LP2996
DDR
ターミ
ネーシ ンレギュ
ョ
レータ
2003
年
11
月
固定的布局。 CN
连接一个脚注后重新发布到网上。 SN
添加新的脚注后重新发布到网上。 SN
重新发布到网上的包信息。得到了交换。 SN
发布到网上。 SN
删除下PVIN ， SD ， VDDQ行后组成
動½定格
。 SN
组成。 SN
做文字edits.SN
与在ELEC规格组成变化。 DIV 。 SN
与LP2994号31复制直通37. SN曲线加入组成
从LP2994号31复制直通37. SN曲线加入
用形象的负载组成。 SN
要人
DDR
タ ミ
ー ネーシ ン
ョ レギュ
レータ
2996
LP
邓拉普的机会
20020801
24060
DS200575
LP2996
LP2996
DDR
ター ネーシ ンレギュ
ミ
ョ
レータ
概要
LP2996
は， JEDEC标准の
SSTL-2
仕様に適合する
DDR-
SDRAM
タ ミ
ー ネーシ ンのリニア
ョ
レギュ タです。
LP2996
は
レー
負荷変動に対して優れた応答を発揮する高速オペアンプを内蔵
しています。
出力段は
1.5A
の連続電流を供給で さ
き、 らに
DDR-
SDRAM
タ ミ
ー ネーシ ンに求められる最大
3A
の変動ピーク も
ョ
に
対応していますが、貫通電流は発生しません。
V
SENSE
端子を
介した電圧監視によ
り優れた出力負荷レギュ
レーシ ンを実現す
ョ
る と に、チ プセ ト
DDR DIMM
に必要な
V
REF
電圧も生
とも
ッ ッや
成して出力します。
このほか
LP2996
は，挂起到RAM
（ STR ）
機½をサポー
トす
る テ ブ
低
のシ ッ ダウ
（SD）的
端子を备えています.SD
アク ィ
ャト ン
を
低
にする
と、V
TT
出力は
三州
のハイ ン
イ ピーダン
テ ブを保ち
ます。本モー
ドでは待機
ス な ますが、V
REF
はアク ィ
と り
時消費電流が小さ なるため、電力節減を図れます。
く
特長
■
■
■
■
■
■
■
■
電流½ースおよ
び電流シンク
½出力電圧オフセ ト
ッ
外付け抵抗不要
リ
ニア ポロジー
ト
挂起到内存（ STR ）
機½
少ない外付け部品
サーマルシ ッ ダウ
ャト ン
SO-8、PSOP-8、LLP-16
パ ケージで供給
ッ
アプリケーシ ン
ョ
■
DDR -IとDDR- II
ター ネーシ ン電圧に対応
ミ
ョ
■
SSTL - 2とSSTL- 3
ター ネーシ ン
ミ
ョ
■
HSTL
ター ネーシ ン
ミ
ョ
代表的なアプリケーシ ン回路
ョ
20021202
美国国家半导体公司
DS200575-04-JP
1
LP2996
ピン配½図
顶视图
LLP- 16布局
PSOP - 8布局
SO- 8布局
端子説明
SO-8
ピンまたは
PSOP-8
ピン
1
2
3
4
5
6
7
8
-
律师事务所
ピン
2
4
5
7
8
10
11, 12
14, 15
1, 3, 6, 9, 13, 16
端子名
GND
SD
V
SENSE
V
REF
V
DDQ
AV
IN
PV
IN
V
TT
NC
グラ ン
ウ ド
シ ッ ダウ
ャト ン
レギュ ト
レー された
V
TT
の電圧フ ー
ィ ドバッ
ク入力端子
内部リ ァ
フ レンス電圧
V
DDQ
/2
のバッ ァ出力
フ
内部リ ァ
フ レンス電圧
V
DDQ
/2
を生成するための入力電圧
内部制御回路電源入力端子
パワーオペアンプ出力段専用電源入力端子
ター ネーシ ン抵抗に接続する ー ネーシ ン電圧出力
ミ
ョ
タ ミ
ョ
内部接続な
し
機½
½品情報
订单号
LP2996M
LP2996MX
LP2996MR
LP2996MRX
LP2996LQ
LP2996LQX
套餐类型
SO-8
SO-8
PSOP-8
PSOP-8
LLP-16
LLP-16
NSC封装图
M08A
M08A
MRA08A
MRA08A
LQA16A
LQA16A
供货方式
每个铁路95单位
2500单位带和卷轴
95单位磁带和卷轴
2500单位带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
4500单位磁带和卷轴
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2
LP2996
絶対最大定格
（注1 ）
本データ トには軍用航空宇宙用の規格は記載されていません。
シー
関連する電気的信頼性試験方法の規格を参照下さい。
リ ド温度
(
ハン
ー
ダ付け、10 秒間
)
ESD
耐圧
（注2 ）
260
℃
1kV
