LP2985LV微150毫安低噪声低压降稳压器采用SOT -23及micro SMD
包装与输出电压的应用
≤
2.3V
2004年6月
LP2985LV
微150毫安低噪声低压降稳压器
采用SOT -23及micro SMD封装，为应用程序
与输出电压
≤
2.3V
设计用于非常低ESR输出电容器
概述
该LP2985LV是150毫安，固定输出电压调节
旨在providehigh在AP-性能和低噪音
要求输出电压并发症
＆ LT ;
2.3V.
使用优化的VIP
（垂直集成PNP ）亲
塞斯的LP2985LV提供所有无与伦比的性能
关键规格电池供电的设计：
接地引脚电流：
通常825 μA
@
150毫安负荷，
75 A
@
1毫安负载。
增强的稳定性：
该LP2985LV是稳定的输出
电容器的ESR低至5毫欧，其允许使用
陶瓷电容器上输出。
睡眠模式：
小于1 μA的静态电流时， ON /
OFF引脚被拉低。
最小可能的尺寸：
micro SMD封装使用绝对
最小的电路板空间。
精密输出：
可用1％容差的输出电压
（ A级） 。
低噪音：
通过加入一个10 nF旁路电容，输出
噪声可降低到30 μV （典型值） 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
保证可输出150 mA电流
尽可能小的尺寸（微SMD ）
需要最少的外部元件
稳定低ESR输出电容器
＆ LT ;
1 μA的静态电流时关闭
低接地引脚电流在任何负载
输出电压精度1 ％ （ A级）
高的峰值电流能力
宽电源电压范围（ 16V最大值）
低Z
OUT
： 0.3Ω典型（ 10 Hz至1 MHz时）
过温/过电流保护
-40°C至+ 125°C的结温范围
可自定义的电压
应用
n
n
n
n
手机
掌上电脑/笔记本电脑
个人数字助理（PDA ）
摄录一体机，随身听，照相机
框图
10129501
要人
是美国国家半导体公司的商标。
2005美国国家半导体公司
DS101295
www.national.com
LP2985LV
基本应用电路
10129502
* ON / OFF输入端必须主动终止。绑到V
IN
如果该函数不被使用。
**最小电容被示为确保稳定性（不限制可以增加） 。所需的输出陶瓷电容（见应用提示） 。
***降低输出噪声（如果应用不是噪声临界可被省略） 。使用具有极低的泄漏电流陶瓷或薄膜型（见应用提示） 。
连接图
5引脚小外形封装（ M5 ）
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 & BLA05 ）
10129503
顶视图
见NS包装数MF05A
有关订购信息，请参阅
表1
10129523
注意：
包装的实际物理位置标记会有所不同
一部分一部分。包装标识中包含日期代码和批次追踪
信息，并且将有很大的不同。包装标识不相关
设备类型。
顶视图
见NS包装数BPA05 & BLA05
销Descrption
名字
SOT-23
V
IN
GND
开/关
绕行
V
OUT
1
2
3
4
5
引脚数
微型SMD
C3
A1
A3
B2
C1
输入电压
共同基础（设备基板）
逻辑高电平使能输入
旁路电容的低噪音运行
稳压输出电压
功能
www.national.com
2
LP2985LV
订购信息
表1.包装标志和订购信息
输出电压（V）
GRADE
订购信息
包
记号
LF7A
LF7A
LF7B
LF7B
LCHA
LCHA
LCHB
LCHB
LAYA
LAYA
LAYB
LAYB
LCDA
LCDA
LCDB
LCDB
提供如下：
5引脚小外形封装（ M5 ）
1.35
1.35
1.35
1.35
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
2.0
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
LP2985AIM5X-135
LP2985AIM5-135
LP2985IM5X-135
LP2985IM5-135
LP2985AIM5X-1.5
LP2985AIM5-1.5
LP2985IM5X-1.5
LP2985IM5-1.5
LP2985AIM5X-1.8
LP2985AIM5-1.8
LP2985IM5X-1.8
LP2985IM5-1.8
LP2985AIM5X-2.0
LP2985AIM5-2.0
LP2985IM5X-2.0
LP2985IM5-2.0
LP2985AIBP-1.5
LP2985AIBPX-1.5
LP2985IBP-1.5
LP2985IBPX-1.5
LP2985AIBP-1.8
LP2985AIBPX-1.8
LP2985IBP-1.8
LP2985IBPX-1.8
LP2985AIBL-1.8
LP2985AIBLX-1.8
LP2985IBL-1.8
LP2985IBLX-1.8
LP2985AITP-1.5
LP2985AITPX-1.5
LP2985ITP-1.5
LP2985ITPX-1.5
LP2985AITP-1.8
LP2985AITPX-1.8
LP2985ITP-1.8
LP2985ITPX-1.8
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 - 170微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ BLA05 - 300微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ TPA05 - 170微米球）
3
www.national.com
LP2985LV
电气特性
（注10 ）
（续）
在标准字体限为T
J
= 25℃。而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内。非
少另有规定： V
IN
= V
O
（ NOM ） + 1V ，我
L
= 1毫安，C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 4.7 μF ，V
开/关
= 2V.
