LP2985LV微150毫安低噪声低压降稳压器采用SOT -23及micro SMD
包装与输出电压的应用
≤
2.3V
2004年6月
LP2985LV
微150毫安低噪声低压降稳压器
采用SOT -23及micro SMD封装，为应用程序
与输出电压
≤
2.3V
设计用于非常低ESR输出电容器
概述
该LP2985LV是150毫安，固定输出电压调节
旨在providehigh在AP-性能和低噪音
要求输出电压并发症
＆ LT ;
2.3V.
使用优化的VIP
（垂直集成PNP ）亲
塞斯的LP2985LV提供所有无与伦比的性能
关键规格电池供电的设计：
接地引脚电流：
通常825 μA
@
150毫安负荷，
75 A
@
1毫安负载。
增强的稳定性：
该LP2985LV是稳定的输出
电容器的ESR低至5毫欧，其允许使用
陶瓷电容器上输出。
睡眠模式：
小于1 μA的静态电流时， ON /
OFF引脚被拉低。
最小可能的尺寸：
micro SMD封装使用绝对
最小的电路板空间。
精密输出：
可用1％容差的输出电压
（ A级） 。
低噪音：
通过加入一个10 nF旁路电容，输出
噪声可降低到30 μV （典型值） 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
保证可输出150 mA电流
尽可能小的尺寸（微SMD ）
需要最少的外部元件
稳定低ESR输出电容器
＆ LT ;
1 μA的静态电流时关闭
低接地引脚电流在任何负载
输出电压精度1 ％ （ A级）
高的峰值电流能力
宽电源电压范围（ 16V最大值）
低Z
OUT
： 0.3Ω典型（ 10 Hz至1 MHz时）
过温/过电流保护
-40°C至+ 125°C的结温范围
可自定义的电压
应用
n
n
n
n
手机
掌上电脑/笔记本电脑
个人数字助理（PDA ）
摄录一体机，随身听，照相机
框图
10129501
要人
是美国国家半导体公司的商标。
2005美国国家半导体公司
DS101295
www.national.com
LP2985LV
基本应用电路
10129502
* ON / OFF输入端必须主动终止。绑到V
IN
如果该函数不被使用。
**最小电容被示为确保稳定性（不限制可以增加） 。所需的输出陶瓷电容（见应用提示） 。
***降低输出噪声（如果应用不是噪声临界可被省略） 。使用具有极低的泄漏电流陶瓷或薄膜型（见应用提示） 。
连接图
5引脚小外形封装（ M5 ）
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 & BLA05 ）
10129503
顶视图
见NS包装数MF05A
有关订购信息，请参阅
表1
10129523
注意：
包装的实际物理位置标记会有所不同
一部分一部分。包装标识中包含日期代码和批次追踪
信息，并且将有很大的不同。包装标识不相关
设备类型。
顶视图
见NS包装数BPA05 & BLA05
销Descrption
名字
SOT-23
V
IN
GND
开/关
绕行
V
OUT
1
2
3
4
5
引脚数
微型SMD
C3
A1
A3
B2
C1
输入电压
共同基础（设备基板）
逻辑高电平使能输入
旁路电容的低噪音运行
稳压输出电压
功能
www.national.com
2
LP2985LV
订购信息
表1.包装标志和订购信息
输出电压（V）
GRADE
订购信息
包
记号
LF7A
LF7A
LF7B
LF7B
LCHA
LCHA
LCHB
LCHB
LAYA
LAYA
LAYB
LAYB
LCDA
LCDA
LCDB
LCDB
提供如下：
5引脚小外形封装（ M5 ）
1.35
1.35
1.35
1.35
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
2.0
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
LP2985AIM5X-135
LP2985AIM5-135
LP2985IM5X-135
LP2985IM5-135
LP2985AIM5X-1.5
LP2985AIM5-1.5
LP2985IM5X-1.5
LP2985IM5-1.5
LP2985AIM5X-1.8
LP2985AIM5-1.8
LP2985IM5X-1.8
LP2985IM5-1.8
LP2985AIM5X-2.0
LP2985AIM5-2.0
LP2985IM5X-2.0
LP2985IM5-2.0
LP2985AIBP-1.5
LP2985AIBPX-1.5
LP2985IBP-1.5
LP2985IBPX-1.5
LP2985AIBP-1.8
LP2985AIBPX-1.8
LP2985IBP-1.8
LP2985IBPX-1.8
LP2985AIBL-1.8
LP2985AIBLX-1.8
LP2985IBL-1.8
LP2985IBLX-1.8
LP2985AITP-1.5
LP2985AITPX-1.5
LP2985ITP-1.5
LP2985ITPX-1.5
LP2985AITP-1.8
LP2985AITPX-1.8
LP2985ITP-1.8
LP2985ITPX-1.8
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 - 170微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ BLA05 - 300微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ TPA05 - 170微米球）
3
www.national.com
LP2985LV
电气特性
（注10 ）
（续）
在标准字体限为T
J
= 25℃。而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内。非
少另有规定： V
IN
= V
O
（ NOM ） + 1V ，我
L
= 1毫安，C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 4.7 μF ，V
开/关
= 2V.
