谐振荡器;高电压逻辑门。
该LP339是专门设计的接口
CMOS逻辑系列。超低电源电流，使
LP339在电池供电的应用价值。
n
n
n
n
单电源供电
感应地面
兼容CMOS逻辑系列
引脚排列完全相同LM339
特点
n
超低电源电流消耗
（60微安） - 与电源电压无关的
（ 75 μW /比较器的+ 5V
DC
)
n
低输入偏置电流： 3 nA的
n
低输入失调电流：
±
0.5 nA的
n
低输入失调电压：
±
2毫伏
n
输入共模电压包括接地
n
输出电压与MOS和CMOS逻辑兼容
n
高输出灌电流能力（30毫安V
O
=2 V
DC
)
n
电源输入保护，防止反向电压
优势
n
适用于电池超低电源漏
应用
原理图和接线图
DS005226-2
DS005226-1
订单号LP339M的S.O.包
见NS包装数M14A
订单号LP339N为双列直插式封装
见NS包装数N14A
典型应用
(V
+
= 5.0 V
DC
)
驾驶CMOS
基本比较器
DS005226-3
DS005226-4
2000美国国家半导体公司
DS005226
www.national.com
LP339
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
电源电压
差分输入电压
输入电压
功率耗散（注2 ）
模压DIP
输出短路到地（注3 ）
输入电流V
IN
＆ LT ;
0.3 V
DC
（注4 ）
36 V
DC
or
±
18 V
DC
±
36 V
DC
0.3 V
DC
至36 V
DC
570毫瓦
连续
50毫安
工作温度范围
0 ° C至+ 70°C
存储温度范围
-65 °至+ 150°C
焊接方式：
双列直插式封装（ 10秒）
+260C
S.O.包装：
气相（ 60秒）
+215C
红外（15秒）。
+220C
见AN- 450“表面贴装方法及其影响
产品可靠性“的焊接表面的其它方法
安装设备。
电气特性
(V+=5 V
DC
） （注5 ）
参数
输入失调电压
输入偏置电流
输入失调电流
输入共
模电压范围
电源电流
电压增益
大信号
响应时间
响应时间
输出灌电流
R
L
=无限上所有比较，T
A
=25C
V
O
= 1 V
DC
至11 V
DC
,
R
L
= 15 kΩ的， V = 15 V
DC
, T
A
=25C
V
IN
= TTL逻辑摆幅，V
REF
=1.4 V
DC
,
V
RL
=5 V
DC
, R
L
= 5.1 kΩ的，T
A
=25C
V
RL
=5 V
DC
, R
L
= 5.1 kΩ的，T
A
= 25 （注8 ）
V
IN
()=1 V
DC
, V
IN
(+)=0, V
O
=2 V
DC
,
T
A
= 25 （注12 ）
V
O
=0.4 V
DC
输出漏电流
输入失调电压
输入失调电流
输入偏置电流
输入共
模电压范围
输出灌电流
输出漏电流
差分输入电压
V
IN
()=1 V
DC
, V
IN
(+)=0, V
O
=2 V
DC
V
IN
(+)=1 V
DC
, V
IN
()=0, V
O
=30 V
DC
所有V
IN 'S
≥0
V
DC
（或V
在分离电源） （注9 ）
10
1.0
36
mA
DC
A
DC
V
DC
V
IN
(+)=1 V
DC
, V
IN
()=0, V
O
=5 V
DC
, T
A
=25C
（注10 ）
I
IN
(+)I
IN
()
I
IN
（ + ）或I
IN
（ - ）与输出的线性范围
单电源
0
0.20
0.70
0.1
mA
DC
nA
DC
15
8
30
微秒
mA
DC
1.3
微秒
+
条件
T
A
= 25 （注10 ）
I
IN
（ + ）或I
IN
（ - ）与
输出的线性范围，T
A
= 25 ° C（注6 ）
I
IN
(+)I
IN
(), T
A
=25C
T
A
= 25 （注7 ）
民
典型值
最大
单位
mV
DC
nA
DC
nA
DC
V
DC
A
DC
V / MV
±
2
2.5
±
5
25
±
0.5
0
60
500
±
5
V+1.5
100
±
1
4
±
9
±
15
40
V+2.0
mV
DC
nA
DC
nA
DC
V
DC
注1 ：
最大极限值是指超出这可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备是功能条件
tional ，但不保证特定的性能极限。
注2 ：
对于高温下操作，T
j
最高为125℃的LP339 。
θ
ja
（结点到环境）对于LP339N 120℃ / W的LP339M 175C时/ W
任一装置被焊接在印刷电路板中的静止空气环境。低偏置耗散和“开 - 关”的输出特性保持芯片
损耗非常小（P
D
≤
100毫瓦） ，提供晶体管允许饱和的输出。
注3 ：
从输出到V短路
+
可能导致过度加热并最终破坏。最大输出电流大约为50毫安。
注4 ：
当在任何输入电压引线被驱动负此输入电流将只存在。这是由于在输入的PNP转录的集电极 - 基极结
电阻取值成为正向偏置，从而作为输入钳位二极管。除了这个二极管动作，也有在横向的NPN寄生晶体管作用
IC芯片。这个晶体管的动作可能会导致比较器的输出电压分别达到所述V +电压电平（或对地大的输入过驱动）的时间笃
配给一个输入驱动负。这不是破坏性的和正常输出状态将重新建立时的输入电压，这是否定的，再次返回到一个
大于0.3 V
DC
(T
A
=25C).