LP2985AI-X.X
符号
参数
纹波抑制
条件
F = 1千赫，C
绕行
- 10 nF的
C
OUT
= 10 F
45
dB
典型值
（注6 ）
民
最大
LP2985I-X.X
（注6 ）
民
最大
单位
I
O
（ SC ）
I
O
（ PK）
短路电流
峰值输出电流
R
L
= 0 （稳态）
（注8）
V
OUT
≥
V
o
（ NOM ） -5 ％
400
350
mA
mA
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏部件的限制。工作时的电气特性不适用
其额定工作条件之外的设备。
注2 ：
引脚3和4的SOT- 23封装，引脚或5和2的micro SMD封装的ESD额定值，为1千伏。
注3 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热阻，
θ
J- á
,
和环境温度，T
A
。在任何环境温辐射的最大允许功耗的计算公式：
凡价值
θ
J- á
为SOT- 23封装是在一个典型的印刷电路板安装220℃ / W 。超过最大允许功耗会导致过多的模
温度和稳压器将进入热关断。
注4 ：
如果在一其中所述调节器的负载被返回到负电源的双电源系统所使用的， LP2985LV输出必须是二极管钳位到地。
注5 ：
的输出PNP结构包含在V之间的二极管
IN
到V
OUT
终端，它通常是反向偏置。倒车从V极性
IN
到V
OUT
将
打开此二极管，并可能损坏设备（见应用提示） 。
注6 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注7 ：
的ON / OFF输入必须正确地驱动，以防止可能发生的误操作。有关详细信息，请参阅应用提示。
注8 ：
该LP2985LV具有折返电流限制，其允许高的峰值电流在V
OUT
＆ GT ;
0.5V ，然后降低的最大输出电流为V
OUT
被强制地（见典型性能特性曲线） 。
注9 ：
V
IN
必须是2.2V或V中的较大
OUT （ NOM ）
+输入输出电压差来维持输出稳压。电压差定义为输入输出电压差
当输出电压降至2 ％下方有一个1V的差分测量疗法的价值。
注10 ：
微型SMD器件暴露在阳光直射会造成误操作。见应用提示的更多信息。
5
www.national.com
LP2985LV微150毫安低噪声低压降稳压器采用SOT -23及micro SMD
包装与输出电压的应用
≤
2.3V
2004年5月
LP2985LV
微150毫安低噪声低压降稳压器
采用SOT -23及micro SMD封装，为应用程序
与输出电压
≤
2.3V
设计用于非常低ESR输出电容器
概述
该LP2985LV是150毫安，固定输出电压调节
旨在providehigh在AP-性能和低噪音
要求输出电压并发症
＆ LT ;
2.3V.
使用优化的VIP
（垂直集成PNP ）亲
塞斯的LP2985LV提供所有无与伦比的性能
关键规格电池供电的设计：
接地引脚电流：
通常825 μA
@
150毫安负荷，
75 A
@
1毫安负载。
增强的稳定性：
该LP2985LV是稳定的输出
电容器的ESR低至5毫欧，其允许使用
陶瓷电容器上输出。
睡眠模式：
小于1 μA的静态电流时， ON /
OFF引脚被拉低。
最小可能的尺寸：
micro SMD封装使用绝对
最小的电路板空间。
精密输出：
可用1％容差的输出电压
（ A级） 。
低噪音：
通过加入一个10 nF旁路电容，输出
噪声可降低到30 μV （典型值） 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
保证可输出150 mA电流
尽可能小的尺寸（微SMD ）
需要最少的外部元件
稳定低ESR输出电容器
＆ LT ;
1 μA的静态电流时关闭
低接地引脚电流在任何负载
输出电压精度1 ％ （ A级）
高的峰值电流能力
宽电源电压范围（ 16V最大值）
低Z
OUT
： 0.3Ω典型（ 10 Hz至1 MHz时）
过温/过电流保护
-40°C至+ 125°C的结温范围
可自定义的电压
应用
n
n
n
n
手机
掌上电脑/笔记本电脑
个人数字助理（PDA ）
摄录一体机，随身听，照相机
框图
10129501
要人
是美国国家半导体公司的商标。
2004美国国家半导体公司
DS101295
www.national.com
LP2985LV
基本应用电路
10129502
* ON / OFF输入端必须主动终止。绑到V
IN
如果该函数不被使用。
**最小电容被示为确保稳定性（不限制可以增加） 。所需的输出陶瓷电容（见应用提示） 。
***降低输出噪声（如果应用不是噪声临界可被省略） 。使用具有极低的泄漏电流陶瓷或薄膜型（见应用提示） 。
连接图
5引脚小外形封装（ M5 ）
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 & BLA05 ）
10129503
顶视图
见NS包装数MF05A
有关订购信息，请参阅
表1
10129523
注意：
包装的实际物理位置标记会有所不同
一部分一部分。包装标识中包含日期代码和批次追踪
信息，并且将有很大的不同。包装标识不相关
设备类型。
顶视图
见NS包装数BPA05 & BLA05
销Descrption
名字
SOT-23
V
IN
GND
开/关
绕行
V
OUT
1
2
3
4
5
引脚数
微型SMD
C3
A1
A3
B2
C1
输入电压
共同基础（设备基板）
逻辑高电平使能输入
旁路电容的低噪音运行
稳压输出电压
功能
www.national.com
2