LP2985AI-X.X
符号
参数
纹波抑制
条件
F = 1千赫，C
绕行
- 10 nF的
C
OUT
= 10 F
45
dB
典型值
（注6 ）
民
最大
LP2985I-X.X
（注6 ）
民
最大
单位
I
O
（ SC ）
I
O
（ PK）
短路电流
峰值输出电流
R
L
= 0 （稳态）
（注8）
V
OUT
≥
V
o
（ NOM ） -5 ％
400
350
mA
mA
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏部件的限制。工作时的电气特性不适用
其额定工作条件之外的设备。
注2 ：
引脚3和4的SOT- 23封装，引脚或5和2的micro SMD封装的ESD额定值，为1千伏。
注3 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热阻，
θ
J- á
,
和环境温度，T
A
。在任何环境温辐射的最大允许功耗的计算公式：
凡价值
θ
J- á
为SOT- 23封装是在一个典型的印刷电路板安装220℃ / W 。超过最大允许功耗会导致过多的模
温度和稳压器将进入热关断。
注4 ：
如果在一其中所述调节器的负载被返回到负电源的双电源系统所使用的， LP2985LV输出必须是二极管钳位到地。
注5 ：
的输出PNP结构包含在V之间的二极管
IN
到V
OUT
终端，它通常是反向偏置。倒车从V极性
IN
到V
OUT
将
打开此二极管，并可能损坏设备（见应用提示） 。
注6 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注7 ：
的ON / OFF输入必须正确地驱动，以防止可能发生的误操作。有关详细信息，请参阅应用提示。
注8 ：
该LP2985LV具有折返电流限制，其允许高的峰值电流在V
OUT
＆ GT ;
0.5V ，然后降低的最大输出电流为V
OUT
被强制地（见典型性能特性曲线） 。
注9 ：
V
IN
必须是2.2V或V中的较大
OUT （ NOM ）
+输入输出电压差来维持输出稳压。电压差定义为输入输出电压差
当输出电压降至2 ％下方有一个1V的差分测量疗法的价值。
注10 ：
微型SMD器件暴露在阳光直射会造成误操作。见应用提示的更多信息。
5
www.national.com
LP2985LV微150毫安低噪声低压降稳压器采用SOT -23及micro SMD
包装与输出电压的应用
≤
2.3V
2004年5月
LP2985LV
微150毫安低噪声低压降稳压器
采用SOT -23及micro SMD封装，为应用程序
与输出电压
≤
2.3V
设计用于非常低ESR输出电容器
概述
该LP2985LV是150毫安，固定输出电压调节
旨在providehigh在AP-性能和低噪音
要求输出电压并发症
＆ LT ;
2.3V.
