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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符L型号页 > 首字符L的型号第425页 > LP2967IMMX-2626
LP2967双微150毫安低压差稳压器的micro SMD封装
2003年4月
LP2967
双微150毫安低压降稳压器
micro SMD封装
概述
该LP2967是150毫安，双固定输出电压稳压器
旨在提供超低压降和BAT-低噪音
tery供电的应用。
采用优化的VIP（垂直集成PNP ）的过程中，
在LP2967提供的所有specifi-无与伦比的性能
离子电池供电的设计至关重要：
压差电压：
通常情况下240 mV的在150 mA负载，并
6毫伏为1 mA负载为每个输出。
接地引脚电流：
通常情况下1毫安在150 mA负载，并
200 μA为1 mA负载为每个输出。
增强的稳定性：
该LP2967是稳定的输出钙
pacitor ESR低至5毫欧，它允许使用陶瓷的
电容上的输出。
睡眠模式：
不到2 μA的静态电流，当SD
引脚被拉低。
最小可能的尺寸：
micro SMD封装使用绝对
最小的电路板空间。
精密输出：
1.25 ％的容差。
低噪音：
通过加入一个100 nF旁路电容，输出
噪声可降低到30 μV （典型值） 。
多种电压选项，从1.8V到5.0V ，可供选择。
自定义的电压向厂家咨询。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
超低的压降
保证150mA输出电流300 mA峰值
尽可能小的尺寸（ micro SMD封装）
需要最少的外部元件
稳定与2.2 μF的钽电容或陶瓷电容
输出电压精度
±
1%
＆ LT ;
2 μA的静态电流时关闭
宽电源电压范围（ 16V最大）
低Z
OUT
： 0.3Ω典型（ 10 Hz至1 MHz时）
过温/过电流保护
-40°C至+ 125°C的结温范围
可自定义的电压
应用
n
n
n
n
手机
掌上电脑/笔记本电脑
个人数字助理（ PDA ）
摄录一体机，随身听，照相机
框图
10114201
2003美国国家半导体公司
DS101142
www.national.com
LP2967
基本应用电路
10114202
* SD1和SD2必须积极终止。他们绑到V
IN
如果不需要它们的功能。
**最小电容被示为确保稳定性（不限制可以增加） 。
***降低输出噪声（如果应用不是噪声临界可被省略） 。使用陶瓷或薄膜型具有非常低的漏电流。
订购信息
输出电压（V）
V
OUT1
2.5
2.5
2.5
2.5
2.6
2.6
2.8
2.8
2.8
2.8
1.8
1.8
1.8
1.8
2.5
2.5
2.5
2.5
2.6
2.6
2.8
2.8
V
OUT2
2.8
2.8
3.3
3.3
2.6
2.6
2.8
2.8
3.3
3.3
2.5
2.5
3.3
3.3
2.8
2.8
3.3
3.3
2.6
2.6
2.8
2.8
对于MSOP封装
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP2967IMM-2528
LP2967IMMX-2528
LP2967IMM-2533
LP2967IMMX-2533
LP2967IMM-2626
LP2967IMMX-2626
LP2967IMM-2828
LP2967IMMX-2828
LP2967IMM-2833
LP2967IMMX-2833
LP2967IBP-1825
LP2967IBPX-1825
LP2967IBP-1833
LP2967IBPX-1833
LP2967IBP-2528
LP2967IBPX-2528
LP2967IBP-2533
LP2967IBPX-2533
LP2967IBP-2626
LP2967IBPX-2626
LP2967IBP-2828
LP2967IBPX-2828
LCAB
LCAB
LCBB
LCBB
LCLB
LCLB
LAQB
LAQB
LCCB
LCCB
L0P
L0P
L0R
L0R
CA
CA
CB
CB
CL
CL
AQ
AQ
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
GRADE
订购信息
包
记号
供货方式
对于8焊球micro SMD封装（ BPA08 ）
www.national.com
2
LP2967
订购信息
输出电压（V）
V
OUT1
2.8
2.8
V
OUT2
3.3
3.3
（续）
订购信息