LP2985LV
订购信息
表1.包装标志和订购信息
输出电压（V）
GRADE
订购信息
包
记号
LF7A
LF7A
LF7B
LF7B
LCHA
LCHA
LCHB
LCHB
LAYA
LAYA
LAYB
LAYB
LCDA
LCDA
LCDB
LCDB
提供如下：
5引脚小外形封装（ M5 ）
1.35
1.35
1.35
1.35
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
2.0
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
LP2985AIM5X-135
LP2985AIM5-135
LP2985IM5X-135
LP2985IM5-135
LP2985AIM5X-1.5
LP2985AIM5-1.5
LP2985IM5X-1.5
LP2985IM5-1.5
LP2985AIM5X-1.8
LP2985AIM5-1.8
LP2985IM5X-1.8
LP2985IM5-1.8
LP2985AIM5X-2.0
LP2985AIM5-2.0
LP2985IM5X-2.0
LP2985IM5-2.0
LP2985AIBP-1.5
LP2985AIBPX-1.5
LP2985IBP-1.5
LP2985IBPX-1.5
LP2985AIBP-1.8
LP2985AIBPX-1.8
LP2985IBP-1.8
LP2985IBPX-1.8
LP2985AIBL-1.8
LP2985AIBLX-1.8
LP2985IBL-1.8
LP2985IBLX-1.8
LP2985AITP-1.8
LP2985AITPX-1.8
LP2985ITP-1.8
LP2985ITPX-1.8
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 - 170微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ BLA05 - 300微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ TPA05 - 170微米球）
3
www.national.com
LP2985LV
电气特性
（注10 ）
（续）
在标准字体限为T
J
= 25℃。而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内。非
少另有规定： V
IN
= V
O
（ NOM ） + 1V ，我
L
= 1毫安，C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 4.7 μF ，V
开/关
= 2V.
LP2985AI-X.X
符号
参数
纹波抑制
条件
F = 1千赫，C
绕行
- 10 nF的
C
OUT
= 10 F
45
dB
典型值
（注6 ）
民
最大
LP2985I-X.X
（注6 ）
民
最大
单位
I
O
（ SC ）
I
O
（ PK）
短路电流
峰值输出电流
R
L
= 0 （稳态）
（注8）
V
OUT
≥
V
o
（ NOM ） -5 ％
400
350
mA
mA
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏部件的限制。工作时的电气特性不适用
其额定工作条件之外的设备。
注2 ：
引脚3和4的SOT- 23封装，引脚或5和2的micro SMD封装的ESD额定值，为1千伏。
注3 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热阻，
θ
J- á
,
和环境温度，T
A
。在任何环境温辐射的最大允许功耗的计算公式：
凡价值
θ
J- á
为SOT- 23封装是在一个典型的印刷电路板安装220℃ / W 。超过最大允许功耗会导致过多的模
温度和稳压器将进入热关断。
注4 ：
如果在一其中所述调节器的负载被返回到负电源的双电源系统所使用的， LP2985LV输出必须是二极管钳位到地。
注5 ：
的输出PNP结构包含在V之间的二极管
IN
到V
OUT
终端，它通常是反向偏置。倒车从V极性
IN
到V
OUT
将
打开此二极管，并可能损坏设备（见应用提示） 。
注6 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注7 ：
的ON / OFF输入必须正确地驱动，以防止可能发生的误操作。有关详细信息，请参阅应用提示。
注8 ：
该LP2985LV具有折返电流限制，其允许高的峰值电流在V
OUT
＆ GT ;
0.5V ，然后降低的最大输出电流为V
OUT
被强制地（见典型性能特性曲线） 。
注9 ：
V
IN
必须是2.2V或V中的较大
OUT （ NOM ）
+输入输出电压差来维持输出稳压。电压差定义为输入输出电压差
当输出电压降至2 ％下方有一个1V的差分测量疗法的价值。
注10 ：
微型SMD器件暴露在阳光直射会造成误操作。见应用提示的更多信息。
5
www.national.com
LP2985LV微150毫安低噪声低压降稳压器采用SOT -23及micro SMD
包装与输出电压的应用
≤
2.3V
2004年5月
LP2985LV
微150毫安低噪声低压降稳压器
采用SOT -23及micro SMD封装，为应用程序
与输出电压
≤
2.3V
设计用于非常低ESR输出电容器
概述
该LP2985LV是150毫安，固定输出电压调节
旨在providehigh在AP-性能和低噪音
要求输出电压并发症
＆ LT ;
2.3V.
