LP2995 DDR终端稳压器
2003年7月
LP2995
DDR终端稳压器
概述
该LP2995线性稳压器是专为满足JEDEC
SSTL - 2和SSTL - 3规格终止DDR-的
SDRAM 。该器件包含一个高速运算上午
plifier提供的负载瞬态响应极佳。该
输出级可以防止射穿，同时提供1.5A
连续电流和瞬态峰值高达3A的
根据需要为DDR -SDRAM终止应用程序。该
LP2995还采用了V
SENSE
引脚，以提供卓越的
负载调节和V
REF
作为一个参考输出
芯片组和DDR DIMM内存模块。
专利正在申请中
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
低输出电压偏移
工程与+ 5V ， + 3.3V和2.5V的Rails
源和吸收电流
低外部元件数量
无需外部电阻器
线性拓扑
可在SO - 8 ， PSOP - 8或LLP- 16封装
低成本和易于使用
应用
n
DDR终止电压
n
SSTL-2
n
SSTL-3
典型应用电路
20039302
2003美国国家半导体公司
DS200393
www.national.com
LP2995
绝对最大额定值
（注1 ）
焊接温度（焊接， 10秒）
ESD额定值（注7 ）
260C
1kV
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
PVIN ， AVIN ， VDDQ到GND
储存温度。范围
结温
SO- 8热阻（ θ
JA
)
LLP- 16热阻（ θ
JA
)
-0.3V至+ 6V
-65 ° C至+ 150°C
150C
151C/W
51C/W
工作范围
结温。范围（注5）
AVIN至GND
PVIN至GND
0 ° C至+ 125°C
2.2V至5.5V
2.2V至AVIN
规范与标准字体为T
J
= 25℃，在极限
粗体
TYPE
适用于整个
工作温度范围
(T
J
= 0°C至+ 125°C ） 。除非另外指明，
AVIN = PVIN = 2.5V ， VDDQ = 2.5V （注6 ） 。
符号
V
REF
VOS
VTT
V
TT
/V
TT
Z
VREF
Z
VDDQ
I
q
参数
V
REF
电压
V
TT
输出电压偏移
负载调整率
（注3）
V
REF
输出阻抗
VDDQ输入阻抗
静态电流
I
OUT
= 0A
（注4 ）
条件
I
REF_OUT
= 0毫安
I
OUT
= 0A
（注2 ）
I
OUT
= 0 1.5A
I
OUT
= 0 -1.5A
I
REF
= -5μA至+ 5μA
民
1.21
15
20
典型值
1.235
0
0.5
0.5
5
100
250
400
k
k
A
最大
1.26
15
20
单位
V
mV
%
电气特性
注1 ：
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。工作范围是指在该设备条件
拟功能，但并不保证特定性能极限。关于规范保证和测试环境，请参阅电气特性。该
保证规格仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能会降低，当设备没有下所列出的操作
测试条件。
注2 ：
V
TT
是电压测量定义为V偏移
TT
从V减去
REF
.
注3 ：
负载调整率是通过使用10ms的电流脉冲，并测量V测试
TT
.