LP2967IBP-2833
LP2967IBPX-2833
包
记号
CC
CC
供货方式
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
GRADE
性病
性病
10114205
10114206
3
www.national.com
LP2967
封装外形及接线图
10114204
10114203
顶视图
微型SMD
8焊球micro SMD封装
代码： BP
顶视图
小型SO- 8封装
8引脚小外形集成电路（ SOIC ）封装
代码： MM
引脚说明
名字
V
OUT
2
SD2
绕行
GND
GND
SD1
V
OUT
1
V
IN
引脚数
微型SMD
A1
B1
C1
C2
C3
B3
A3
A2
MSOP
7
6
5
-
4
3
2
1, 8
功能
第二个LDO的输出电压
断输入用于第二LDO
旁路电容的带隙
地底
共同点
断输入给所述第一LDO
第一个LDO的输出电压
通用输入电压为两个LDO
www.national.com
4
LP2967
绝对最大额定值
（注1 ）
ESD额定值（注2 ）
输入电源电压（生存）
输入电源电压（工作）
关断输入电压（生存）
输出电压（生存） （注4 ）
I
OUT
（生存）
输入 - 输出电压（生存） ，
（注5 ）
1.5kV
-0.3V至+ 16V
2.1V至+ 16V
-0.3V至+ 16V
短路保护功能
-0.3V至+ 16V
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
铅温度。 （ IR回流，持续10秒。 ）
垫温度。 （ IR回流，持续10秒。 ）
工作结点温度。范围
功率耗散（注4 ）
-65 ° C至+ 150°C
245C
245C
-40 ° C至+ 125°C
内部限制
电气特性
在标准字体限为T
j
= 25°C ，而在极限
黑体字
适用于整个工作结温
范围内。除非另有规定，V
IN
= V
O（ NOM ）
+ 1V ，我
L
= 1mA时，
IN
= 1μF ，C
OUT
= 4.7μF ，V
开/关
= 1.6V.
符号
V
O
V
O
/V
IN
V
O
/I
负载
参数
输出电压
公差
线路调整
负载调整率
条件
I
负载
= 1毫安
1mA
＆ LT ;
I
负载
＆ LT ;
150毫安
V
O
（ NOM ） + 1V
＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
16V
V
IN
= V
O（ NOM ）
+ 1V （注6 ）
1mA
＆ LT ;
I
负载
＆ LT ;
150毫安
I
负载
= 1毫安
输入输出电压差
（注7 ）
I
负载
= 50毫安
I
负载
= 150毫安
工作电流
这两个监管机构
I
负载
（ 1和2） = 1毫安
I
负载
（ 1和2） = 150毫安
I
Q
静态电流
一个稳压器关闭
I
负载
（ 1和2） = 1毫安
I
负载
（ 1和2） = 150毫安
两个稳压器关闭
（ SHUTDOWN ）
I
PEAK
峰值输出
当前
稳压器ON
控制输入
电压
稳压器关闭
控制输入
电压
控制输入
当前
输出噪声
电压
V
O
＆ LT ;
V
OUT
（ NOM ） - 5 ％
V
O
＆ LT ;
V
OUT
（ NOM ） - 5 ％
200
450
200
1700
180
1000
300
5000
250
2500
2
mA
A
5
6
100
240
10
15
125
180
290
425
mV
民
1.25
3.0
典型值
最大
1.25
3.0
0.08
单位
%
%/V
mV / V的
操作规范
(V
IN
- V
O
）最小。
控制输入（ SD1 ， SD2 ）
V
IN
(H)
1.6
1.4
V
V
IN
(L)
0.300
0.8
V
I
开/关
V
（SD）的
= 0V
V
（SD）的
= 5V
C
绕行
= 100nF的， 300
100kHz
30
2
7
A
动态特性
e
n
μV RMS
5
www.national.com
LP2967双微150毫安低压差稳压器的micro SMD封装
2003年4月
LP2967
双微150毫安低压降稳压器
micro SMD封装
概述
该LP2967是150毫安，双固定输出电压稳压器
旨在提供超低压降和BAT-低噪音
tery供电的应用。
采用优化的VIP（垂直集成PNP ）的过程中，
在LP2967提供的所有specifi-无与伦比的性能
离子电池供电的设计至关重要：
压差电压：
通常情况下240 mV的在150 mA负载，并
6毫伏为1 mA负载为每个输出。
