乐山无线电公司, LTD 。
20V P沟道增强型MOSFET
V
DS
= -20V
R
DS (ON ) ,
Vgs@-4.5V , Ids@-2.8A = 100
mΩ
R
DS (ON ) ,
Vgs@-2.5V , Ids@-2.0A = 150
mΩ
3
LP2301LT1G
特点
先进的加工技术
对于超低导通电阻高密度电池设计
充分界定雪崩电压和电流
改进直通FOM
1
2
SOT- 23 ( TO- 236AB )
▼
简单的驱动要求
▼
封装尺寸小
▼
表面安装器件
▼
无铅封装可用
3
D
G
1
2
最大额定值和热特性
(T
A
= 25
o
C除非另有说明)
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
漏电流脉冲1 )
最大功率耗散
TA = 25
o
C
TA = 75℃
工作结存储温度范围
结到外壳热阻
结至环境热阻(PCB安装)
2)
o
S
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
DM
P
D
T
J
, T
英镑
R
QJC
R
qJA
极限
-20
±8
-2.3
-8
0.9
0.57
-55到150
单位
V
A
W
o
C
o
C / W
140
注: 1,重复评级:脉冲宽度有限的最高结temperation
2
2. 1中
2盎司铜PCB板
3.由设计保证;不受生产测试
1/3
乐山无线电公司, LTD 。
LP2301LT1G
电气特性
参数
STATIC
漏源击穿电压
漏源导通电阻
漏源导通电阻
栅极阈值电压
零栅极电压漏极电流
门体漏
栅极电阻
正向跨导
动态
3)
符号
测试条件
民
典型值
最大
单位
BV
DSS
R
DS ( ON)
R
DS ( ON)
V
GS ( TH)
I
DSS
I
GSS
Rg
g
fs
V
GS
= 0V时,我
D
= -250uA
V
GS
= -4.5V ,我
D
= -2.8A
V
GS
= -2.5V ,我
D
= -2.0A
V
DS
=V
GS
, I
D
= -250uA
V
DS
= -9.6V, V
GS
= 0V
V
GS
= ±8V, V
DS
= 0V
-20
-
69
83
-
100
150
-0.95
-1
±100
V
mΩ
mΩ
V
uA
nA
Ω
-0.45
V
DS
= -5V ,我
D
= -4.0A
6.5
S
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
输入电容
输出电容
反向传输电容
源极 - 漏极二极管
马克斯。二极管的正向电流
二极管的正向电压
注意:
脉冲测试:脉冲宽度< = 300US ,值班cycle< = 2 %
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
V
DS
= -6V, V
GS
= 0V
F = 1.0 MHz的
V
DD
= -6V ,R
L
= 6Ω
Ι
D
= 1Α,
V
根
= -4.5V
R
G
= 6Ω
V
DS
= -6V ,我
D
= -2.8A
V
GS
= -4.5V
15.23
5.49
2.74
17.28
3.73
36.05
6.19
882.51
145.54
97.26
pF
ns
nC
I
S
V
SD
I
S
= -0.75A ,V
GS
= 0V
-0.8
-2.4
-1.2
A
V
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乐山无线电公司, LTD 。
出货规格
CPN
LABEL
LABEL
LABEL
10Reel /内盒
30KPCS /内盒
暗淡(单位:mm )
195mm*195mm*150mm
10卷
3000PCS/Reel
8000PCS /卷( SOT- 723 , SOD- 723 )
80KPCS /内盒( SOT- 723 , SOD- 723 )
暗淡(单位:mm )
460mm*400mm*420mm
LABEL
标志
乐山无线电股½有限公司
乐山无线电公司, LTD 。
12内盒/箱
360KPCS/Carton
960KPCS /箱( SOT- 723 , SOD- 723 )