注5 ：
这些规范适用于V
+
=5V
DC
和0C≤T
A
≤70
C，除非另有说明。在极端温度，保证，但不是100 ％生产
测试。这些参数不用于计算呼出的AQL 。
注6 ：
输入电流的方向是从IC的由于PNP输入级。这个电流是基本上恒定的，独立的输出的状态，所以
无负荷变化存在于参考或输入线，只要共模范围不超过。
注7 ：
输入共模电压或任一输入电压不应该被允许超过0.3V去负。共模的上端电压
年龄范围为V
+
-1.5V （T
A
= 25℃ ），但其中一个或两个输入端可以到30伏
DC
而不损坏。
注8 ：
指定的响应时间是用于与5 mV过一个100毫伏的输入步骤。对于较大的过载信号的1.3微秒可制得。见典型性能
特性部分。
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LP339
电气特性
（续）
注9 ：
输入电压的正偏移可能超过电源电平。只要其它的电压保持在共模电压范围内，则compara-
器将提供一个合适的输出状态。在低输入电压状态必须不低于0.3 V
DC
（或0.3 V
DC
负电源的大小，如果低于
使用）在T
A
=25C.
注10 ：
在输出开关点，V
O
= 1.4V ，R
S
=与V 0Ω
+
从5 V
DC
;而在整个输入共模范围（0V
DC
到V
+
1.5 V
DC
).
注11 ：
对于输入信号超过V
+
中，只有过驱动比较器受到影响。在5V电源下，V
IN
应限制在25V最大值和一个限流电阻器
应使用上可能会超过正电源的所有输入。
注12 ：
输出灌电流是输出电压的函数。的LP339具有双峰输出部，可使其通过一个达林顿下沉的大电流
在输出端连接电压大于约1.5伏特
DC
和水槽低于这个点低电流。 （见典型特征部分和应用节
化） 。
典型性能特性
电源电流
输入电流
输出灌电流
DS005226-35
DS005226-36
DS005226-37
输出灌电流
响应时间
各种输入
超速传动 -
负跳变
响应时间
各种输入
超速传动 -
正跳变
DS005226-38
DS005226-39
DS005226-40
3
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LP339
应用提示
任何未使用的比较器的所有引脚应连接到
负电源。
的LP339的偏置网络建立的漏极电流
它是独立的电源的大小的
电压超过2 V的范围内
DC
至30 V
DC
.
它通常不必使用旁路电容器两端
电源线。
差分输入电压可以大于V +的大而不
损坏器件。保护应提供给预
变成负值以上-0.3泄输入电压
V
DC
（25℃） 。输入钳位二极管可以用作显示
在应用程序部分。
的LP339的输出部分有两个不同的模式
操作一个达林顿模式和一个发射极接地模式。
这种独特的驱动电路允许LP339下沉30毫安在
V
O
=2 V
DC
（达林顿方式）和700 μA，在V
O
=0.4 V
DC
（接地的发射极模式）。
图1
是一个简化示意
图中的LP339输出部分。
注意，输出部被配置在一个达林顿
连接（忽略Q3 ） 。因此，如果输出电压是
保持足够高（V
O
≥1
V
DC
） ， Q 1是不饱和的
输出电流仅受的贝塔系数的乘积的限制
Q 1 ， Q 2和I 1 （和60Ω
SAT
Q2的） 。该LP339是这样
可驱动的LED ，继电器等在此模式而
保持通常的超低电源电流
60 A.
若晶体管Q 3被省略，并且输出电压允许
下降到低于大约0.8V的
DC
，晶体管Q1将饱和
和输出电流将下降到零。该电路会，
因此，不能以“拉”低电流负载下降到
地面（或负电源电压，如果使用的话） 。晶体管Q3有
被列入，绕过这些条件三极管Q1
tions和直接应用的电流I1到Q2的基极。该
输出灌电流是距今约I1次公测
Q2（ 700 μA在V
O
=0.4 V
DC
） 。的LP339 exhib-的输出
它具有平滑的过渡双峰特性BE-
吐温模式。 （见输出灌电流图的典型
性能特性一节。 ）
同样重要的是要注意，在这两种情况下，输出是一个
未提交的收藏家。因此，许多收藏者可以
绑在一起，以提供一个输出或运算功能。输出
上拉电阻可以连接到任何可用的功率
内允许的电源电压的电源电压
范围，而且对这个电压并无限制由于
这是施加到V +的端子处的电压的大小
的LP339包。
DS005226-11
图1 。
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