使用优化的VIP
（垂直集成PNP ）亲
塞斯的LP2985LV提供所有无与伦比的性能
关键规格电池供电的设计：
接地引脚电流：
通常825 μA
@
150毫安负荷，
75 A
@
1毫安负载。
增强的稳定性：
该LP2985LV是稳定的输出
电容器的ESR低至5毫欧，其允许使用
陶瓷电容器上输出。
睡眠模式：
小于1 μA的静态电流时， ON /
OFF引脚被拉低。
最小可能的尺寸：
micro SMD封装使用绝对
最小的电路板空间。
精密输出：
可用1％容差的输出电压
（ A级） 。
低噪音：
通过加入一个10 nF旁路电容，输出
噪声可降低到30 μV （典型值） 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
保证可输出150 mA电流
尽可能小的尺寸（微SMD ）
需要最少的外部元件
稳定低ESR输出电容器
＆ LT ;
1 μA的静态电流时关闭
低接地引脚电流在任何负载
输出电压精度1 ％ （ A级）
高的峰值电流能力
宽电源电压范围（ 16V最大值）
低Z
OUT
： 0.3Ω典型（ 10 Hz至1 MHz时）
过温/过电流保护
-40°C至+ 125°C的结温范围
可自定义的电压
应用
n
n
n
n
手机
掌上电脑/笔记本电脑
个人数字助理（PDA ）
摄录一体机，随身听，照相机
框图
10129501
要人
是美国国家半导体公司的商标。
2004美国国家半导体公司
DS101295
www.national.com
LP2985LV
基本应用电路
10129502
* ON / OFF输入端必须主动终止。绑到V
IN
如果该函数不被使用。
**最小电容被示为确保稳定性（不限制可以增加） 。所需的输出陶瓷电容（见应用提示） 。
***降低输出噪声（如果应用不是噪声临界可被省略） 。使用具有极低的泄漏电流陶瓷或薄膜型（见应用提示） 。
连接图
5引脚小外形封装（ M5 ）
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 & BLA05 ）
10129503
顶视图
见NS包装数MF05A
有关订购信息，请参阅
表1
10129523
注意：
包装的实际物理位置标记会有所不同
一部分一部分。包装标识中包含日期代码和批次追踪
信息，并且将有很大的不同。包装标识不相关
设备类型。
顶视图
见NS包装数BPA05 & BLA05
销Descrption
名字
SOT-23
V
IN
GND
开/关
绕行
V
OUT
1
2
3
4
5
引脚数
微型SMD
C3
A1
A3
B2
C1
输入电压
共同基础（设备基板）
逻辑高电平使能输入
旁路电容的低噪音运行
稳压输出电压
功能
www.national.com
2
LP2985LV
订购信息
表1.包装标志和订购信息
输出电压（V）
GRADE
订购信息
包
记号
LF7A
LF7A
LF7B
LF7B
LCHA
LCHA
LCHB
LCHB
LAYA
LAYA
LAYB
LAYB
LCDA
LCDA
LCDB
LCDB
提供如下：
5引脚小外形封装（ M5 ）
1.35
1.35
1.35
1.35
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
2.0
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
LP2985AIM5X-135
LP2985AIM5-135
LP2985IM5X-135
LP2985IM5-135
LP2985AIM5X-1.5
LP2985AIM5-1.5
LP2985IM5X-1.5
LP2985IM5-1.5
LP2985AIM5X-1.8
LP2985AIM5-1.8
LP2985IM5X-1.8
LP2985IM5-1.8
LP2985AIM5X-2.0
LP2985AIM5-2.0
LP2985IM5X-2.0
LP2985IM5-2.0
LP2985AIBP-1.5
LP2985AIBPX-1.5
LP2985IBP-1.5
LP2985IBPX-1.5
LP2985AIBP-1.8
LP2985AIBPX-1.8
LP2985IBP-1.8
LP2985IBPX-1.8
LP2985AIBL-1.8
LP2985AIBLX-1.8
LP2985IBL-1.8
LP2985IBLX-1.8
LP2985AITP-1.8
LP2985AITPX-1.8
LP2985ITP-1.8
LP2985ITPX-1.8
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 - 170微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ BLA05 - 300微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ TPA05 - 170微米球）
3
www.national.com
LP2985LV
电气特性
（注10 ）
（续）
在标准字体限为T
J
= 25℃。而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内。非
少另有规定： V
IN
= V
O
（ NOM ） + 1V ，我
L
= 1毫安，C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 4.7 μF ，V
开/关
= 2V.