注4 ：
定义为电流流进AVIN静态电流。
注5 ：
在升高的温度下，设备必须基于热电阻降额。在SO- 8封装的器件必须在被降级
θ
JA
= 151 C / W
结点到环境没有散热片。在LLP- 16的设备必须在被降级
θ
JA
= 51 C / W结到环境。
注6 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注7 ：
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。
3
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LP2995
www.ti.com
SNVS190M - 2002年2月 - 修订2013年3月
LP2995 DDR终端稳压器
检查样品：
LP2995
1
特点
低输出电压偏移
工程与+ 5V ， + 3.3V和2.5V的Rails
源和吸收电流
低外部元件数量
无需外部电阻器
线性拓扑
采用SOIC - 8 ， SO将PowerPAD -8或
WQFN - 16封装
低成本和易于使用
描述
该LP2995线性稳压器的设计，以满足
JEDEC SSTL - 2和SSTL - 3规格
终止DDR- SDRAM内存。该器件包含一个
高速运算放大器，以提供优良
负载瞬态响应。输出级
防止射穿，同时提供1.5A
连续电流和瞬态峰值高达3A的
根据需要为DDR - SDRAM中的应用
终止。该LP2995还采用了V
SENSE
引脚来提供卓越的负载调节和V
REF
作为芯片组和DDR的基准输出
的DIMM 。
白色空间
白色空间
白色空间
白色空间
2
应用
DDR终止电压
SSTL-2
SSTL-3
典型应用电路
V
REF
= 1.25V
LP2995
V
DDQ
= 2.5V
V
DD
= 2.5V
V
DDQ
AV
IN
PV
IN
+
50PF
GND
V
REF
V
SENSE
V
TT
+
220PF
V
TT
= 1.25V
+
0.1PF
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 2002至13年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LP2995
SNVS190M - 2002年2月 - 修订2013年3月
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接线图
V
TT
V
TT
N / C
NC
GND
V
SENSE
V
REF
1
2
3
4
8
V
TT
7 PVIN
6 AVIN
5
V
DDQ
N / C
GND
N / C
N / C
16 15 14 13
1
12
2
3
4
5
6
7
11
GND
10
9
8
AVIN
N / C
PVIN
PVIN
N / C
V
DDQ
V
SENSE
图1. SOIC - 8 （ D0008A ）封装
顶视图
NC 1
GND 2
V
SENSE
3
V
REF
4
8 V
TT
GND
7 PVIN
6 AVIN
5 V
DDQ
图2. NHP- 16包
顶视图
图3. SO PowerPAD的- 8 （ DDA0008A ）套餐
顶视图
引脚说明
SOIC - 8引脚SO或
使用PowerPad - 8引脚
1
2
3
4
5
6
7
8
引脚WQFN
1,3,4,6,9, 13,16
2
5
7
8
10
11, 12
14, 15
EP
名字
NC
GND
VSENSE
VREF
VDDQ
AVIN
PVIN
VTT
EP
功能
无内部连接。可用于通孔。
地面上。
反馈引脚调节VTT 。
VDDQ / 2的缓冲内部参考电压。
输入内部参考等于VDDQ / 2 。
模拟输入引脚。
电源输入引脚。
输出电压，用于连接终端电阻。
裸露焊盘热连接。连接到地面。
2
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LP2995
版权所有 2002至13年，德州仪器
V
REF
N / C
LP2995
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SNVS190M - 2002年2月 - 修订2013年3月
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
绝对最大额定值
AVIN至GND
PVIN至GND
VDDQ
(3)
(1) (2)
0.3V
为+ 6V
-0.3V至AVIN
0.3V
为+ 6V
65°C
至+ 150°C
150°C
43°C/W
151°C/W
51°C/W
260°C
1kV
储存温度。范围
结温
使用PowerPad SO -8热阻（ θ
JA
)
SOIC - 8热阻（ θ
JA
)
WQFN - 16热阻（ θ
JA
)
焊接温度（焊接， 10秒）
ESD额定值
(1)
(4)
(2)
(3)
(4)
绝对最大额定值指示超出这可能会损坏设备的限制。工作范围是指在该条件
该装置旨在是功能性的，但并不能保证特定性能极限。为保证规范和测试条件
见电气特性。所确保的规范仅适用于列出的测试条件。一些性能特性可能
降低当装置未列出的测试条件下操作。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
VDDQ电压必须小于2× （ AVIN - 1）或6V，较小的一个。
人体模型是一个100pF电容通过1.5kΩ电阻向每个引脚放电。
工作范围
结温。范围
AVIN至GND
PVIN至GND
(1)
(1)
0 ° C至+ 125°C
2.2V至5.5V
2.2V至AVIN
在升高的温度下，设备必须基于热电阻降额。在SOIC -8封装的器件必须在被降级
θ
JA
= 151 ° C / W结到环境没有散热片。在WQFN -16的设备必须在被降级
θ
JA
= 51 ° C / W结到
环境。
电气特性
规范与标准字体为T
J
= 25℃，在极限
黑体字
适用于整个
操作
温度范围
(T
J
= 0 ° C至+ 125°C ） 。除非另外指明， AVIN = PVIN = 2.5V ， VDDQ = 2.5V
(1)
.