GND
基準の
PV
IN
= AV
IN
、V
DDQ
各電圧
保存温度範囲
接合部温度
SO-8
熱抵抗
(
JA
)
θ
PSOP-8
熱抵抗
(
JA
)
θ
LLP-16
熱抵抗
(
JA
)
θ
0.3V
＋
6V
65
℃＋
150
℃
150
℃
151
℃
/W
43
℃
/W
51
℃
/W
動½定格
接合部温度範囲
（注3）
GND
基準の
AV
IN
電圧
PV
IN
電源電圧
SD
入力電圧
0
℃＋
125
℃
2.2V
5.5V
0
AV
IN
0
AV
IN
電気的特性
標準字½で記載された仕様は
T
J
＝
25
℃の場合であ 、太字で記載されたリ ッ
り
ミ ト値は「動½温度範囲」
(T
J
＝
0°
＋
125°
に適
C
C)
用されます
（注4 ）
特記のない限り
= AV
IN
＝
PV
IN
＝
2.5V、V
DDQ
＝
2.5V
です
（注5 ）
3
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LP2996
電気的特性
(
つづき
)
り
ミ ト値は「動½温度範囲」
(T
J
＝
0°
＋
125°
に適
C
C)
標準字½で記載された仕様
T
J
＝
25
℃の場合であ 、太字で記載されたリ ッ
用されます
（注4 ）
特記のない限り
= AV
IN
＝
PV
IN
＝
2.5V、V
DDQ
＝
2.5V
です
（注5 ）
注1 ：
「絶対最大定格」と
は、デバイ
スが破壊する可½性のある ミ ト値をいいます。
リッ
「動½定格」と
はデバイ
スが正し
く機½する条件を示しますが、特定の
性½限界を保証する
ものであ ません。 保証された仕様、お びそのテス
り
よ
ト条件については「電気的特性」を参照して ださい。 仕様の保証は、表記
く
のテス
ト条件にのみ適用されます。 記載のテス
ト条件以外でデバイ を動½させる
ス
と、性½特性が½下する とがあ ます。
こ
り
注2 ：
注3 ：
注4 ：
注5 ：
注6 ：
注7 ：
注8 ：
½用したテス
ト回路は人½モデルに基づき、100pF のコ
ンデンサから直列抵抗
1.5kΩを通して各端子に放電させます。
高温では、熱抵抗に基づいてデバイ をデ レーテ ン
ス ィ
ィグする必要があます.SO - 8パケージでは，トシクしで接合部から周囲への热抵抗θ
り
ッ
ヒー ン な
JA
＝
151.2
℃
/W
でデ レーテ ン して ださい。
ィ
ィ グ く
25
℃時のリ ッ
ミ ト値は
100％テス
されます。 全動½温度範囲おける ミ ト値は、統計的品質管理
（ SQC ）
方式によ
ト
リッ
って決められた補正データ
を加味し
て保証されています。これらのリ ッ
ミ ト値は、ナシ ナル セ コ ダク ー社の平均出荷品質レベル
（ AOQL ）
の計算に½用されます。
ョ
ミ ン タ
して定義されます。
V
IN
は、V
IN
＝
AV
IN
＝
PV
IN
と
して定義されています。
非動½時電流は
AV
IN
に流れ込む電流と
と、ダイ温
最大許容消費電力は、最大接合部温度
T
J（下MAX）的
、接合部周囲間熱抵抗 θ 、周囲温度
T
A
の関数です。 最大許容消費電力を超える
JA
度が極端に上昇して
レギュ タはサーマルシ ッ ダウ
レー
ャ ト ン状態に入り
ます。
レーシ ンは
10ms
の電流パルス
ョ
を用いて
V
TT
を測定しテス されています。
ト
V
TT
負荷レギュ
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4
LP2996-N
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SNOSA40J - 2002年11月 - 修订2013年3月
LP2996 -N DDR终端稳压器
检查样品：
LP2996-N
1
特点
源和吸收电流
低输出电压偏移
无需外部电阻器
线性拓扑
挂起到内存（ STR ）功能
低外部元件数量
热关断
采用SOIC - 8 ， SO将PowerPAD -8或
WQFN - 16封装
描述
该LP2996 -N的线性稳压器的设计满足
在JEDEC SSTL - 2规格终止
DDR- SDRAM 。该器件包含一个高速
运算放大器，以提供出色的响应
负载瞬变。输出级可以防止拍摄
通过同时提供1.5A连续电流和
瞬时峰值高达3A的应用程序作为
所需的DDR -SDRAM终止。该LP2996 -N
还采用了V
SENSE
引脚，以提供卓越的
负载调节和V
REF
作为一个参考输出
芯片组和DIMM 。
在LP2996 -N中找到一个附加特征是一个
