LP2997
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
PVIN ， AVIN ， VDDQ到GND
无引脚应超过AVIN
储存温度。范围
结温
焊接温度（焊接， 10秒）
-0.3V至+ 6V
-65 ° C至+ 150°C
150C
260C
SO- 8热阻（ θ
JA
)
PSOP - 8热阻（ θ
JA
)
最低ESD额定值（注2 ）
151C/W
43C/W
1kV
工作范围
结温。范围（注3）
AVIN至GND
0 ° C至+ 125°C
2.2V至5.5V
规范与标准字体为T
J
= 25℃，在极限
粗体
TYPE
适用于整个
工作温度范围
(T
J
= 0°C至+ 125°C ） （注4 ） 。除非另外指明，
AVIN = 2.5V ， PVIN = 1.8V ， VDDQ = 1.8V 。
符号
V
REF
参数
V
REF
电压
条件
PVIN = VDDQ = 1.7V
PVIN = VDDQ = 1.8V
PVIN = VDDQ = 1.9V
I
REF
= -30至30微安
I
OUT
= 0A
PVIN = VDDQ = 1.7V
PVIN = VDDQ = 1.8V
PVIN = VDDQ = 1.9V
I
OUT
=
±
0.5A （注7 ）
PVIN = VDDQ = 1.7V
PVIN = VDDQ = 1.8V
PVIN = VDDQ = 1.9V
VOS
TT
/V
TT
V
TT
输出电压
偏移量（ V
REF
-V
TT
)
静态电流
（注5 ）
VDDQ输入阻抗
静态电流
关机（注5 ）
关闭泄漏
当前
最小关断
高层
最小关断
低层
V
SENSE
输入电流
热关断
热关断
迟滞
（注6 ）
13
165
10
SD = 0V
SD = 0V
1.9
0.8
I
OUT
= 0A
I
OUT
= -0.5A
I
OUT
= +0.5A
I
OUT
= 0A （注5）
民
0.837
0.887
0.936
典型值
0.860
0.910
0.959
2.5
最大
0.887
0.937
0.986
单位
V
k
电气特性
Z
VREF
V
TT
V
REF
产量
阻抗
V
TT
输出电压
0.822
0.874
0.923
0.828
0.878
0.928
-25
-25
-25
0.856
0.908
0.957
0.856
0.908
0.957
0
0
0
320
100
115
2
0.887
0.939
0.988
0.890
0.940
0.990
25
25
25
500
V
mV
I
Q
Z
VDDQ
I
SD
I
Q_SD
V
IH
V
IL
I
SENSE
T
SD
T
SD
_HYS
A
k
150
5
A
A
V
V
nA
摄氏
摄氏
3
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电气特性
规范与标准字体为T
J
= 25℃，在极限
黑体字
适用于整个
工作温度范围
(T
J
= 0°C至+ 125°C ） （注4 ） 。除非另外指明，
AVIN = 2.5V ， PVIN = 1.8V ， VDDQ = 1.8V 。 （续）
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。工作范围是指在该设备条件
拟功能，但并不保证特定性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当设备没有下所列出的操作
测试条件。
注2 ：
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。
注3 ：
在升高的温度下，设备必须基于热电阻降额。在SO- 8封装的器件必须在被降级
θ
JA
= 151.2 ° C / W
结点到环境没有散热片。
注4 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注5 ：
定义为电流流进AVIN静态电流。
注6 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J（下最大）
，结到环境的热阻，
θ
JA
和
环境温度，T
A
。超过最大允许功耗会导致芯片温度过高，稳压器将进入热
关机。
注7 ：
V
TT
负载调节是通过使用一个10毫秒的脉冲电流和电压电流测量测试
TT
.
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绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
PVIN ， AVIN ， VDDQ到GND
无引脚应超过AVIN
储存温度。范围
结温
焊接温度（焊接， 10秒）
-0.3V至+ 6V
-65 ° C至+ 150°C
150C
260C
SO- 8热阻（ θ
JA
)
PSOP - 8热阻（ θ
JA
)
最低ESD额定值（注2 ）
151C/W
43C/W
1kV
工作范围
结温。范围（注3）
AVIN至GND
0 ° C至+ 125°C
2.2V至5.5V
规范与标准字体为T
J
= 25℃，在极限
粗体
TYPE
适用于整个
工作温度范围
(T
J
= 0°C至+ 125°C ） （注4 ） 。除非另外指明，
AVIN = 2.5V ， PVIN = 1.8V ， VDDQ = 1.8V 。
符号
V
REF
参数
V
REF
电压
条件
PVIN = VDDQ = 1.7V
PVIN = VDDQ = 1.8V
PVIN = VDDQ = 1.9V
I
REF
= -30至30微安
I
OUT
= 0A
PVIN = VDDQ = 1.7V
PVIN = VDDQ = 1.8V
PVIN = VDDQ = 1.9V
I
OUT
=
±
0.5A （注7 ）
PVIN = VDDQ = 1.7V
PVIN = VDDQ = 1.8V
PVIN = VDDQ = 1.9V
VOS
TT
/V
TT
V
TT
输出电压
偏移量（ V
REF
-V
TT
)
静态电流
（注5 ）
VDDQ输入阻抗
静态电流
关机（注5 ）
关闭泄漏
当前
最小关断
高层
最小关断
低层
V
SENSE
输入电流
热关断
热关断
迟滞
（注6 ）
13
165
10
SD = 0V
SD = 0V
1.9
0.8
I
OUT
= 0A
I
OUT
= -0.5A
I
OUT
= +0.5A
I
OUT
= 0A （注5）
民
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0.887
0.936
典型值
0.860
0.910
0.959
2.5
最大
0.887
0.937
0.986
单位
V
k
电气特性
Z
VREF
V
TT
V
REF
产量
阻抗
V
TT
输出电压
0.822
0.874
0.923
0.828
0.878
0.928
-25
-25
-25
0.856
0.908
0.957
0.856
0.908
0.957
0
0
0
320
100
115
2
0.887
0.939
0.988
0.890
0.940
0.990
25
25
25
500
V
mV
I
Q
Z
VDDQ
I
SD
I
Q_SD
V
IH
V
IL
I
SENSE
T
SD
T
SD
_HYS
A
k
150
5
A
A
V
V
nA
摄氏
摄氏
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电气特性
规范与标准字体为T
J
= 25℃，在极限
黑体字
适用于整个
工作温度范围
(T
J
= 0°C至+ 125°C ） （注4 ） 。除非另外指明，
AVIN = 2.5V ， PVIN = 1.8V ， VDDQ = 1.8V 。 （续）
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。工作范围是指在该设备条件
拟功能，但并不保证特定性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当设备没有下所列出的操作
测试条件。
注2 ：
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。
注3 ：
在升高的温度下，设备必须基于热电阻降额。在SO- 8封装的器件必须在被降级
θ
JA
= 151.2 ° C / W
结点到环境没有散热片。
注4 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注5 ：
定义为电流流进AVIN静态电流。
注6 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J（下最大）
，结到环境的热阻，
θ
JA
和
环境温度，T
A
。超过最大允许功耗会导致芯片温度过高，稳压器将进入热
关机。
注7 ：
V
TT
负载调节是通过使用一个10毫秒的脉冲电流和电压电流测量测试
TT
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