符号
V
REF
VOS
VTT
ΔV
TT
/V
TT
Z
VREF
Z
VDDQ
I
q
参数
V
REF
电压
V
TT
输出电压偏移
负载调整率
(3)
条件
I
REF_OUT
= 0毫安
I
OUT
= 0A
(2)
民
1.21
15
20
典型值
1.235
0
0.5
0.5
5
100
250
最大
1.26
15
20
单位
V
mV
%
k
k
I
OUT
= 0 1.5A
I
OUT
= 0到
1.5A
I
REF
=
5A
到+ 5μA
I
OUT
= 0A
(4)
V
REF
输出阻抗
VDDQ输入阻抗
静态电流
400
A
(1)
(2)
(3)
(4)
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，通过相关性使用指定
统计质量控制（ SQC）方法。这些限制被用来计算TI的平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
V
TT
是电压测量定义为V偏移
TT
从V减去
REF
.
负载调整率是通过使用10ms的电流脉冲，并测量V测试
TT
.
定义为电流流进AVIN静态电流。
版权所有 2002至13年，德州仪器
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LP2995
3
LP2995
SNVS190M - 2002年2月 - 修订2013年3月
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典型性能特性
Iq
vs
V
IN
(25°C)
800
700
255
600
智商（PA ）
智商（PA ）
500
400
300
240
200
100
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
235
0
25
50
75
100
125
250
260
Iq
vs
温度（V
IN
= 2.5V)
245
V
IN
（伏）
温度（
o
C)
图4中。
Iq
vs
V
IN
（0， 25 ，85，和125℃ ）
1050
900
125
o
C
750
智商（PA ）
600
0
o
C
450
300
150
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
V
REF
(V)
1.25
1.245
1.24
1.235
1.23
1.225
1.22
1.215
1.21
-5
图5中。
V
REF
vs
I
REF
1.26
1.255
-4
-3
-2
-1
0
1
2
3
4
5
V
IN
（伏）
I
REF
（ PA ）
图6 。
V
REF
vs
温度（空载）
1.2346
1.25
图7 。
V
TT
vs
I
OUT
（0， 25 ，85，和125℃ ）
1.245
1.2344
1.24
V
REF
(V)
1.2342
V
TT
(V)
1.235
0
o
C
125
o
C
1.234
1.23
1.2338
1.225
1.2336
0
25
50
75
100
125
1.22
-100 -75
-50
-25
0
25
50
75
100
温度（
o
C)
I
OUT
（MA ）
网络连接gure 8 。
图9 。
4
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LP2995
版权所有 2002至13年，德州仪器
LP2995
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SNVS190M - 2002年2月 - 修订2013年3月
典型性能特性（续）
V
TT
vs
I
OUT
1.25
3
输出电流（A ）
-50
-25
0
25
50
75
100
2.5
2
1.5
1
0.5
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
I
OUT
（MA ）
最大输出电流（采购）
vs
V
IN
（ VDDQ = 2.5）
3.5
1.245
1.24
V
TT
(V)
1.235
1.23
1.225
1.22
-100 -75
V
IN
(V)
网络连接gure 10 。
最大输出电流（沉没）
vs
V
IN
（ VDDQ = 2.5）
3.5
3
输出CRRENT （ A）
2.5
2
1.5
1
0.5
0
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
图11 。
V
IN
(V)
图12 。
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5
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