接地引脚电流：
通常情况下1毫安在150 mA负载，并
200 μA为1 mA负载为每个输出。
增强的稳定性：
该LP2967是稳定的输出钙
pacitor ESR低至5毫欧，它允许使用陶瓷的
电容上的输出。
睡眠模式：
不到2 μA的静态电流，当SD
引脚被拉低。
最小可能的尺寸：
micro SMD封装使用绝对
最小的电路板空间。
精密输出：
1.25 ％的容差。
低噪音：
通过加入一个100 nF旁路电容，输出
噪声可降低到30 μV （典型值） 。
多种电压选项，从1.8V到5.0V ，可供选择。
自定义的电压向厂家咨询。
特点
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
n
超低的压降
保证150mA输出电流300 mA峰值
尽可能小的尺寸（ micro SMD封装）
需要最少的外部元件
稳定与2.2 μF的钽电容或陶瓷电容
输出电压精度
±
1%
＆ LT ;
2 μA的静态电流时关闭
宽电源电压范围（ 16V最大）
低Z
OUT
： 0.3Ω典型（ 10 Hz至1 MHz时）
过温/过电流保护
-40°C至+ 125°C的结温范围
可自定义的电压
应用
n
n
n
n
手机
掌上电脑/笔记本电脑
个人数字助理（ PDA ）
摄录一体机，随身听，照相机
框图
10114201
2003美国国家半导体公司
DS101142
www.national.com
LP2967
基本应用电路
10114202
* SD1和SD2必须积极终止。他们绑到V
IN
如果不需要它们的功能。
**最小电容被示为确保稳定性（不限制可以增加） 。
***降低输出噪声（如果应用不是噪声临界可被省略） 。使用陶瓷或薄膜型具有非常低的漏电流。
订购信息
输出电压（V）
V
OUT1
2.5
2.5
2.5
2.5
2.6
2.6
2.8
2.8
2.8
2.8
1.8
1.8
1.8
1.8
2.5
2.5
2.5
2.5
2.6
2.6
2.8
2.8
V
OUT2
2.8
2.8
3.3
3.3
2.6
2.6
2.8
2.8
3.3
3.3
2.5
2.5
3.3
3.3
2.8
2.8
3.3
3.3
2.6
2.6
2.8
2.8
对于MSOP封装
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
性病
LP2967IMM-2528
LP2967IMMX-2528
LP2967IMM-2533
LP2967IMMX-2533
LP2967IMM-2626
LP2967IMMX-2626
LP2967IMM-2828
LP2967IMMX-2828
LP2967IMM-2833
LP2967IMMX-2833
LP2967IBP-1825
LP2967IBPX-1825
LP2967IBP-1833
LP2967IBPX-1833
LP2967IBP-2528
LP2967IBPX-2528
LP2967IBP-2533
LP2967IBPX-2533
LP2967IBP-2626
LP2967IBPX-2626
LP2967IBP-2828
LP2967IBPX-2828
LCAB
LCAB
LCBB
LCBB
LCLB
LCLB
LAQB
LAQB
LCCB
LCCB
L0P
L0P
L0R
L0R
CA
CA
CB
CB
CL
CL
AQ
AQ
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3000单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
GRADE
订购信息
包
记号
供货方式
对于8焊球micro SMD封装（ BPA08 ）
www.national.com
2
LP2967
订购信息
输出电压（V）
V
OUT1
2.8
2.8
V
OUT2
3.3
3.3
（续）
订购信息
LP2967IBP-2833
LP2967IBPX-2833
包
记号
CC
CC
供货方式
1000单位磁带和卷轴
3500单位磁带和卷轴
GRADE
性病
性病
10114205
10114206
3
www.national.com
LP2967
封装外形及接线图
10114204
10114203
顶视图
微型SMD
8焊球micro SMD封装
代码： BP
顶视图
小型SO- 8封装
8引脚小外形集成电路（ SOIC ）封装
代码： MM
引脚说明
名字
V
OUT
2
SD2
绕行
GND
GND
SD1
V
OUT
1
V
IN
引脚数
微型SMD
A1
B1
C1
C2
C3
B3
A3
A2