LP2985AI-X.X
符号
参数
纹波抑制
条件
F = 1千赫，C
绕行
- 10 nF的
C
OUT
= 10 F
45
dB
典型值
（注6 ）
民
最大
LP2985I-X.X
（注6 ）
民
最大
单位
I
O
（ SC ）
I
O
（ PK）
短路电流
峰值输出电流
R
L
= 0 （稳态）
（注8）
V
OUT
≥
V
o
（ NOM ） -5 ％
400
350
mA
mA
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏部件的限制。工作时的电气特性不适用
其额定工作条件之外的设备。
注2 ：
引脚3和4的SOT- 23封装，引脚或5和2的micro SMD封装的ESD额定值，为1千伏。
注3 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热阻，
θ
J- á
,
和环境温度，T
A
。在任何环境温辐射的最大允许功耗的计算公式：
凡价值
θ
J- á
为SOT- 23封装是在一个典型的印刷电路板安装220℃ / W 。超过最大允许功耗会导致过多的模
温度和稳压器将进入热关断。
注4 ：
如果在一其中所述调节器的负载被返回到负电源的双电源系统所使用的， LP2985LV输出必须是二极管钳位到地。
注5 ：
的输出PNP结构包含在V之间的二极管
IN
到V
OUT
终端，它通常是反向偏置。倒车从V极性
IN
到V
OUT
将
打开此二极管，并可能损坏设备（见应用提示） 。
注6 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注7 ：
的ON / OFF输入必须正确地驱动，以防止可能发生的误操作。有关详细信息，请参阅应用提示。
注8 ：
该LP2985LV具有折返电流限制，其允许高的峰值电流在V
OUT
＆ GT ;
0.5V ，然后降低的最大输出电流为V
OUT
被强制地（见典型性能特性曲线） 。
注9 ：
V
IN
必须是2.2V或V中的较大
OUT （ NOM ）
+输入输出电压差来维持输出稳压。电压差定义为输入输出电压差
当输出电压降至2 ％下方有一个1V的差分测量疗法的价值。
注10 ：
微型SMD器件暴露在阳光直射会造成误操作。见应用提示的更多信息。
5
www.national.com
LP2985LV微150毫安低噪声低压降稳压器采用SOT -23及micro SMD
包装与输出电压的应用
≤
2.3V
2004年5月
LP2985LV
微150毫安低噪声低压降稳压器
采用SOT -23及micro SMD封装，为应用程序
与输出电压
≤
2.3V
设计用于非常低ESR输出电容器
概述
该LP2985LV是150毫安，固定输出电压调节
旨在providehigh在AP-性能和低噪音
要求输出电压并发症
＆ LT ;
2.3V.
使用优化的VIP
（垂直集成PNP ）亲
塞斯的LP2985LV提供所有无与伦比的性能
关键规格电池供电的设计：
接地引脚电流：
通常825 μA
@
150毫安负荷，
75 A
@
1毫安负载。
增强的稳定性：
该LP2985LV是稳定的输出
电容器的ESR低至5毫欧，其允许使用
陶瓷电容器上输出。
睡眠模式：
小于1 μA的静态电流时， ON /
OFF引脚被拉低。
最小可能的尺寸：
micro SMD封装使用绝对
最小的电路板空间。
精密输出：
可用1％容差的输出电压
（ A级） 。
低噪音：
通过加入一个10 nF旁路电容，输出
噪声可降低到30 μV （典型值） 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
保证可输出150 mA电流
尽可能小的尺寸（微SMD ）
需要最少的外部元件
稳定低ESR输出电容器
＆ LT ;
1 μA的静态电流时关闭
低接地引脚电流在任何负载
输出电压精度1 ％ （ A级）
高的峰值电流能力
宽电源电压范围（ 16V最大值）
低Z
OUT
： 0.3Ω典型（ 10 Hz至1 MHz时）
过温/过电流保护
-40°C至+ 125°C的结温范围
可自定义的电压
应用
n
n
n
n
手机
掌上电脑/笔记本电脑
个人数字助理（PDA ）
摄录一体机，随身听，照相机
框图