使用优化的VIP
（垂直集成PNP ）亲
塞斯的LP2985LV提供所有无与伦比的性能
关键规格电池供电的设计：
接地引脚电流：
通常825 μA
@
150毫安负荷，
75 A
@
1毫安负载。
增强的稳定性：
该LP2985LV是稳定的输出
电容器的ESR低至5毫欧，其允许使用
陶瓷电容器上输出。
睡眠模式：
小于1 μA的静态电流时， ON /
OFF引脚被拉低。
最小可能的尺寸：
micro SMD封装使用绝对
最小的电路板空间。
精密输出：
可用1％容差的输出电压
（ A级） 。
低噪音：
通过加入一个10 nF旁路电容，输出
噪声可降低到30 μV （典型值） 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
保证可输出150 mA电流
尽可能小的尺寸（微SMD ）
需要最少的外部元件
稳定低ESR输出电容器
＆ LT ;
1 μA的静态电流时关闭
低接地引脚电流在任何负载
输出电压精度1 ％ （ A级）
高的峰值电流能力
宽电源电压范围（ 16V最大值）
低Z
OUT
： 0.3Ω典型（ 10 Hz至1 MHz时）
过温/过电流保护
-40°C至+ 125°C的结温范围
可自定义的电压
应用
n
n
n
n
手机
掌上电脑/笔记本电脑
个人数字助理（PDA ）
摄录一体机，随身听，照相机
框图
10129501
要人
是美国国家半导体公司的商标。
2004美国国家半导体公司
DS101295
www.national.com
LP2985LV
基本应用电路
10129502
* ON / OFF输入端必须主动终止。绑到V
IN
如果该函数不被使用。
**最小电容被示为确保稳定性（不限制可以增加） 。所需的输出陶瓷电容（见应用提示） 。
***降低输出噪声（如果应用不是噪声临界可被省略） 。使用具有极低的泄漏电流陶瓷或薄膜型（见应用提示） 。
连接图
5引脚小外形封装（ M5 ）
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 & BLA05 ）
10129503
顶视图
见NS包装数MF05A
有关订购信息，请参阅
表1
10129523
注意：
包装的实际物理位置标记会有所不同
一部分一部分。包装标识中包含日期代码和批次追踪
信息，并且将有很大的不同。包装标识不相关
设备类型。
顶视图
见NS包装数BPA05 & BLA05
销Descrption
名字
SOT-23
V
IN
GND
开/关
绕行
V
OUT
1
2
3
4
5
引脚数
微型SMD
C3
A1
A3
B2
C1
输入电压
共同基础（设备基板）
逻辑高电平使能输入
旁路电容的低噪音运行
稳压输出电压
功能
www.national.com
2
LP2985LV
订购信息
表1.包装标志和订购信息
输出电压（V）
GRADE
订购信息
包
记号
LF7A
LF7A
LF7B
LF7B
LCHA
LCHA
LCHB
LCHB
LAYA
LAYA
LAYB
LAYB
LCDA
LCDA
LCDB
LCDB
提供如下：
5引脚小外形封装（ M5 ）
1.35
1.35
1.35
1.35
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
2.0
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
LP2985AIM5X-135
LP2985AIM5-135
LP2985IM5X-135
LP2985IM5-135
LP2985AIM5X-1.5
LP2985AIM5-1.5
LP2985IM5X-1.5
LP2985IM5-1.5
LP2985AIM5X-1.8
LP2985AIM5-1.8
LP2985IM5X-1.8
LP2985IM5-1.8
LP2985AIM5X-2.0
LP2985AIM5-2.0
LP2985IM5X-2.0
LP2985IM5-2.0
LP2985AIBP-1.5
LP2985AIBPX-1.5
LP2985IBP-1.5
LP2985IBPX-1.5
LP2985AIBP-1.8
LP2985AIBPX-1.8
LP2985IBP-1.8
LP2985IBPX-1.8
LP2985AIBL-1.8
LP2985AIBLX-1.8
LP2985IBL-1.8
LP2985IBLX-1.8
LP2985AITP-1.8
LP2985AITPX-1.8
LP2985ITP-1.8
LP2985ITPX-1.8
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 - 170微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ BLA05 - 300微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ TPA05 - 170微米球）
3
www.national.com
LP2985LV
电气特性
（注10 ）
（续）
在标准字体限为T
J
= 25℃。而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内。非
少另有规定： V
IN
= V
O
（ NOM ） + 1V ，我
L
= 1毫安，C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 4.7 μF ，V
开/关
= 2V.
