P
包装运输
2W P
OWER
pHEMT制
特点
33 dBm的输出功率，在1dB压缩在15 GHz的
8分贝功率增益为15 GHz的
60％的功率附加效率
LP3000P100
说明与应用
该LP3000P100是封装铝砷化镓/铟镓砷化物
（铝镓砷/铟镓砷）伪形态高电子迁移率晶体管（ pHEMT制） 。它利用了
0.25
m
x 3000
m
肖特基势垒栅，通过电子束光刻法限定。凹陷
“蘑菇”门结构最大限度地减少寄生栅极 - 源极和栅极电阻。外延
结构和处理进行了优化，可靠的高功率应用。该LP3000还
特色氮化硅钝化和裸片形式或以其它封装。
该LP3000P100是专为中等功率，线性放大。此装置适用于
应用在商业和军事环境中，并且它适合于用作介质
在卫星通信上行链路发射功率晶体管，中程数字无线电发射器， PCS高
效率的放大器，和WLL系统。
电气规格@ T
环境
= 25°C
°
参数
饱和漏源电流
功率在1dB压缩
功率增益1dB压缩
功率附加英法fi效率
最大漏源电流
跨
栅极 - 源极漏电流
捏-O FF电压
栅源击穿
电压幅值
栅极 - 漏极击穿
电压幅值
频率= 15 GHz的
符号
I
DSS
P-1dB
G-1dB
PAE
I
最大
G
M
I
GSO
V
P
|V
BDGS
|
|V
BDGD
|
测试条件
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
V
DS
= 8 V ;我
DS
= 50% I
DSS
;
P
IN
= 17 dBm的
V
DS
= 2 V; V
GS
= 1 V
V
DS
= 2 V; V
GS
= 0 V
V
GS
= -5 V
V
DS
= 2 V ;我
DS
= 5毫安
I
GS
= 8毫安
I
GD
= 8毫安
-0.25
-12
-12
700
民
800
31.5
7
典型值
975
33
8
45
1700
900
15
-1.2
-15
-16
130
-2.0
最大
1100
单位
mA
DBM
dB
%
mA
mS
A
V
V
V
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/20/01
电子邮件：
sales@filss.com
P
包装运输
2W P
OWER
pHEMT制
绝对最大额定值
参数
漏源电压
栅源电压
漏 - 源电流
栅电流
RF输入功率
通道工作温度
储存温度
总功耗
注意事项：
符号
V
DS
V
GS
I
DS
I
G
P
IN
T
CH
T
英镑
P
合计
测试条件
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
T
环境
= 22
±
3
°C
—
T
环境
= 22
±
3
°C
-65
民
最大
12
-4
2xI
DSS
30
700
175
175
3.0
单位
V
V
mA
mA
mW
C
C
W
LP3000P100
经营超过绝对最大额定值条件下可能导致器件的永久性损坏。
功耗定义为：P
合计
≡
(P
DC
+ P
IN
) – P
OUT
，其中，
P
DC
：直流偏置电源
P
IN
： RF输入功率
P
OUT
：射频输出功率
绝对最大功耗要降额如下高于25 ° C：
P
合计
= 3.0W - （ 0.020W / ° C）控制x T
HS
其中T
HS
=散热器或环境温度。
这PHEMT是容易受到静电放电的破坏。处理这些的时候适当的预防措施，应使用
设备。
操作注意事项
为避免对设备造成损坏应小心处理期间行使。适当的静电
放电（ESD ）预防措施应储存的各个阶段进行观察，搬运，装配和
测试。这些装置应被视为1A类（ 0-500 Ⅴ） 。在ESD控制的更多信息
措施可以在MIL -STD- 1686和MIL -HDBK -263被发现。
应用说明&设计数据
应用笔记，可以从当地的费尔多尼克销售代表或直接从
工厂。完整的设计数据，包括S参数，噪声数据，信号和大信号模型
可在费尔多尼克网站。
电话：
(408) 988-1845
传真：
(408) 970-9950
HTTP ： //
www.filss.com
修改后：
1/20/01
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