10129501
要人
是美国国家半导体公司的商标。
2004美国国家半导体公司
DS101295
www.national.com
LP2985LV
基本应用电路
10129502
* ON / OFF输入端必须主动终止。绑到V
IN
如果该函数不被使用。
**最小电容被示为确保稳定性（不限制可以增加） 。所需的输出陶瓷电容（见应用提示） 。
***降低输出噪声（如果应用不是噪声临界可被省略） 。使用具有极低的泄漏电流陶瓷或薄膜型（见应用提示） 。
连接图
5引脚小外形封装（ M5 ）
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 & BLA05 ）
10129503
顶视图
见NS包装数MF05A
有关订购信息，请参阅
表1
10129523
注意：
包装的实际物理位置标记会有所不同
一部分一部分。包装标识中包含日期代码和批次追踪
信息，并且将有很大的不同。包装标识不相关
设备类型。
顶视图
见NS包装数BPA05 & BLA05
销Descrption
名字
SOT-23
V
IN
GND
开/关
绕行
V
OUT
1
2
3
4
5
引脚数
微型SMD
C3
A1
A3
B2
C1
输入电压
共同基础（设备基板）
逻辑高电平使能输入
旁路电容的低噪音运行
稳压输出电压
功能
www.national.com
2
LP2985LV
订购信息
表1.包装标志和订购信息
输出电压（V）
GRADE
订购信息
包
记号
LF7A
LF7A
LF7B
LF7B
LCHA
LCHA
LCHB
LCHB
LAYA
LAYA
LAYB
LAYB
LCDA
LCDA
LCDB
LCDB
提供如下：
5引脚小外形封装（ M5 ）
1.35
1.35
1.35
1.35
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
2.0
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
LP2985AIM5X-135
LP2985AIM5-135
LP2985IM5X-135
LP2985IM5-135
LP2985AIM5X-1.5
LP2985AIM5-1.5
LP2985IM5X-1.5
LP2985IM5-1.5
LP2985AIM5X-1.8
LP2985AIM5-1.8
LP2985IM5X-1.8
LP2985IM5-1.8
LP2985AIM5X-2.0
LP2985AIM5-2.0
LP2985IM5X-2.0
LP2985IM5-2.0
LP2985AIBP-1.5
LP2985AIBPX-1.5
LP2985IBP-1.5
LP2985IBPX-1.5
LP2985AIBP-1.8
LP2985AIBPX-1.8
LP2985IBP-1.8
LP2985IBPX-1.8
LP2985AIBL-1.8
LP2985AIBLX-1.8
LP2985IBL-1.8
LP2985IBLX-1.8
LP2985AITP-1.8
LP2985AITPX-1.8
LP2985ITP-1.8
LP2985ITPX-1.8
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 - 170微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ BLA05 - 300微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ TPA05 - 170微米球）
3
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LP2985LV
电气特性
（注10 ）
（续）
在标准字体限为T
J
= 25℃。而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内。非
少另有规定： V
IN
= V
O
（ NOM ） + 1V ，我
L
= 1毫安，C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 4.7 μF ，V
开/关
= 2V.