LP2985AI-X.X
符号
参数
纹波抑制
条件
F = 1千赫，C
绕行
- 10 nF的
C
OUT
= 10 F
45
dB
典型值
（注6 ）
民
最大
LP2985I-X.X
（注6 ）
民
最大
单位
I
O
（ SC ）
I
O
（ PK）
短路电流
峰值输出电流
R
L
= 0 （稳态）
（注8）
V
OUT
≥
V
o
（ NOM ） -5 ％
400
350
mA
mA
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏部件的限制。工作时的电气特性不适用
其额定工作条件之外的设备。
注2 ：
引脚3和4的SOT- 23封装，引脚或5和2的micro SMD封装的ESD额定值，为1千伏。
注3 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热阻，
θ
J- á
,
和环境温度，T
A
。在任何环境温辐射的最大允许功耗的计算公式：
凡价值
θ
J- á
为SOT- 23封装是在一个典型的印刷电路板安装220℃ / W 。超过最大允许功耗会导致过多的模
温度和稳压器将进入热关断。
注4 ：
如果在一其中所述调节器的负载被返回到负电源的双电源系统所使用的， LP2985LV输出必须是二极管钳位到地。
注5 ：
的输出PNP结构包含在V之间的二极管
IN
到V
OUT
终端，它通常是反向偏置。倒车从V极性
IN
到V
OUT
将
打开此二极管，并可能损坏设备（见应用提示） 。
注6 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注7 ：
的ON / OFF输入必须正确地驱动，以防止可能发生的误操作。有关详细信息，请参阅应用提示。
注8 ：
该LP2985LV具有折返电流限制，其允许高的峰值电流在V
OUT
＆ GT ;
0.5V ，然后降低的最大输出电流为V
OUT
被强制地（见典型性能特性曲线） 。
注9 ：
V
IN
必须是2.2V或V中的较大
OUT （ NOM ）
+输入输出电压差来维持输出稳压。电压差定义为输入输出电压差
当输出电压降至2 ％下方有一个1V的差分测量疗法的价值。
注10 ：
微型SMD器件暴露在阳光直射会造成误操作。见应用提示的更多信息。
5
www.national.com
LP2985LV微150毫安低噪声低压降稳压器采用SOT -23及micro SMD
包装与输出电压的应用
≤
2.3V
2004年6月
LP2985LV
微150毫安低噪声低压降稳压器
采用SOT -23及micro SMD封装，为应用程序
与输出电压
≤
2.3V
设计用于非常低ESR输出电容器
概述
该LP2985LV是150毫安，固定输出电压调节
旨在providehigh在AP-性能和低噪音
要求输出电压并发症
＆ LT ;
2.3V.
使用优化的VIP
（垂直集成PNP ）亲
塞斯的LP2985LV提供所有无与伦比的性能
关键规格电池供电的设计：
接地引脚电流：
通常825 μA
@
150毫安负荷，
75 A
@
1毫安负载。
增强的稳定性：
该LP2985LV是稳定的输出
电容器的ESR低至5毫欧，其允许使用
陶瓷电容器上输出。
睡眠模式：
小于1 μA的静态电流时， ON /
OFF引脚被拉低。
最小可能的尺寸：
micro SMD封装使用绝对
最小的电路板空间。
精密输出：
可用1％容差的输出电压
（ A级） 。
低噪音：
通过加入一个10 nF旁路电容，输出
噪声可降低到30 μV （典型值） 。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
保证可输出150 mA电流
尽可能小的尺寸（微SMD ）
需要最少的外部元件
稳定低ESR输出电容器
＆ LT ;
1 μA的静态电流时关闭
低接地引脚电流在任何负载
输出电压精度1 ％ （ A级）
高的峰值电流能力
宽电源电压范围（ 16V最大值）
低Z
OUT
： 0.3Ω典型（ 10 Hz至1 MHz时）
过温/过电流保护
-40°C至+ 125°C的结温范围
可自定义的电压
应用
n
n
n
n
手机
掌上电脑/笔记本电脑
个人数字助理（PDA ）
摄录一体机，随身听，照相机
框图
10129501
要人
是美国国家半导体公司的商标。
2005美国国家半导体公司
DS101295
www.national.com
LP2985LV
基本应用电路
10129502
* ON / OFF输入端必须主动终止。绑到V
IN
如果该函数不被使用。
**最小电容被示为确保稳定性（不限制可以增加） 。所需的输出陶瓷电容（见应用提示） 。
***降低输出噪声（如果应用不是噪声临界可被省略） 。使用具有极低的泄漏电流陶瓷或薄膜型（见应用提示） 。
连接图
5引脚小外形封装（ M5 ）
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 & BLA05 ）
10129503
顶视图
见NS包装数MF05A
有关订购信息，请参阅
表1
10129523
注意：
包装的实际物理位置标记会有所不同
一部分一部分。包装标识中包含日期代码和批次追踪
信息，并且将有很大的不同。包装标识不相关
设备类型。
顶视图
见NS包装数BPA05 & BLA05
销Descrption
名字
SOT-23
V
IN
GND
开/关
绕行
V
OUT
1
2
3
4
5
引脚数
微型SMD
C3
A1
A3
B2
C1
输入电压
共同基础（设备基板）
逻辑高电平使能输入
旁路电容的低噪音运行
稳压输出电压
功能
www.national.com
2
LP2985LV
订购信息
表1.包装标志和订购信息
输出电压（V）
GRADE
订购信息
包
记号
LF7A
LF7A
LF7B
LF7B
LCHA
LCHA
LCHB
LCHB
LAYA
LAYA
LAYB
LAYB
LCDA
LCDA
LCDB
LCDB
提供如下：
5引脚小外形封装（ M5 ）
1.35
1.35
1.35
1.35
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
2.0
2.0
2.0