低电平有效关断（ SD ）引脚，提供了暂停
到内存（STR ）的功能。当SD拉低
在V
TT
输出三态提供了高
阻抗输出，但是，V
REF
将保持有效。一
省电的优点都可以在此得到
通过低静态电流模式。
2
应用
DDR -I和DDR- II终止电压
SSTL -2， SSTL- 3终止
HSTL终止
典型应用电路
LP2996
SD
V
DDQ
= 2.5V
V
DD
= 2.5V
SD
V
DDQ
AV
IN
PV
IN
+
PF
GND
V
SENSE
V
TT
+
220PF
V
REF
+
0.01PF
V
REF
= 1.25V
V
TT
= 1.25V
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2002至13年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LP2996-N
SNOSA40J - 2002年11月 - 修订2013年3月
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接线图
GND
GND
SD
N / C
N / C
SD
VSENSE
VREF
VSENSE
N / C
VREF
VDDQ
4
5
6
3
2
1
16
15
1
2
3
4
8
7
6
5
VTT
PVIN
AVIN
VDDQ
GND
7
8
9
10
11
14
13
12
N / C
VTT
VTT
N / C
图2. SOIC- 8布局
GND
N / C
AVIN
PVIN
PVIN
SD
VSENSE
VREF
1
2
8
7
VTT
PVIN
AVIN
VDDQ
GND
3
4
6
5
图1. WQFN - 16布局（顶视图）
图3. SO PowerPAD的- 8布局
引脚说明
SOIC - 8引脚
或SO
PowerPAD-8
针
1
2
3
4
5
6
7
8
-
引脚WQFN
2
4
5
7
8
10
11, 12
14, 15
1, 3, 6, 9, 13, 16
EP
名字
GND
SD
VSENSE
VREF
VDDQ
AVIN
PVIN
VTT
NC
EP
地
关闭
反馈引脚用于调节V
TT
.
V的缓冲内部参考电压
DDQ
/2
输入内部基准等于V
DDQ
/2
模拟输入引脚
电源输入引脚
输出电压，用于连接到终端电阻
无内部连接
裸露焊盘热连接。连接到地面。
功能
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
(1) (2)
AVIN至GND
PVIN至GND
VDDQ
(3)
0.3V
为+ 6V
-0.3V至AVIN
0.3V
为+ 6V
65°C
至+ 150°C
150°C
151°C/W
43°C/W
51°C/W
260°C
1kV
储存温度。范围
结温
SOIC - 8热阻（ θ
JA
)
使用PowerPad SO -8热阻（ θ
JA
)
WQFN - 16热阻（ θ
JA
)
焊接温度（焊接， 10秒）
ESD额定值
(1)
(4)
(2)
(3)
(4)
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。工作范围是指在该条件
该装置旨在是功能性的，但并不能保证特定性能极限。为保证规范和测试条件
见电气特性。所确保的规范仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能
降低当装置未列出的测试条件下操作。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
VDDQ电压必须小于2× （ AVIN - 1）或6V，较小的一个。
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。
2
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工作范围
结温。范围
(1)
AVIN至GND
PVIN电源电压
SD输入电压
(1)
0 ° C至+ 125°C
2.2V至5.5V
0至AVIN
0至AVIN
在升高的温度下，设备必须基于热电阻降额。在SOIC -8封装的器件必须在被降级
θ
JA
= 151.2 ° C / W结到环境没有散热片。
电气特性
规范与标准字体为T
J
= 25℃，在极限
黑体字
适用于整个
操作
温度范围
(T
J
= 0 ° C至+ 125°C ）
(1)
。除非另外指明， AVIN = PVIN = 2.5V ， VDDQ = 2.5V
(2)
.