MSOP
7
6
5
-
4
3
2
1, 8
功能
第二个LDO的输出电压
断输入用于第二LDO
旁路电容的带隙
地底
共同点
断输入给所述第一LDO
第一个LDO的输出电压
通用输入电压为两个LDO
www.national.com
4
LP2967
绝对最大额定值
（注1 ）
ESD额定值（注2 ）
输入电源电压（生存）
输入电源电压（工作）
关断输入电压（生存）
输出电压（生存） （注4 ）
I
OUT
（生存）
输入 - 输出电压（生存） ，
（注5 ）
1.5kV
-0.3V至+ 16V
2.1V至+ 16V
-0.3V至+ 16V
短路保护功能
-0.3V至+ 16V
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
存储温度范围
铅温度。 （ IR回流，持续10秒。 ）
垫温度。 （ IR回流，持续10秒。 ）
工作结点温度。范围
功率耗散（注4 ）
-65 ° C至+ 150°C
245C
245C
-40 ° C至+ 125°C
内部限制
电气特性
在标准字体限为T
j
= 25°C ，而在极限
黑体字
适用于整个工作结温
范围内。除非另有规定，V
IN
= V
O（ NOM ）
+ 1V ，我
L
= 1mA时，
IN
= 1μF ，C
OUT
= 4.7μF ，V
开/关
= 1.6V.
符号
V
O
V
O
/V
IN
V
O
/I
负载
参数
输出电压
公差
线路调整
负载调整率
条件
I
负载
= 1毫安
1mA
＆ LT ;
I
负载
＆ LT ;
150毫安
V
O
（ NOM ） + 1V
＆ LT ;
V
IN
＆ LT ;
16V
V
IN
= V
O（ NOM ）
+ 1V （注6 ）
1mA
＆ LT ;
I
负载
＆ LT ;
150毫安
I
负载
= 1毫安
输入输出电压差
（注7 ）
I
负载
= 50毫安
I
负载
= 150毫安
工作电流
这两个监管机构
I
负载
（ 1和2） = 1毫安
I
负载
（ 1和2） = 150毫安
I
Q
静态电流
一个稳压器关闭
I
负载
（ 1和2） = 1毫安
I
负载
（ 1和2） = 150毫安
两个稳压器关闭
（ SHUTDOWN ）
I
PEAK
峰值输出
当前
稳压器ON
控制输入
电压
稳压器关闭
控制输入
电压
控制输入
当前
输出噪声
电压
V
O
＆ LT ;
V
OUT
（ NOM ） - 5 ％
V
O
＆ LT ;
V
OUT
（ NOM ） - 5 ％
200
450
200
1700
180
1000
300
5000
250
2500
2
mA
A
5
6
100
240
10
15
125
180
290
425
mV
民
1.25
3.0
典型值
最大
1.25
3.0
0.08
单位
%
%/V
mV / V的
操作规范
(V
IN
- V
O
）最小。
控制输入（ SD1 ， SD2 ）
V
IN
(H)
1.6
1.4
V
V
IN
(L)
0.300
0.8
V
I
开/关
V
（SD）的
= 0V
V
（SD）的
= 5V
C
绕行
= 100nF的， 300
100kHz
30
2
7
A
动态特性
e
n
μV RMS
5
www.national.com
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LTC1514CS8-3.3
LMZ10505EXTTZX
LT5575
LGG2G331MELC25
LT1004IDE4-2-5
L2SA1037AKQLT1G
L13-54
LTC1703IG
LT74TC32CC
LTC1844ES5-1.8
LQW18AN91NG00
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型号
厂家
批号
数量
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单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
    QQ： 点击这里给我发消息 QQ：2880707522 复制 点击这里给我发消息 QQ：2369405325 复制

    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    LP2967IMMX-2626
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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