2.0
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.8
1.5
1.5
1.5
1.5
1.8
1.8
1.8
1.8
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
A
A
性病
性病
LP2985AIM5X-135
LP2985AIM5-135
LP2985IM5X-135
LP2985IM5-135
LP2985AIM5X-1.5
LP2985AIM5-1.5
LP2985IM5X-1.5
LP2985IM5-1.5
LP2985AIM5X-1.8
LP2985AIM5-1.8
LP2985IM5X-1.8
LP2985IM5-1.8
LP2985AIM5X-2.0
LP2985AIM5-2.0
LP2985IM5X-2.0
LP2985IM5-2.0
LP2985AIBP-1.5
LP2985AIBPX-1.5
LP2985IBP-1.5
LP2985IBPX-1.5
LP2985AIBP-1.8
LP2985AIBPX-1.8
LP2985IBP-1.8
LP2985IBPX-1.8
LP2985AIBL-1.8
LP2985AIBLX-1.8
LP2985IBL-1.8
LP2985IBLX-1.8
LP2985AITP-1.5
LP2985AITPX-1.5
LP2985ITP-1.5
LP2985ITPX-1.5
LP2985AITP-1.8
LP2985AITPX-1.8
LP2985ITP-1.8
LP2985ITPX-1.8
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
250个单位编带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
微型SMD ， 5凸点封装（ BPA05 - 170微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ BLA05 - 300微米球）
微型SMD ， 5凸点封装（ TPA05 - 170微米球）
3
www.national.com
LP2985LV
电气特性
（注10 ）
（续）
在标准字体限为T
J
= 25℃。而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内。非
少另有规定： V
IN
= V
O
（ NOM ） + 1V ，我
L
= 1毫安，C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 4.7 μF ，V
开/关
= 2V.
LP2985AI-X.X
符号
参数
纹波抑制
条件
F = 1千赫，C
绕行
- 10 nF的
C
OUT
= 10 F
45
dB
典型值
（注6 ）
民
最大
LP2985I-X.X
（注6 ）
民
最大
单位
I
O
（ SC ）
I
O
（ PK）
短路电流
峰值输出电流
R
L
= 0 （稳态）
（注8）
V
OUT
≥
V
o
（ NOM ） -5 ％
400
350
mA
mA
注1 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏部件的限制。工作时的电气特性不适用
其额定工作条件之外的设备。
注2 ：
引脚3和4的SOT- 23封装，引脚或5和2的micro SMD封装的ESD额定值，为1千伏。
注3 ：
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热阻，
θ
J- á
,
和环境温度，T
A
。在任何环境温辐射的最大允许功耗的计算公式：
凡价值
θ
J- á
为SOT- 23封装是在一个典型的印刷电路板安装220℃ / W 。超过最大允许功耗会导致过多的模
温度和稳压器将进入热关断。
注4 ：
如果在一其中所述调节器的负载被返回到负电源的双电源系统所使用的， LP2985LV输出必须是二极管钳位到地。
注5 ：
的输出PNP结构包含在V之间的二极管
IN
到V
OUT
终端，它通常是反向偏置。倒车从V极性
IN
到V
OUT
将
打开此二极管，并可能损坏设备（见应用提示） 。
注6 ：
极限是100 ％的产品在25℃的测试。限制在工作温度范围内，通过使用统计质量控制保证
（ SQC ）方法。这些限制是用来计算国内平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
注7 ：
的ON / OFF输入必须正确地驱动，以防止可能发生的误操作。有关详细信息，请参阅应用提示。
注8 ：
该LP2985LV具有折返电流限制，其允许高的峰值电流在V
OUT
＆ GT ;
0.5V ，然后降低的最大输出电流为V
OUT
被强制地（见典型性能特性曲线） 。
注9 ：
V
IN
必须是2.2V或V中的较大
OUT （ NOM ）
+输入输出电压差来维持输出稳压。电压差定义为输入输出电压差
当输出电压降至2 ％下方有一个1V的差分测量疗法的价值。
注10 ：
微型SMD器件暴露在阳光直射会造成误操作。见应用提示的更多信息。
5
www.national.com
LP2985LV-N
www.ti.com
SNOS510P - 1999年11月 - 修订2013年4月
LP2985LV -N微150毫安低噪声低压降稳压器采用SOT -23和
DSBGA包装与输出电压的应用
≤
2.0V
设计用于非常低ESR输出电容器
检查样品：
LP2985LV-N
1
特点
确保150毫安输出电流
尽可能小的尺寸（ DSBGA ）
需要最少的外部元件
稳定低ESR输出电容器
<1 μA的静态电流降低时关闭
低接地引脚电流在任何负载
输出电压精度1 ％ （ A级）
高的峰值电流能力
宽电源电压范围（ 16V最大值）
低Z
OUT
： 0.3Ω典型（ 10 Hz至1 MHz时）
过温/过电流保护
40°C
至+ 125 ° C的结温范围
可自定义的电压
描述
该LP2985LV - N是150毫安，固定输出电压
调节器设计为提供高的性能和
在要求输出电压应用中的低噪音
≤
2.0V.