LP2985AI-X.X
符号
参数
纹波抑制
条件
F = 1千赫，C
绕行
- 10 nF的
C
OUT
= 10 F
45
dB
典型值
（注6 ）
民
最大
LP2985I-X.X
（注6 ）
民
最大
单位
I
O
（ SC ）
I
O
（ PK）
短路电流
峰值输出电流
R
L
= 0 （稳态）
（注8）
V
OUT
≥
V
o
（ NOM ） -5 ％
400
350
mA
mA
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏部件的限制。工作时的电气特性不适用
其额定工作条件之外的设备。
注2 ：
引脚3和4的SOT- 23封装，引脚或5和2的micro SMD封装的ESD额定值，为1千伏。
注3 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热阻，
θ
J- á
,
和环境温度，T
A
。在任何环境温辐射的最大允许功耗的计算公式：
凡价值
θ
J- á
为SOT- 23封装是在一个典型的印刷电路板安装220℃ / W 。超过最大允许功耗会导致过多的模
温度和稳压器将进入热关断。
注4 ：
如果在一其中所述调节器的负载被返回到负电源的双电源系统所使用的， LP2985LV输出必须是二极管钳位到地。
注5 ：
的输出PNP结构包含在V之间的二极管
IN
到V
OUT
终端，它通常是反向偏置。倒车从V极性
IN
到V
OUT
将
打开此二极管，并可能损坏设备（见应用提示） 。
注6 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注7 ：
的ON / OFF输入必须正确地驱动，以防止可能发生的误操作。有关详细信息，请参阅应用提示。
注8 ：
该LP2985LV具有折返电流限制，其允许高的峰值电流在V
OUT
＆ GT ;
0.5V ，然后降低的最大输出电流为V
OUT
被强制地（见典型性能特性曲线） 。
注9 ：
V
IN
必须是2.2V或V中的较大
OUT （ NOM ）
+输入输出电压差来维持输出稳压。电压差定义为输入输出电压差
当输出电压降至2 ％下方有一个1V的差分测量疗法的价值。
注10 ：
微型SMD器件暴露在阳光直射会造成误操作。见应用提示的更多信息。
5
www.national.com
LP2985LV微150毫安低噪声低压降稳压器采用SOT -23及micro SMD
包装与输出电压的应用
≤
2.3V
2004年6月
LP2985LV
微150毫安低噪声低压降稳压器
采用SOT -23及micro SMD封装，为应用程序
与输出电压
≤
2.3V
设计用于非常低ESR输出电容器
概述
该LP2985LV是150毫安，固定输出电压调节
旨在providehigh在AP-性能和低噪音
要求输出电压并发症
＆ LT ;
2.3V.
使用优化的VIP
（垂直集成PNP ）亲
塞斯的LP2985LV提供所有无与伦比的性能
关键规格电池供电的设计：
接地引脚电流：
通常825 μA
@
150毫安负荷，
75 A
@
1毫安负载。
增强的稳定性：
该LP2985LV是稳定的输出
电容器的ESR低至5毫欧，其允许使用
陶瓷电容器上输出。
睡眠模式：
小于1 μA的静态电流时， ON /
OFF引脚被拉低。
最小可能的尺寸：
micro SMD封装使用绝对
最小的电路板空间。
精密输出：
可用1％容差的输出电压
（ A级） 。
低噪音：
通过加入一个10 nF旁路电容，输出
噪声可降低到30 μV （典型值） 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
保证可输出150 mA电流
尽可能小的尺寸（微SMD ）
需要最少的外部元件
稳定低ESR输出电容器
＆ LT ;
1 μA的静态电流时关闭
低接地引脚电流在任何负载
输出电压精度1 ％ （ A级）
高的峰值电流能力
宽电源电压范围（ 16V最大值）
低Z
OUT
： 0.3Ω典型（ 10 Hz至1 MHz时）
过温/过电流保护
-40°C至+ 125°C的结温范围
可自定义的电压
应用
n
n
n
n
手机
掌上电脑/笔记本电脑
个人数字助理（PDA ）
摄录一体机，随身听，照相机
框图
10129501
要人
是美国国家半导体公司的商标。
2005美国国家半导体公司
DS101295
www.national.com
LP2985LV
基本应用电路
10129502
* ON / OFF输入端必须主动终止。绑到V
IN
如果该函数不被使用。
**最小电容被示为确保稳定性（不限制可以增加） 。所需的输出陶瓷电容（见应用提示） 。
***降低输出噪声（如果应用不是噪声临界可被省略） 。使用具有极低的泄漏电流陶瓷或薄膜型（见应用提示） 。
连接图
5引脚小外形封装（ M5 ）
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 & BLA05 ）
10129503
顶视图
见NS包装数MF05A
有关订购信息，请参阅
表1
10129523
注意：
包装的实际物理位置标记会有所不同
一部分一部分。包装标识中包含日期代码和批次追踪
信息，并且将有很大的不同。包装标识不相关
设备类型。
顶视图
见NS包装数BPA05 & BLA05
销Descrption
名字
SOT-23
V
IN
GND
开/关
绕行
V
OUT
1
2
3
4
5
引脚数
微型SMD
C3
A1
A3
B2
C1
输入电压