符号
V
REF
参数
V
REF
电压
条件
VIN = VDDQ = 2.3V
VIN = VDDQ = 2.5V
VIN = VDDQ = 2.7V
I
REF
= -30至+30
μA
I
OUT
= 0A
VIN = VDDQ = 2.3V
VIN = VDDQ = 2.5V
VIN = VDDQ = 2.7V
I
OUT
= ±1.5A
(3)
VIN = VDDQ = 2.3V
VIN = VDDQ = 2.5V
VIN = VDDQ = 2.7V
VOS
TT
/V
TT
V
TT
输出电压偏移
(V
REF
-V
TT
)
静态电流
(4)
VDDQ输入阻抗
静态电流
关闭
(4)
关断电流
最小关断高
水平
最大关机低
水平
V
TT
在泄漏电流
关闭
V
SENSE
输入电流
热关断
热关断迟滞
SEE
(5)
SD = 0V
V
TT
= 1.25V
1
13
165
10
SD = 0V
SD = 0V
1.9
0.8
10
I
OUT
= 0A
I
OUT
= -1.5A
(3)
I
OUT
= +1.5A
(3)
I
OUT
= 0A
(1)
1.125
1.225
1.325
1.125
1.225
1.325
-20
-25
-25
民
1.135
1.235
1.335
典型值
1.158
1.258
1.358
2.5
1.159
1.259
1.359
1.159
1.259
1.359
0
0
0
320
100
115
2
150
5
1.190
1.290
1.390
1.190
1.290
1.390
20
25
25
500
mV
A
k
A
A
V
V
A
nA
摄氏度
摄氏度
最大
1.185
1.285
1.385
单位
V
k
Z
VREF
V
TT
V
REF
输出阻抗
V
TT
输出电压
V
I
Q
Z
VDDQ
I
SD
I
Q_SD
V
IH
V
IL
I
V
I
SENSE
T
SD
T
SD
_HYS
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过相关性使用指定
统计质量控制（ SQC）方法。这些限制被用来计算德州仪器的平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
VIN被定义为VIN = AVIN = PVIN 。
V
TT
负载调节是通过使用一个10毫秒的脉冲电流和电压电流测量测试
TT
.
定义为电流流进AVIN静态电流。
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J（下最大）
，结到环境的热
性，
θ
JA
和环境温度，T
A
。超过最大允许功耗会导致过多的模
温度调节器将进入热关断。
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LP2996-N
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典型性能特性
智商VS AV
IN
在SD
400
350
300
I
Q
（ UA）
I
Q
（ UA）
250
200
150
100
50
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
1050
900
750
600
450
300
150
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
智商VS AV
IN
AV
IN
(V)
AV
IN
(V)
图4中。
V
IH
和V
IL
4
3.5
3
1.30
V
REF
(V)
V
SD
(V)
2.5
2
1.5
1
0.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
1.15
1.40
图5中。
V
REF
VS我
REF
1.35
1.25
1.20
1.10
-30
-20
-10
0
I
REF
（ UA）
10
20
30
AV
IN
(V)
图6 。
V
REF
VS V
DDQ
3
1.275
图7 。
V
TT
VS我
OUT
2.5
1.270
2
V
REF
(V)
V
TT
(V)
0
1
2
3
V
DDQ
(V)
4
5
6
1.265
1.5
1.260
1
1.255
0.5
1.250
0
1.245
-100 -75
-50
-25
0
25
50
75
100
I
OUT
（MA ）
网络连接gure 8 。
图9 。
4
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典型性能特性（续）
V
TT
VS V
DDQ
3
400
350
智商VS AV
IN
在SD温度
2.5
0
o
C
300
2
V
TT
(V)
1.5
I
Q
（ UA）
250
200
150
100
50
125
o
C
1
0.5
0
0
1
2
3
V
DDQ
(V)
4
5
6
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
AV
IN
(V)
网络连接gure 10 。
图11 。
最大的源电流与AV
IN
(V
DDQ
= 2.5V ， PV
IN
= 1.8V)
1.4
85 C
o
智商VS AV
IN
温度
1050
900
输出电流（A ）
750
I
Q
（ UA）
600
0C
450
300
150
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
o
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
25
o
C
AV
IN
(V)
AV
IN
(V)
图12 。
最大的源电流与AV
IN
(V
DDQ
= 2.5V ， PV
IN
= 2.5V)
1.8
1.7
2.8
输出电流（A ）
输出电流（A ）
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
2
3
3.5
3
图13 。
最大的源电流与AV
IN
(V
DDQ
= 2.5V ， PV
IN
= 3.3V)
2.6
2.4
2.2
4
4.5
5
5.5
AV
IN
(V)
AV
IN
(V)
图14 。
版权所有 2002至13年，德州仪器
图15 。
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