采用优化的VIP（垂直集成PNP ）
过程中， LP2985LV -N提供了无与伦比的
在所有规格的关键，由电池性能
供电设计：
接地引脚电流：
通常825 μA @ 150毫安
负载和75 μA @ 1 mA的负载。
增强的稳定性：
该LP2985LV -N是稳定的
输出电容器的ESR低至5毫欧，其允许
在输出端使用陶瓷电容器。
睡眠模式：
小于1 μA的静态电流时，
ON / OFF引脚被拉低。
最小可能的尺寸：
DSBGA封装用途
绝对最小的电路板空间。
精密输出：
1 ％容差的输出电压
用（ A级） 。
低噪音：
通过加入一个10 nF旁路电容，
输出噪声可降低到30 μV （典型值） 。
2
应用
手机
掌上电脑/笔记本电脑
个人数字助理（PDA ）
摄录一体机，随身听，照相机
框图
图1 。
1
2
请注意，一个重要的通知有关可用性，标准保修，并且在关键的应用程序中使用
德州仪器公司的半导体产品和免责条款及其出现在此数据表的末尾。
所有商标均为其各自所有者的财产。
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
PRODUCTION数据信息为出版日期。
产品符合占德州条款规范
仪器标准保修。生产加工过程中不
不一定包括所有参数进行测试。
LP2985LV-N
SNOS510P - 1999年11月 - 修订2013年4月
www.ti.com
基本应用电路
* ON / OFF输入端必须主动终止。绑到V
IN
如果该函数不被使用。
**最小电容被示为确保稳定性（不限制可以增加） 。需要陶瓷电容器
输出（见
应用提示） 。
***降低输出噪声（如果应用不是噪声临界可被省略） 。使用陶瓷或薄膜型具有非常低的
漏电流（见
应用提示） 。
图2中。
接线图
注意：
包标记会有所不同，从部分零件的实际物理位置。套餐包含标记
日期代码和批次追溯信息，并有很大的不同。包装标识不关联到设备
型。
顶视图
顶视图
图3. 5引脚SOT- 23封装
见包装数DBV0005A
图4. 5凹凸DSBGA包装
见包装数YPB0005
引脚说明
名字
V
IN
GND
开/关
绕行
V
OUT
引脚数
SOT-23
1
2
3
4
5
DSBGA
C3
A1
A3
B2
C1
输入电压
共同基础（设备基板）
逻辑高电平使能输入
旁路电容的低噪音运行
稳压输出电压
功能
这些器件具有有限的内置ESD保护。引线应短接在一起或设备放置在导电泡棉
储存或搬运过程中，以防止对静电损坏MOS大门。
2
提交文档反馈
产品文件夹链接：
LP2985LV-N
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
LP2985LV-N
www.ti.com
SNOS510P - 1999年11月 - 修订2013年4月
绝对最大额定值
(1) (2)
存储温度范围
工作结温范围
铅温度。 （焊接， 5秒）
ESD额定值
(3)
功耗
(4)
65°C
至+ 150°C
40°C
至+ 125°C
260°C
2千伏
内部限制
0.3V
至+ 16V
2.2V至+ 16V
0.3V
至+ 16V
0.3V
至+ 9V
短路保护功能
0.3V
至+ 16V
输入电源电压（生存）
输入电源电压（工作）
关断输入电压（生存）
输出电压（生存
I
OUT
（生存）
输入 - 输出电压（生存
(6)
)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
)
最大极限值是指超出这可能会损坏部件的限制。电气规格不适用
工作在其额定工作条件外的设备时。
如果是用于军事/航空专用设备，请向德州仪器销售办事处/经销商咨询具体可用性和
特定连接的阳离子。
引脚3和4的SOT- 23封装，引脚或5和2的DSBGA封装的ESD额定值，为1千伏。
最大允许功耗是最高结温，T的函数
J
（ MAX ） ，结到环境的热
性，
θ
J- á
和环境温度，T
A
。在任何环境温辐射的最大允许功耗的计算
使用：
(5)
(6)
凡价值
θ
J- á
为SOT- 23封装是在一个典型的印刷电路板220 ° C / W安装。超过最大允许
散热将导致芯片温度过高，而监管机构将进入热关断。
如果在一其中所述调节器的负载被返回到负电源的双电源系统所使用的， LP2985LV -N输出必须是diode-
钳位到地。
的输出PNP结构包含在V之间的二极管
IN
到V
OUT
终端，它通常是反向偏置。反向极性
从V
IN
到V
OUT
将打开该二极管，并可能损坏设备（见
应用提示） 。
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
提交文档反馈
产品文件夹链接：
LP2985LV-N
3
LP2985LV-N
SNOS510P - 1999年11月 - 修订2013年4月
www.ti.com
电气特性
(1)
在标准字体限为T
J
= 25℃。而在极限
黑体字
适用于在整个工作温度范围内。
除非另有规定： V
IN
= V
O（ NOM ）
+ 1V ，我
L
= 1毫安，C
IN
= 1 μF ，C
OUT
= 4.7 μF ，V
开/关
= 2V.