共同基础（设备基板）
逻辑高电平使能输入
旁路电容的低噪音运行
稳压输出电压
功能
www.national.com
2
LP2985LV
订购信息
表1.包装标志和订购信息
输出电压（V）
GRADE
订购信息
包
记号
LF7A
LF7A
LF7B
LF7B
LCHA
LCHA
LCHB
LCHB
LAYA
LAYA
LAYB
LAYB
LCDA
LCDA
LCDB
LCDB
提供如下：
5引脚小外形封装（ M5 ）
1.35
1.35
1.35
1.35
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
2.0
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
LP2985AIM5X-135
LP2985AIM5-135
LP2985IM5X-135
LP2985IM5-135
LP2985AIM5X-1.5
LP2985AIM5-1.5
LP2985IM5X-1.5
LP2985IM5-1.5
LP2985AIM5X-1.8
LP2985AIM5-1.8
LP2985IM5X-1.8
LP2985IM5-1.8
LP2985AIM5X-2.0
LP2985AIM5-2.0
LP2985IM5X-2.0
LP2985IM5-2.0
LP2985AIBP-1.5
LP2985AIBPX-1.5
LP2985IBP-1.5
LP2985IBPX-1.5
LP2985AIBP-1.8
LP2985AIBPX-1.8
LP2985IBP-1.8
LP2985IBPX-1.8
LP2985AIBL-1.8
LP2985AIBLX-1.8
LP2985IBL-1.8
LP2985IBLX-1.8
LP2985AITP-1.5
LP2985AITPX-1.5
LP2985ITP-1.5
LP2985ITPX-1.5
LP2985AITP-1.8
LP2985AITPX-1.8
LP2985ITP-1.8
LP2985ITPX-1.8
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 - 170微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ BLA05 - 300微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ TPA05 - 170微米球）
3
www.national.com
LP2985LV
电气特性
（注10 ）
（续）
在标准字体限为T
J
= 25℃。而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内。非
少另有规定： V
IN
= V
O
（ NOM ） + 1V ，我
L
= 1毫安，C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 4.7 μF ，V
开/关
= 2V.
LP2985AI-X.X
符号
参数
纹波抑制
条件
F = 1千赫，C
绕行
- 10 nF的
C
OUT
= 10 F
45
dB
典型值
（注6 ）
民
最大
LP2985I-X.X
（注6 ）
民
最大
单位
I
O
（ SC ）
I
O
（ PK）
短路电流
峰值输出电流
R
L
= 0 （稳态）
（注8）
V
OUT
≥
V
o
（ NOM ） -5 ％
400
350
mA
mA
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏部件的限制。工作时的电气特性不适用
其额定工作条件之外的设备。
注2 ：
引脚3和4的SOT- 23封装，引脚或5和2的micro SMD封装的ESD额定值，为1千伏。
注3 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热阻，
θ
J- á
,
和环境温度，T
A
。在任何环境温辐射的最大允许功耗的计算公式：
凡价值
θ
J- á
为SOT- 23封装是在一个典型的印刷电路板安装220℃ / W 。超过最大允许功耗会导致过多的模
温度和稳压器将进入热关断。
注4 ：
如果在一其中所述调节器的负载被返回到负电源的双电源系统所使用的， LP2985LV输出必须是二极管钳位到地。
注5 ：
的输出PNP结构包含在V之间的二极管
IN
到V
OUT
终端，它通常是反向偏置。倒车从V极性
IN
到V
OUT
将
打开此二极管，并可能损坏设备（见应用提示） 。
注6 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注7 ：
的ON / OFF输入必须正确地驱动，以防止可能发生的误操作。有关详细信息，请参阅应用提示。
注8 ：
该LP2985LV具有折返电流限制，其允许高的峰值电流在V
OUT
＆ GT ;
0.5V ，然后降低的最大输出电流为V
OUT
被强制地（见典型性能特性曲线） 。
注9 ：
V
IN
必须是2.2V或V中的较大
OUT （ NOM ）
+输入输出电压差来维持输出稳压。电压差定义为输入输出电压差
当输出电压降至2 ％下方有一个1V的差分测量疗法的价值。
注10 ：
微型SMD器件暴露在阳光直射会造成误操作。见应用提示的更多信息。
5
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