符号
参数
条件
I
L
= 1毫安
ΔV
O
输出电压
公差
1毫安
≤
I
L
≤
50毫安
1毫安
≤
I
L
≤
150毫安
输出电压
线路调整
0.007
典型值
LP2985AI-X.X
(2)
民
1.0
1.5
2.5
2.5
3.5
最大
1.0
1.5
2.5
2.5
3.5
0.014
0.032
95
125
110
170
220
400
500
900
1200
2000
0.8
2
2.20
150
250
350
600
1.6
0.15
2
15
1.6
0.15
2
15
LP2985I-X.X
(2)
民
1.5
2.5
3.5
3.0
4.0
最大
1.5
2.5
3.5
3.0
4.0
0.014
0.032
95
125
110
170
220
400
500
900
1200
2000
0.8
2
2.20
150
250
350
600
V
A
%/V
%V
喃
单位
V
O
(NOM)+1V
≤
V
IN
≤
16V
I
L
= 0
I
L
= 1毫安
I
L
= 10毫安
65
75
120
300
825
0.01
0.05
2.05
I
GND
接地引脚电流
I
L
= 50毫安
I
L
= 150毫安
V
开/关
＆ LT ; 0.3V
V
开/关
＆ LT ; 0.15V
最小输入电压
需要保持输出
规
(3)
IL = 50毫安
输入输出电压差
(3)
IL = 150毫安
280
1.4
0.55
0.01
5
30
V
IN
（分钟）
120
V
IN
- V
OUT
mV
V
开/关
I
开/关
开/关输入电压
(4)
的ON / OFF输入电流
高= O / P ON
低= O / P OFF
V
开/关
= 0
V
开/关
= 5V
V
A
e
n
BW = 300 Hz到50 kHz时，
C
OUT
= 10 F
输出噪声电压（有效值）
C
绕行
- 10 nF的
V
OUT
= 1.8V
纹波抑制
F = 1千赫，C
绕行
- 10 nF的
C
OUT
= 10 F
R
L
= 0 （稳态）
(5)
V
OUT
≥
V
o
（ NOM ）
5%
V
45
400
350
dB
mA
mA
I
O
（ SC ）
I
O
（ PK）
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
短路电流
峰值输出电流
该DSBGA设备暴露在阳光直射会造成误操作。看
应用提示
了解更多信息。
限制是100 ％的产品在25 ℃的测试。限制在工作温度范围内，确保了使用的统计相关性
质量控制（ SQC）方法。这些限制被用来计算平均出厂质量水平（ AOQL ） 。
V
IN
必须是2.2V或V中的较大
OUT （ NOM ）
+输入输出电压差来维持输出稳压。电压差定义为输入
输出差分，当输出电压降至2 ％下方有一个1V的差分测量疗法的价值。
的ON / OFF输入必须正确地驱动，以防止可能发生的误操作。有关详细信息，请参阅
应用提示。
该LP2985LV - N具有折返电流限制，其允许高的峰值电流在V
OUT
> 0.5V ，然后降低最大
输出电流为V
OUT
被强制接地（见
典型性能特性
曲线） 。
4
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LP2985LV-N
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
LP2985LV-N
www.ti.com
SNOS510P - 1999年11月 - 修订2013年4月
典型性能特性
除非另有规定：C
IN
= 1μF ，C
OUT
= 4.7μF ，V
IN
= V
OUT
（ NOM ） +1 ，V
OUT
= 1.8V ，T
A
= 25° ， ON / OFF引脚连接到V
IN
V
OUT
与温度
短路电流
图5中。
短路电流
图6 。
短路电流与输出电压
图7 。
纹波抑制
COUT = 4.7μF ，绕道= 10nF的
网络连接gure 8 。
纹波抑制
COUT = 4.7μF ，不绕道
图9 。
网络连接gure 10 。
版权所有 1999年至2013年，德州仪器
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